專利名稱：淺溝槽隔離區(qū)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及淺溝槽隔離區(qū)的制作方法。
背景技術(shù)：
參見圖2，為現(xiàn)有的淺溝槽隔離區(qū)的制作方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟201 在晶圓襯底上形成一層氧化物。本步驟可具體包括在氧化爐中通入氧氣或水蒸氣，在750°C 1100°C高溫下及 氧化性氣體的作用下，被置于氧化爐中的晶圓襯底101消耗了其表面的部分硅(Si)，在晶 圓襯底101上生長一層氧化物102，如圖1(a)所示，該氧化物例如為二氧化硅(SiO2)。步驟202 在步驟201形成的氧化物上形成一層氮化物。本步驟通過低壓化學淀積(LPCVD)形成一層氮化物，與常壓化學氣相淀積 (APCVD)系統(tǒng)相比，LPCVD系統(tǒng)具有更低的成本、更高的產(chǎn)量及更好的膜性能。LPCVD通常 在中等真空度下(約0. 1 5托)進行，反應(yīng)溫度一般為300°C 900°C，可采用常規(guī)的氧 化爐以及多腔集成設(shè)備。通過低壓化學淀積(LPCVD)形成一層氮化物的方法具體包括在減壓和溫度在 700°C 80(TC下，在LPCVD爐管內(nèi)通入二氯二氫硅(SiCl2H2)和氨氣(NH3),在具有一層氧 化物102的晶圓襯底101上形成一層氮化物103，如圖1 (a)所示，該氮化物103例如為氮化 硅(Si3N4)15用LPCVD淀積，可以獲得具有良好階梯覆蓋能力和高度均勻性的Si3N4膜。步驟203 刻蝕出淺溝槽；在晶圓襯底101上的氮化物103表面涂布光阻膠層，通過曝光顯影對晶圓襯底上 的氮化物103表面的光阻膠層進行光刻，在光阻膠層上定義淺溝槽的位置，以該曝光顯影 后的光阻膠層為掩膜依次刻蝕氮化物103、氧化物102和晶圓襯底101，將晶圓襯底101刻 蝕到一定深度形成淺溝槽104，如圖1(b)所示。執(zhí)行完本步驟之后，在淺溝槽104外的有源區(qū)表面為氮化物。步驟204，在淺溝槽104內(nèi)和氮化物103表面淀積氧化物。在淺溝槽104內(nèi)和氮化物103的表面，利用化學氣相淀積的方法淀積氧化物，如圖 1(c)所示，該氧化物例如為Si02。步驟205，去除氮化物表面的氧化物。對淺溝槽隔離(STI)區(qū)進行化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)，直至顯露出晶圓襯底101上的氮化物103，如圖1 (e)所示。本步驟在去除淺溝槽外氮 化物表面氧化物的同時，還將去除淺溝槽內(nèi)的部分氧化物；所述淺溝槽外氮化物，也即是有 源區(qū)氮化物。步驟206，測量氮化物的厚度SHl。采用現(xiàn)有的光學測量尺寸(OCD，Optical Critical Dimension)方法測量氮化物 的高度SH1，通過測得的SHl可以獲知當前制作的器件的質(zhì)量。例如將測得的SHl與氮化 物厚度目標值進行比較，如果SHl與氮化物厚度目標值相差在規(guī)定范圍內(nèi)，則該器件合格，氮化物厚度目標值為希望測得的最佳的氮化物厚度值；如果SHl與氮化物厚度目標值相差 在規(guī)定范圍外，則該器件不可用。步驟207，對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值的去除處理。該淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值為一個標準值，一般為130埃。以該氧化物 為SiO2，有源區(qū)的氮化物為氮化硅為例，具體地，采用洗稀氫氟酸(HF)腐蝕掉高度為130埃 的Si02。由于稀HF對氮化硅不進行反應(yīng)，本步驟只去除淺溝槽內(nèi)130埃的SiO2，不對有源 區(qū)的氮化硅產(chǎn)生影響，去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物后的結(jié)構(gòu)為圖1(f)所示。步驟208，去除氮化物。由于氮化物表面因自然氧化常會形成一層氧化物，因此，本步驟具體包括去除氮 化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后再去除氮化物。以氮化物為氮化硅為例，由于氮化硅表面會被氧化，在氮化硅表面將形成一層 Si02。本步驟中首先用稀HF腐蝕氮化硅表面90埃的SiO2，用稀HF對氮化硅表面SiO2進行 腐蝕的同時，也會腐蝕掉淺溝槽內(nèi)的部分SiO2 ；然后，采用磷酸去掉650埃的氮化硅，去掉 有源區(qū)氮化硅時，磷酸對淺溝槽內(nèi)的SiO2不進行反應(yīng)。本步驟之后的結(jié)構(gòu)如圖1(g)所示， 一般情況下，淺溝槽內(nèi)氧化物表面高于有源區(qū)表面。步驟209，測量淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2。所述淺溝槽外氧化物，也即是有源區(qū)氧化物。通過測得的SH2可以獲知當前制作的該器件的質(zhì)量。例如將測得的SH2與淺溝 槽內(nèi)外氧化物表面之間的高度差目標值進行比較，所述淺溝槽內(nèi)外氧化物表面之間的高度 差，也就是淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差，所述高度差目標值， 也就是希望測得的最佳的高度差；如果SH2與淺溝槽內(nèi)外氧化物表面之間的高度差目標值 相差在規(guī)定范圍外，則該器件不可用；如果SH2與淺溝槽內(nèi)外氧化物表面之間的高度差目 標值相差在規(guī)定范圍內(nèi)，則該器件合格。步驟210，進行高度為淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值的去除處理。