專利名稱：采用發(fā)光效率提高層的有機發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及采用發(fā)光效率提高層的有機發(fā)光二極管(OLED )。
背景技術(shù)：
作為自發(fā)射裝置，有機發(fā)光二極管(OLED)具有諸如寬視角、優(yōu)異的 對比度、快速響應、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性的優(yōu)點，并且能夠提供多 彩圖像。
典型的OLED的結(jié)構(gòu)包括基底及順序堆疊在基底上的陽極、空穴傳輸層 (HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。在這點上，HTL、 EML和ETL —般為由有機化合物形成的有機薄膜。 操作具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的原理如下。
當將電壓施加到陽極和陰極時，從陽極注入的空穴通過HTL移動到 EML,從陰極注入的電子通過ETL移動到EML。電子和空穴在EML中復合 以產(chǎn)生激子。當激子的能態(tài)從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時，發(fā)射光。
OLED的發(fā)光效率可以分類為內(nèi)部發(fā)光效率和外部發(fā)光效率。內(nèi)部發(fā)光 效率受到在諸如HTL、 EML和ETL的有機層中激子產(chǎn)生并轉(zhuǎn)換成光的效率 的影響，所述有機層設置在第一電極和第二電極之間(即陽極和陰極之間)。 另 一方面，外部發(fā)光效率(光結(jié)合效率)受到將在有機層中產(chǎn)生的光從OLED 中引出的效率的影響。如果外部發(fā)光效率低，則即使有機層中的發(fā)光效率高 (即，內(nèi)部發(fā)光效率高)，OLED的發(fā)光效率也降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種改進的有機發(fā)光二極管(OLED)。 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光二極管(OLED)，該有機發(fā)
15光二極管包括基底；第一電極，形成在基底上，第一電極具有面對基底的
第二表面和背對基底的第一表面；有機層，形成在第一電極上，有機層面對
第一電極的第一表面；第二電極，形成在有機層上，第二電極具有面對有機
層的第一表面和背對有機層的第二表面；發(fā)光效率提高層，形成在第二電極
的第二表面和第一電極的第二表面中的至少一個上，發(fā)光效率提高層包含由
下面的式1表示的化合物
ZX、 X2 Xg
II I
X3\V^X5
入4式1
其中，X!為N或由C-(Ar!)a-R,表示的基團 示的基團，X3為N或由C-(Ar3)c-R3表示的基團 示的基團，Xs為N或由C-(Ar5)e-Rs表示的基團 示的基團，并且X,至Xe中的至少一個為N;
Ar,至Ar6各自獨立地為取代的或未取代的(35《3()亞芳基或者取代的或未 取代的CrC3。雜亞芳基；
R^至R6各自獨立地為氫原子、囟素原子、羥基、氰基、取代或未取代的
CVC30烷基、取代或未取代的CVC30烷氧基、取代或未取代的CrC30?；?取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的
C5-C3o芳基或者取代或未取代的Q-C3o雜芳基，其中，Ri至Rfi中的至少兩個 相鄰基團可以選擇性地彼此結(jié)合以形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)；a、 b、 c、 d、 e 和f各自獨立地為0到10的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光二極管(OLED),該有機發(fā) 光二極管包括基底；第一電極，形成在基底上；第二電極，具有面對第一 電極的第一表面和背對所述第一表面的第二表面；有機層，設置在第一電極 和第二電極之間；第一發(fā)光效率提高層，形成在第二電極的第二表面上，第 一發(fā)光效率提高層包含由上面的式1表示的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光二極管(OLED)，該有機發(fā) 光二極管包括基底；第一電極，形成在基底上；第二電極，具有面對第一 電極的第一表面和背對所述第一表面的第二表面；有機層，設置在第一電極 和第二電極之間；發(fā)光效率提高層，形成在基底和第一電極之間，發(fā)光效率
,X2為N或由C-(Ar。b-R2表 ，X4為N或由C-(Ar4)d-R4表 ,乂6為N或由C-(Ar6)rR6表
16提高層包含由上面的式1表示的化合物。


通過參照以下結(jié)合附圖考慮的詳細描述，對本發(fā)明更充分的理解和本發(fā) 明的許多附屬優(yōu)點將容易清楚且變得更好理解，在附圖中，相同的標號表示
相同或相似的組件，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管(OLED)的示意性剖視圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的OLED的示意性剖視圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的OLED的示意性剖一見圖。
具體實施例方式
以下，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，本發(fā)明的示例性實施例示出在 附圖中。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管(OLED) IO的示意性剖視圖。
參照圖1，根據(jù)本實施例的OLED 10包括基底11、第一電極13、有機 層15、第二電極17和發(fā)光效率提高層18,這些組件以此順序順序地堆疊。 第二電極17可以為透射電極，在有機層15中產(chǎn)生的光在透射出OLED 10之 前穿過第二電極17和發(fā)光效率提高層18。
基底11可以為在傳統(tǒng)有機發(fā)光裝置中使用的任意基底。例如，基底11 可以為玻璃基底或透明塑料基底，具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明性、 表面光滑性、操作便利性和防水性。
第一電極13可以通過在基底上沉積或濺射材料形成。第一電極13具有 與有機層15接觸的第一表面和背對有機層15的第二表面。如果第一電極13 為陽極，則用于形成第一電極13的材料可以為高逸出功材料以有助于空穴注 入。第一電極13可以為反射電極或透射電極?？梢杂弥T如氧化銦錫(ITO)、 氧化銦鋅(IZO)、 Sn02和ZnO的透明且導電的材料來形成第一電極13。當 第一電極13為反射電極時，可以用Mg、 Al、 Al-Li、 Ca、 Mg-In、 Mg-Ag等 來形成第一電極13。
有機層15可以形成在第一電極13上。這里使用的術(shù)語"有機層"表示 設置在第一電極13和第二電極17之間的任何層。有機層15不限于由純有機
17材料形成的有機層。例如，有機層可以包含金屬絡合物。
