專利名稱：頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備(OELD)，更具體地，涉及一種頂部發(fā)光型OELD 設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求2008年10月23日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2008-0104169的優(yōu)先 權(quán)，此處以引證的方式并入其內(nèi)容。 陰極射線管(CRT)已經(jīng)被廣泛用作顯示設(shè)備。然而，最近，例如等離子體顯示面板 (PDP)設(shè)備、液晶顯示(LCD)設(shè)備以及OELD的平板顯示設(shè)備代替CRT被用作顯示設(shè)備。
在這些平板顯示設(shè)備中，因?yàn)镺ELD不需要背光單元，所以O(shè)ELD在厚度和重量上具 有優(yōu)勢(shì)。OELD設(shè)備是一種自發(fā)光型顯示設(shè)備。另外，與LCD設(shè)備相比，OELD具有寬視角、高 對(duì)比度、低功耗、快響應(yīng)時(shí)間等優(yōu)良性能。另外，由于OELD的制造方法簡(jiǎn)單，其在生產(chǎn)成本 上也具有優(yōu)勢(shì)。 OELD被分為無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。在有源矩陣型OELD中，在各個(gè)像素中設(shè)置 作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)。由于與無(wú)源矩陣型OELD相比，有源矩陣型OELD具有高 分辨率、低功耗和長(zhǎng)壽命的優(yōu)良性能，所以有源矩陣型OELD被更廣泛地引進(jìn)。
圖1是相關(guān)技術(shù)的OELD的示意截面圖。在圖1中，OELD 10包括第一基板1、第二 基板2、以及密封圖案20。第二基板2與第一基板1相對(duì)。密封圖案20設(shè)置在第一基板1 和第二基板2的邊緣以密封第一基板1和第二基板2之間的空間。 在第一基板1上，形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr。另外，有機(jī)電致發(fā)光二極管E形成在第一基 板1上方，以電連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr。有機(jī)電致發(fā)光二極管E包括連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的第 一電極3、設(shè)置在第一電極3上的有機(jī)發(fā)光層5、以及設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層5上的第二電極7。 有機(jī)發(fā)光層5包括用于分別發(fā)射紅(R)、綠(G)、和藍(lán)(B)色的第一到第三有機(jī)發(fā)光圖案5a 到5c。第一電極3用作陽(yáng)極，第二電極7用作陰極。
在第二基板2上，形成用于吸收濕氣的吸收?qǐng)D案13。 根據(jù)光從有機(jī)發(fā)光層5的傳輸方向，OELD 10被分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。其 中光穿過(guò)第一基板1的底部發(fā)光型OELD在穩(wěn)定性和制造工序的靈活性上具有優(yōu)勢(shì)，而其中 光穿過(guò)第二基板2的頂部發(fā)光型OELD在孔徑比和分辨率上具有優(yōu)勢(shì)?？紤]到這些事實(shí)，頂 部發(fā)光型OELD得到廣泛研究和引進(jìn)。令人遺憾的是，作為陰極的第二電極7被設(shè)置在有機(jī) 發(fā)光層5上，使得用于第二電極7的材料受到限制。結(jié)果，通過(guò)第二電極7的光透射率受限， 使得光效率降低。 另外，由于驅(qū)動(dòng)TFT DTr和有機(jī)電致發(fā)光二極管E形成在第一基板1上，所以產(chǎn)量 降低。即，如果在驅(qū)動(dòng)TFT制造工序或有機(jī)電致發(fā)光二極管制造工序中存在缺陷，則生產(chǎn)出 不期望的OELD 10。 為了解決這些問(wèn)題，引入一種雙面板型0ELD。在雙面板型0ELD中，例如驅(qū)動(dòng)TFT 的陣列元件形成在一個(gè)基板上，而有機(jī)電致發(fā)光二極管形成在另一基板上。接著，利用接觸間隔體將驅(qū)動(dòng)TFT和有機(jī)電致發(fā)光二極管相互電連接。 在另一方面，用于密封OELD的內(nèi)部空間的密封圖案由聚合物形成。當(dāng)OELD被加 熱或長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，例如濕氣或氣體的污染物將通過(guò)密封圖案侵入OELD的內(nèi)部空間中，使 得有機(jī)電致發(fā)光二極管的屬性劣化。具體地，有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光屬性劣化，并且有機(jī)電致發(fā) 光二極管的壽命縮短。另外，因?yàn)槲廴疚?，在顯示屏幕上出現(xiàn)暗點(diǎn)。當(dāng)外力施加到OELD上 時(shí)，在有機(jī)電致發(fā)光二極管的第一電極和第二電極或驅(qū)動(dòng)TFT上出現(xiàn)破裂。結(jié)果，產(chǎn)生破裂 的像素不顯示圖像，使得亮度或顯示圖像質(zhì)量出現(xiàn)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種頂部發(fā)光型OELD及其制造方法，其能夠基本上克服因相關(guān) 技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來(lái)的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。 本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中描述且將從描述中部分地顯現(xiàn)，或者 可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)了解。通過(guò)書(shū)面的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié) 構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。 