專利名稱：形成碳納米管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路裝置，特別是，本發(fā)明涉及為集成電路裝置形成碳納米管的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體裝置的高度集成以及尺寸上變得更小，已經(jīng)研究了形成半導(dǎo)體裝置的新方法，并且形成碳納米管(CNT)是上述方法之一。CNT可以替代半導(dǎo)體裝置的金屬配線，但是，形成可再現(xiàn)性的CNT結(jié)構(gòu)很不容易。 CNT結(jié)構(gòu)可以通過在形成有催化劑圖案的基板上垂直生長CNT而形成。然而，均勻地控制CNT的長度和CNT之間的距離，以及僅在基板的特定部分上生長CNT很不容易。另外，CNT垂直生長不能適合于制造半導(dǎo)體裝置的所有工藝。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實施例的形成碳納米管的方法包括在導(dǎo)電區(qū)域的側(cè)壁上形成催化劑金屬層，如金屬圖案或金屬氮化物圖案。從催化劑金屬層生長多個碳納米管。具體地講，這些碳納米管可以從催化劑金屬層的側(cè)壁生長。然后，多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。暴露碳納米管到有機(jī)溶劑的步驟可以由給多個碳納米管施加離心力的步驟執(zhí)行。作為選擇，該暴露步驟可以包括給多個碳納米管施加離心力，而同時將該多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。在本發(fā)明的這些實施例中，暴露步驟可以包括將有機(jī)溶劑旋涂到多個碳納米管上。
根據(jù)本發(fā)明的其它實施例，形成催化劑金屬層的步驟可以由在基板的表面上形成導(dǎo)電區(qū)域的步驟執(zhí)行。于是，生長步驟可以包括從催化劑金屬層的側(cè)壁且平行于該表面生長多個碳納米管。 本發(fā)明的再一實施例包括通過在基板上形成導(dǎo)電層，然后在導(dǎo)電層的側(cè)壁上形成催化劑金屬層，而形成碳納米管。然后，從催化劑金屬層生長多個碳納米管。該多個碳納米管可以暴露到有機(jī)溶劑。該施加有機(jī)溶劑可以與給多個碳納米管施加離心力同時發(fā)生。例如，可以通過將有機(jī)溶劑旋涂到多個碳納米管上而實現(xiàn)將碳納米管暴露到有機(jī)溶劑且施加離心力。而且，在基板包括其上的電絕緣層的情況下，則生長可以包括在電絕緣層上平行于表面的方向上生長多個碳納米管。施加離心力也可以通過以3000rpm至5000rpm范圍的速度旋轉(zhuǎn)基板來實現(xiàn)。


結(jié)合附圖，通過下面的詳細(xì)描述，可以更清楚地理解示范性實施例。圖1至14在此描述的非限定的示范性實施例。 圖1至4是圖解根據(jù)示范性實施例的形成碳納米管(CNT)方法的截面 圖5至9是圖解根據(jù)另一個示范性實施例的形成CNT方法的截面 圖10是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的存儲卡的框 圖11是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的便攜式裝置的框圖；以及
圖12是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的計算機(jī)的框圖。
具體實施例方式
在下文，將參考附圖更加全面地描述各種示范性實施例，在附圖中示出了一些示范性實施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同形式予以實施，而不應(yīng)解釋為限于在此闡述的示范性實施例。相反，提供這些示范性實施例使得該描述透徹和完整，并且將與本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面交流本發(fā)明的原理。附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)的尺寸和相對尺寸可以夸大。
應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)臃Q為"之上""連接至『或"耦合到"另一元件或?qū)訒r，它可以直接在、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)元件稱為"直接在""直接連接"或"直接耦合"到另一元件或?qū)訒r，不存在插入元件或?qū)?。相同的?biāo)號通篇指代相同的元件。正如這里所用的，詞語"和/或"包括一個或者多個相關(guān)列出項的任何和所有結(jié)合。 應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管詞語第一、第二、第三等可以在此用于描述各種元件、成分、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、成分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)受這些名詞的限制。