有機層15可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層 (EML)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL )中 的至少一種。
HIL可以通過真空沉積、旋涂、澆鑄、Langmuir-Blodgett ( LB )沉積等 形成在第一電極13上。
當使用真空沉積形成HIL時，沉積條件可以才艮據(jù)用于形成HIL的化合物 及要形成的HIL的結(jié)構(gòu)和熱性能而改變。然而， 一般來說，真空沉積的條件 可以包括100。C到500。C的沉積溫度、10-8托到10-3托的壓強和0.0lA/sec到 100A/sec的沉積速度。
當使用旋涂形成HIL時，涂覆的條件可以根據(jù)用于形成HIL的化合物及 要形成的HIL的結(jié)構(gòu)和熱性能而改變。一^:來說，涂覆速率可以在2，000rpm 到5,000rpm的范圍內(nèi)，涂覆后為去除溶劑而執(zhí)行的熱處理的溫度可以在80 。C到20(TC的范圍內(nèi)。
HIL可以由通常用于形成HIL的任意材料形成?？梢杂糜谛纬蒆IL的材 料的例子為諸如銅酞菁的酞菁化合物、4,4',4"-三(3-曱基苯基苯基氨基)-三苯 胺(m-MTDATA)、 N，N'-二(l-萘基)-N，N'-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、 4,4',4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、 4,4',4"-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2T-NATA)、 聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸 鹽)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸 鹽)(PANI/PSS),但不限于此。
m-MTDATA TDATA NATA
HIL的厚度可以在大約IOOA至IO,OOOA的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在IOOA至 1,000A的范圍內(nèi)。如果HIL的厚度在上述范圍內(nèi)，則不顯著增加驅(qū)動電壓也 可以得到優(yōu)異的HIL的空穴注入能力。
18之后，可以通過真空沉積、旋涂、澆鑄、LB等在HIL上形成HTL。當 通過真空沉積或4t涂形成HTL時，沉積和涂覆的條件可以與形成HIL的條件 相似，盡管沉積和涂覆的條件可以根據(jù)用于形成HTL的材料而改變。
可以用通常用于形成HTL的任意材料來形成HTL,而沒有限制?？梢?用于形成HTL的材料的例子為呼唑衍生物，例如N-苯基。卡唑和聚乙烯呼
唑；具有芳香縮合環(huán)的胺衍生物，例如>^,:^-二(3-曱基苯基)-:^^-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)和N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD);三苯 胺類材料，例如4，4'，4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。在這些材料中，TCTA 不僅可以傳輸空穴，而且可以禁止激子擴散到發(fā)射層(EML)中。
a-NPD tpd
HTL的厚度可以在大約50A至1,000A的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在100A至 800A的范圍內(nèi)。如果HTL的厚度在上述范圍內(nèi)，則不顯著增加驅(qū)動電壓也 可以得到優(yōu)異的HTL的空穴傳輸能力。
之后，可以通過真空沉積、旋涂、澆鑄、LB等在HTL上形成EML。當 通過真空沉積或旋涂形成EML時，沉積和涂覆的條件可以與形成HIL的條 件相似，盡管沉積和涂覆的條件可以根據(jù)用于形成EML的材料而改變。
EML可以由化合物形成，或由主體和4參雜劑的組合形成。主體的例子為 三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)、 4,4'-N,N'-二"卡唑-聯(lián)苯(CBP)、聚(N-乙烯基呼唑) (PVK)、 9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、 4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、 1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、 3-叔丁基-9,10-二-2-萘基蒽(TBADN)、 E3 和二苯乙烯基亞芳基化合物(distyrylarylene， DSA),但不限于此。
糧ON
19<formula>formula see original document page 20</formula>
PVK ADN 已知的紅色4參雜劑可以為鉑(II)八乙基卟啉(PtOEP)、 Ir(piq)3、 Btp2Ir(acac)、 4-(二氰亞曱基)-2-叔丁基-6-(l,l,7,7-四曱基久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃 (DCJTB)等，但不限于此。
<formula>formula see original document page 20</formula>
此外，已知的綠色摻雜劑可以為Ir(ppy)3 (ppy =苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、 Ir(mpyp)3、 10-(2-苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四曱基-lH,5H,llH-(l)-苯并 焦 他 喃 并 (6,7畫8陽i,j) 喹 嗪 -11- 酮 (C545T) (10-(2-Benzothiazolyl)-2,3,6,7-tetrahydro-1 ， 1,7,7-tetramethyl- 1H，5H, 1 IH畫(I )-ben zopyropyrano(6,7-8-i，j)quinolizin-ll-one (C545T))等，4旦不卩艮于jt匕。
Ir(ppy)3 Ir(ppy)2(acac) Ir(mpyPh
已知的藍色4參雜劑可以為F2Irpic、 (F2ppy)2Ir(tmd)、 Ir(dfppz)3、三藥、4,4，-二(4-二苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(DPAVBi)、 2,5,8，11-四叔丁基芘(TBPe)等，但不限于此。
F2lrpic (F2ppy)2lr(tmd) lr(dfppz)3
DPAVBi TBPe
如果主體和摻雜劑一起使用，則基于重量為ioo份的主體，摻雜劑的量
可以在0.01重量份到15重量份的范圍內(nèi)，但不限于此。
EML的厚度可以在大約IOOA至l,OOOA的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在200A至 600A的范圍內(nèi)。如果EML的厚度在上述范圍內(nèi)，則不顯著增加驅(qū)動電壓也 可以得到EML的優(yōu)異的發(fā)射能力。
