專利名稱：制造半導(dǎo)體器件層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種制造半導(dǎo)體器件層的方法。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的 特征尺寸越來越小，半導(dǎo)體器件中的器件層制造變得越來越重要。這里的半導(dǎo)體器件的器 件層指的是在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行源極、漏極及柵極的制造。其中，半導(dǎo)體器件的器件層中的 淺結(jié)制造成為了影響最終得到的半導(dǎo)體器件的器件層性能的關(guān)鍵因素。圖Ia If所示為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的器件層制造的剖面結(jié)構(gòu)圖?，F(xiàn)有技術(shù)半 導(dǎo)體器件的器件層制造過程包括以下步驟步驟一，在半導(dǎo)體器件襯底101上進(jìn)行雙阱工藝，定義CMOS的有源區(qū)，如圖Ia所 示，在半導(dǎo)體器件襯底101上形成阱100。在本步驟中，雙阱包括一個(gè)N阱和一個(gè)P阱，通常采用倒摻雜阱技術(shù)進(jìn)行，也就是 在半導(dǎo)體器件襯底101中定義的N阱區(qū)域注入磷等摻雜雜質(zhì)，后續(xù)形成P型互補(bǔ)金屬氧化 物半導(dǎo)體(PMOS)，在定義的P阱區(qū)域注入硼等摻雜雜質(zhì)，后續(xù)形成N型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體(NMOS)。在這里以在P阱以及在P阱上形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)介紹，以形成NM0S，而N阱上形 成的結(jié)構(gòu)則忽略介紹，步驟基本相同。步驟二，在半導(dǎo)體器件襯底101上進(jìn)行淺槽隔離(STI)工藝，隔離CMOS的有源區(qū)， 即在P阱100中進(jìn)行隔離以及隔離P阱和N阱，如圖Ib所示，在半導(dǎo)體器件襯底100中形 成 STI102。在本步驟中，形成STI102的過程為先在半導(dǎo)體器件襯底101依次沉積隔離氧化 層和氮化物層，采用曝光顯影工藝在氮化物層上涂覆的光刻膠層定義出STI圖形，將具有 STI圖形的光刻膠層作為掩膜依次刻蝕氮化硅層、隔離氧化層以及半導(dǎo)體器件襯底101得 到STI槽，然后對(duì)STI槽進(jìn)行氧化物填充后，進(jìn)行氮化物層和隔離氧化物層的拋光處理，在 半導(dǎo)體器件襯底101中得到STI102。步驟三，參見圖lc，在半導(dǎo)體器件襯底101的表面和STI102的表面依次沉柵氧化 層和多晶硅層后，采用離子注入方法10對(duì)多晶硅層進(jìn)行預(yù)摻雜。在本步驟中，對(duì)于NMOMS來說，摻雜的雜質(zhì)為磷，目的是為了使得最終制造的半導(dǎo) 體器件的柵極導(dǎo)電，對(duì)于PMOS來說，摻雜的雜質(zhì)為硼。步驟四，采用光刻工藝得到柵極103后，對(duì)柵極103和半導(dǎo)體襯底101的表面進(jìn)行 再次氧化，形成再氧化層，在圖中沒有體現(xiàn)。在本步驟中，采用光刻工藝得到柵極103的過程為涂覆光刻膠層后通過具有柵 極圖形的光罩對(duì)其曝光顯影，在光刻膠層形成柵極圖形，然后以具有柵極圖形的光刻膠層 為掩膜，依次刻蝕多晶硅層和柵氧化層，形成柵極103 ；在本步驟中，形成再氧化層的過程為采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法沉積得到氧化層，在柵極203表面及半導(dǎo)體器件襯底101的表面上得到再氧化層，該再氧化層的作用是 為了修補(bǔ)在形成柵極103過程中對(duì)半導(dǎo)體器件襯底101表面的損傷。步驟五，在再次氧化的柵極103上形成偏移側(cè)墻后，以離子注入20方法對(duì)半導(dǎo)體 器件襯底101的阱進(jìn)行輕摻雜，參見圖Id。在圖中，省略了偏移側(cè)墻，側(cè)墻一般采用氮化物構(gòu)成，偏移側(cè)墻的形成是為了在輕 摻雜工藝中防止NMOS短溝道長(zhǎng)度的減小而增加的源漏間電荷穿通的可能性。在圖中，可以看出，經(jīng)過輕摻雜后，在半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面的地方形成 了淺結(jié)，淺結(jié)之間的區(qū)域稱為短溝道。當(dāng)然，在具體實(shí)現(xiàn)上，也可以不形成偏移側(cè)墻。在該步驟中，對(duì)于匪OS來說，輕摻雜采用的雜質(zhì)可以為砷，使得半導(dǎo)體器件襯底 101的上表面成為非晶態(tài)，減少源漏極間的溝道漏電流效應(yīng)。