為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述， 一種有機(jī) 電致發(fā)光設(shè)備包括包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板；位于第一基板上和各個(gè)像素區(qū)域中的 薄膜晶體管；與第一基板相對(duì)的第二基板；位于第二基板上并且連接到所述薄膜晶體管的 有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一基板和第二基板的邊緣的密封圖案；以及包括多個(gè)導(dǎo)電球 的粘接層，其中由第一基板、第二基板和所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接 層。 在另一方面，一種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法包括以下步驟在包括多個(gè)像素 區(qū)域的第一基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域中；在與第一基 板相對(duì)的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在第一基板和第二基板之一上形成密封 圖案；在第一基板和第二基板之一上形成包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層；以及粘接第一基板和 第二基板，使得所述薄膜晶體管連接到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管，其中由第一基板、第二基 板、以及所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。 在又一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板；位于 第一基板上和各個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管；位于第一基板上并且連接到所述薄膜晶體管 的有機(jī)電致發(fā)光二極管，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)射白光；與第一基板相對(duì)的第二基板； 位于第二基板上并且包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層；位于第一基板和第二基板的 邊緣的密封圖案；以及包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層，其中由第一基板、第二基板、以及所述密 封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。 在再一方面，一種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法包括以下步驟在包括多個(gè)像素 區(qū)域的第一基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域中；在第一基板 上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管并且將其連接到所述薄膜晶體管，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā) 射白光；形成包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層；在第一基板和第二基板之一上形成 密封圖案；在第一基板和第二基板之一上形成包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層；以及粘接第一基 板和第二基板，使得所述薄膜晶體管連接到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管，其中由第一基板、第 二基板、以及所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
應(yīng)當(dāng)理解，上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，且旨在提供所要 求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本說(shuō)明書(shū)中以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本說(shuō)明書(shū)中且 構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明 的原理。 圖1是相關(guān)技術(shù)的0ELD的示意截面圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型0ELD的示意截面圖； 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD中的有機(jī)電致發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)TFT 之間的電連接的示意截面圖； 圖4A到4D是示出用于根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的陣列基板的制造工序的 截面圖； 圖5A到5G是示出用于根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的有機(jī)電致發(fā)光二極管基 板的制造工序的截面圖； 圖6是示出用于根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的粘接層的示意平面圖；以及
圖7是根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的示意截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施方式，在附圖中示例出了其示例。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的示意截面圖。為了便于說(shuō)明，在各個(gè)像素 區(qū)域P中限定了其中形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr的驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA、其中形成連接圖案155的連接區(qū)域 NP、以及其中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E的發(fā)光區(qū)域PA。盡管未示出，在各個(gè)像素區(qū)域P中 還限定了其中形成開(kāi)關(guān)TFT的開(kāi)關(guān)區(qū)域。 