所述淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值為標準值，通常情況下，該淺溝槽內(nèi)外 氧化物的目標去除高度值為145埃。具體地，以淺溝槽內(nèi)外氧化物為SiO2為例，采用稀HF 對淺溝槽內(nèi)SiO2和有源區(qū)的SiO2進行腐蝕。本步驟之后，有源區(qū)露出晶圓襯底硅，通常，淺 溝槽內(nèi)的SiO2表面比有源區(qū)的硅表面高，其結(jié)構(gòu)如圖1(h)所示。至此，完成了淺溝槽隔離區(qū)的制作，之后，便可在晶圓襯底上生長柵極。在步驟210之后，還可測量得到淺溝槽內(nèi)氧化物表面與有源區(qū)硅表面之間的高度 差SH3。通過測得的SH3可以獲知當前制作的該器件的質(zhì)量。例如將測得的SH3與，淺 溝槽內(nèi)氧化物表面與有源區(qū)硅表面之間的高度差目標值，進行比較，如果兩者相差在規(guī)定 范圍外，則該器件不可用；如果兩者相差在規(guī)定范圍內(nèi)，則該器件合格。并且，制作完成的各 淺溝槽隔離區(qū)的SH3在越小的范圍內(nèi)變化，表明當前生成的這一批器件之間的差異越小， 則這匹器件的性能越好。然而，采用現(xiàn)有方法制作淺溝槽隔離區(qū)，得到的關(guān)于一批器件的SH3落在較大的 數(shù)值范圍內(nèi)，也就是這一批器件內(nèi)各個器件差異較大，不均勻，影響了這批器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離區(qū)的制作方法，該方法能夠縮小形成的淺溝槽隔離區(qū) 內(nèi)的氧化物表面與有源區(qū)硅表面之間的高度差的變化范圍。一種淺溝槽隔離區(qū)的制作方法，在晶圓襯底上依次形成氧化物和氮化物，刻蝕氮 化物、氧化物和襯底形成淺溝槽，在淺溝槽內(nèi)和氮化物表面淀積氧化物；之后，該方法還包 括去除氮化物表面的氧化物；測量氮化物高度SHl ；去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物；去除氮化物；測量淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2 ；根據(jù)SH2去除淺溝槽內(nèi)和淺溝槽外的氧化物如果SH2低于淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍 的下限值SH2D，則用SH2D減去SH2，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值減 去所述相減值，得到相減后的值M3 ；對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進行高度為M3的 去除處理；如果SH2高于淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍 的上限值SH2H，則用SH2減去SH2H，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值 加上所述相減值，得到相加后的值M4 ；對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進行高度為M4 的去除處理；如果SH2在淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍內(nèi)， 則對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物，進行高度為淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值 的去除處理?？蛇x地，所述淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍的 下限值SH2D為230埃，所述淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范 圍的上限值SH2H為280埃?？蛇x地，所述淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值為145埃。可選地，所述去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物包括根據(jù)測量得到的氮化物高度 SHl去除淺溝槽內(nèi)的氧化物如果SHl低于氮化物高度標準范圍的下限值SH1D，則用SHID減去SH1，得到相減 值；用淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值減去所述相減值，得到相減后的值Ml ；對淺溝槽 內(nèi)的氧化物進行高度為Ml的去除處理；如果SHl高于氮化物高度標準范圍的上限值SH1H，則用SHl減去SHIH，得到相減 值；用淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值加上所述相減值，得到相加后的值M2 ；對淺溝槽 內(nèi)的氧化物進行高度為M2的去除處理；如果SHl在氮化物高度標準范圍內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)的氧化物，進行高度為淺溝槽 內(nèi)氧化物的目標去除高度值的去除處理?？蛇x地，所述氮化物高度標準范圍的下限值SHlD為645埃，所述氮化物高度標準 范圍的上限值SHlH為665埃。