這些詞語僅用于區(qū)別一個元件、成分、區(qū)域、層或者部分與另一個區(qū)域、層或部分。因此，下面討論的第一元件、成分、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、成分、區(qū)域、層或部分，而不脫離本發(fā)明原理的教導(dǎo)。 空間相對詞語，例如，"之下"、"下面"、"下面的"、"之上"、"上面的"等，在此可用于方便描述，以描述一個元件或者特征相對于圖中所示的另一個元件(多個元件)或者特征(多個特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對詞語旨在涵蓋裝置在使用或者操作中的不同方位以及圖中所示的方位。例如，如果圖中的裝置被倒置，則描述為在其它元件或者特征"下面"或者"之下"的元件會定向為在其它元件或者特征的"上面"。因此，示范性詞語"之下"可以包含之上和之下的兩個方位。裝置還可以以別的方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并且可以在此使用相應(yīng)意思的空間關(guān)系描述符。 在此采用的術(shù)語僅為了描述具體實施例的目的，而不意味著限制本發(fā)明的示范性實施例。正如這里所使用的，單數(shù)形式"一個(a、an)"和"所述(the)"意味著也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中清楚地另有示意。還應(yīng)當(dāng)理解的是，詞語"包括(comprises)"和/或"包括的(comprising)"，當(dāng)在該文件中使用時，是指所述特征、數(shù)量、步驟、操作、元件和/或成分的存在，而不排除一個或者多個其它特征、數(shù)量、步驟、操作、成分和/或其組合的存在或者增加。 這里，參考截面圖來描述本發(fā)明的示范性實施例，該截面圖為本發(fā)明的理想化示范性實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。同樣，例如，作為制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期圖形的變化。因此，本發(fā)明的示范性實施例不應(yīng)解釋為限于在此所示區(qū)域的特定形狀，而是包括例如制造所致形狀上的變化。例如，圖解為矩形的注入?yún)^(qū)域可以具有圓形或曲線的特征和/或邊緣上的注入濃度梯度，而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的二元改變。另外，由注入形成的埋入?yún)^(qū)域可以導(dǎo)致在埋入?yún)^(qū)域與注入發(fā)生表面之間區(qū)域中的注入。因此，如圖所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不意味著說明裝置區(qū)域的實際形狀，并且不意味著限制本發(fā)明原理的范圍。
除非另有限定，在此采用的所有詞語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解相同的意思。還應(yīng)當(dāng)理解的是，諸如通用字典中定義的
詞語應(yīng)當(dāng)解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)的上下文中的意思一致的意思，而不解釋為理想化
或者過于表面理解，除非在此特別限定。 在下文，將參考附圖詳細(xì)地說明示范性實施例。 圖1至4是圖解根據(jù)示范性實施例的形成碳納米管(CNT)方法的截面圖。
參考圖l，可以提供基板100?；?00可以包括諸如硅基板、鍺基板、硅_鍺基板等的半導(dǎo)體基板；外延基板；或者諸如玻璃基板的絕緣基板。基板100可以包括其上的各種裝置，如晶體管、接觸插塞、位線、電容器、金屬配線等。 絕緣層110可以形成在基板100上。絕緣層110可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、銦錫氧化物(ITO)、氧化鋁等形成。氧化硅可以包括硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、非摻雜硅玻璃(USG)、旋涂玻璃(SOG)、等離子增強(qiáng)正硅酸乙酯(plasma-enhancedtetraethyl-orthosilicate， PE-TE0S)等。 金屬結(jié)構(gòu)120可以形成在絕緣層110上。金屬結(jié)構(gòu)120可以包括金屬層圖案或金屬氮化物層圖案，CNT可以從其表面生長。金屬(氮化物)層圖案可以包括鎳、鈷、鐵、鈦、氮化鈦等。它們可以單一使用或結(jié)合使用。金屬(氮化物)層圖案可以采用上述材料通過沉積工藝形成。蓋層(未示出)還可以形成在金屬(氮化物)層圖案上。