在圖2中，頂部發(fā)光型OELD 100包括其中形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr和開(kāi)關(guān)TFT (未示出) 的第一基板101、其中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E的第二基板102、以及位于第一基板101 和第二基板102的邊緣的密封圖案160。第一基板101和第二基板102之間的空間被密封 圖案160密封。 在第一基板101上，形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線115。選通線和數(shù)據(jù)線115 彼此交叉，從而限定了像素區(qū)域P。開(kāi)關(guān)TFT形成在選通線和數(shù)據(jù)線115的交叉部分，驅(qū)動(dòng) TFT DTr被電連接到開(kāi)關(guān)TFT。如上所述，開(kāi)關(guān)TFT設(shè)置在開(kāi)關(guān)區(qū)域中，驅(qū)動(dòng)TFT DTr設(shè)置 在驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中。驅(qū)動(dòng)TFT DTr包括柵極103、柵絕緣層106、半導(dǎo)體層110、源極117、以 及漏極119。開(kāi)關(guān)TFT也具有與驅(qū)動(dòng)TFT DTr大致相同的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層110包括本征非 晶硅的有源層110a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層110b。 包括漏接觸孔125的鈍化層120形成在開(kāi)關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上。漏接觸孔 125露出驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極119。連接電極130形成在鈍化層120上和各個(gè)像素區(qū)域P 中。連接電極130通過(guò)漏接觸孔125接觸驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極119。盡管未示出，用于通過(guò) 驅(qū)動(dòng)TFT DTr向有機(jī)電致發(fā)光二極管E施加電壓的電源線形成在第一基板101上。其中形 成驅(qū)動(dòng)TFTDTr、開(kāi)關(guān)TFT和連接電極130的第一基板101可被稱為陣列基板。
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在第二基板102上，輔助電極151形成在連接區(qū)域NP中。第一電極141形成在第 二基板102的其中形成輔助電極151的整個(gè)表面上。第一電極141由具有相對(duì)較高的功函 數(shù)的第一金屬材料形成。例如，第一電極141由諸如氧化銦錫(IT0)和氧化銦鋅(IZ0)的 透明導(dǎo)電材料形成。緩沖圖案153形成在第一電極153上和連接區(qū)域NP中。連接圖案155 形成在緩沖圖案153上和連接區(qū)域NP中。連接圖案155具有用于將有機(jī)電致發(fā)光二極管 E連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柱狀物(column)的功能。另外，分隔物157形成在緩沖圖案153 上和連接區(qū)域NP中。分隔物157圍繞各個(gè)像素區(qū)域P的邊界。 有機(jī)發(fā)光層143和第二電極145堆疊在發(fā)光區(qū)域PA中的第一電極和連接區(qū)域NP 中的連接圖案155上。由于分隔物157，有機(jī)發(fā)光層143在各個(gè)像素區(qū)域P中具有島狀。艮卩， 一個(gè)像素區(qū)域P中的有機(jī)發(fā)光層143與另一像素區(qū)域P中的有機(jī)發(fā)光層143隔離。類似于 有機(jī)發(fā)光層143，第二電極145在各個(gè)像素區(qū)域P中也具有島狀。有機(jī)發(fā)光層143可由用于 發(fā)射紅、綠和藍(lán)色的有機(jī)發(fā)光材料形成。第二電極145由具有相對(duì)較低的功函數(shù)的第二金 屬材料形成。第二電極145的材料的功函數(shù)比第一電極141的材料的功函數(shù)低。第二電極 145可由不透明材料形成。第一電極141和第二電極145以及有機(jī)發(fā)光層143構(gòu)成有機(jī)電 致發(fā)光二極管E。由于第一電極141由透明材料形成，第二電極145由不透明材料形成，來(lái) 自有機(jī)發(fā)光層143的光穿過(guò)第一電極141。這可被稱為頂部發(fā)光型。其中形成有機(jī)電致發(fā) 光二極管E的第二基板102可被稱為有機(jī)電致發(fā)光二極管基板。 第一電極141在第二基板102的整個(gè)表面上具有單板形狀，使得產(chǎn)生相對(duì)于位置 的電流下降。電流下降問(wèn)題造成亮度均勻性或圖像屬性的降低，使得功率消耗增加。然而， 由于輔助電極151電連接到第一電極141，所以防止了電流下降問(wèn)題。S卩，由于輔助電極 151，第一電極141的電阻降低。例如，輔助電極151的材料具有小于第一電極141的材料 的電阻。 如上所述，由于分隔物157，有機(jī)發(fā)光層143和第二電極145中的每一個(gè)在各個(gè)像 素區(qū)域P中具有島狀。圖2示出由有機(jī)發(fā)光材料形成的單層的有機(jī)發(fā)光層143?；蛘?，有 機(jī)發(fā)光層143可具有多層。例如，有機(jī)發(fā)光層143包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料 層、電子傳輸層、以及電子注入層。第二電極145可由鋁(Al)和鋁合金(AlNd)形成。對(duì)應(yīng) 于連接圖案155的第二電極145電接觸位于第一基板101上的連接電極130，使得有機(jī)電 致發(fā)光二極管E電連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr。 S卩，連接圖案155具有作為有機(jī)電致發(fā)光二極管E 和驅(qū)動(dòng)TFT DTr之間的連接元件和用于保持第一基板101和第二基板102之間的單元間隙 的柱狀間隔體的功能。 更具體地，連接到位于第一基板101上的驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極119的連接電極130 接觸第二基板102上的覆蓋連接圖案155的第二電極145，使得位于第二基板102上的有機(jī) 電致發(fā)光二極管E電連接到位于第一基板101上的驅(qū)動(dòng)TFTDTr。 包括開(kāi)關(guān)TFT、驅(qū)動(dòng)TFT DTr、和連接電極130的陣列基板以及包括有機(jī)電致發(fā)光
