專利名稱：用于光學元件的封裝基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于光學元件的封裝基板以及制造該用于光學元件的封裝基板的方法。
背景技術(shù)：
近來，因為發(fā)光二極管(LEDs)與傳統(tǒng)的光學元件如白熾燈、熒光燈相比，具有環(huán) 境友好且獲得能源節(jié)省的效果(包括低功耗消耗、高性能及使用壽命較長等)的優(yōu)點，所以 發(fā)光二極管具有持續(xù)增長的需求且逐漸得到普通照明市場的重視。此外，由于與通常用作液晶顯示的光源的冷陰極熒光燈相比，這種LED可以表現(xiàn) 出更高的圖像質(zhì)量，所以使用這種LED作為背光系統(tǒng)(kicklightimit)的產(chǎn)品一個接一個 地出現(xiàn)。用于背光系統(tǒng)的印刷電路板(PCB)或印刷線路板(PWB)是上面焊接有集成電路、 電阻器或開關(guān)的薄基板，而且在所述PCB上安裝有在大多數(shù)類型的計算機或者各種顯示器 中使用的電路。在用于背光系統(tǒng)的封裝基板的制造過程中，通常使用熒光材料(fluorescent material)以發(fā)出白光。同樣地，在芯片的尺寸和厚度增加時，有可能出現(xiàn)所使用的熒光材 料的形狀無法保持圓頂?shù)男螤畹默F(xiàn)象。為了解決這個問題，在上面要安裝LED的PCB的一部分上使用金屬以產(chǎn)生厚度差。盡管所述熒光樹脂材料的圓頂形可以通過厚度差來保持，但是在安裝有芯片的部 分的周圍形成電路是不可能的，因此為了實現(xiàn)電連接，需要在上面要安裝LED的基板的區(qū) 域額外形成通道孔(via hole)。因此，需要額外進行用環(huán)氧樹脂填充該通道孔的封堵過程。在填充該通道孔時，環(huán) 氧樹脂由于在空隙中使用從而導致其可靠性降低。另外，在安裝所述LED時，可能出現(xiàn)由于所述通道孔而導致所述LED傾斜或用于粘 結(jié)所述LED的芯片粘結(jié)膠粘劑(die-attach adhesive)滲透所述通道孔的工藝問題。因此，需要一種新的用于光學元件的封裝基板，該封裝基板通過與在上面要安裝 LED的基板的部分產(chǎn)生厚度差從而實現(xiàn)LED的電連接，而不需要在上面要安裝LED的基板的 區(qū)域設(shè)置通道孔。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮到在相關(guān)領(lǐng)域中遇到的所述問題形成了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種用于光學元件的封裝基板，其中，在安裝光學元件的金屬層的區(qū)域的周圍形成有溝槽， 從而形成厚度差以使得在光學元件上施用的熒光樹脂材料的形狀容易保持，本發(fā)明還提供 了該用于光學元件的封裝基板的制造方法。本發(fā)明的另一個目的是提供一種用于光學元件的封裝基板，其中，使安裝光學元 件的區(qū)域與形成用于電連接所述光學元件的電極的區(qū)域中的一個結(jié)合，從而避免了在安裝 光學元件的基板的區(qū)域形成用于電連接的通道孔的需要，本發(fā)明還提供了制造該用于光學 元件的封裝基板的方法。本發(fā)明一方面提供了一種用于光學元件的封裝基板，該基板包括其中形成有孔 的金屬芯子；在所述金屬芯子的表面上形成的絕緣層；在所述絕緣層的表面上形成的第一 金屬層，使得包含在所述第一金屬層和所述絕緣層中的所述金屬芯子通過所述絕緣層進行 絕緣；安裝在所述第一金屬層上的光學元件，以及為了保護所述光學元件而施用于所述光 學元件上的熒光樹脂材料(fluorescent resin material)。在這方面，所述封裝基板還可以包括為了提高由所述光學元件發(fā)出的光的反射率 而在所述第一金屬層上形成的第二金屬層。在這方面，所述封裝基板還可以包括為了保護所述光學元件而在所述熒光樹脂材 料上形成的透鏡部件(lens part)。