專利名稱：Mim電容器及其制造方法、集成電路的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及一種MIM電容器及其制造方法、 集成電路的制造方法。
背景技術(shù)：
為了增加需要高速工作的模擬電路和射頻器件的性能，研究了用于在半導(dǎo)體器件 中集成具有大容量的電容器的方法。當(dāng)電容器的上電極和下電極由摻雜的多晶硅形成時(shí)， 在下電極和電介質(zhì)層的界面以及上電極和電介質(zhì)層的界面容易發(fā)生氧化反應(yīng)形成自然氧 化層，這樣電容器的電容量減少。為了防止這種電容器減少的現(xiàn)象，通常使用金屬_絕緣 體-硅(MIS)電容器或者金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，MIM電容器通常用于高性能 半導(dǎo)體器件，因?yàn)镸IM電容器顯示出低電阻率和缺少由耗盡引起的寄生電容的特性?，F(xiàn)有的MIM電容器的形成方法多較為復(fù)雜，例如申請?zhí)枮?00410100720. 1的中國 發(fā)明專利申請公開的一種MIM電容器的制造方法，并且形成的MIM電容器容易發(fā)生漏電。圖3a 3f為現(xiàn)有的一種制造MIM電容器及其互連結(jié)構(gòu)的方法流程的剖面結(jié)構(gòu)示 意圖，該方法得到的MIM電容器容易發(fā)生漏電現(xiàn)象，而且該方法需要進(jìn)行三次掩膜工藝，因 此制造成本高。參考圖3a，提供半導(dǎo)體襯底310，在該半導(dǎo)體襯底310上形成金屬間介質(zhì)層 (IMD) 320，覆蓋于該襯底310的表面，在該金屬間介質(zhì)層(IMD) 320形成電容器底層，其中該 電容器底層包括第一電容器底層331和第二電容器底層332，該第一電容器底層331為導(dǎo) 體，該第二電容器底層332為絕緣體。參考圖3b，形成電介質(zhì)層341，342，351，352，利用沉積工藝沉積電介質(zhì)層，沉積之 后利用光刻工藝刻蝕形成該電介質(zhì)層341，342，351，352，該步驟中為了完成刻蝕需要進(jìn)行 掩膜，此為第一次掩膜，其中，電介質(zhì)層341，342的材料為硅氮化物，電介質(zhì)層351，352為非 摻雜硅酸鹽玻璃和/或氟硅酸鹽玻璃。參考圖3c，利用沉積工藝形成兩層金屬層360，380以及兩層金屬層360，380之間 的電介質(zhì)層370，其中，金屬層360，380的材料可以為鉭，氮化鉭，鈦，氮化鈦或鋁。參考圖3d，刻蝕去除金屬層380以及電介質(zhì)層370的一部分，形成第二電極板 380'和電容器電介質(zhì)層370'，在該步驟中，為了刻蝕去除部分的金屬層380以及電容器 電介質(zhì)層370需要在金屬層380上進(jìn)行掩膜，此為第二次掩膜。參考圖3e，刻蝕去除阻擋層金屬360和電容器電介質(zhì)層370'的一部分，形成第一 電極板360'，同樣為了完成刻蝕工藝，在該步驟中需要在電容器電介質(zhì)層370'上進(jìn)行掩 膜，此為第三次掩膜。參考圖3f，利用雙大馬士革工藝形成通孔391，392，393，394和頂部金屬層395， 396，以此來完成由第一電極板380'、第二電極板360'和電容器電介質(zhì)層370'組成的電 容器與其他器件或電路的電連接。通過上述方法形成的MIM電容器由于在第二電極板380'與第一電極板360'在邊緣位置381、361(參考圖3f)之間的電容及介質(zhì)層比夾在第一電極板和第二電極板之間 的電容器電介質(zhì)層薄，因此容易發(fā)生擊穿現(xiàn)象，形成漏電流，影響器件性能；而且該方法需 要用到三次掩膜工藝，成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的MIM電容器的邊緣容易發(fā)生擊穿、形成漏電流 的現(xiàn)象。本發(fā)明解決的另一個(gè)技術(shù)問題是現(xiàn)有的MIM電容器的制造工藝復(fù)雜，成本高的問題。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種MIM電容器，包括第一電極板、第二電極 板、第一電極板和第二電極板之間的電容器電介質(zhì)層，以及位于第二電極板和電容器電介 質(zhì)層兩側(cè)的側(cè)墻?？