二極管E的有機(jī)電致發(fā)光二極管基板被單獨(dú)制造并粘接以獲得OELD 100。 當(dāng)電壓施加到第一電極141和第二電極145時(shí)，OELD 100通過(guò)向發(fā)光層注入來(lái)自
陰極的電子和來(lái)自陽(yáng)極的空穴，將電子和空穴結(jié)合，產(chǎn)生激子，以及將激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換到
基態(tài)而發(fā)光。來(lái)自有機(jī)電致發(fā)光二極管E的光穿過(guò)透明材料的第一電極141，使得0ELD 100
能夠顯示圖像。
包括多個(gè)導(dǎo)電球210的粘接層200形成在第一基板101和第二基板102之間的內(nèi) 部空間中。即，由第一基板101和第二基板102以及密封圖案160所限定的內(nèi)部空間被填 充有粘接層200。由于粘接層200，能夠防止例如濕氣或氣體的污染物侵入第一基板101和 第二基板102之間的內(nèi)部空間中。另外，由于粘接層200，能夠防止驅(qū)動(dòng)TFT DTr和有機(jī)電 致發(fā)光二極管E之間的電斷開(kāi)。 第一基板101和第二基板102的邊緣被密封圖案160密封。然而，由于密封圖案 160由聚合物形成，當(dāng)OELD被加熱或長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，濕氣或氣體通過(guò)密封圖案160侵入第一 基板IOI和第二基板102之間的內(nèi)部空間中。如上所述，污染物造成有機(jī)電致發(fā)光二極管 的屬性劣化，或有機(jī)電致發(fā)光二極管的壽命縮短。另外，當(dāng)外力施加到OELD上時(shí)，在有機(jī)電 致發(fā)光二極管的第一電極和第二電極或驅(qū)動(dòng)TFT上出現(xiàn)破裂。另外，氣體造成內(nèi)部壓力增 加，使得第一基板和第二基板彼此推壓。結(jié)果，第一基板上的驅(qū)動(dòng)TFT DTr和第二基板上的 有機(jī)電致發(fā)光二極管被電斷開(kāi)。 在本發(fā)明中，第一基板101和第二基板102之間的內(nèi)部空間填充有粘接層200，使 得污染物被阻擋。因此，能夠防止例如有機(jī)電致發(fā)光二極管的屬性劣化的問(wèn)題。另外，由于 粘接層200，即使外力施加到OELD上，對(duì)有機(jī)電致發(fā)光二極管或驅(qū)動(dòng)TFT也不會(huì)造成損壞。 此外，由于粘接層200包括多個(gè)導(dǎo)電球210，所以能夠?qū)崿F(xiàn)第一基板上的驅(qū)動(dòng)TFT DTr和第 二基板上的有機(jī)電致發(fā)光二極管之間的電連接。即，即使粘接層200被設(shè)置在連接電極130 和第二電極145之間，連接電極130也能通過(guò)導(dǎo)電球210電連接到第二電極145?；蛘?，連 接電極130直接接觸第二電極145而之間不存在粘接層200。 圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD中的有機(jī)電致發(fā)光二極管和驅(qū)動(dòng)TFT 之間的電連接的示意截面圖。如圖3所示，在第一基板101上，包括柵極103、柵絕緣層106、 半導(dǎo)體層110、源極117、以及漏極119的驅(qū)動(dòng)TFT DTr形成在驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中。包括用于露 出漏極119的漏接觸孔的鈍化層120形成在驅(qū)動(dòng)TFT DTr上。另外，通過(guò)漏接觸孔125接 觸驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極119的連接電極130形成在各個(gè)像素區(qū)域P中和鈍化層120上。
在與第一基板101相對(duì)的第二基板102上，在連接區(qū)域NP中形成輔助電極151。 第一電極141形成在第二基板102的形成有輔助電極151的整個(gè)表面上。緩沖圖案153和 連接圖案155堆疊在第一電極141上和連接區(qū)域NP中。連接圖案155可具有與第一基板 101和第二基板102之間的單元間隙大致相同的厚度。分隔物157形成在緩沖圖案153上 和連接區(qū)域NP中。分隔物157圍繞各個(gè)像素區(qū)域P的邊界。 有機(jī)發(fā)光層143和第二電極145堆疊在發(fā)光區(qū)域PA中的第一電極上和連接區(qū)域 NP中的連接圖案155上。第一電極141、有機(jī)發(fā)光層143、以及第二電極145構(gòu)成有機(jī)發(fā)光 二極管E。由于緩沖圖案153，第二電極145不接觸第一電極141。 如上所述，由于分隔物157，有機(jī)發(fā)光層143和第二電極145中的每一個(gè)在各個(gè)像 素區(qū)域P中具有島狀而無(wú)需額外的掩模工序。在有機(jī)發(fā)光層143和第二電極145的制造工 序中，有機(jī)發(fā)光材料圖案143a和金屬圖案145a被堆疊在分隔物157上。
連接圖案155相對(duì)于第一基板101具有倒梯形形狀(相對(duì)于第二基板102具有梯 形形狀)。即，連接圖案155的第一部分具有比連接圖案155的第二部分的第二寬度小的第 一寬度，該第二部分比第一部分更接近于第二基板。第一基板101和第二基板102之間的 單元間隙通過(guò)連接圖案155來(lái)保持。
第一基板101和第二基板102利用包括多個(gè)導(dǎo)電球210的粘接層200而彼此粘接。 第一基板101和第二基板102之間的內(nèi)部空間被填充有粘接層200，使得防止了例如濕氣或 氣體的污染物侵入第一基板101和第二基板102之間的內(nèi)部空間中。導(dǎo)電球210分散在粘 接層200的粘性樹(shù)脂中。導(dǎo)電球210是用薄絕緣膜覆蓋的導(dǎo)電球體。當(dāng)外力施加到導(dǎo)電球 210時(shí)，薄絕緣膜破裂，使得導(dǎo)電球210具有導(dǎo)電屬性。 當(dāng)連接電極130和第二電極145彼此最接近時(shí)，粘接層200中的導(dǎo)電球210被定 位在其間，使得連接電極130通過(guò)導(dǎo)電球210與第二電極145電連接。導(dǎo)電球210被連接 電極130和第二電極145擠壓，使得覆蓋導(dǎo)電球210的導(dǎo)電球體的薄絕緣膜破裂。因此，連 接電極130能夠電連接到第二電極145。如果粘接層不包括導(dǎo)電球，則因?yàn)檎辰訉樱诙?極和連接電極之間的接觸可能存在問(wèn)題。然而，由于粘接層200中的導(dǎo)電球，在本發(fā)明中不 會(huì)產(chǎn)生上述問(wèn)題。 通過(guò)粘接陣列基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板，以及將粘接層210注入陣列基板 和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板之間的內(nèi)部空間中來(lái)制造根據(jù)本發(fā)明的OELD 100。在將粘接 層210注入陣列基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板之間的內(nèi)部空間中之前，可粘接陣列基板 和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板。該工序?qū)⑼ㄟ^(guò)圖4A到4D和圖5A到5G來(lái)說(shuō)明。