在這方面，所述金屬芯子可以包括鋁(Al)、鋁合金或銅(Cu)。在這方面，所述絕緣層可以包括氧化鋁(Al2O3)或環(huán)氧樹脂。在這方面，所述第一金屬層可以包括安裝所述光學元件的布線圖形；與所述布 線圖形結(jié)合以與所述光學元件電連接的第一電極圖形；以及與所述布線圖形絕緣以與所述 光學元件電連接的第二電極圖形。另外，所述第一金屬層還可以包括在所述布線圖形周圍形成的溝槽，從而在所述 布線圖形周圍形成厚度差。本發(fā)明另一方面提供了一種制造用于光學元件的封裝基板的方法，該方法包括 (A)在金屬芯子中形成孔；(B)在其中形成有孔的所述金屬芯子的表面上形成絕緣層；(C) 在所述絕緣層的表面上形成第一金屬層，使得包含在所述第一金屬層和所述絕緣層中的所 述金屬芯子通過所述絕緣層進行絕緣，所述第一金屬層形成至包括溝槽和電路層，該電路 層包括布線圖形、第一電極圖形與第二電極圖形；以及(D)將所述光學元件安裝在所述電 路層上，然后將熒光樹脂材料施用于所述光學元件上。在這方面，所述方法還可以包括(E)在所述第一金屬層上形成第二金屬層。在這方面，所述方法還可以包括(F)為了保護所述光學元件而在所述熒光樹脂材 料上形成透鏡部件。在這方面，⑶可以通過陽極氧化所述金屬芯子的表面來實施，從而在所述金屬芯 子的表面上形成所述絕緣層。在這方面，(B)可以通過使用粘合劑在所述金屬芯子的表面上粘附環(huán)氧樹脂來實 施，從而在所述金屬芯子的表面上形成所述絕緣層。在這方面，(C)可以包括(C-I)在所述絕緣層的表面上使用鎳(Ni)、鈦(Ti)、鋅 (Si)、鉻(Cr)或銅(Cu)形成種子層(seed layer)，然后在所述種子層上施用銅(Cu)從而 形成所述第一金屬層；(C-幻將干膜抗蝕劑(dry film resist)與所述第一金屬層緊密接觸，實施曝光(exposure)和顯影(development)，然后實施初級蝕刻(primary etching), 使得所述布線圖形周圍的所述第一金屬層的區(qū)域被半蝕刻(half-etched)，以產(chǎn)生溝槽，從 而形成包括所述布線圖形、所述第一電極圖形和所述第二電極圖形的電路層，所述布線圖 形、所述第一電極圖形和所述第二電極圖形相互結(jié)合。另外，(C-2)還可以包括二級蝕刻(secondary etching)，所述二級蝕刻用于將 所述第一金屬層的一部分蝕刻至所述絕緣層露出，使得所述第一電極圖形與所述第二電極 圖形中的至少一個與所述布線圖形絕緣。在該方面，(D)還可以包括在所述布線圖形上安裝所述光學元件；將所述布線圖 形與位于所述光學元件的下表面上的電極進行倒裝芯片焊接(flip-chip bonding)；將所 述第一電極圖形和所述第二電極圖形中的至少一個(該電極圖形與所述布線圖形絕緣)與 位于所述光學元件的上表面上的電極進行引線結(jié)合(wire-bonding)，以及為了保護所述光 學元件而將所述熒光樹脂材料施用于所述光學元件上。


通過下面與附圖相結(jié)合的詳細描述可以更清楚地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點。圖1表示根據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
的用于光學元件的封裝基板的橫截面圖；圖2A至圖21依次表示根據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
的制造所述用于光學元件的封 裝基板的過程的橫截面圖。
具體實施例方式在下文中，將結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細的描述。在所有附圖中， 相同的附圖標記用于表示相同或相似的部件。此外，至于會使本發(fā)明的特征不清楚和使描 述清楚的已知技術(shù)的描述，即使與本發(fā)明相關(guān)，也認為是不必要的且可以省略的。此外，在本說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語和詞語不應該被解釋為局限于典型 的含義或字典上的定義，而基于發(fā)明人能適當?shù)囟x由術(shù)語所暗示的概念，以最好地描述 他或她已知的實施本發(fā)明的方法的原則，這些術(shù)語和詞語應該解釋為具有與本發(fā)明的技術(shù) 范圍相關(guān)的含義和概念。圖1表示根據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