當EML包括磷光摻雜劑時，可以在ETL和EML之間形成HBL，以防 止三線態(tài)激子或空穴擴散到ETL中?？梢酝ㄟ^真空沉積、旋涂、澆鑄、LB 等形成HBL。當通過真空沉積或旋涂形成HBL時，沉積和涂覆的條件可以 與形成HIL的條件相似，盡管沉積和涂覆的條件可以才艮據(jù)用于形成HBL的材 料而改變?？梢允褂猛ǔＳ脕硇纬蒆BL的任何材料，例如，可以使用噁二唑 衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物。
HBL的厚度可以在大約50A到l,OOOA的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在IOOA到 300A的范圍內(nèi)。當HBL的厚度在上述范圍內(nèi)時，不顯著增加驅(qū)動電壓也可 以得到優(yōu)異的HBL的空穴阻擋能力。
之后，可以通過真空沉積、旋涂、澆鑄等在HBL或EML上形成ETL。 當通過真空沉積或旋涂形成ETL時，沉積和涂覆的條件可以與形成HIL的條 件相似，盡管沉積和涂覆的條件可以根據(jù)用于形成ETL的化合物而改變。用 來形成ETL的材料可以為能夠穩(wěn)定地傳輸從電子注入電極(陰極)注入的電
21子的材料，可以使用任何公知的材料。例如，用來形成ETL的化合物可以為
喹啉衍生物，特別是本領域公知的三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、 TAZ、 Balq等， 但不限于此。
TAZ
ETL的厚度可以在大約100A至1,000A的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在150A至 500A的范圍內(nèi)。當ETL的厚度在上述范圍內(nèi)時，則不顯著增加驅(qū)動電壓也 可以得到ETL的優(yōu)異的電子傳輸能力。
之后，可以在ETL上形成EIL。 EIL可以不受限制地由能夠容易地從陰 極注入電子的材料形成。
用來形成EIL的材料可以為本領域已知的LiF、 NaCl、 CsF、 Li20、 BaO 等。沉積和涂覆的條件與形成HIL的條件相似，盡管沉積和涂覆的條件可以 根據(jù)用于形成EIL的材料而改變。
EIL的厚度可以在大約lA至IOOA的范圍內(nèi)，優(yōu)選地，在5A至90A的 范圍內(nèi)。當EIL的厚度在上述范圍內(nèi)時，不顯著增加驅(qū)動電壓也可以得到EIL 的優(yōu)異的電子注入能力。
第二電極17可以為透射電極，第二電極17形成在有機層15上。第二電 極17具有與有機層15 (例如，EIL)接觸的第一表面和背對有機層15的第 二表面。第二電極17可以為陰極，即電子注入電極。用于形成第二電極17 的材料可以為低逸出功金屬、合金、導電化合物或它們的組合。詳細地講， 可以使用Li、 Mg、 Al、 Al-Li、 Ca、 Mg-In、 Mg-Ag等來形成透射電極。此外， 可以用ITO或IZO來形成透射電極以制造頂發(fā)射型發(fā)光裝置。
發(fā)光效率提高層18形成在第二電極17的第二表面上。
發(fā)光效率提高層18包含由下面的式1表示的化合物
22<formula>formula see original document page 23</formula>
在式1中，X,為N或由C-(Ar!VR!表示的基團；乂2為N或由C-(Ar2)b-R2表示的基團；X3為N或由C-(Ar3)c-R3表示的基團；X4為N或由C-(Ar4)d-R4表示的基團；Xs為N或由C-(Ar5)e-Rs表示的基團；Xe為N或由C-(Ar6)rR6表示的基團，其中，Ar,至Ar6各自獨立地為取代的或未取代的CVC3o亞芳基或者取代的或未取代的CrC3o雜亞芳基，同時以X!至X6中的至少一個為N作為附帶條件。
具體地講，X,、 X3和Xs可以為N， X2、 X4和X6不是N; X!、 乂3和乂4可以為N， X2、 Xs和Xe不是N; X,和X3可以為N， X2、 X4、 Xs和Xe不是N; X,和X4可以為N， X2、 X3、 Xs和X6不是N;或者，X!可以為N， 乂2至Xe不是N。
更具體地講，式1的化合物可以為由下面的式la到式le表示的化合物中的一種
式la
式lb
(Ar2)b'
23<formula>formula see original document page 24</formula>
在式1和式la到式le中，Ar!至Ar6可以各自獨立地為取代的或未取代的CrC3o亞芳基或者取代的或未取代的GpC3。雜亞芳基。
具體地講，Ar,至Ar6可以各自獨立地從由以下基團組成的組中選擇取代的或未取代的亞苯基、取代的或未取代的亞并環(huán)戊二烯基(pentalenylenegroup )、取代的或未取代的亞茚基(indenylene group )、耳又代的或未取代的亞萘基、取代的或未耳又代的亞萸基(azulenylene group )、取代的或未取代的亞庚搭烯基(heptalenylene group )、耳又代的或未取代的亞引達省基(indacenylenegroup )、取代的或未取代的亞苊基、取代的或未取代的亞藥基、取代的或未取代的亞周萘基(phenalenylene group)、取代的或未取代的亞菲基、取代的或未取代的亞蒽基、取代的或未取代的亞熒蒽基、取代的或未取代的亞苯并[9， 10]菲基、取代的或未取代的亞芘基、取代的或未取代的亞窟基(Crysenylenegroup )、取代的或未取代的亞并四苯基、取代的或未取代的亞起基、取代的或未取代的亞芘基、取代的或未取代的亞戊芬基、取代的或未取代的亞并六苯基、取代的或未取代的亞吡咯基、取代的或未取代的亞吡唑基、取代的或未取代的亞咪唑啉基、取代的或未取代的亞咪唑基、取代的或未取代的亞吡啶基、取代的或未取代的亞吡溱基、取代的或未取代的亞嘧啶基、取代的或未取代的亞。引哚基、取代的或未取代的亞。票呤基、取代的或未取代的亞喹啉基、取代的或未取代的亞2，3-二氮雜萘基、取代的或未取代的亞中氮茚基、取代的或未取代的亞1,5-二氮雜萘基、取代的或未取代的亞喹唑啉基、取代的或未取代的亞噌啉基、取代的或未取代的亞口引唑基、取代的或未取代的亞唯唑基、取代的或未取代的亞吩噪基、取代的或未取代的亞菲啶基、取代的或未取代的亞吡喃基、取代的或未取代的亞苯并吡喃基、取代的或未取代的亞苯并呋喃基、取代的或未取代的亞苯硫基、取代的或未取代的亞苯并噻吩
24基、取代的或未取代的亞異P塞唑基、取代的或未取代的亞異噁唑基、取代的或未取代的亞三唑基組成的組中選擇。
當An至Ar6中的至少一個為取代的Cs-C3o亞芳基或取代的(34-(:3()雜亞
芳基時，取代的Cs-C30芳環(huán)體系或取代的Q-C30雜芳環(huán)體系中的至少一個取代基可以各自獨立地為卣素原子、羥基、氰基、取代的或未取代的C廣C30烷
基、取代的或未取代的d-C30烷氧基、取代的或未取代的C,-C30酰基、取代的或未取代的C2-C3o烯基、取代的或未取代的C2-C30炔基、取代的或未取代
的CVC3Q芳基或者取代的或未取代的CVC3。雜芳基。
具體地講，取代基可以為鹵素原子、羥基、氰基、C廣do烷基、C廣C,o烷氧基、C廣C,o?；2-do烯基、C2-do炔基、Cs-C,4芳基或Crd4雜芳基。
更具體地講，Ar,至Af6可以各自獨立地為亞苯基、用至少一個氰基取代的亞苯基、用至少一個CrCu)烷基取代的亞苯基、亞萘基、用至少一個氰基取代的亞萘基、用至少一個CVd。烷基取代的亞萘基、亞芴基、用至少一個CVC,。烷基取代的亞芴基、亞咔唑基、用至少一個苯基取代的亞咔唑基、亞吡啶基、亞三唑基、或者用至少一個苯基取代的亞三唑基。