圖4A到4D是示出用于根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的陣列基板的制造工序的 截面圖。圖4A示出驅(qū)動(dòng)TFT的制造工序。開(kāi)關(guān)TFT和電源線可通過(guò)共同工序來(lái)形成。
在圖4A中，在第一基板101上形成第一金屬層(未示出)。通過(guò)光刻工序?qū)Φ谝?金屬層構(gòu)圖，以在第一基板101上形成柵極103。盡管未示出，在第一基板101上形成選通 線。另外，形成開(kāi)關(guān)TFT的柵極。開(kāi)關(guān)TFT的柵極連接到選通線。 接著，在圖4B中，在柵極103上形成柵絕緣層106。在柵絕緣層106上順序形成本 征非晶硅層(未示出)和摻雜非晶硅層(未示出)，并且通過(guò)光刻工序?qū)ζ錁?gòu)圖，以形成有 源層110a和歐姆接觸層110b。有源層110a和歐姆接觸層110b構(gòu)成半導(dǎo)體層110。盡管 未示出，還形成開(kāi)關(guān)TFT的半導(dǎo)體層。 接著，在半導(dǎo)體層110上沉積第二金屬層(未示出)，并且通過(guò)光刻工序?qū)ζ錁?gòu)圖， 以形成源極117和漏極119。盡管未示出，在柵絕緣層106上從第二金屬層形成數(shù)據(jù)線。另 外，還形成開(kāi)關(guān)TFT的源極和漏極。開(kāi)關(guān)TFT的源極連接到數(shù)據(jù)線，開(kāi)關(guān)TFT的漏極連接到 驅(qū)動(dòng)TFT的柵極。盡管未示出，同時(shí)形成電源線。 接著，在圖4C中，在源極117和漏極119上形成鈍化層120，并且對(duì)鈍化層120構(gòu) 圖，以形成露出驅(qū)動(dòng)TFT的漏極119的漏接觸孔125。 接著，在圖4D中，在鈍化層120上沉積第三金屬層(未示出)，并且對(duì)第三金屬層 構(gòu)圖，以形成連接電極130。連接電極130通過(guò)漏接觸孔連接到驅(qū)動(dòng)TFT的漏極119。
圖5A到5G是示出用于根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型OELD的有機(jī)電致發(fā)光二極管基 板的制造工序的截面圖。 在圖5A中，通過(guò)沉積包括鉬(Mo)、鈦(Ti)、銀銦錫氧化物(Ag-ITO)的金屬材料 之一，在第二基板102上形成第四金屬層(未示出)。對(duì)第四金屬層構(gòu)圖，以形成輔助電極 151。將輔助電極151定位在連接區(qū)域NP(圖2)中。 接著，在圖5B中，在第二基板的包括輔助電極151的整個(gè)表面上形成第一電極 141。第一電極141由透明導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O141用作陽(yáng)極時(shí)，第一電極141由具有相對(duì)較高的功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極141可由IT0或IZ0形成。
接著，在圖5C中，通過(guò)涂敷包括二氧化硅或硅氮化物的無(wú)機(jī)絕緣材料，在第一電 極141上形成第一有機(jī)絕緣材料層(未示出)。對(duì)第一有機(jī)絕緣材料層構(gòu)圖，以形成緩沖圖 案153。將緩沖圖案153定位在連接區(qū)域NP中，以與輔助電極151對(duì)應(yīng)。
接著，在圖5D中，通過(guò)涂敷感光亞克力和苯并環(huán)丁烯(BCB)之一的有機(jī)絕緣材料， 在緩沖圖案153上形成第二有機(jī)絕緣材料層(未示出)。對(duì)第二有機(jī)絕緣材料層構(gòu)圖，以 形成相對(duì)于第二基板102具有倒梯形形狀的分隔物157。將分隔物157定位在連接區(qū)域NP 中的緩沖圖案153上。S卩，分隔物157的第一部分具有比分隔物157的第二部分的第二寬 度大的第一寬度，該第二部分比第一部分更接近于第二基板。 接著，在圖5E中，通過(guò)涂敷感光亞克力和苯并環(huán)丁烯(BCB)中的另一種的有機(jī)絕 緣材料，在緩沖圖案153上形成第三有機(jī)絕緣材料層(未示出)。對(duì)第三有機(jī)絕緣材料層構(gòu) 圖，以形成具有相對(duì)于第二基板102的梯形形狀的連接圖案155。 S卩，連接圖案155的第一 部分具有比連接圖案155的第二部分的第二寬度小的第一寬度，該第二部分比第一部分更 接近于第二基板。將連接圖案155也定位在連接區(qū)域NP中的緩沖圖案153上，并與分隔物 157隔開(kāi)。連接圖案155具有與分隔物157相反的形狀，并且具有大于分隔物157的高度。 分隔物157的材料具有負(fù)感光性，而連接圖案155的材料具有正感光性。或者，分隔物157 的材料具有正感光性，而連接圖案155的材料具有負(fù)感光性。在圖5F和圖5G中，在形成分 隔物157之后形成連接圖案155?；蛘撸谛纬煞指粑?57之前形成連接圖案155。
接著，在圖5F中，通過(guò)涂敷或沉積有機(jī)發(fā)光材料，在第一電極141、連接圖案155以 及分隔物157上形成有機(jī)發(fā)光層143。由于分隔物157具有倒梯形形狀，所以有機(jī)發(fā)光層 143在各個(gè)像素區(qū)域P中具有島狀，而無(wú)需額外的光刻工序(或掩模工序)。利用噴嘴涂敷 裝置、分配裝置、以及噴墨裝置來(lái)形成有機(jī)發(fā)光材料?；蛘?，可利用蔭罩通過(guò)熱沉積法來(lái)形 成有機(jī)發(fā)光材料。將有機(jī)發(fā)光材料圖案143a定位在分隔物157上。 接著，在圖5G中，通過(guò)沉積包括A1和AlNd之一的低功函數(shù)金屬組，在有機(jī)發(fā)光層 143上形成第二電極145。與有機(jī)發(fā)光層143類似，由于分隔物157，第二電極145在各個(gè)像 素區(qū)域P中具有島狀，而無(wú)需額外的光刻工序。 參照?qǐng)D6，在圖4D中的陣列基板和圖5G中的有機(jī)電致發(fā)光二極管基板之一的邊緣 上形成密封圖案160。