蛇x的，所述MIM電容器還包括硬掩膜，形成于所述第二電極板的表面?？蛇x的，所述電容器電介質(zhì)層呈帽狀，包括帽頂部和帽檐部，所述第二電極板覆蓋 所述帽頂部；所述兩側(cè)墻分別覆蓋所述帽檐部?？蛇x的，所述第一電極板通過第一栓塞與下層金屬互連層耦合?？蛇x的，所述第二電極板與第一上層金屬互連層耦合，所述下層金屬互連層通過 第二栓塞與第二上層金屬互連層耦合。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種MIM電容器的制造方法，包括步驟提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極板，以及位于所 述第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)的側(cè)墻。可選的，所述形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極板，以及位于所述第二 電極板和電容器電介質(zhì)層兩側(cè)的側(cè)墻包括在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成第一金屬層、第一電介質(zhì)層、第二金屬層和硬掩膜 層；刻蝕所述硬掩膜層、第二金屬層和部分厚度的第一電介質(zhì)層，以去除部分硬掩膜 層、第二金屬層和第一電介質(zhì)層，形成硬掩膜和第二電極板；在所述硬掩膜、第二電極板、第一電介質(zhì)層和第一金屬層的表面沉積第二電介質(zhì) 層；去除部分第二電介質(zhì)層、第一電介質(zhì)層和第一金屬層，分別形成側(cè)墻、電容器電介 質(zhì)層和第一電極板?？蛇x的，所述去除部分第二電介質(zhì)層、第一電介質(zhì)層和第一金屬層，形成側(cè)墻、電 容器電介質(zhì)層和第一電極板采用干法刻蝕。為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種包括上述MIM電容器制造方法的集成電 路的制造方法?？蛇x的，所述集成電路的制造方法在形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極 板以及側(cè)墻之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成金屬間介質(zhì)層和底層，所述底層包括下層金屬互連層和絕緣層；在所述底層上沉積第一層間介質(zhì)層；在所述第一層間介質(zhì)層中形成第一栓塞和第二栓塞，分別與所述下層金屬互連層 耦合，其中，所述第一栓塞形成于所述下層金屬互連層和MIM電容器的第一電極板之間?？蛇x的，所述集成電路的制造方法在形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極 板以及側(cè)墻之后，還包括在所述硬掩膜的表面、側(cè)墻的表面以及第一層間介質(zhì)層未被第一電極板覆蓋的表 面沉積第二層間介質(zhì)層；在所述第二層間介質(zhì)層上形成第一上層金屬互連層和第二上層金屬互連層，所述 第一上層金屬互連層與所述第二電極板耦合，所述第二上層金屬互連層與所述第二栓塞耦合。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)上述技術(shù)方案通過在MIM電容器的第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)形成側(cè) 墻，防止第一電極板和第二電極板在電極板的邊緣形成擊穿，形成漏電流而影響電容器的