參考圖2，催化劑金屬層可以形成在絕緣層110上以覆蓋金屬結(jié)構(gòu)120。催化劑金屬層可以包括催化劑材料，如鎳、鈷、鐵等。催化劑材料層可以被退火以具有納米粒子，如納米點。催化劑金屬層可以被蝕刻，直到可以暴露金屬結(jié)構(gòu)120的頂表面，由此在金屬結(jié)構(gòu)120的側(cè)壁上形成催化劑間隔物140。 參考圖3，多個CNT 150可以形成在催化劑間隔物140的側(cè)壁表面上。CNT 150可以采用包括碳?xì)浠衔锏脑礆怏w形成。源氣體可以通過氣化例如甲烷、乙炔、一氧化碳、苯、乙烯等形成。CNT 150可以通過催化熱還原工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、熱化學(xué)氣相沉積工藝、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)工藝、熱絲氣相沉積工藝等形成。CNT 150可以由催化劑生長，并且包括在催化劑間隔物140中的催化劑材料的性能可以取決于與催化劑間隔物140接觸的層的特性。從而，催化劑間隔物140可以選擇性生長CNT 150。
CNT 150可以生長在催化劑間隔物140的側(cè)壁表面上，并且所示生長的CNT 150可以不延伸在平行于絕緣層110或基板100的頂表面的方向上，而是每個CNT 150的端部可以向上彎曲，如圖3所示。 參考圖4，其上具有彎曲CNT 150的基板IOO可以旋轉(zhuǎn)。從而，可以給CNT 150施加拉力和壓力。拉力可以由基板100的旋轉(zhuǎn)力產(chǎn)生，而向下壓CNT 150的壓力，可以在基板100旋轉(zhuǎn)時由基板100上的結(jié)構(gòu)例如金屬結(jié)構(gòu)120產(chǎn)生。在示范性實施例中，基板100可以旋轉(zhuǎn)的速度為約3， 000至約5， OOOrpm，優(yōu)選約3， 500至約4， 500rpm。 揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以提供在絕緣層110的頂表面上。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以包括丙酮、二甲苯、諸如異丙醇的揮發(fā)性醇等。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以提供到絕緣層110的頂表面中心，并且可以由離心力旋涂在其整個表面上。從而，CNT 150可以由揮發(fā)性有機(jī)溶劑變濕，并且吸收到絕緣層110的頂表面上。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以給CNT 150施加粘合力。
彎曲的CNT 150可以由上述三種力改變成水平CNT151，使其在平行于絕緣層110或基板100的頂表面的方向上延伸。水平CNT151可以靠近絕緣層110的頂表面，并且在平 行于絕緣層110或基板100的頂表面的方向上延伸。 圖5至9是圖解根據(jù)另一個示范性實施例形成CNT的方法的截面圖。 參考圖5，可以提供基板200?；?00可以包括諸如硅基板、鍺基板、硅_鍺基
板等的半導(dǎo)體基板；外延基板；或諸如玻璃基板的絕緣基板?；?00可以包括其上的各種
裝置，如晶體管、接觸插塞、位線、電容器、金屬配線等。 絕緣層210可以形成在基板200上。絕緣層210可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧 化硅、銦錫氧化物(ITO)、氧化鋁等形成。氧化硅可以包括硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃 (PSG)、非摻雜硅玻璃(USG)、旋涂玻璃(SOG)、等離子增強(qiáng)正硅酸乙酯(PE-TEOS)等。
第一金屬層圖案220可以形成在絕緣層210上。第一金屬層圖案220可以包括第 一金屬，如鎳、鈷、鐵、鈦等。它們可以單獨使用或結(jié)合使用。作為選擇，第一金屬層圖案220 可以包括金屬氮化物，如氮化鈦。第一金屬層圖案可以采用上述材料通過執(zhí)行沉積工藝而 形成，以形成第一金屬層，并且圖案化該第一金屬層。 參考圖6，第二金屬層可以形成在絕緣層210上，以覆蓋第一金屬層圖案220。第 二金屬層可以包括防止CNT從第二金屬層表面生長的第二金屬。第二金屬可以包括鈀、鉬、 鎢、鈮、釩、鉬等。它們可以單獨使用或結(jié)合使用。第二金屬層可以通過沉積工藝形成。
第二金屬層可以通過光刻工藝圖案化，從而可以暴露第一金屬層圖案220的側(cè)表 面A。因此，可以形成除了側(cè)表面A外圍繞第一金屬層圖案220的第二金屬層圖案230。
第一和第二金屬層圖案220和230可以稱為金屬結(jié)構(gòu)235。 參考圖7，催化劑金屬層可以形成在絕緣層210上以覆蓋金屬結(jié)構(gòu)235。催化劑金 屬層可以包括催化劑材料，如鎳、鈷、鐵等。催化劑材料層可以被退火，以具有納米粒子，如 納米點。催化劑金屬層可以被蝕刻，直到可以暴露金屬結(jié)構(gòu)235的頂表面，由此在金屬結(jié)構(gòu) 235的側(cè)壁上形成第一和第二催化劑間隔物242和244。第一催化劑間隔物242可以形成 在金屬結(jié)構(gòu)235的側(cè)壁上，以接觸第一金屬層圖案220的側(cè)表面A，并且第二催化劑間隔物 244可以形成在金屬結(jié)構(gòu)235的側(cè)壁上，以與第一金屬層圖案220隔開。