在將圖4D中的陣列基板和圖5G中的有機(jī)電致發(fā)光二極管基板粘接 之后，圖4D中的陣列基板和圖5G中的有機(jī)電致發(fā)光二極管基板的內(nèi)部空間被密封圖案160 密封。密封圖案160可由當(dāng)暴露于UV光時(shí)而固化的熱固性樹(shù)脂或光敏聚合物形成?？蛇M(jìn) 一步在密封圖案160內(nèi)部形成吸收劑(未示出)以阻擋濕氣，使得可進(jìn)一步防止由于濕氣 導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光層143 (圖5G的)的熱劣化。 在形成密封圖案160的圖4D中的陣列基板和圖5G中的有機(jī)電致發(fā)光二極管基板 之一上，通過(guò)液晶滴入(one drop filling,0DF)法或分配法來(lái)形成包括導(dǎo)電球210的粘接 層200。 ODF法利用注射器的原理。即，當(dāng)外力施加到存儲(chǔ)容器時(shí)，存儲(chǔ)容器(未示出)中 的粘性材料以點(diǎn)要素點(diǎn)型(point dotting type)滴落在基板上，從而形成粘接層200。分 配法利用類似的原理。 接著，將陣列基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板粘接，使得陣列基板上的連接電極 130和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板上的第二電極145彼此接觸。即使將粘接層200定位在連接電極130和第二電極145之間，因?yàn)檎辰訉?00中的導(dǎo)電球210，電連接也不存在問(wèn)題。
如上所述，由于陣列基板和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板之間的內(nèi)部空間被填充有粘 接層，所以二者被緊密地彼此粘合。另外，防止了例如濕氣或氣體的污染物侵入第一基板 101和第二基板102之間的內(nèi)部空間。因此，防止了有機(jī)發(fā)光層143的發(fā)光屬性的降低。 OELD 100的壽命增加，并且圖像質(zhì)量提高。 另外，即使外力施加到OELD 100，由于粘接層200，不會(huì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光二極管E 或驅(qū)動(dòng)TFT的電極造成損壞。 此夕卜，由于粘接層200中的導(dǎo)電球210，成功地實(shí)現(xiàn)了陣列基板上的連接電極130 和第二電極145之間的電連接。 圖2到圖5G示出包括半導(dǎo)體層110的開(kāi)關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr中的每一個(gè)，該半 導(dǎo)體層110包括本征非晶硅的有源層110a和摻雜非晶硅的歐姆接觸層110b。開(kāi)關(guān)TFT和 驅(qū)動(dòng)TFT DTr中的每一個(gè)是底柵型。包括多晶硅的半導(dǎo)體層的頂柵型TFT將通過(guò)圖7來(lái)說(shuō) 明。 圖7是根據(jù)本發(fā)明的頂部發(fā)光型0ELD的示意截面圖。說(shuō)明關(guān)注于TFT。為了方便 說(shuō)明，其中形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr的驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA、其中形成連接圖案155的連接區(qū)域NP、以及其 中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E的發(fā)光區(qū)域PA被限定在各個(gè)像素區(qū)域P中。盡管未示出，其 中形成開(kāi)關(guān)TFT的開(kāi)關(guān)區(qū)域也被限定在各個(gè)像素區(qū)域P中。 在圖7中，OELD 200包括其中形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr和開(kāi)關(guān)TFT(未示出)的第一基 板201、其中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管E的第二基板202、以及位于第一基板201和第二基 板202的邊緣的密封圖案260。第一基板201和第二基板202之間的內(nèi)部空間被密封圖案 260密封。 在第一基板201上，在驅(qū)動(dòng)區(qū)域DA中形成多晶硅的半導(dǎo)體層205。半導(dǎo)體層205
的中心用作溝道的有源區(qū)205a。高濃度雜質(zhì)被摻雜在半導(dǎo)體層205的中心的兩側(cè)，使得所
述兩側(cè)分別用作源區(qū)205b和漏區(qū)205c。在半導(dǎo)體層205上形成柵絕緣層208。 在柵絕緣層208上形成對(duì)應(yīng)于有源區(qū)205a的柵極209。盡管未示出，在柵絕緣層
208上形成選通線。在選通線和柵極209上形成層間絕緣層211。對(duì)層間絕緣層211和柵絕
緣層208構(gòu)圖，以形成分別露出半導(dǎo)體層205的源區(qū)205b和漏區(qū)205c的第一接觸孔211a
和第二接觸孔211b。 在層間絕緣層211上，形成源極215和漏極217，以通過(guò)第一接觸孔211a和第二接 觸孔211b分別連接到半導(dǎo)體層205的源區(qū)205b和漏區(qū)205c。源極215和漏極217彼此隔 開(kāi)。盡管未示出，在層間絕緣層211上形成數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與選通線交叉以限定像素區(qū)域 P。 半導(dǎo)體層205、柵絕緣層208、柵極209、層間絕緣層211、源極215、以及漏極217構(gòu) 成驅(qū)動(dòng)TFT DTr。盡管未示出，在第一基板201上進(jìn)一步形成開(kāi)關(guān)TFT和電源線。開(kāi)關(guān)TFT 可具有與驅(qū)動(dòng)TFT大致相同的結(jié)構(gòu)。開(kāi)關(guān)TFT電連接到選通線、數(shù)據(jù)線以及驅(qū)動(dòng)TFT DTr。 驅(qū)動(dòng)TFT電連接到電源線和有機(jī)電致發(fā)光二極管。 鈍化層219形成在驅(qū)動(dòng)TFT DTr的源極215和漏極217上，并且包括露出驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極217的漏接觸孔219a。在鈍化層219上，在各個(gè)像素區(qū)域P中，由具有相對(duì)較高 的功函數(shù)的材料形成第一電極220。第一電極220通過(guò)漏接觸孔219a連接到漏極217。第一電極220用作陽(yáng)極。第一電極220可以是不透明的。在像素區(qū)域P的邊界上形成堤狀物 221。 