的用于光學元件的封裝基板的橫截面圖。參考圖1，根據(jù)本實施例的中用于光學元件的封裝基板10包括其中形成有孔的金 屬芯子11，在所述金屬芯子11的表面上形成的絕緣層12 ；在所述絕緣層12上形成至預定 的厚度的第一金屬層13 ；安裝在所述第一金屬層13上的光學元件15，以及用于保護所述光 學元件15的熒光樹脂材料18。所述金屬芯子11由具有高散熱性的金屬材料如鋁(Al)、鋁合金或銅(Cu)制成。所述金屬芯子11具有想要的尺寸的通孔(through hole)，該通孔通過機械方法 如鉆孔在所述金屬芯子11中形成。所述絕緣層12在所述金屬芯子11的整個表面上形成。所述絕緣層12可以是通過陽極氧化所述金屬芯子11而產(chǎn)生的氧化膜(如氧化鋁 (Al2O3)),或者可以由通過使用粘合劑將樹脂材料如環(huán)氧樹脂粘結(jié)到所述金屬芯子11上而 形成的絕緣材料制成。
為了將所述光學元件15安裝在通過所述絕緣層12進行絕緣的所述金屬芯子11 上，在所述絕緣層12的兩個表面上均形成所述第一金屬層13。所述第一金屬層13包括由鎳(Ni)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、鉻(Cr)或銅(Cu)制成的種 子層(未顯示)，以及在所述種子層上形成預定厚度的金屬層(如銅(Cu)層)。所述第一金屬層13的厚度可以設(shè)定為從所述絕緣層12起約20 μ m以上，該厚度 值是考慮到后面將要描述的溝槽14的深度而確定。另外，所述第一金屬層13包括在其一個表面上的電路層，該電路層包括安裝所述 光學元件15的布線圖形13a和與所述光學元件15電連接的第一、第二電極圖形13b、13c。所述電路層可以通過在所述第一金屬層13上沉積干膜抗蝕劑(DRF)，實施包括 曝光、顯影和蝕刻的一系列步驟的PCB電路圖形的形成方法(PCBcircuit patterning process)以獲得想要的電路圖形，從而形成，所述形成電路層的方法已為本領(lǐng)域熟練的技 術(shù)人員所熟知，故省略其詳細的描述。另外，所述溝槽14形成于安裝所述光學元件15的所述第一金屬層13的區(qū)域的周 圍，也就是，在所述布線圖形13a的周圍，從而方便在所述光學元件15上施用熒光樹脂材料 18，并減少熒光樹脂材料18的延伸性(spreadability)，因此容易保持所述熒光樹脂材料 的形狀。在蝕刻時，形成所述溝槽14，使得所述溝槽14的底表面位于與所述絕緣層12存在 預定的距離的位置。所述溝槽14的深度與所述第一金屬層13的厚度成比例，但可以設(shè)定為約ΙΟμπι 以下。使所述第一電極圖形1 與安裝所述光學元件15的所述布線圖形13a結(jié)合，所述 第一電極圖形1 根據(jù)所述PCB電路圖形的形成方法在所述第一金屬層13上形成。如此形成的所述第一電極圖形1 可以通過在位于所述光學元件15的下表面上 的電極和在所述布線圖形13a上形成的電極之間進行倒裝芯片焊接，從而與所述光學元件 15電連接。另外，根據(jù)所述PCB電路圖形的形成方法在所述第一金屬層13上形成的所述第二 電極圖形，可以通過將所述第一金屬層13的一部分的兩個表面蝕刻至所述絕緣層12露出， 從而形成，使得所述第二電極圖形與安裝所述光學元件15的所述布線圖形13a絕緣。如此形成的所述第二電極圖形13c可以使用電線16與位于所述光學元件15的上 平面上的電極進行引線接合，從而使所述第二電極圖形13c與所述光學元件15電連接。所述光學元件15的例子可以包括發(fā)光二極管(LED)。另外，根據(jù)本實施方式的所述用于光學元件的封裝基板10還可以包括在所述第 一金屬層13上形成的第二金屬層17。所述第二金屬層17用于提高由所述光學元件15發(fā)出的光的反射率，且所述第二 金屬層17主要由具有較好的光放射性(light radiating)的銀(Ag)形成。另外，根據(jù)本實施方式的所述用于光學元件的封裝基板10還可以包括在所述熒 光樹脂材料18上形成的透鏡部件19，從而保護安裝在所述第一金屬層13上的所述光學元 件15及與所述光學元件15引線接合的區(qū)域。圖2A至圖21依次表示根據(jù)本發(fā)明的具體實施方式