可選地，所述淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值為130埃。可選地，所述指定高度為130埃?？蛇x地，所述去除氮化物包括去除氮化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后去 除氮化物。從上述方案可以看出，本發(fā)明制作淺溝槽隔離區(qū)的過程中，在去除淺溝槽內(nèi)和淺 溝槽外的氧化物時，不是按照現(xiàn)有技術(shù)的方案對淺溝槽內(nèi)和淺溝槽外的氧化物，直接進行 高度為淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值的去除處理，而是根據(jù)之前測量得到的淺溝槽 內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2的值，對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的 高度值進行調(diào)整。具體地，根據(jù)多次實驗得到，SH2與制作完成淺溝槽隔離區(qū)之后測量得到的淺溝槽 內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高度差SH3之間存在一定的數(shù)值關(guān)系如果將SH2 限制在一定的數(shù)值范圍內(nèi)，則可以縮小SH3的變化范圍；在工藝制作上，SH3的變化范圍越 小越好，這樣可以減少生成的一批器件內(nèi)各器件之間的差異。本發(fā)明根據(jù)實驗得到的較優(yōu) 的SH2的變?yōu)榉秶鸀镾H2D SH2H ；如果測得的SH2在該范圍內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺 溝槽外氧化物，進行高度為淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值的去除處理；如果測得的 SH2低于SH2D，則降低淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值，得到M3，對淺溝槽內(nèi)氧化物和 淺溝槽外氧化物進行高度為M3的去除處理；如果測得的SH2高于SH2H，則增加淺溝槽內(nèi)外 氧化物的目標去除高度值，得到M4，對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進行高度為M4的 去除處理。這樣，通過SH2對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的量進行調(diào)整，可縮小制作完成淺溝槽 隔離區(qū)之后得到的淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高度差SH3的變化范圍， 從而，減少生成的一批器件內(nèi)各器件之間的差異。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制作淺溝槽隔離區(qū)流程中的結(jié)構(gòu)示意圖，包括圖(a)至(c)，以 及圖(e)至(h)；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中淺溝槽隔離區(qū)的制作方法流程圖；圖3為本發(fā)明淺溝槽隔離區(qū)的制作方法流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對 本發(fā)明進一步詳細說明。制成淺溝槽隔離區(qū)之后，對淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高度差 SH3進行測量，對于一批器件，測量得到的SH3的變化范圍越小，則表明這批器件越均勻，質(zhì)
量越好。根據(jù)多次實驗得到，圖2的流程中，步驟209測量得的淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝 槽外氧化物表面之間的高度差SH2，與SH3的變化范圍之間存在一定的關(guān)系如果SH2在一 定的數(shù)值范圍內(nèi)變化時，可以保證SH3也在符合要求的數(shù)值范圍內(nèi)變化，這里，將這種情況 下SH2的變化范圍稱為淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍，表示為SH2D SH2H ；如果SH2超出SH2D SH2H的范圍，則最后得到的SH3也將超出符合 要求的數(shù)值范圍。為了縮小SH3的變化范圍，本發(fā)明在圖2流程執(zhí)行步驟210時，根據(jù)步驟 209測得的SH2對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度進行調(diào)整，使最后得到的SH3在較小的范圍 內(nèi)變化；關(guān)于根據(jù)SH2對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度進行調(diào)整的具體方法參見圖3中步 驟310的詳細說明。本發(fā)明測得的一組淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準 范圍，即SH2D SH2H，為230埃 280埃。SH2D SH2H的范圍取值并不僅限于230埃 280埃，還可根據(jù)實際情況對其進行調(diào)整。根據(jù)多次實驗，還發(fā)現(xiàn)，圖2的流程中，步驟206測量得的氮化物的厚度SH1，與 SH3的變化范圍之間存在一定的關(guān)系如果SHl在一定的數(shù)值范圍內(nèi)變化時，可以保證SH3 也在符合要求的數(shù)值范圍內(nèi)變化，這里，將這種情況下SHl的變化范圍稱為氮化物厚度標 準值范圍，表示為=SHlD SHlH ；如果SHl超出SHlD SHlH的范圍，則最后得到的SH3也 將超出符合要求的數(shù)值范圍。