可靠性。另外，上述技術(shù)方案在形成MIM電容器的過程中只用到一次掩膜，有利于簡化工 藝、節(jié)約成本和提高效率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的包括MIM電容器的集成電路的制造方法的流程示意圖；圖2a至圖2g對應(yīng)圖1所示的制造方法流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a至圖3f為現(xiàn)有的MIM電容器及其互連結(jié)構(gòu)的制造流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例通過在MIM電容器的兩側(cè)形成側(cè)墻，以防止電容器的電極板邊緣容 易擊穿而形成漏電流的現(xiàn)象，從而影響電容器的可靠性；并且，所述MIM電容器的制造過程 中只用到一次掩膜，有利于簡化工藝、節(jié)約成本和提高效率。本發(fā)明實(shí)施方式的MIM電容器包括第一電極板、第二電極板、第一電極板和第二 電極板之間的電容器電介質(zhì)層，以及位于第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)的側(cè)墻。上述MIM電容器的制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第 一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極板，以及位于所述第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩 側(cè)的側(cè)墻。本發(fā)明實(shí)施方式還提供一種包括上述MIM電容器的制造方法的集成電路的制造 方法。下面以制造包括上述MIM電容器的集成電路為例，結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施 方式進(jìn)行詳細(xì)介紹。本實(shí)施例的包括MIM電容器的集成電路的制造方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成金屬間介質(zhì)層和底層，所述底層包括下層金屬互連層和絕緣層；在所述底層上沉積第一層間介質(zhì)層；在所述第一層間介質(zhì)層中形成第一栓塞和第二栓塞，分別與所述下層金屬互連層 華禹合；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極板，以及位于所 述第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)的側(cè)墻，所述第一電極板與所述第一栓塞耦合；在所述側(cè)墻、電容器電介質(zhì)層、第一電極板以及半導(dǎo)體襯底組成的表面沉積第二 層間介質(zhì)層；在所述第二層間介質(zhì)層上形成第一上層金屬互連層和第二上層金屬互連層，所述 第一上層金屬互連層與所述第二電極板耦合，所述第二上層金屬互連層與所述第二栓塞耦合。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的集成電路的制造方法的流程示意圖，圖2a至2g為對應(yīng)圖1 所示的制造集成電路的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中圖1中的步驟s3、s4為制造MIM電容 器的流程示意圖，以及圖2c至圖2f為制造MIM電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合附圖 1、圖2a至2g對本實(shí)施例的集成電路制造方法以及MIM電容器的制造方法做詳細(xì)的介紹。結(jié)合圖1和圖2a，執(zhí)行步驟sl，提供半導(dǎo)體襯底210，該半導(dǎo)體襯底210可以為已 經(jīng)形成有其他的半導(dǎo)體元件的襯底；在該半導(dǎo)體襯底210的表面形成金屬間介質(zhì)層220，在 該金屬間介質(zhì)層220上形成底層；其中，底層包括下層金屬互連層231和絕緣層232，該下 層金屬互連層231的材料為導(dǎo)體，在本實(shí)施例中為銅Cu，該絕緣層232的材料為絕緣體，在 本實(shí)施例中為非摻雜硅酸玻璃或者氟硅酸玻璃；該形成金屬間介質(zhì)層220以及底層的工藝 步驟與公知的工藝步驟相同，在此不做介紹。結(jié)合圖1和圖2b，執(zhí)行步驟s2，形成栓塞241，242，243，244，該些栓塞241，242， 243，244形成于所述下層金屬互連層231上方，其可以利用大馬士革工藝形成，具體為在 所述底層上依次形成第一刻蝕阻擋層233和第一層間介質(zhì)層234，利用刻蝕形成通孔，之后 用鎢或銅填充通孔，形成栓塞241，242，243，244，以形成與下層金屬互連層231的耦合。