的制造所述用于光學元件的封裝基板的過程。如圖2A所示，制備金屬芯子11。接著，如圖2B所示，采用機械方法如鉆孔在所述金屬芯子11中形成想要的尺寸的 通孑L。接著，如圖2C所示，實施用于在所述金屬芯子11的表面上形成絕緣層12的絕緣 處理方法，從而制造絕緣基板。該絕緣處理方法可以包括用于陽極氧化所述金屬芯子11的表面的陽極氧化處 理，如此形成的所述絕緣層12通?？梢园ㄑ趸X(Al2O3)?；蛘撸谒鲫枠O氧化處理的場所，可以實施用于在所述金屬芯子11的表面上使 用粘結(jié)劑粘結(jié)樹脂材料如環(huán)氧樹脂的粘結(jié)方法，從而形成所述絕緣層12。接著，如圖2D所示，第一金屬層13在所述絕緣層12的兩個表面上形成，使得包含 在所述第一金屬層13和所述絕緣層12中的所述金屬芯子11通過所述絕緣層12進行絕緣。所述第一金屬層13可以通過無電鍍或濺射法在所述絕緣層12的表面上沉積鎳 (Ni)、鈦(Ti)、鋅( )、鉻(Cr)或銅(Cu)以形成種子層，然后使用電鍍或濺射法將銅(Cu) 在所述種子層上沉積至預定的厚度，從而形成。當使用電鍍或濺射法將銅(Cu)沉積至預定的厚度時，考慮到溝槽14的深度，該厚 度設(shè)定為從所述絕緣層12起約20 μ m以下。接著，如圖2E所示，將干膜抗蝕劑與所述第一金屬層13的兩個表面緊密接觸，之 后在任一表面上(為了獲得想要的電路圖形而要安裝光學元件15的表面上)實施包括曝 光、顯影和初級蝕刻的PCB電路圖形的形成方法。使用PCB電路圖形的形成方法而形成的所述電路圖形包括要安裝所述光學元件 15的布線圖形13a以及要與所述光學元件15電連接的第一和第二電極圖形13b、13c。另外，當實施所述PCB電路圖形的形成方法時，所述溝槽14在要安裝所述光學元 件15的所述第一金屬層13的所述布線圖形13a的周圍形成。在用于形成所述溝槽14的初級蝕刻過程中，實施半蝕刻，使得所述溝槽14的底表 面位于與所述絕緣層12存在預定的距離的位置。然后，去除剩余的干膜抗蝕劑。然后，如圖2F所示，所述第一金屬層13配置成使 得由布線圖形13a以及第一和第二電極圖形1北、13c組成的電路層與所述溝槽14結(jié)合。然后，第二金屬層17還可以鍍在包括所述電路層13a_13c以及所述溝槽14的所 述第一金屬層13上。接著，如圖2H所示，對所述第一金屬層13進行二次蝕刻，使得與所述布線圖形13a 結(jié)合的所述第一和第二電極圖形13b、13c中的任意一個與所述布線圖形13a絕緣。在二次蝕刻時，對所述第一金屬層13的兩個表面進行蝕刻，直至所述絕緣層12露出ο在圖2H中，所述第二電極圖形13c與所述布線圖形13a絕緣。接著，如圖21所示，所述光學元件15安裝在所述布線圖形13a上，之后為了使所 述光學元件15電連接，實施倒裝芯片焊接和引線接合。具體來說，位于所述光學元件15的下表面上的所述電極和與所述第一電極圖形 13b結(jié)合的所述布線圖形13a是使用焊球進行相互倒裝芯片焊接的，而位于所述光學元件15的下表面上的所述電極和所述第二電極圖形13c是使用電線16進行相互引線接合的，因 此，所述光學元件15以及第一和第二電極圖形i:3b、13c相互電連接。然后，為了保護所述光學元件15而施用熒光樹脂材料18。同樣地，因為由在所述布線圖形13a的周圍形成的所述溝槽14而產(chǎn)生的厚度差， 因此很容易將所述熒光樹脂材料18施用于安裝所述光學元件15的所述布線圖案13a上， 并且很容易保持其形狀。隨后，還可以實施形成用于保護安裝所述光學元件15的區(qū)域以及所述引線接合 的區(qū)域的透鏡部件18。