為了縮小SH3的變化范圍，本發(fā)明在圖2流程執(zhí)行步驟207 時，根據(jù)步驟206測得的SHl對去除淺溝槽內(nèi)氧化物的高度進行調(diào)整，使最后得到的SH3在 較小的范圍內(nèi)變化；關(guān)于根據(jù)SHl對去除淺溝槽內(nèi)氧化物的高度進行調(diào)整的具體方法參見 圖3中步驟307的詳細說明。本發(fā)明測得的一組氮化物厚度標準值范圍，即SHlD SH1H，為645埃 665埃。 SHlD SHlH的范圍取值并不僅限于645埃 665埃，還可根據(jù)實際情況對其進行調(diào)整。在淺溝槽隔離區(qū)的實際制作過程中，可以只在步驟210中根據(jù)步驟209測得的SH2 對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度進行調(diào)整；也可以只在步驟207中根據(jù)步驟206測得的 SHl對去除淺溝槽內(nèi)氧化物的高度進行調(diào)整；還可以同時在步驟210中根據(jù)步驟209測得 的SH2對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度進行調(diào)整，以及在步驟207中根據(jù)步驟206測得的 SHl對去除淺溝槽內(nèi)氧化物的高度進行調(diào)整。下面通過圖3流程對本發(fā)明淺溝槽隔離區(qū)制作方法進行舉例說明，該實施例中， 不僅根據(jù)測得的SH2對去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度進行調(diào)整，還根據(jù)測得的SHl對去除 淺溝槽內(nèi)氧化物的高度進行調(diào)整。這里，結(jié)合圖1所示的結(jié)構(gòu)示意圖，對圖3的流程進行說 明，其包括以下步驟步驟301，在晶圓襯底上形成一層氧化物。本步驟可具體包括在氧化爐中通入氧氣或水蒸氣，在750°C 1100°C高溫下及 氧化性氣體的作用下，被置于氧化爐中的晶圓襯底101消耗了其表面的部分硅(Si)，在晶 圓襯底101上生長一層氧化物102，如圖1(a)所示，該氧化物例如為Si02。步驟302 在步驟301形成的氧化物上形成一層氮化物。本步驟通過低壓化學淀積(LPCVD)形成一層氮化物，與常壓化學氣相淀積 (APCVD)系統(tǒng)相比，LPCVD系統(tǒng)具有更低的成本、更高的產(chǎn)量及更好的膜性能。LPCVD通常 在中等真空度下(約0. 1 5托)進行，反應(yīng)溫度一般為300°C 900°C，可采用常規(guī)的氧 化爐以及多腔集成設(shè)備。通過低壓化學淀積(LPCVD)形成一層氮化物的方法具體包括在減壓和溫度在 700°C 80(TC下，在LPCVD爐管內(nèi)通入二氯二氫硅(SiCl2H2)和氨氣(NH3),在具有一層氧 化物102的晶圓襯底101上形成一層氮化物103，如圖1 (a)所示，該氮化物103例如為氮化
8硅(Si3N4)15用LPCVD淀積，可以獲得具有良好階梯覆蓋能力和高度均勻性的Si3N4膜。步驟303 刻蝕出淺溝槽；在晶圓襯底101上的氮化物103表面涂布光阻膠層，通過曝光顯影對晶圓襯底氮 化物103表面的光阻膠層進行光刻，在光阻膠層上定義淺溝槽的位置，以該曝光顯影后的 光阻膠層為掩膜依次刻蝕氮化物103、氧化物102和晶圓襯底101，將晶圓襯底101刻蝕到 一定深度刻蝕出淺溝槽104，如圖1(b)所示。執(zhí)行完本步驟之后，在淺溝槽104外的有源區(qū)表面為氮化物。步驟304，在淺溝槽104內(nèi)和氮化物103表面淀積氧化物。在淺溝槽104內(nèi)和氮化物103的表面，利用化學氣相淀積的方法淀積氧化物，如圖 1(c)所示，該氧化物例如為Si02。步驟305，去除氮化物表面的氧化物。對淺溝槽隔離(STI)區(qū)進行化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)，直至顯露出晶圓襯底101上的氮化物103，如圖1 (e)所示。本步驟在去除淺溝槽外氮 化物表面氧化物的同時，還將去除淺溝槽內(nèi)的部分氧化物；所述淺溝槽外氮化物，也即是有 源區(qū)氮化物。步驟306，測量氮化物的厚度SHl。采用現(xiàn)有的0⑶方法測量氮化物的高度SHl。步驟307，根據(jù)測量得到的氮化物高度SH1，去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物。本步驟具體包括將SHl與氮化物高度標準范圍，即SHlD SH1H，進行比較如果SHl低于SH1D，則用SHID減去SH1，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去 除高度值減去所述相減值，得到相減后的值Ml ；對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行高度為Ml的去除 處理；如果SHl高于SH1H，則用SHl減去SHIH，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去 除高度值加上所述相減值，得到相加后的值M2 ；對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行高度為M2的去 除處理；如果SHl在氮化物高度標準范圍內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)的氧化物，進行高度為淺溝槽 內(nèi)氧化物的目標去除高度值的去除處理。本實施例中，假設(shè)氮化物高度標準范圍，即SHlD SH1H，為645埃 665埃；淺溝 槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值為現(xiàn)有流程步驟207中去除淺溝槽內(nèi)氧化物的高度，為一個 標準值，這里假設(shè)淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值為130埃。