參考圖8，多個CNT 250可以形成在第一催化劑間隔物242的側(cè)表面上，并且可以 不形成在第二催化劑間隔物244的側(cè)表面上。CNT 250可以由催化劑生長，并且包括在催化 劑間隔物242和244中的催化劑材料的性能可以取決于分別接觸催化劑間隔物242和244 的第一和第二金屬層圖案220和230的特性。從而，只有第一催化劑間隔物242可以生長 CNT 250。 CNT 250可以采用包括碳?xì)浠衔锏脑礆怏w形成。源氣體可以通過氣化例如甲 烷、乙炔、一氧化碳、苯、乙烯等形成。CNT 250可以通過催化熱還原工藝、CVD工藝、熱化學(xué) 氣相沉積工藝、PE-CVD工藝、熱絲氣相沉積工藝等形成。 CNT 250可以僅生長在第一催化劑間隔物242的側(cè)表面上，并且所示生長的CNT 250可以不延伸在平行于絕緣層210的頂表面的方向上，而是每個CNT 250的端部可以向上 彎曲，如圖8所示。 參考圖9，其上包括彎曲CNT 250的基板200可以旋轉(zhuǎn)。從而，可以給CNT 250施 加拉力和壓力。拉力可以由基板200的旋轉(zhuǎn)力產(chǎn)生，而向下壓CNT 250的壓力可以在基板 200旋轉(zhuǎn)時由基板100上面的結(jié)構(gòu)(例如金屬結(jié)構(gòu)235)產(chǎn)生。在示范性實施例中，基板200 可以旋轉(zhuǎn)的速度為約3000至約5000rpm，優(yōu)選約3500至約4500rpm。
7
揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以提供在絕緣層210的頂表面上。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以包括丙
酮、二甲苯、諸如異丙醇的揮發(fā)性醇等。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以提供到絕緣層210的頂表面中
心，并且可以通過離心力旋涂在整個表面上。從而，CNT 250可以由揮發(fā)性有機(jī)溶劑變濕，
并且吸收到絕緣層210的頂表面上。揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以給CNT 250施加粘合力。 彎曲的CNT 250可以由上述三種力改變成水平CNT251，使其延伸在平行于絕緣層
210或基板200的頂表面的方向上。水平CNT251可以非?？拷^緣層210的頂表面，并且
延伸在平行于絕緣層210或基板200的頂表面的方向上，如圖9所示。CNT 251可以在動態(tài)
隨機(jī)存取存儲器(DRAM)裝置、閃存裝置、相變存儲器(PRAM)裝置等中取代金屬配線。 圖10是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的存儲器卡的模塊圖。 參考圖IO，存儲器卡500可以包括連接到存儲器510的存儲器控制器520。存儲
器510可以是具有根據(jù)示范性實施例的水平CNT的DRAM或閃存(NAND閃存或NOR閃存)。
水平CNT也可以用于存儲器控制器520的邏輯電路中的配線。存儲器控制器520可以給存
儲器510提供輸入信號以控制存儲器510的操作。例如，在存儲器卡500中，存儲器控制器
520可以給存儲器510傳輸主機(jī)的指令，以控制輸入/輸出數(shù)據(jù)，和/或可以根據(jù)所施加的
控制信號控制存儲器的各種數(shù)據(jù)。除了簡單的存儲器卡外，本發(fā)明也可以應(yīng)用于包括類似
的存儲器和存儲器控制器之間可操作關(guān)系的其它數(shù)字裝置。 圖11是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的便攜式裝置的框圖。 參考圖11 ，便攜式裝置600可以包括MP3播放器、視頻播放器或便攜式多介質(zhì)播放
器(PMP)。便攜式裝置600可以包括具有根據(jù)示范性實施例的水平CNT的存儲器510和如
上所述的存儲器控制器620。存儲器510可以是包括水平CNT的DRAM或閃存。 便攜式裝置600可以包括編碼器/解碼器(EDC)610、顯示元件620和接口 630。如
圖11的虛線所示，數(shù)據(jù)可以直接從EDC610輸入到存儲器510，或者直接從存儲器510輸出