S卩，將堤狀物221定位在相鄰像素區(qū)域P中的第一電極220之間。在堤狀物221上形 成具有柱狀的柱狀間隔體223。 在第一基板201的整個(gè)表面上形成有機(jī)發(fā)光層225。 S卩，有機(jī)發(fā)光層225覆蓋第一 電極220和柱狀間隔體223。圖7示出由有機(jī)發(fā)光材料形成的單層的有機(jī)發(fā)光層225。或 者，有機(jī)發(fā)光層225可具有多層。例如，有機(jī)發(fā)光層225包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 材料層、電子傳輸層、以及電子注入層。與圖2中的有機(jī)發(fā)光層143不同，圖7中的有機(jī)發(fā) 光層225具有貫穿全部像素區(qū)域P的連續(xù)層，并且發(fā)射白光。 在有機(jī)發(fā)光層225上，形成作為陰極的第二電極227。圖7示出單層的第二電極 227。單層的第二電極227由具有相對(duì)較低的功函數(shù)的金屬材料形成。第二電極227的材 料具有小于第一電極220的材料的功函數(shù)。單層的第二電極227是薄膜，以成為基本透明。 或者，第二電極227可具有雙層結(jié)構(gòu)。雙層結(jié)構(gòu)的第一層由具有相對(duì)較低的功函數(shù)的金屬 材料形成。第一層的材料具有比第一電極220的材料低的功函數(shù)。第一層是薄膜，以成為 基本透明。堆疊在第一層上的第二層由例如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成。形成第二層 以降低第二電極227的電阻。由于第一電極220是不透明的，而第二電極227是透明的，所 以從有機(jī)發(fā)光層225發(fā)射的光穿過(guò)第二電極227。如上所述，其可被稱為頂部發(fā)光型。第一 電極220、有機(jī)發(fā)光層225、以及第二電極227構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光二極管E。
在與第一基板201相對(duì)的第二基板202上，形成紅(R)、綠(G)、和藍(lán)(B)濾色器 圖案231a、231b和231c以與各個(gè)像素區(qū)域P對(duì)應(yīng)。在R、G、和B濾色器圖案231a、231b和 231c中的每一個(gè)的邊界上形成對(duì)應(yīng)于柱狀間隔體223的黑底233。黑底233具有樹(shù)脂的單 層或鉻(Cr)和鉻絡(luò)合物(CrOx)的雙層。結(jié)果，柱狀間隔體223上的第二電極227接觸黑 底233，從而保持第一基板201和第二基板202之間的單元間隙?；蛘?，可以省去黑底。在 此情況下，柱狀間隔體223上的第二電極227可接觸第二基板201或R、G、和B濾色器圖案 231a、231b和231c。 包括多個(gè)導(dǎo)電球210的粘接層200形成在第一基板201和第二基板202之間的內(nèi) 部空間中。即，第一基板201和第二基板202之間的內(nèi)部空間被填充有粘接層200。由于粘 接層200，可防止例如濕氣或氣體的污染物侵入第一基板201和第二基板202之間的內(nèi)部空 間中。 第一基板201和第二基板202的邊緣被密封圖案260密封。然而，由于密封圖案 260由聚合物形成，所以當(dāng)OELD被加熱或長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，濕氣或氣體通過(guò)密封圖案260侵入 第一基板201和第二基板202之間的內(nèi)部空間中。如上所述，污染物造成有機(jī)電致發(fā)光二 極管的屬性劣化，或有機(jī)電致發(fā)光二極管的壽命縮短。另外，當(dāng)外力施加到OELD上時(shí)，有機(jī) 電致發(fā)光二極管的第一電極和第二電極或驅(qū)動(dòng)TFT上會(huì)出現(xiàn)破裂。 在本發(fā)明中，第一基板201和第二基板202之間的內(nèi)部空間被填充有粘接層200， 使得污染物被阻擋。因此，防止了例如有機(jī)電致發(fā)光二極管的屬性劣化的問(wèn)題。另外，即使 外力施加到OELD，由于粘接層200，也不會(huì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光二極管或驅(qū)動(dòng)TFT造成損壞。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的條件下，可以 在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的 范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板；位于第一基板上和各個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管；與第一基板相對(duì)的第二基板；位于第二基板上并且連接到所述薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一基板和第二基板的邊緣的密封圖案；以及包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層，其中由第一基板、第二基板和所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述有機(jī)電致發(fā)光二極管包括位于第二基板上的第一電極、位于第一電極上的有機(jī)發(fā)光層、以及位于所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備還包括位于第一基板上并且電連接到所述薄膜晶體管的連接電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述第二電極接觸所述連接電極，使得所述有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到所述薄膜晶體管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述導(dǎo)電球被定位在所述連接電極和第二電極之間，使得所述連接電極通過(guò)所述導(dǎo)電球電連接到第二電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備還包括位于第一電極上且位于所述有機(jī)發(fā)光層下的連接圖案，其中所述連接圖案上方的第二電極接觸所述連接電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電極形成在第二基板的整個(gè)表面上，所述有機(jī)發(fā)光層和第二電極中的每一個(gè)分離地形成在各個(gè)像素區(qū)域中。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備還包括絕緣材料的分隔物，該分隔物具有相對(duì)于第二基板的倒梯形形狀，并且被定位在像素區(qū)域的邊界上并且在第一 電極和所述有機(jī)發(fā)光層之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備還包括位于第二基板和第一電極之間的輔助電極，其中所述輔助電極被定位在所述像素區(qū)域的邊界上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備還包括位于第一電極上且位于所述有機(jī)發(fā)光層下的絕緣材料的緩沖圖案，其中所述緩沖圖案被定位在所述像素區(qū)域的邊界上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電極由透明材料形成，所述第二電極由不透明材料形成。