步驟六，由于柵極103在摻雜的過程中受到注入離子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格 發(fā)生損傷，為恢復(fù)損傷，離子注入20后進(jìn)行快速熱退火處理。步驟七，參見圖le，對(duì)柵極103形成氮氧化物側(cè)墻204后，在半導(dǎo)體器件器件襯底 101上就定義出源漏極區(qū)域，以離子注入30的方法對(duì)柵極103和柵極103兩側(cè)的半導(dǎo)體器 件襯底101進(jìn)行摻雜，形成漏極301和源極302。在本步驟中，漏極301和源極302之間形成溝道。在本步驟中，對(duì)于NMOS來說，摻雜物為砷。步驟八，參見圖If，采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物(SAB)的方法沉積鈦，形成鈦化硅層401，然 后進(jìn)行快速退火處理后，采用化學(xué)方法刻蝕掉未反應(yīng)的鈦。本步驟是為了形成接觸孔，可以使得有源區(qū)形成金屬接觸。這樣，就完成了半導(dǎo)體器件的器件層制造。在上述過程的步驟四進(jìn)行再次氧化步驟時(shí)，由于采用化學(xué)氣相沉積方法進(jìn)行，在 此過程中要用低溫對(duì)反應(yīng)腔進(jìn)行加熱，這會(huì)導(dǎo)致步驟一在制造阱100時(shí)摻雜物出現(xiàn)氧氣增 強(qiáng)擴(kuò)散(OED)現(xiàn)象，在半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面區(qū)域會(huì)出現(xiàn)晶格損傷，出現(xiàn)晶格空 隙。這樣，在進(jìn)行步驟五的輕摻雜形成淺結(jié)過程中，就會(huì)在半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面 區(qū)域出現(xiàn)瞬間增強(qiáng)擴(kuò)散(TED)現(xiàn)象，從而造成短溝道的摻雜物濃度大，對(duì)半導(dǎo)體器件的短 溝道產(chǎn)生短溝道損傷(SCE)及反向短溝道損傷(RSCE)，降低了最終制造的半導(dǎo)體器件的性 能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種制造半導(dǎo)體器件層的方法，該方法能夠有效降低由于 柵極再氧化過程所產(chǎn)生的TED現(xiàn)象，從而顯著改善半導(dǎo)體器件的短溝道產(chǎn)生SCE及RSCE。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種制造半導(dǎo)體器件層的方法，該方法包括在半導(dǎo)體器件的襯底形成阱后，形成隔離淺溝槽，在半導(dǎo)體器件的襯底上形成柵 極；對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行碳雜質(zhì)的離子注入；對(duì)柵極表面及半導(dǎo)體器件襯底表面再氧化后，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行輕摻雜，在半導(dǎo)體器件襯底形成淺結(jié)；形成所述柵極的氮氧化物側(cè)墻，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行摻雜，在半導(dǎo)體器 件沉積形成漏極和源極；采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物方法在柵極表面和半導(dǎo)體襯底沉積金屬，形成金屬化硅層，然 后進(jìn)行快速退火處理后，刻蝕掉未反應(yīng)的金屬。在所述再氧化后，進(jìn)行快速退火處理。所述碳雜質(zhì)注入的能量為3 20千電子伏特，劑量為5. 0E13 1. 0E15原子/平 方厘米，離子注入的角度為0 15度，半導(dǎo)體器件的襯底101水平旋轉(zhuǎn)的范圍為0 45度。由上述技術(shù)方案可見，本發(fā)明提供的方法在制造半導(dǎo)體器件層的過程中，在對(duì)柵 極103和半導(dǎo)體襯底101的表面進(jìn)行再次氧化，形成再氧化層之前，采用離子的方式注入 碳，使其填補(bǔ)半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格之間的縫隙，在再次 氧化過程中不會(huì)出現(xiàn)OED現(xiàn)象，從而在進(jìn)行輕摻雜形成淺結(jié)過程中，就不會(huì)在半導(dǎo)體器件 的襯底101靠近表面區(qū)域出現(xiàn)TED現(xiàn)象，不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的短溝道產(chǎn)生SCE及RSCE，提高 了最終制造的半導(dǎo)體器件的性能。