Ar,至Ar6可以各自獨立地為由下面的式2a至式2p表示的基團中的一種，但不限于此
25其中，*表示與式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素(cyclic element) C結(jié)合
的位置，表示與R!至R6之一結(jié)合的位置。
在式l中，a、 b、 c、 d、 e和f表示Ar!至Ai"6的個數(shù)，且可以為0到10的整數(shù)。如果a、 b、 c、 d、 e和f各自獨立地為O,則R^至R6可以直接連接到式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素。如果a為2或a大于2，則至少兩個Ar,可以相同或不同。如果b為2或b大于2，則至少兩個AT2可以相同或不同。如果c為2或c大于2，則至少兩個Ai"3可以相同或不同。如果d為2或d大于2，則至少兩個Ai"4可以相同或不同。如果e為2或e大于2，則至少兩個Ars可以相同或不同。如果f為2或f大于2，則至少兩個A化可以相同或不同。具體地講，a、 b、 c、 d、 e和f可以各自獨立地為0、 1、 2或3。
在式1中，R,至R6可以各自獨立地為氫原子、卣素原子、羥基、氰基、取代的或未取代的d-C3。烷基、取代的或未取代的d-C3。烷氧基、取代的或未取代的d-C3Q?；⑷〈幕蛭慈〈腃2-C30烯基、取代的或未取代的C2-C3o炔基、取代的或未取代的CVC3。芳基或者取代的或未取代的Q-C3o雜芳基。在這點上，Ri至R6中的至少兩個相鄰基團可以;波此結(jié)合以形成飽和環(huán)或不々包和環(huán)。
具體地講，Ri至R6可以各自獨立地為氫原子、卣素原子、羥基、氰基、取代的或未取代的C,-do烷基、取代的或未取代的d-do烷氧基、取代的或未取代的C,-do?；⑷〈幕蛭慈〈腃2-C1C)烯基、取代的或未取代的CVCK)炔基、取代的或未取代的Cs-d4芳基或者取代的或未取代的Crd4雜芳基。
更具體地講，Ri至R6可以各自獨立地為囟素原子、羥基、氰基、C廣Ck)烷基、CVCm芳基、用氰基取代的Q-d4芳基、用至少一個d-do烷基取代的C5-C，4芳基、Crd4雜芳基、用氰基取代的C4-C14雜芳基、用至少一個C廣C,o烷基取代的C4-C,4雜芳基、或者用至少一個苯基取代的Q-d4雜芳基。
R,至R6可以各自獨立地為氫原子或由下面的式3a至式3q表示的基團中的一種，但不限于此
26這里，*表示與式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素C結(jié)合的位置，或者與Ar,至Ar6之一結(jié)合的位置。
在式1中，由-(Ar,)a-R,表示的基團、由-(Ar2)b-R2表示的基團、由-(Ar3)c-R3表示的基團、由-(Af4)d-R4表示的基團、由-(Ars)e-R5表示的基團和由-(Ar6)rR6表示的基團可以各自獨立地為由下面的式4a至4y表示的基團之一，但不P艮于此
27由式1表示的化合物可以為由下面的式5至式39表示的化合物(也分別稱為化合物1至化合物35 )之一，但不限于此
28200910165467. 0
說明書第15/29頁<formula>formula see original document page 30</formula><formula>formula see original document page 31</formula><formula>formula see original document page 32</formula><formula>formula see original document page 33</formula>
式37 式38
說明書中描述的未取代的C廣C30烷基的例子為曱基、乙基、丙基、異丁 基、仲丁基、戊基、異戊基和己基，其中，烷基中的至少一個氫原子可以被 鹵素原子、羥基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺S吏基
或其鹽、磷酸基或其鹽、C廣C3o烷基、(32《30烯基、CVC3。炔基、Q-C3。芳基、
C7-C20芳基烷基、C4-C20雜芳基或C4-C30雜芳基烷基取代。
說明書中描述的未取代的d-C3o烷氧基可以為由-OA表示的基團，其中， A為d-C3o烷基。d-C3o烷氧基的例子為曱氧基、乙氧基和異丙氧基。烷氧 基中的至少 一個氬原子可以被針對烷基所描述的取代基取代。
說明書中描述的未取代的C廣C30酰基的例子可以為乙?；?、乙羰基、異 丙羰基、苯羰基、萘羰基、聯(lián)苯羰基(diphenyl carbonyl group )、環(huán)己羰基等。 ?；械闹辽僖粋€氫原子可以被針對烷基所描述的取代基取代。
說明書中描述的未取代的C2-C30烯基為在烷基結(jié)構(gòu)的中心或一端具有碳 -碳雙鍵的烴鏈。未取代的C2-C30烯基的例子為乙烯基、丙烯基和丁烯基。烯
基中的至少 一個氫原子可以被針對烷基所描述的取代基取代。
說明書中描述的未取代的C2-C3。炔基為在烷基結(jié)構(gòu)的中心或一端具有碳
-碳三鍵的烴鏈。C2-C30炔基的例子為乙炔基、丙炔基、苯基乙炔基、萘基乙
33炔基、異丙基乙炔基、叔丁基乙炔基和二苯基乙炔基。炔基中的至少一個氫 原子可以被針對烷基所描述的取代基取代。
說明書中描述的未取代的C5-C3。芳基為具有碳環(huán)芳香體系的一價基團，
該碳環(huán)芳香體系具有5到30個碳原子且包括至少一個芳環(huán)。未取代的C5-C30 亞芳基是具有碳環(huán)芳香體系的二價基團，該碳環(huán)芳香體系具有5到30個碳原 子且包括至少一個芳環(huán)。當芳基和亞芳基具有至少兩個環(huán)時，它們可以彼此 稠合或通過單鍵彼此結(jié)合。芳基和亞芳基中的至少 一 個氫原子可以被針對烷 基所描述的取代基取代。
取代的或未取代的C5-C30芳基的例子可以為苯基、CVdo烷基苯基(例
如，乙基苯基)、C,-do烷基聯(lián)苯基(例如，乙基聯(lián)苯基)、卣代苯基(例如 鄰氟苯基、間氟苯基或?qū)Ψ交投缺交?、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、 鄰曱苯基、間曱苯基或?qū)醣交?、鄰異丙苯基、間異丙苯基或?qū)Ξ惐交⒉?基、苯氧基苯基、(a,a-二曱苯)苯基、(N,N'-二曱基)氨基苯基、(N,N'-二苯基) 氨基笨基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、卣代萘基(例如，氟代萘基)、CrC10 烷基萘基(例如，曱基萘基)、Crdo烷氧基萘基(例如，曱氧基萘基)、蒽基、萸 基、庚搭烯基、苊基、周萘基、芴基、蒽醌基、曱基蒽基、菲基、苯并[9,10〗 菲基、芘基、窟基、乙基-窟基、旌基、菲基、氯代花基、戊芬基、并五苯基、 亞四苯基、六苯基、并六苯基、玉紅省基(rubicenyl group )、蔻基(coronenyl group )、聯(lián)三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基或卵苯基(ovalenyl group )。 取代的或未取代的C5-C3()亞芳基的例子可以容易地從取代的或未取代的 CrC3o芳基的例子中得到。.