結(jié)合圖1、圖2c和圖2d，執(zhí)行步驟s3，形成第二電極板和硬掩膜。參考圖2c，形成栓塞之后，在第一層間介質(zhì)層234上依次沉積形成第一金屬層 251'，第一電介質(zhì)層252'和第二金屬層253'，并在第二金屬層253'上形成硬掩膜層 254'，該硬掩膜層254'在以下的工藝中的作用主要包括在側(cè)墻形成時(shí)保證側(cè)墻的高度 滿足要求，以及在下面圖2e的刻蝕步驟中作為保護(hù)層，以保護(hù)圖2e中顯示的第二電極板 253;其中第一金屬層251'和第二金屬層253'的材料選自鉭，氮化鉭，鈦，氮化鈦或者鋁；參考圖2d，利用掩膜工藝在所述硬掩膜層254'上進(jìn)行圖案化，刻蝕所述硬掩 膜層254'，第二金屬層253'和部分高度的第一電介質(zhì)層252'，以去除部分硬掩膜層 254'、第二金屬層253'和第一電介質(zhì)層252'，形成第二電極板253和硬掩膜254 ；刻蝕 去除部分第一電介質(zhì)層252'后，該第一電介質(zhì)層252'為臺階狀的第一電介質(zhì)層252"， 被第二電極板253覆蓋的第一電介質(zhì)層的厚度高于未被第二電極板253覆蓋的第一電介質(zhì) 層的厚度；在完成本工藝步驟后，栓塞241，242，243位于硬掩膜254和第二電極板253的下 方，而栓塞244不在其下方；此步驟中進(jìn)行刻蝕時(shí)，利用了掩膜工藝，而且本發(fā)明的形成MIM 電容器的方法，只在該步驟中用到了掩膜。
結(jié)合圖1、圖2e和圖2f，執(zhí)行步驟s4，形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層和側(cè)墻。參考圖2e，在以上步驟形成的硅片的表面，即硬掩膜254的表面以及第一電介質(zhì) 層252"的未被第二電極板253覆蓋的表面，沉積形成第二電介質(zhì)層260，該第二電介質(zhì)層 260用來形成側(cè)墻。參考圖2f，干法刻蝕去除部分的第二電介質(zhì)層260、第一電介質(zhì)層252"以及第一 金屬層251'；該第一金屬層251'被去除部分后形成第一電極板251，第二電介質(zhì)層260 的剩余部分形成兩側(cè)墻261、262 ；第一電介質(zhì)層252"被去除部分后形成電容器電介質(zhì)層 252，其呈帽狀，包括帽頂部2521和帽檐部2522 ；在完成工藝步驟后，栓塞241，242，243位 于硬掩膜254、第二電極板253、電容器電介質(zhì)層252以及第一電極板251的下方，而栓塞 244不在其下方；側(cè)墻261、262的底部覆蓋電容器電介質(zhì)層252未被第二電極板253覆蓋 的部分，頂部與硬掩膜層254的頂部相平；由于所述側(cè)墻261、262在第二電極板253和電容 器電介質(zhì)層252的邊緣，相當(dāng)于將在第一電極板251和第二電極板253之間的電容器電介 質(zhì)層加厚，因此可以有效地防止第一電極板251和第二電極板253在邊緣位置形成擊穿、造 成漏電流的形成，影響器件的性能；另外，在該步驟的刻蝕工藝中，利用干法刻蝕使用離子 濺射去除部分的第二電介質(zhì)層260、第一電介質(zhì)層252"以及第一金屬層251'，由于采用 形成側(cè)墻的回蝕(etch-back)工藝去除部分的第二電介質(zhì)層260、第一電介質(zhì)層252"以及 第一金屬層251'，無需掩模板。至此MIM電容器已形成，如圖2f所示，其包括第一電極板251，第二電極板253，位 于第一電極板251和第二電極板253之間的電容器電介質(zhì)層252，以及位于電容器兩側(cè)的側(cè) 墻261，262。該MIM電容器通過栓塞241、242、243與下層金屬互連層231耦合。繼續(xù)參考圖1和圖2g，執(zhí)行步驟s5，形成第一上層金屬互連層271和第二上層金 屬互連層272，利用大馬士革工藝形成該第一上層金屬互連層271和第二上層金屬互連層 272，具體為首先在圖2f所述步驟中形成的整個(gè)硅片的表面，即由所述硬掩膜254的表面、 側(cè)墻261、262的表面以及第一層間介質(zhì)層234未被第一電極板251覆蓋的表面，形成第二 刻蝕阻擋層281，之后于該第二刻蝕阻擋層281上形成第二層間介質(zhì)層282，然后利用刻蝕 工藝刻蝕形成通孔(圖中沒有標(biāo)示)，最后于通孔內(nèi)填充金屬形成第一上層金屬互連層271 和第二上層金屬互連層272，在該具體實(shí)施例中填充材料為銅，由此實(shí)現(xiàn)MIM電容器與第一 上層金屬互連層271的耦合，以及下層金屬互連層234與第二上層金屬互連層272的耦合。