所述用于光學元件的封裝基板不包括通道孔，該通道孔在上面安裝所述光學元件 的基板的區(qū)域形成，從而實現(xiàn)與所述光學元件的下表面電連接。因此，可以省去用環(huán)氧樹脂填充這種通道孔的額外的封堵步驟，并且不會發(fā)生由 于環(huán)氧樹脂在空隙中使用而降低其可靠性。另外，在安裝所述光學元件的過程中，不會出現(xiàn)由于通道孔而導致安裝的光學元 件傾斜或者用于粘結(jié)光學元件的芯片粘結(jié)膠粘劑滲透通道孔的工藝問題。進一步的，根據(jù)本發(fā)明的所述用于光學元件的封裝基板，由于容易施用所述熒光 樹脂材料且降低了所述熒光樹脂材料的延展性，因此是有利的，從而容易保持所述熒光樹 脂材料的形狀，因為由在安裝所述光學元件的區(qū)域的周圍形成的所述溝槽產(chǎn)生的厚度差。另外，根據(jù)本發(fā)明的所述封裝基板的金屬區(qū)域比常規(guī)的用于光學元件的封裝基板 的金屬區(qū)域大，因此，由于表面銀鍍層處理而實現(xiàn)高反射率。如上所述，本發(fā)明提供了 一種用于光學元件的封裝基板以及制造所述用于光學元 件的封裝基板的方法。根據(jù)本發(fā)明，無需在安裝光學元件的基板的區(qū)域上形成通道孔，從而 實現(xiàn)簡單的結(jié)構(gòu)、簡單的工藝過程和高可靠性。另外，根據(jù)本發(fā)明，由于由在安裝光學元件的基板的區(qū)域的周圍形成的溝槽而產(chǎn) 生的厚度差，所以熒光樹脂材料的延伸性降低，從而有效提高了光的均勻性。另外，根據(jù)本發(fā)明，由于安裝所述光學元件的基板包括金屬芯子，因此表現(xiàn)出優(yōu)良 的熱放射性，而且，由于與常規(guī)的結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明提供的所述封裝基板的金屬區(qū)域擴大 了，因此提高了由所述光學元件發(fā)出的光的反射率。盡管就示例性目的公開了關(guān)于所述用于光學元件的封裝基板的本發(fā)明的具體實 施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應當理解的是，在不背離由隨附的權(quán)利要求書公開的本發(fā) 明的范圍和精神的情況下，可以做出各種修改、添加和替換。因此，這些修改、添加和替代也 應理解為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于光學元件的封裝基板，其特征在于，該封裝基板包括 其中形成有孔的金屬芯子；在所述金屬芯子的表面上形成的絕緣層；在所述絕緣層的表面上形成的第一金屬層，使得包含在所述第一金屬層和所述絕緣層 中的所述金屬芯子通過所述絕緣層進行絕緣； 安裝在所述第一金屬層上的光學元件；以及 為了保護所述光學元件而施用于所述光學元件上的熒光樹脂材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述封裝基板還包括為了提高由所述光學 元件發(fā)出的光的反射率而在所述第一金屬層上形成的第二金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述封裝基板還包括為了保護所述光學元 件而在所述熒光樹脂材料上形成的透鏡部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述金屬芯子含有鋁、鋁合金或銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述絕緣層含有氧化鋁或環(huán)氧樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，所述第一金屬層包括 安裝所述光學元件的布線圖形；與所述布線圖形結(jié)合以與所述光學元件電連接的第一電極圖形；以及 與所述布線圖形絕緣以與所述光學元件電連接的第二電極圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板，其中，所述第一金屬層還包括在所述布線圖形的 周圍形成的溝槽，使得在所述布線圖形的周圍形成厚度差。