到EDC610。 EDC 610可以編碼數(shù)據(jù)以存儲在存儲器510中。例如，EDC 610可以執(zhí)行編碼，以 將音頻數(shù)據(jù)和/或視頻數(shù)據(jù)存儲在MP3播放器或PMP播放器的存儲器510中。此外，EDC 610可以執(zhí)行MPEG編碼，以存儲視頻數(shù)據(jù)在存儲器510中。EDC 610可以包括多個編碼器 以根據(jù)不同種類的數(shù)據(jù)的形式進(jìn)行編碼。例如，EDC 610可以包括用于編碼音頻數(shù)據(jù)的MP3 編碼器和用于編碼視頻數(shù)據(jù)的MPEG編碼器。 EDC 610也可以解碼從存儲器510輸出的數(shù)據(jù)。例如，EDC 610可以解碼來自存儲 器510的MP3音頻數(shù)據(jù)。此外，EDC 610可以解碼來自存儲器510的MPEG視頻數(shù)據(jù)。EDC 610可以包括多個解碼器，以根據(jù)不同類型的數(shù)據(jù)形式而對其解碼。例如，EDC 610可以包 括用于音頻數(shù)據(jù)的MP3解碼器和用于視頻數(shù)據(jù)的MPEG解碼器。EDC 610可以僅包括解碼器。例如，編碼的數(shù)據(jù)可以輸入到EDC 610，然后EDC 610 可以解碼輸入的數(shù)據(jù)，并且將解碼的數(shù)據(jù)傳輸給存儲器控制器520或存儲器510。
EDC 610可以接收有待編碼的數(shù)據(jù)或者借助于接口 630編碼的數(shù)據(jù)。接口 630可 以與標(biāo)準(zhǔn)的輸入裝置兼容，例如，F(xiàn)ireWire或USB。就是說，端口 630可以包括FireWire端 口或USB端口等。數(shù)據(jù)借助于端口 630從存儲器510輸出。 顯示元件620可以將從存儲器510輸出且由EDC 610解碼的數(shù)據(jù)顯示到終端用 戶。例如，顯示元件620可以是音頻揚(yáng)聲器或顯示屏。
圖12是圖解包括根據(jù)示范性實施例的水平CNT的計算機(jī)的框圖。
參考圖12，計算機(jī)700可以包括存儲器510和連接到存儲器510的中央處理單元 (CPU) 710。存儲器510可以是具有根據(jù)示范性實施例的水平CNT的DRAM或閃存。該計算 機(jī)700的示例可以是包括閃存作為其主存儲器的便攜式計算機(jī)。存儲器510可以直接地連 接到CPU 710，或者由總線間接地連接到CPU 710。計算機(jī)700可以具有其它傳統(tǒng)的輔助裝 置(圖12中未示出)。 根據(jù)各示范性實施例，多個CNT可以從基板上金屬結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的催化劑間隔物 生長，并且揮發(fā)性有機(jī)溶劑可以提供到基板上以給CNT以粘合力。從而，CNTs可以延伸在 平行于基板頂表面的方向上。 如前所述是示范性實施例的示例，而不是對其限制。盡管已經(jīng)描述了幾個示范性 實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明原理的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點的 情況下，示范性實施例可以進(jìn)行各種修改。因此，所有這樣的修改旨在包括在所附權(quán)利要求 限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，裝置加功能的條款旨在覆蓋這里描述的執(zhí)行所述 功能的結(jié)構(gòu)以及不僅結(jié)構(gòu)等同而且等同結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是，前面所述是對各 示范性實施例的說明，而不應(yīng)解釋為限于所揭示的特定示范性實施例，并且所揭示的示范 性實施例以及其它示范性實施例旨在包括在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
本申請要求2008年12月1日提交的韓國專利申請No. 10-2008-0120365的優(yōu)先 權(quán)，因此其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
一種形成碳納米管的方法，包括在導(dǎo)電區(qū)域的側(cè)壁上形成催化劑金屬層；從該催化劑金屬層生長多個碳納米管；以及將該多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過給該多個碳納米管施加離心力執(zhí)行所述暴露。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露包括給該多個碳納米管施加離心力而同時將該多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露包括在該多個碳納米管上旋涂有機(jī)溶劑。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成執(zhí)行為在基板的表面上形成該導(dǎo)電區(qū)域；并且其中所述生長包括從該催化劑金屬層的側(cè)壁且平行于該表面生長該多個碳納米管。
6. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述形成執(zhí)行為在基板的表面上形成該導(dǎo)電區(qū)域；并且其中所述生長包括從該催化劑金屬層的側(cè)壁且平行于該表面生長該多個碳納米管。