根據(jù)以上所述形成MIM電容器的制造方法，可以得知在整個(gè)的形成MIM電容器的 過程中(圖2c-圖2f)只用到一次掩膜工藝，即圖2d中顯示的形成硬掩膜254、第二電極 板253的工藝中用到一次掩膜工藝，而現(xiàn)有的形成MIM電容器的制造方法需要用到三次掩 膜工藝，而每個(gè)掩膜工藝需要具有掩模板、然后根據(jù)掩模板進(jìn)行光刻，因此可以看出，本發(fā) 明的MIM電容器的制造方法可以節(jié)省工序且節(jié)省成本。參考圖2g，本發(fā)明實(shí)施例的MIM電容器包括第一電極板251、第二電極板253、第 一電極板251和第二電極板253之間的電容器電介質(zhì)層252 ；于所述第二電極板上有硬掩 膜254，該硬掩膜254覆蓋所述第二電極板253 ；電容器電介質(zhì)層252呈帽狀，包括帽頂部 2521和帽檐部2522，其中第二電極板253覆蓋帽頂部2521 ；且該電容器還包括兩側(cè)墻261、 262，分別覆蓋所述電容器電介質(zhì)層252的帽檐部2522，且其頂部與硬掩膜層254的頂部相 平；由于所述側(cè)墻261、262在第二電極板253和電容器電介質(zhì)層252的邊緣，相當(dāng)于將在第一電極板251和第二電極板253之間的電容器電介質(zhì)層加厚，因此可以有效地防止第一電 極板251和第二電極板253在邊緣位置形成擊穿、造成漏電流的現(xiàn)象，影響器件的性能的缺
點(diǎn)ο該MIM電容器的第一電極板251通過栓塞，在該具體實(shí)施例中通過三個(gè)第一栓塞 241、242、243，與所述下層金屬互連層231耦合；該第一栓塞241、242、243通過下層金屬互 連層231、與下層金屬互連層231耦合的第二栓塞244以及第二上層金屬互連層272與外界 或其他的半導(dǎo)體元件電連接。所述第一電極板251和所述底層230之間為第一刻蝕阻擋層 233以及第一刻蝕阻擋層233上的第一層間介質(zhì)層234。該MIM電容器250的第二電極板253與第一上層金屬互連層271耦合，通過該第 一上層金屬互連層271與外界或其他的半導(dǎo)體元件電連接；該MIM電容器250上為第二刻 蝕阻擋層281以及第二層間介質(zhì)層282。需要說明的是，上述實(shí)施例的MIM電容器是先形成第二電極板，再同時(shí)形成第一 電極板、電容器電介質(zhì)層和側(cè)墻；在其他實(shí)施例中，也可以先形成第二電極板、電容器電介 質(zhì)層和第一電極板，再在第二電極板和電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)形成側(cè)墻。 上述實(shí)施例中，MIM電容器是形成在包括有其他半導(dǎo)體元件的襯底上，并可以實(shí)現(xiàn) 與其他半導(dǎo)體元件的電連接，在其他實(shí)施例中，也可以先在半導(dǎo)體襯底上形成MIM電容器， 然后再在上層形成與其電連接的其他半導(dǎo)體元件。另外，MIM電容器與上層和/或下層半 導(dǎo)體元件的電連接的形成方法也不限于上述實(shí)施例所述互連工藝。綜上所述，上述技術(shù)方案通過在第一電極板和第二電極板的邊緣形成側(cè)墻以加厚 電極板之間的介質(zhì)層厚度，因此可以有效的防止在第一電極板和第二電極板的邊緣之間容 易擊穿導(dǎo)致產(chǎn)生漏電流的現(xiàn)象，從而提高了器件的可靠性。并且，上述技術(shù)方案在制造MIM電容器的過程中只用到一次掩膜，相對于現(xiàn)有技 術(shù)的三次掩膜工藝，簡化了工藝，節(jié)省了成本，從而可以提高效率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種MIM電容器，包括第一電極板、第二電極板以及第一電極板和第二電極板之間 的電容器電介質(zhì)層；其特征在于，還包括位于第二電極板以及電容器電介質(zhì)層兩側(cè)的側(cè)掉 丄回ο