圖Ia If為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的器件層制造的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明提供的制造半導(dǎo)體器件層的方法流程圖；圖3a 圖3g為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件層制造的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件層制造方法和現(xiàn)有技術(shù)中提供的半導(dǎo)體器件層 制造方法得到的半導(dǎo)體器件層的性能對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。在現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行輕摻雜形成淺結(jié)過程中出現(xiàn)TED現(xiàn)象是造成半導(dǎo)體器件的 短溝道產(chǎn)生SCE及RSCE的主要原因，從而降低了最終所制造的半導(dǎo)體器件的性能。為了 解決這個(gè)問題，可以有三種方法。其中，一種方式為降低離子注入的能量或/和減少淺摻 雜雜質(zhì)的濃度。但是，這是以降低最終形成半導(dǎo)體器件性能為代價(jià)的，一般不使用；第二種 方式為在進(jìn)行輕摻雜形成淺結(jié)過程中離子注入時(shí)，將淺摻雜雜質(zhì)和碳一起進(jìn)行離子注入， 這樣，碳就可以填充填補(bǔ)半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格之間的縫 隙，防止出現(xiàn)TED現(xiàn)象，但是，這樣就需要更改現(xiàn)有的輕摻雜工藝且防止出現(xiàn)TED現(xiàn)象的效 果也不是很好；第三種方式為在進(jìn)行再氧化過程后，進(jìn)行快速退火，修復(fù)半導(dǎo)體器件的襯 底101靠近表面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格損傷，避免出現(xiàn)晶格縫隙，這樣，在后續(xù)輕摻雜形成 淺結(jié)過程中，防止出現(xiàn)TED現(xiàn)象，但是，這種防止出現(xiàn)TED現(xiàn)象的效果雖然比現(xiàn)有技術(shù)有提 高，但是，仍然會(huì)存在TED現(xiàn)象。因此，本發(fā)明提供了一種方法在制造半導(dǎo)體器件層的過程中，在對(duì)柵極103和半 導(dǎo)體襯底101的表面進(jìn)行再次氧化，形成再氧化層之前，采用離子的方式注入碳，使其填補(bǔ) 半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格之間的縫隙，在再次氧化過程中不會(huì)出現(xiàn)OED現(xiàn)象，從而在進(jìn)行輕摻雜形成淺結(jié)過程中，就不會(huì)在半導(dǎo)體器件的襯底101靠近 表面區(qū)域出現(xiàn)TED現(xiàn)象，不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的短溝道產(chǎn)生SCE及RSCE，提高了最終制造的半 導(dǎo)體器件的性能。圖2為本發(fā)明提供的制造半導(dǎo)體器件層的方法流程圖，結(jié)合圖3a 圖3g所示的 本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件層制造的剖面結(jié)構(gòu)圖，對(duì)本發(fā)明提供的制造半導(dǎo)體器件層的方法 進(jìn)行詳細(xì)說明步驟201，在半導(dǎo)體器件襯底101上進(jìn)行雙阱工藝，定義CMOS的有源區(qū)，如圖3a所 示，在半導(dǎo)體器件襯底101上形成阱100。在本步驟中，雙阱包括一個(gè)N阱和一個(gè)P阱，通常采用倒摻雜阱技術(shù)進(jìn)行，也就是 在半導(dǎo)體器件襯底101中定義的N阱區(qū)域注入磷等摻雜雜質(zhì)，后續(xù)形成PM0S，在定義的P阱 區(qū)域注入硼等摻雜雜質(zhì)，后續(xù)形成NM0S。在這里以在P阱以及在P阱上形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)介紹，以形成NM0S，而N阱上形 成的結(jié)構(gòu)則忽略介紹，步驟基本相同。步驟202，在半導(dǎo)體器件襯底101上進(jìn)行STI工藝，隔離CMOS的有源區(qū)，即在P阱 100中進(jìn)行隔離以及隔離P阱和N阱，如圖北所示，在半導(dǎo)體器件襯底100中形成STI102。