說明書中描述的未取代的C4-C3Q雜芳基為具有至少一個芳香環(huán)的一價基 團，所述芳香環(huán)具有選自由N、 O、 P和S組成的組中的至少一個雜原子。說 明書中描述的未取代的C4-C30雜亞芳基為具有至少一個芳香環(huán)的二價基團， 所述芳香環(huán)具有選自由N、 O、 P和S組成的組中的至少一個雜原子。如果雜 芳基和雜亞芳基具有至少兩個環(huán)，則它們可以彼此稠合或通過單鍵彼此結(jié)合。 雜芳基和雜亞芳基中的至少 一個氫原子可以被針對烷基所描述的取代基取 代。
未取代的C4-C30雜芳基的例子可以是吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、
三唑基、四唑基、噁二峻基、p比咬基、p達噪基、嘧。定基、三n秦基、呼唑基、
。引咮基、壹啉基、異p奎啉基等。取代的或未取代的Q-C3o雜亞芳基的例子可
34以容易地從取代的或未取代的C5-C3Q亞芳基的例子中得到。
由于包含上述式1的化合物的發(fā)光效率提高層18具有高折射率，因此包
括發(fā)光效率提高層18的OLED會具有優(yōu)異的發(fā)光效率，特別是外部發(fā)光效率。 例如，發(fā)光效率提高層18在630 nm波長處可具有1.8的折射率或更大的折 射率，優(yōu)選地，具有1.9的折射率。
由于OLED—般具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，堆疊由各種材料形成的 多個層，所以在有機層中產(chǎn)生的光可能由于反射而沒有發(fā)射到OLED的外部， 從而在光穿過這些層時光可能消散在OLED中。在外部發(fā)光效率低的OLED 中，即使有機層中光的轉(zhuǎn)換效率高，OLED的總發(fā)光效率也會降低。然而， 在有機層中產(chǎn)生的光穿過第二電極17期間，發(fā)光效率提高層18通過相長干 涉提高了外部發(fā)光效率。因此，可以顯著提高根據(jù)本實施例的OLED 10的發(fā) 光效率。
根據(jù)圖1，發(fā)光效率提高層18形成在第二電極17的第二表面上，但如 果需要，可以在發(fā)光效率提高層18和第二電極17之間形成各種層。同時， 盡管在圖1中未示出，還可以在發(fā)光效率提高層18上形成密封層以密封 OLED 10，且可以對OLED 10作出各種修改。
圖2是沖艮據(jù)本發(fā)明另一實施例的OLED20的示意性剖^L圖。參照圖2, 根據(jù)本實施例的OLED 20包括基底21、發(fā)光效率提高層28、第一電極23、 有機層25和第二電極27，這些組件以此順序順序地堆疊。第一電極23為透 射電極，有機層25中產(chǎn)生的光穿過第一電極23和發(fā)光效率提高層28并透射 出OLED 20。第一電極23具有與有機層25接觸的第一表面和背對有機層25 的第二表面。如圖2所示，發(fā)光效率提高層28形成在第一電極23的第二表 面上。換句話說，發(fā)光效率提高層28位于第一電極23的第二表面下方。如 果需要，可以在發(fā)光效率提高層28和第一電極23之間形成各種層。OLED 20 的各種層與OLED IO的各種層相同，因此，這里將不提供對OLED 20的各 種層的詳細描述。由于包含式1的化合物的發(fā)光效率提高層28具有高的折射 率，因此，有機層25中產(chǎn)生的光可以通過相長干涉效應有效地透射出OLED。 因此，可以提高OLED20的發(fā)光效率。
圖3是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的OLED30的示意性剖視圖。參照圖3， 根據(jù)本實施例的OLED 30包括基底31、第一發(fā)光效率"t是高層38、第一電極 33、有機層35、第二電極37和第二發(fā)光效率提高層39,這些組件以此順序
35順序地堆疊。在OLED30中，第一電極33和第二電極37為透射電極。有機 層35中產(chǎn)生的光在透射出OLED30之前穿過第一電極33和第一發(fā)光效率提 高層38。光在透射出OLED30之前還穿過第二電極37和第二發(fā)光效率提高 層39。 OLED30的各層與OLED 10和OLED20的各層相同，因此，這里將 不提供對OLED 30的各層的詳細描述。由于具有式1的化合物的第一發(fā)光效 率提高層38和第二發(fā)光效率提高層39均具有高的折射率，因此，有機層35 中產(chǎn)生的光可以根據(jù)相長干涉效應有效地透射出OLED 30。因此，可以提高 OLED30的發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明實施例的OLED的有機層可以根據(jù)R、G和B像素被圖案化。 因此，有機層可以包括紅色有機層、綠色有機層和藍色有才幾層。
包含式1的化合物的發(fā)光效率提高層可以形成為關(guān)于R、 G和B像素的
具有600A至700A的厚度。如果發(fā)光效率提高層的厚度在上述范圍內(nèi)，則可 以得到優(yōu)異的發(fā)光效率。
可選擇地，發(fā)光效率提高層可以為發(fā)光效率提高層-R、發(fā)光效率提高層 -G和發(fā)光效率提高層-B中的至少一個。即，可以根據(jù)R、 G和B像素將發(fā)光 效率提高層圖案化。
這里使用的術(shù)語"發(fā)光效率提高層-R"為形成在對應于R像素的區(qū)域中 的發(fā)光效率提高層。
這里使用的術(shù)語"發(fā)光效率提高層-G"為形成在對應于G像素的區(qū)域中 的發(fā)光效率提高層。
這里使用的術(shù)語"發(fā)光效率提高層-B"為形成在對應于B像素的區(qū)域中 的發(fā)光效率提高層。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,發(fā)光效率提高層-R、發(fā)光效率提高層-G和發(fā)光效 率提高層-B可以形成在第二電極的第二表面和第一電極的第二表面中的至少 一個上。
發(fā)光效率提高層-R、發(fā)光效率提高層-G和發(fā)光效率提高層-B的厚度可以 相同或不同。
以下，將參照下面的示例更詳細地描述本發(fā)明。下面的示例只是出于舉 例說明的目的，并不意圖限制本發(fā)明的范圍。 示例合成示例1:化合物11的合成
化合物11是通過下面的反應方案1合成的: 反應方案1
中間體11-1的合成
在500 mL的燒瓶中將20 g ( 73.2 mmol)的溴代二曱基茴溶解在四氫呋 喃(THF)中，并在-78。C下向其中逐漸加入32 ml (80 mmol) 2.5M的正丁 基鋰(n-BuLi)。 一小時后，向其中加入22g硼酸三曱酯。向其中加入1N鹽 酸，將混合物攪拌2小時并用乙酸乙酯進行萃取。將所得物干燥并用硅膠柱 色譜提純，從而得到純中間體11-1。