2.如權(quán)利要求1所述MIM電容器，其特征在于，還包括硬掩膜，形成于所述第二電極板 的表面。
3.如權(quán)利要求1或2所述MIM電容器，其特征在于，所述電容器電介質(zhì)層呈帽狀，包括 帽頂部和帽檐部，所述第二電極板覆蓋所述帽頂部；所述側(cè)墻分別覆蓋所述帽檐部。
4.如權(quán)利要求3所述MIM電容器，其特征在于，所述第一電極板通過第一插栓與下層金 屬互連層耦合。
5.如權(quán)利要求4所述MIM電容器，其特征在于，所述第二電極板與第一上層金屬互連層 耦合，所述下層金屬互連層通過第二栓塞與第二上層金屬互連層耦合。
6.一種MIM電容器的制造方法，其特征在于，包括步驟 提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一電極板、電容器電介質(zhì)層、第二電極板以及位于所述第 二電極板和電容器電介質(zhì)層兩側(cè)的側(cè)墻。
7.如權(quán)利要求6所述MIM電容器的制造方法，其特征在于，所述形成第一電極板、電容 器電介質(zhì)層、第二電極板，以及位于所述第二電極板和電容器電介質(zhì)層兩側(cè)的側(cè)墻包括在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成第一金屬層、第一電介質(zhì)層、第二金屬層和硬掩膜層； 刻蝕所述硬掩膜層、第二金屬層和部分厚度的第一電介質(zhì)層，以去除部分硬掩膜層、第 二金屬層和第一電介質(zhì)層，形成硬掩膜和第二電極板；在所述硬掩膜的表面及第一電介質(zhì)層未被第二電極板覆蓋的表面金屬層沉積第二電 介質(zhì)層；去除部分第二電介質(zhì)層、第一電介質(zhì)層和第一金屬層，分別形成側(cè)墻、電容器電介質(zhì)層 和第一電極板。
8.如權(quán)利要求6所述MIM電容器的制造方法，其特征在于，所述去除部分第二電介質(zhì) 層、第一電介質(zhì)層和第一金屬層，分別形成側(cè)墻、電容器電介質(zhì)層和第一電極板采用干法刻 蝕。
9.一種包括權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的MIM電容器的制造方法的集成電路的制造方法。
10.如權(quán)利要求9所述集成電路的制造方法，其特征在于，在形成第一電極板、電容器 電介質(zhì)層、第二電極板以及側(cè)墻之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成金屬間介質(zhì)層和底層，所述底層包括下層金屬互連層和 絕緣層；在所述底層上沉積第一層間介質(zhì)層；在所述第一層間介質(zhì)層中形成第一栓塞和第二栓塞，分別與所述下層金屬互連層耦 合，其中，所述第一栓塞形成于所述下層金屬互連層和MIM電容器的第一電極板之間。
11.如權(quán)利要求10所述集成電路的制造方法，其特征在于，在形成第一電極板、電容器 電介質(zhì)層、第二電極板以及側(cè)墻之后，還包括在所述硬掩膜的表面、側(cè)墻的表面以及第一層間介質(zhì)層未被第一電極板覆蓋的表面沉積第二層間介質(zhì)層；在所述第二層間介質(zhì)層上形成第一上層金屬互連層和第二上層金屬互連層，該第一上 層金屬互連層與所述第二電極板耦合，第二上層金屬互連層與所述第二栓塞耦合。
全文摘要
一種MIM電容器及其制造方法、集成電路的制造方法，所述MIM電容器包括第一電極板、第二電極板、第一電極板和第二電極板之間的電容器電介質(zhì)層，以及位于第二電極板以及電容器電介質(zhì)層的兩側(cè)的側(cè)墻。通過在MIM電容器的兩側(cè)形成側(cè)墻，可以防止第一電極板和第二電極板在電極板的邊緣形成擊穿而形成漏電流，從而影響MIM電容器的可靠性。
文檔編號H01L21/768GK102074588SQ200910199228
公開日2011年5月25日 申請日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日
發(fā)明者林永鋒, 陳真, 黃琳 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司