在本步驟中，形成STI102的過程為先在半導(dǎo)體器件襯底101依次沉積隔離氧化 層和氮化物層，采用曝光顯影工藝在氮化物層上涂覆的光刻膠層定義出STI圖形，將具有 STI圖形的光刻膠層作為掩膜依次刻蝕氮化硅層、隔離氧化層以及半導(dǎo)體器件襯底101得 到STI槽，然后對(duì)STI槽進(jìn)行氧化物填充后，進(jìn)行氮化物層和隔離氧化物層的拋光處理，在 半導(dǎo)體器件襯底101中得到STI102。步驟203，參見圖3c，在半導(dǎo)體器件襯底101的表面和STI102的表面依次沉柵氧 化層和多晶硅層后，采用離子注入方法10對(duì)多晶硅層進(jìn)行預(yù)摻雜。在本步驟中，對(duì)于NMOMS來說，摻雜的雜質(zhì)為磷，目的是為了使得最終制造的半導(dǎo) 體器件的柵極導(dǎo)電，對(duì)于PMOS來說，摻雜的雜質(zhì)為硼。步驟204、采用光刻工藝得到柵極103后，采用離子注入過程400在柵極和半導(dǎo)體 器件的襯底注入碳雜質(zhì)，填充填補(bǔ)半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格 之間的縫隙，如圖3d所示。在本步驟中，碳雜質(zhì)注入的能量為3 20千電子伏特，劑量為5. 0E13 1. 0E15 原子/平方厘米，離子注入的角度為0 15度，半導(dǎo)體器件的襯底101水平旋轉(zhuǎn)的范圍為 0 45度。在本步驟中，具體地，碳雜質(zhì)注入的能量為9 11電子伏特，劑量為2E15 3E15， 離子注入的角度為6 8度，半導(dǎo)體器件的襯底101水平旋轉(zhuǎn)的范圍為40 45度。步驟205，采用光刻工藝得到柵極103后，對(duì)柵極103和半導(dǎo)體襯底101的表面進(jìn) 行再次氧化，形成再氧化層，在圖中沒有體現(xiàn)。在本步驟中，采用光刻工藝得到柵極103的過程為涂覆光刻膠層后通過具有柵 極圖形的光罩對(duì)其曝光顯影，在光刻膠層形成柵極圖形，然后以具有柵極圖形的光刻膠層 為掩膜，依次刻蝕多晶硅層和柵氧化層，形成柵極103 ；在本步驟中，形成再氧化層的過程為采用CVD方法沉積得到氧化層，在柵極203 表面及半導(dǎo)體器件襯底101的表面上得到再氧化層，該再氧化層的作用是為了修補(bǔ)在形成柵極103過程中對(duì)半導(dǎo)體器件襯底101表面的損傷。步驟206，在再次氧化的柵極103上形成偏移側(cè)墻后，以離子注入20方法對(duì)半導(dǎo)體 器件襯底101的阱進(jìn)行輕摻雜，參見圖3eo在圖中，省略了偏移側(cè)墻，側(cè)墻一般采用氮化物構(gòu)成，偏移側(cè)墻的形成是為了在輕 摻雜工藝中防止NMOS短溝道長(zhǎng)度的減小而增加的源漏間電荷穿通的可能性。在圖中，可以看出，經(jīng)過輕摻雜后，在半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表面的地方形成 了淺結(jié)，淺結(jié)之間的區(qū)域稱為短溝道。在該步驟中，在形成NMOS時(shí)，輕摻雜采用硼，離子注入的輕摻雜雜質(zhì)的能量為1 3電子伏特，劑量為85E14 95E14。在該步驟之后，還可以進(jìn)一步采用離子注入的方式進(jìn)行口袋(Pocket)注入，以進(jìn) 一步減小短溝道穿通效應(yīng)，在形成NMOS時(shí)，采用硼進(jìn)行離子注入，離子注入的摻雜雜質(zhì)的 能量為4 6電子伏特，劑量為28E13 32E13，離子注入的角度為觀 32度，半導(dǎo)體器件 的襯底101水平旋轉(zhuǎn)的范圍為40 45度。當(dāng)然，在具體實(shí)現(xiàn)上，也可以不形成偏移側(cè)墻。在該步驟中，對(duì)于匪OS來說，輕摻雜采用的雜質(zhì)可以為砷，使得半導(dǎo)體器件襯底 101的上表面成為非晶態(tài)，減少源漏極間的溝道漏電流效應(yīng)。步驟207，由于柵極103在摻雜的過程中受到注入離子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格 發(fā)生損傷，為恢復(fù)損傷，離子注入20后進(jìn)行快速熱退火處理。步驟208，參見圖3f，對(duì)柵極103形成氮氧化物側(cè)墻204后，在半導(dǎo)體器件器件襯 底101上就定義出源漏極區(qū)域，以離子注入30的方法對(duì)柵極103和柵極103兩側(cè)的半導(dǎo)體 器件襯底101進(jìn)行摻雜，形成漏極301和源極302。在本步驟中，漏極301和源極302之間形成溝道。在本步驟中，對(duì)于NMOS來說，摻雜物為砷。步驟209，參見圖3g，采用SAB的方法沉積鈦，形成鈦化硅層401，然后進(jìn)行快速退 火處理后，采用化學(xué)方法刻蝕掉未反應(yīng)的鈦。