由式15表示的化合物11的合成
將10g中間體11-1、 2.3g氰尿酰氯和2.4g四(三苯基膦)鈀(Pd(PPh3)4) 溶解在THF中，并向其中加入200 ml 1M的碳酸鉀(K2C03)溶液。將混合 物回流(reflux) 12小時。然后，用乙酸乙酯對所得物進行萃取，干燥，用硅 膠柱色譜提純，從而得到純化合物ll。
NMR (400MHz, CDC13) 8.12卿，7.84(3H)， 7.78(3H), 7.62-7.56(6H), 7.28-7.23卿，1.62(18H)
合成示例2:化合物32的合成
由式36表示的化合物32是通過下面的反應方案2合成的 反應方案2將10g的3-碘-9-苯基呼唑溶解在THF中，將溶液冷卻至-78"。將12 ml 2.5M的n-BuLi逐漸加入到其中，將混合物攪拌1小時。將溶解在THF中的 1.2g氰尿酰氟逐漸加入其中。攪拌4小時后，向其中加入氯化銨溶液，將所 得物用乙酸乙酯進行萃取。將所得物干燥并用硅膠柱色譜提純，從而得到純 化合物32。
'H NMR (400MHz, CDC13) 7.82(3H), 7.54(3H), 7.48-7.39(6H), 7.32-7.29(18H), 7.09-7.01(6H)
合成示例3:化合物33的合成
由式37表示的化合物33是通過下面的反應方案3合成的 反應方案3
中間體33-l的合成
將5g ( 21.8 mmol)的4-萘-2-基-苯基腈和2.66g ( 12.1 mmol)的4-溴苯 曱酰氯溶解在200ml的氯仿中，并在0。C下向其中加入1.55 ml ( 12.1 mmol) 的SbCl5。在室溫下將混合物攪拌1小時并回流12小時。然后，在減壓下將 氯仿去除，在0。C下向其中加入300 ml 28%的氫氧化銨溶液。然后，形成白 色沉淀。在室溫下將沉淀攪拌1小時，過濾，并用水和曱醇進行洗滌。在真 空烘箱中將所得物干燥，向其中加入氯仿，在加熱的同時使混合物回流。過
濾所得物，并在減壓下將所得物千燥，從而得到4.96g白色固體中間體33-1(產(chǎn)率64%)。
化合物33的合成
將5.75g (8.98 mmol)的中間體33-l和l.lg (8.98匪ol)的3-吡啶硼 酸溶解在THF和3.72g碳酸鉀溶液的混合物中，并將310 mg的四(三苯基膦) 鈀加入其中。在加熱的同時使混合物回流12小時。將混合物冷卻到室溫，向 其中加入水。將混合物用乙酸乙酯進行萃取，用無水硫酸鎂進行干燥，在減 壓下使溶劑蒸發(fā)。向所得物中加入曱醇，從而形成4.5g白色固體化合物33 (產(chǎn)率78%)。
'H NMR (400MHz， CDC13) 8.93(1H)， 8.80(6H), 8.61(1H), 8.10(2H)， 7.92-7.65(15H), 7.52(4H), 7.32(1H) 合成示例4:化合物34的合成 中間體34-1是通過下面的反應方案4-1合成的 反應方案4-1
o o
中間體34-1
在氮氣氣氛中，將24.9g ( 0.134 mol)的4-溴苯曱醛和26.8g ( 0.134 mol) 的4-溴苯乙酮溶解在120 mL的曱醇中。之后，向其中加入0.27g的氬氧化鈉， 在室溫下將混合物攪拌5小時，從而得到黃色產(chǎn)物。將黃色產(chǎn)物過濾，并用 水和曱醇進行洗滌。在真空烘箱中將所得物干燥，從而得到44.2g的中間體 34-1 (產(chǎn)率90%)。
中間體34-2是通過下面的反應方案4-2合成的
反應方案4-2
中間體34-2
在氮氣氣氛中，將7.46g( 20.38 mmol)的1,3-二-(4-溴代苯基)-丙烯酮(中 間體34-l)和1.6g (10.19 mmol)的鹽酸苯曱脒溶解在30 ml無水乙醇中。用15分鐘向其中逐漸加入通過將1.32g氫氧化鉀溶解在30 ml無水乙醇中制 備的溶液，向反應混合物中吹入干燥空氣泡。使混合物回流24小時，然后與 水混合。將所得物過濾，用乙醇進行洗滌，在真空烘箱中干燥，從而得到中 間體34-2。
中間體34-3是通過下面的反應方案4-3合成的
反應方案4-3
中間體34-3
將20g (42.9 mmol)的4,6-二-(4-溴代苯基)-2-苯基-嘧啶(中間體34-2)、 27.2g U08mmo1)的雙(頻哪醇合)二硼、25.2g ( 257匪ol)的乙酸鉀、3.5g (4.29 mmol)的PdCl2(dppf)和無水1,4-二噁烷溶劑加入到燒瓶中，在氮氣氣 氛中將混合物在80。C加熱24小時。反應完成后，用氟鎂石作過濾器將所得 物過濾，用乙酸乙酯對所得物進行萃取，用無水硫酸鎂將所得物干燥，在減 壓下使溶劑蒸發(fā)。用柱色譜法將所得物提純(在展開溶劑乙酸乙酯:己烷=1:4 中)，從而得到中間體34-3。
由式38表示的化合物34是通過下面的反應方案4-4合成的
反應方案4-4
將3.0g( 5.36匪ol )的中間體34-3和3.15g( 13.4 mmol )的6-溴-(2,4')聯(lián) 吡咬溶解在THF和4.44g石友酸鉀的混合物中，并向其中加入370 mg的四(三苯基膦)鈀。在加熱的同時使混合物回流15小時。反應完成后，將混合物冷 卻至室溫，向其中加入水。用乙酸乙酯對混合物進行萃取，并用無水硫酸鎂將混合物干燥，在減壓下使溶劑蒸發(fā)。向所得物中加入甲醇，從而得到2.475g 的黃色固體化合物34 (產(chǎn)率75%)。'H NMR (400MHz， CDC13) 8.80-8.77(6H), 8.48(4H), 8.37(4H), 8.16(1H), 8.08(4H), 7.94-7.91(4H), 7.83(2H), 7.60-7.55卿合成示例5:化合物35的合成由式39表示的化合物35是通過下面的反應方案5合成的 反應方案5將13.7g的異煙酰肼、22g的4-溴苯曱酰氯和10g的三乙胺(Et3N)溶 解在氯仿(CHCl3)中，在室溫下將混合物攪拌2小時。向混合物中加水，將 產(chǎn)生的沉淀過濾，并用曱醇進行重結(jié)晶，從而得到中間體35-3。將2.06g的PCl3加入到通過將10.3g的苯胺溶解在1,2-二氯苯中制備的 溶液中，在100。C將混合物攪拌l小時。向其中加入3g的中間體35-3，在200 。C下加熱的同時^f吏混合物回流24小時。將混合物冷卻到室溫，向其中逐漸加 入2N鹽酸溶液。用氟鎂石作過濾器將所得物過濾，并用二氯曱烷進行洗滌。 將所得物用水進行洗滌并用無水硫酸鎂干燥。在減壓下將二氯曱烷去除，并 用真空蒸餾去除1,2-二氯苯。用柱色譜法將所得物提純，從而得到中間體35-1 。將19g的中間體35-1和24g的中間體35-2溶解在THF和34.5g碳酸鉀 溶液的混合物中，并向其中加入2.9g的四(三苯基膦)把。