8.—種制造用于光學元件的封裝基板的方法，其特征在于，該方法包括(A)在金屬芯子中形成孔；(B)在其中形成有所述孔的所述金屬芯子的表面上形成絕緣層；(C)在所述絕緣層的表面上形成第一金屬層，使得包含在所述第一金屬層和所述絕緣 層中的所述金屬芯子通過所述絕緣層進行絕緣，所述第一金屬層形成至包括溝槽和電路 層，該電路層包括布線圖形、第一電極圖形和第二電極圖形；以及(D)將所述光學元件安裝在所述電路層上，然后將熒光樹脂材料施用于所述光學元件上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該方法還包括(E)在所述第一金屬層上形成第二
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，該方法還包括(F)為了保護所述光學元件而在 所述熒光樹脂材料上形成透鏡部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，⑶通過陽極氧化所述金屬芯子的表面來實施， 從而在所述金屬芯子的表面上形成所述絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，(B)通過使用粘合劑在所述金屬芯子的表面上 粘附環(huán)氧樹脂來實施，從而在所述金屬芯子的表面上形成所述絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，(C)包括(C-I)在所述絕緣層的表面上使用鎳、鈦、鋅、鉻或銅形成種子層，然后在所述種子層的 表面上施用銅從而形成第一金屬層；以及(C-2)將干膜抗蝕劑與所述第一金屬層緊密接觸，實施曝光和顯影，然后實施初級蝕刻，使得所述布線圖形周圍的所述第一金屬層的區(qū)域被半蝕刻，以產(chǎn)生溝槽，從而形成包括 所述布線圖形、所述第一電極圖形和所述第二電極圖形的電路層，所述布線圖形、所述第一 電極圖形和所述第二電極圖形相互結(jié)合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，(C-幻還包括進行二級蝕刻，所述二級蝕刻用 于將所述第一金屬層的一部分蝕刻至所述絕緣層露出，以使所述第一電極圖形與所述第二 電極圖形中的至少一個與所述布線圖形絕緣。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，⑶包括 在所述布線圖形上安裝所述光學元件；將所述布線圖形與位于所述光學元件的下表面上的電極進行倒裝芯片焊接； 將與所述布線圖形絕緣的所述第一電極圖形和所述第二電極圖形中的至少一個與位 于所述光學元件的上表面上的電極進行引線接合；以及為了保護所述光學元件，將所述熒光樹脂材料施用于所述光學元件上。
全文摘要
本文公開了一種用于光學元件的封裝基板，該用于光學元件的封裝基板包括其中形成有孔的金屬芯子；在所述金屬芯子的表面上形成的絕緣層；第一金屬層，該第一金屬層在所述絕緣層的表面上形成至預定的厚度，使得包含在所述第一金屬層和所述絕緣層中的所述金屬芯子通過所述絕緣層進行絕緣；安裝在所述第一金屬層上的光學元件，以及為了保護所述光學元件而施用于所述光學元件上的熒光樹脂材料，因此，與常規(guī)的結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明提供的所述用于光學元件的封裝基板簡化了封裝基板的生產(chǎn)過程，并且提高了光學均勻性、光反射率及散熱性。本發(fā)明還提供了制造該封裝基板的方法。
文檔編號H01L33/62GK102054924SQ20091025437
公開日2011年5月11日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月2日
發(fā)明者崔碩文, 樸成根, 李榮基, 林昶賢 申請人:三星電機株式會社