12. —種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟在包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域中；在與第一基板相對(duì)的第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在第一基板和第二基板之一上形成密封圖案；在第一基板和第二基板之一上形成包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層；以及粘接第一基板和第二基板，使得所述薄膜晶體管連接到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管，其中由第一基板、第二基板、以及所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成有機(jī)電致發(fā)光二極管的步驟包括以下步驟在第二基板的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電材料的第一電極；在第一電極上并且在各個(gè)像素區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光層；以及在所述有機(jī)發(fā)光層上并且在各個(gè)像素區(qū)域中形成不透明金屬材料的第二電極。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括在第一基板上形成連接電極并且將其電連接到所述薄膜晶體管，所述連接電極接觸第二電極。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括在第一基板上形成連接電極并且將其電連接到所述薄膜晶體管，其中所述導(dǎo)電球被定位在所述連接電極和第二電極之間，使得所述連接電極通過(guò)所述導(dǎo)電球電連接到第二電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，該方法還包括在形成第一基板的步驟之前在第二電極上形成輔助電極，其中所述輔助電極被定位在像素區(qū)域的邊界上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，該方法還包括在形成有機(jī)發(fā)光層的步驟之前在第一電極上形成絕緣材料的緩沖圖案，其中所述緩沖圖案被定位在像素區(qū)域的邊界上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，該方法還包括在形成有機(jī)發(fā)光層的步驟之前在第一電極上形成連接圖案，其中所述連接圖案上方的第二電極接觸所述連接電極。
19. 一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板；位于第一基板上和各個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管；位于第一基板上并且連接到所述薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光二極管，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)射白光；與第一基板相對(duì)的第二基板；位于第二基板上并且包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層；位于第一基板和第二基板的邊緣的密封圖案；以及包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層，其中由第一基板、第二基板、以及所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
20. —種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟在包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域中；在第一基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管并且將其連接到所述薄膜晶體管，所述有機(jī)電致發(fā)光二極管發(fā)射白光；形成包括紅、綠和藍(lán)濾色器圖案的濾色器層；在第一基板和第二基板之一上形成密封圖案；在第一基板和第二基板之一上形成包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層；以及粘接第一基板和第二基板，使得所述薄膜晶體管連接到所述有機(jī)電致發(fā)光二極管，其中由第一基板、第二基板、以及所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
全文摘要
頂部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法。一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括包括多個(gè)像素區(qū)域的第一基板；位于第一基板上和各個(gè)像素區(qū)域中的薄膜晶體管；與第一基板相對(duì)的第二基板；位于第二基板上并且連接到所述薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光二極管；位于第一基板和第二基板的邊緣的密封圖案；以及包括多個(gè)導(dǎo)電球的粘接層，其中由第一基板、第二基板和所述密封圖案限定的內(nèi)部空間被填充有所述粘接層。
文檔編號(hào)H01L51/56GK101728376SQ20091017424
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月23日
發(fā)明者李相槿, 梁仲煥, 許峻瑛, 金豪鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司