在加熱的同時使 混合物回流15小時。反應完成后，將混合物冷卻至室溫，向其中加入水。用 二氯曱烷對混合物進行萃取，并用無水硫酸鎂將混合物干燥，在減壓下使溶 劑蒸發(fā)。向所得物中加入甲醇，從而得到27g的黃色固體化合物35 (產(chǎn)率75% )。NMR (400MHz, CDC13) 8.65(2H), 8.15(1H), 7.97(1H), 7.94-7.91(4H)， 7.73-7.67(6H), 7.61-7.54(9H)， 7.39(2H), 7.32-7.30(9H) 示例1通過真空沉積在合成示例1中制備的化合物11，在基底上形成厚度為 600A的發(fā)光效率提高層。通過形成15Q/cm2(l，200 A)ITO，在發(fā)光效率提高 層上形成陽極。在陽極上真空沉積m-MTDATA,以形成厚度為750A的HIL。 在HIL上真空沉積a-NPD，以形成厚度為150A的HTL。在HTL上沉積97 wt% 作為主體的DSA和3 wt。/。的作為摻雜劑的TBPe以形成厚度為300A的EML。 在EML上真空沉積Alq3以形成厚度為200A的ETL。在ETL上真空沉積LiF， 以形成厚度為80A的EIL,在EIL上真空沉積Al以形成厚度為3000A的陰 極。示例2至示例5除了使用化合物32、 33、 34和35來代替化合物11作為用于形成發(fā)光效 率提高層的材料之外，以與示例1中的方式相同的方式制造OLED。 對比示例除了使用Alq3來代替化合物11作為用于形成發(fā)光效率提高層的材料之 外，以與示例1中的方式相同的方式制造OLED。 評價示例1利用PR650 (Spectroscan)源測量單元(PhotoResearch, Inc.)測量根據(jù)示 例1至示例5制造的OLED和根據(jù)對比示例制造的OLED的效率(cd/A), 結(jié)果示出在下面的表1中。表1發(fā)光效率提高層中的化合物效率(cd/A)示例1化合物113.6示例2化合物323.8示例3化合物333.6示例4化合物343.6示例5化合物353.6乂十比示例Alq33.1包括含有由式1表示的化合物的發(fā)光效率提高層的OLED可具有優(yōu)異的發(fā)光效率。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領 域普通技術(shù)人員應該理解的是，在不脫離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神 和范圍的情況下，可以在此作出形式和細節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1、一種有機發(fā)光二極管，包括基底；第一電極，形成在基底上，第一電極具有面對基底的第二表面和背對基底的第一表面；有機層，形成在第一電極上，有機層面對第一電極的第一表面；第二電極，形成在有機層上，第二電極具有面對有機層的第一表面和背對有機層的第二表面；發(fā)光效率提高層，形成在第二電極的第二表面和第一電極的第二表面中的至少一個上，發(fā)光效率提高層包含由式1表示的化合物， id="icf0001" file="A2009101654670002C1.tif" wi="24" he="25" top= "104" left = "33" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>式1其中，X1為N或由C-(Ar1)a-R1表示的基團，X2為N或由C-(Ar2)b-R2表示的基團，X3為N或由C-(Ar3)c-R3表示的基團，X4為N或由C-(Ar4)d-R4表示的基團，X5為N或由C-(Ar5)e-R5表示的基團，X6為N或由C-(Ar6)f-R6表示的基團，并且X1至X6中的至少一個為N；Ar1至Ar6各自獨立地為取代的或未取代的C5-C30亞芳基或者取代的或未取代的C4-C30雜亞芳基；R1至R6各自獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C1-C30酰基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C5-C30芳基或者取代或未取代的C4-C30雜芳基；a、b、c、d、e和f各自獨立地為0到10的整數(shù)。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，X!、 X3和Xs是N, X2、 X4和Xe不是N。
3、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，X,、 X3和X4是N， X2、 Xs和Xe不是N。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，X,和X3是N, X2、 X4、Xs和Xe不是N。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，X!和X4是N, X2、 X3、X5和X6不是N。
6、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，X,是N, X2至X6不是N。
7、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，式1的化合物為由下面的式la到式le表示的化合物中的一種<formula>formula see original document page 3</formula>R3 式le。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，A^至Ar6各自獨立地從由以下基團組成的組中選擇取代的或未取代的亞苯基、取代的或未取代的亞并環(huán)戊二烯基、取代的或未取代的亞茚基、取代的或未取代的亞萘基、取代的或未取代的亞萸基、取代的或未取代的亞庚搭烯基、取代的或未取代的亞引達省基、取代的或未取代的亞苊基、取代的或未取代的亞藥基、取代的或未取代的亞周萘基、取代的或未取代的亞菲基、取代的或未取代的亞蒽基、取代的或未取代的亞熒蒽基、取代的或未取代的亞苯并[9,10]菲基、取代的或未取代的亞芘基、取代的或未取代的亞窟基、取代的或未取代的亞并四苯基、取代的或未取代的亞起基、取代的或未取代的亞芘基、取代的或未取代的亞戊芬基、取代的或未取代的亞并六苯基、取代的或未取代的亞吡咯基、取代的或未取代的亞吡唑基、取代的或未取代的亞咪唑啉基、取代的或未取代的亞咪峻基、取代的或未取代的亞吡咬基、取代的或未取代的亞吡溱基、取代的或未取代的亞嘧咬基、取代的或未取代的亞卩引咮基、取代的或未取代的亞。票呤基、取代的或未取代的亞會啉基、取代的或未取代的亞2,3-二氮雜萘基、取代的或未取代的亞中氮茚基、取代的或未取代的亞1，5-二氮雜萘基、取代的或未取代的亞喹唑啉基、取代的或未取代的亞噌啉基、取代的或未取代的亞。引唑基、取代的或未取代的亞呼唑基、取代的或未耳又代的亞吩嗪基、取代的或未取代的亞菲咬基、取代的或未取代的亞吡喃基、取代的或未取代的亞苯并吡喃基、取代的或未取代的亞苯并呋喃基、取代的或未取代的亞苯硫基、取代的或未取代的亞苯并p塞吩基、取代的或未取代的亞異p塞唑基、取代的或未取代的亞異噁唑基、取代的或未取代的亞三唑基。