將SHl與645埃 665埃 進行比較如果SHl低于645，則進行以下運算645-SH1 = A, 130—A = Ml ；然后，對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行高度為Ml的去除處理。如果SHl高于665，則進行以下運算SH1-665 = B, 130+B = M2 ；然后，對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行高度為M2的去除處理。如果SHl屬于在645埃 665埃范圍內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)的氧化物進行高度為130 埃的去除處理。
以該氧化物為SiO2,有源區(qū)的氮化物為氮化硅為例，本步驟采用洗稀氫氟酸(HF) 對淺溝槽內(nèi)的SiO2進行腐蝕；由于稀HF對氮化硅不進行反應(yīng)，本步驟只去除淺溝槽內(nèi)130 埃的SiO2，不對有源區(qū)的氮化硅產(chǎn)生影響，其結(jié)構(gòu)為圖1(f)所示。步驟308，去除氮化物。由于氮化物表面因自然氧化常會形成一層氧化物，因此，本步驟具體包括去除氮 化物表面因自然氧化形成的氧化物，然后再去除氮化物。以氮化物為氮化硅為例，由于氮化硅表面會被氧化，在氮化硅表面將形成一層 Si02。本步驟中首先用稀HF腐蝕氮化硅表面90埃的SiO2，用稀HF對氮化硅表面SiO2進行 腐蝕的同時，也會腐蝕掉淺溝槽內(nèi)的部分SiO2 ；然后，采用磷酸去掉650埃的氮化硅，去掉 有源區(qū)氮化硅時，磷酸對淺溝槽內(nèi)的SiO2不進行反應(yīng)。本步驟之后的結(jié)構(gòu)如圖1(g)所示， 一般情況下，淺溝槽內(nèi)氧化物表面高于有源區(qū)表面。步驟309，測量淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2。所述淺溝槽外氧化物，也即是有源區(qū)氧化物。步驟310，根據(jù)測量得到的SH2去除淺溝槽內(nèi)和淺溝槽外的氧化物。本步驟具體包括將SH2與淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高 度差，即SH2D SH2H，進行比較如果SH2低于SH2D，則用SH2D減去SH2，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標 去除高度值減去所述相減值，得到相減后的值M3;對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進 行高度為M3的去除處理；如果SH2高于SH2H，則用SH2減去SH2H，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標 去除高度值加上所述相減值，得到相加后的值M4;對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進 行高度為M4的去除處理；如果SH2在SH2D SH2H內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物，進行高度為 淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值的去除處理。本實施例中，假設(shè)淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差，即 SH2D SH2H，為230埃 280埃；淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值為一個標準值，是現(xiàn) 有流程步驟210中去除淺溝槽內(nèi)外氧化物的高度，這里假設(shè)淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除 高度值為145埃。將SH2與230埃 280埃進行比較如果SH2低于230，則進行以下運算230-SH2 = C, 145—C = M3 ；然后，對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物，進行高度M3的去除處理。如果SH2高于觀0，則進行以下運算SH2-280 = D, 145+D = M4 ；然后，對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物，進行高度M4的去除處理。以淺溝槽內(nèi)外氧化物為Si02為例，本步驟采用稀HF對淺溝槽內(nèi)Si02和有源區(qū)的 Si02進行腐蝕。本步驟之后，有源區(qū)露出晶圓襯底硅，其結(jié)構(gòu)如圖1(h)所示。至此，完成了淺溝槽隔離區(qū)的制作，之后，便可生長柵極。在步驟310之后，還可測量得到淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高 度差SH3。通過測得的SH3可以獲知當前制作的該器件的質(zhì)量。例如將測得的SH3與，淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高度差目標值，進行比較，如果兩者相差在規(guī) 定范圍外，則該器件不可用；如果兩者相差在規(guī)定范圍內(nèi)，則該器件合格。