本步驟是為了形成接觸孔，可以使得有源區(qū)形成金屬接觸。這樣，就完成了半導(dǎo)體器件的器件層制造。在步驟205之后，還進(jìn)一步包括快速退火步驟，修復(fù)半導(dǎo)體器件的襯底101靠近表 面區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)中的晶格損傷。圖4為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件層制造方法和現(xiàn)有技術(shù)中提供的半導(dǎo)體器件 層制造方法得到的半導(dǎo)體器件層的性能對(duì)比圖，其中，橫坐標(biāo)為半導(dǎo)體器件的飽和電流 (Idsat)，單位為微安每微米，縱坐標(biāo)為半導(dǎo)體器件層的短溝道電壓值(Vthi)，單位為伏特， 采用方塊標(biāo)識(shí)的曲線為現(xiàn)有技術(shù)制作的半導(dǎo)體器件的性能圖，采用圓圈標(biāo)識(shí)的曲線為本發(fā) 明制作的半導(dǎo)體器件的性能圖，可以看出，在Idsat相同的情況下，本發(fā)明所制作的半導(dǎo)體 器件的短溝道電壓值明顯小于現(xiàn)有技術(shù)所制作的半導(dǎo)體器件的短溝道電壓值，說明本發(fā)明 在短溝道的摻雜物濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)在短溝道的摻雜物濃度，所以說明本發(fā)明提供的 半導(dǎo)體器件層的性能提高。以上舉較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所 應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件層的方法，該方法包括在半導(dǎo)體器件的襯底形成阱后，形成隔離淺溝槽，在半導(dǎo)體器件的襯底上形成柵極； 對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行碳雜質(zhì)的離子注入；對(duì)柵極表面及半導(dǎo)體器件襯底表面再氧化后，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行輕摻雜， 在半導(dǎo)體器件襯底形成淺結(jié)；形成所述柵極的氮氧化物側(cè)墻，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行摻雜，在半導(dǎo)體器件沉 積形成漏極和源極；采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物方法在柵極表面和半導(dǎo)體襯底沉積金屬，形成金屬化硅層，然后進(jìn) 行快速退火處理后，刻蝕掉未反應(yīng)的金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述再氧化后，進(jìn)行快速退火處理。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述碳雜質(zhì)注入的能量為3 20千電 子伏特，劑量為5. 0E13 1. 0E15原子/平方厘米，離子注入的角度為0 15度，半導(dǎo)體器 件的襯底101水平旋轉(zhuǎn)的范圍為0 45度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體器件層的方法，該方法包括在半導(dǎo)體器件的襯底形成阱后，形成隔離淺溝槽，在半導(dǎo)體器件的襯底上形成柵極；對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行碳雜質(zhì)的離子注入；對(duì)柵極表面及半導(dǎo)體器件襯底表面再氧化后，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行輕摻雜，在半導(dǎo)體器件襯底形成淺結(jié)；形成所述柵極的氮氧化物側(cè)墻，對(duì)柵極和半導(dǎo)體器件襯底進(jìn)行摻雜，在半導(dǎo)體器件沉積形成漏極和源極；采用自對(duì)準(zhǔn)硅化物方法在柵極表面和半導(dǎo)體襯底沉積金屬，形成金屬化硅層，然后進(jìn)行快速退火處理后，刻蝕掉未反應(yīng)的金屬。該方法能夠有效降低由于柵極再氧化過程所產(chǎn)生的TED現(xiàn)象，從而顯著改善半導(dǎo)體器件的短溝道產(chǎn)生SCE及RSCE。
文檔編號(hào)H01L21/8238GK102097379SQ20091020105
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者趙猛 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司