7. —種形成碳納米管的方法，包括在基板上形成導(dǎo)電層；在該導(dǎo)電層的側(cè)壁上形成催化劑金屬層；從該催化劑金屬層生長多個碳納米管；并且將該多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑，而同時給該多個碳納米管施加離心力。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述暴露包括將有機(jī)溶劑旋涂到該多個碳納米管上。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中該基板包括其上的電絕緣層；并且其中所述生長包括在該電絕緣層上平行于表面的方向上生長該多個碳納米管。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述暴露包括將有機(jī)溶劑旋涂到該電絕緣層的該表面上。
11. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述施加離心力包括以3000rpm至5000rpm范圍內(nèi)的速度旋轉(zhuǎn)該基板。
12. —種形成碳納米管的方法，包括在基板上形成絕緣層；在該絕緣層上形成金屬結(jié)構(gòu)；在該金屬結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成催化劑間隔物；從該催化劑間隔物的側(cè)表面生長多個碳納米管；旋轉(zhuǎn)其上具有該碳納米管的該基板；以及在該絕緣層上提供揮發(fā)性有機(jī)溶劑以使該碳納米管變濕。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該變濕的碳納米管在平行于該絕緣層的頂表面的方向上延伸。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該金屬結(jié)構(gòu)包括生長該碳納米管的金屬層圖案，并且該金屬層圖案包括選自由鎳、鈷、鐵和鈦組成的組中的至少一個。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中在該金屬結(jié)構(gòu)的該側(cè)壁上形成該催化劑間隔物包括在該絕緣層上形成催化劑金屬層以覆蓋該金屬結(jié)構(gòu)；以及蝕刻該催化劑金屬層，直到暴露該金屬結(jié)構(gòu)的頂表面。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)其上具有該碳納米管的該基板包括以約3000至約5000rpm的速度旋轉(zhuǎn)該基板。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中該揮發(fā)性有機(jī)溶劑包括選自由丙酮、二甲苯和異丙醇組成的組中的任何一個。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)其上具有該碳納米管的該基板包括給該碳納米管施加拉力和壓力，并且提供該揮發(fā)性有機(jī)溶劑包括給該碳納米管施加粘合力。
19. 一種形成碳納米管的方法，包括在基板上形成絕緣層；在該絕緣層上形成金屬結(jié)構(gòu)，該金屬結(jié)構(gòu)包括第一金屬層圖案和第二金屬層圖案，除了該第一金屬層圖案的側(cè)表面外，該第二金屬層圖案圍繞該第一金屬層圖案；在該金屬結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第一和第二催化劑間隔物，該第一催化劑間隔物接觸該第一金屬層圖案的該側(cè)表面，并且該第二催化劑間隔物與該第一金屬層圖案隔開；從該第一催化劑間隔物的側(cè)表面生長多個碳納米管；旋轉(zhuǎn)其上具有該碳納米管的該基板；以及提供揮發(fā)性有機(jī)溶劑到該絕緣層上以使該碳納米管變濕。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中該變濕的碳納米管在平行于該絕緣層的頂表面的方向上延伸。
全文摘要
本發(fā)明提供形成碳納米管的方法，包括在導(dǎo)電區(qū)域的側(cè)壁上形成催化劑金屬層，如金屬圖案或金屬氮化物圖案。多個碳納米管從催化劑金屬層生長。這些碳納米管可以從催化劑金屬層的側(cè)壁生長。然后，多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。將碳納米管暴露到有機(jī)溶劑的步驟可以由給多個碳納米管施加離心力的步驟執(zhí)行。作為選擇，該暴露步驟可以包括給多個碳納米管施加離心力，而同時將多個碳納米管暴露到有機(jī)溶劑。
文檔編號H01L21/60GK101746717SQ200910246780
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月1日
發(fā)明者呂寅碩, 尹洪植, 王曉峰 申請人:三星電子株式會社