以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳 細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限定本發(fā)明的保 護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本 發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種淺溝槽隔離區(qū)的制作方法，在晶圓襯底上依次形成氧化物和氮化物，刻蝕氮 化物、氧化物和襯底形成淺溝槽，在淺溝槽內(nèi)和氮化物表面淀積氧化物；之后，該方法還包 括去除氮化物表面的氧化物；測量氮化物高度SHl ；去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物；去除氮化物；測量淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2 ；根據(jù)SH2去除淺溝槽內(nèi)和淺溝槽外的氧化物如果SH2低于淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍的下 限值SH2D，則用SH2D減去SH2，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值減去所 述相減值，得到相減后的值M3 ；對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進行高度為M3的去除 處理；如果SH2高于淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍的上 限值SH2H，則用SH2減去SH2H，得到相減值；用淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值加上所 述相減值，得到相加后的值M4 ；對淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物進行高度為M4的去除 處理；如果SH2在淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間高度差標準范圍內(nèi)，則對 淺溝槽內(nèi)氧化物和淺溝槽外氧化物，進行高度為淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值的去 除處理。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化 物表面之間高度差標準范圍的下限值SH2D為230埃，所述淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外 氧化物表面之間高度差標準范圍的上限值SH2H為280埃。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述淺溝槽內(nèi)外氧化物的目標去除高度值 為145埃。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物包括 根據(jù)測量得到的氮化物高度SHl去除淺溝槽內(nèi)的氧化物如果SHl低于氮化物高度標準范圍的下限值SH1D，則用SHID減去SHl，得到相減值；用 淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值減去所述相減值，得到相減后的值Ml ；對淺溝槽內(nèi)的氧 化物進行高度為Ml的去除處理；如果SHl高于氮化物高度標準范圍的上限值SH1H，則用SHl減去SHIH，得到相減值；用 淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值加上所述相減值，得到相加后的值M2 ；對淺溝槽內(nèi)的氧 化物進行高度為M2的去除處理；如果SHl在氮化物高度標準范圍內(nèi)，則對淺溝槽內(nèi)的氧化物，進行高度為淺溝槽內(nèi)氧 化物的目標去除高度值的去除處理。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮化物高度標準范圍的下限值SHlD為 645埃，所述氮化物高度標準范圍的上限值SHlH為665埃。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述淺溝槽內(nèi)氧化物的目標去除高度值為 130 埃。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定高度為130埃。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除氮化物包括去除氮化物表面因自 然氧化形成的氧化物，然后去除氮化物。
全文摘要
本發(fā)明公開了淺溝槽隔離區(qū)的制作方法，在晶圓襯底上依次形成氧化物和氮化物，刻蝕氮化物、氧化物和襯底形成淺溝槽，在淺溝槽內(nèi)和氮化物表面淀積氧化物；之后，該方法還包括去除氮化物表面的氧化物；測量氮化物高度SH1；去除淺溝槽內(nèi)指定高度的氧化物；去除氮化物；測量淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外氧化物表面之間的高度差SH2；根據(jù)SH2去除淺溝槽內(nèi)和淺溝槽外的氧化物。本發(fā)明方案能夠縮小制作完成淺溝槽隔離區(qū)之后得到的淺溝槽內(nèi)氧化物表面與淺溝槽外硅表面之間的高度差的變化范圍。
文檔編號H01L21/762GK102097355SQ20091020105
公開日2011年6月15日 申請日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月10日
發(fā)明者任紅茹 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司