9、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，Ari至Ar6各自獨立地為由下面的式2a至式2p表示的基團中的一種其中，*表示與式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素C結(jié)合的位置，*'表示與R,至Re之一結(jié)合的位置。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，R!至Re各自獨立地從由氫原子、卣素原子、羥基、氰基、取代的或未取代的d-Cu)烷基、取代的或未取代的CrQo烷氧基、取代的或未取代的d-Cw?；?、取代的或未取代的C2-C,。烯基、取代的或未取代的C2-do炔基、取代的或未取代的CVd4芳基以及取代的或未取代的C4-C14雜芳基組成的組中選擇。
11、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，R!至Re各自獨立地為由下面的式3a至式3q表示的基團中的一種其中，*表示與式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素C結(jié)合的位置，或者與Ar,至Ar6之一結(jié)合的位置。
12、如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，由-(Ar,)a-R,表示的基團、由-(Af2)b-R2表示的基團、由-(Al3)c-R3表示的基團、由-(Af4)d-R4表示的基團、由-(Ar5)e-R5表示的基團和由-(Ar6)r &表示的基團各自獨立地為由下面的式4a至4y表示的基團之一其中，*表示與式1中示出的6元芳環(huán)的環(huán)元素C結(jié)合的位置。
13、如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，由式l表示的化合物為由式5至式39組成的組中選擇的一種<formula>formula see original document page 8</formula><formula>formula see original document page 0</formula><formula>formula see original document page 10</formula><formula>formula see original document page 11</formula><formula>formula see original document page 12</formula>式39。
14、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，第二電極為透射電極， 發(fā)光效率提高層形成在第二電極的第二表面上。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，第一電極為透射電極， 發(fā)光效率提高層形成在第一電極的第二表面上。
16、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，第一電極和第二電極 為透射電極，發(fā)光效率提高層形成在第二電極的第二表面和第一電極的第二 表面上。
17、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，發(fā)光效率提高層包括 發(fā)光效率提高層-R、發(fā)光效率提高層-G和發(fā)光效率提高層-B。
18、 如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中，R4至R6中的至少兩個 相鄰基團彼此結(jié)合以形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)。
19、 一種有機發(fā)光二極管，包括 基底；第一電極，形成在基底上；第二電極，具有面對第一電極的第一表面和背對所述第一表面的第二表面；有機層，設置在第一電極和第二電極之間；第一發(fā)光效率提高層，形成在第二電極的第二表面上，第一發(fā)光效率提 高層包含由式1表示的化合物，<formula>formula see original document page 12</formula>其中，X,為N或由C-(Ar丄-R!表示的基團，X2為N或由C-(Ar2)b-R2表示的基團，X3為N或由C-(Al"3)c-R3表示的基團，X4為N或由C-(AT4)d-R4表示的基團，Xs為N或由C-(Ar5)e-Rs表示的基團，X6為N或由C-(Ar6)rR6表 示的基團，并且X!至Xe中的至少一個為N;Ar!至Af6各自獨立地為取代的或未取代的CVC3o亞芳基或者取代的或未 取代的Q-C3。雜亞芳基；Ri至Re各自獨立地為氫原子、卣素原子、羥基、氰基、取代或未取代的 C廣C3o烷基、取代或未取代的CVQo烷氧基、取代或未取代的C廣C3。?；⑷〈蛭慈〈腃VC3o烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的Cs-C3o芳基或者取代或未取代的CrC3。雜芳基；a、 b、 c、 d、 e和f各自獨立地為0到IO的整數(shù)。
20、 如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管，其中，R,至R6中的至少兩 個相鄰基團彼此結(jié)合以形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)。
21、 如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管還包括 形成在第二電極和第一發(fā)光效率提高層之間的至少一個額外的層。
22、 如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管還包括 形成在基底和第 一 電極之間的第二發(fā)光效率提高層。
23、 一種有機發(fā)光二極管，包括 基底；第一電極，形成在基底上；第二電極，具有面對第一電極的第一表面和背對所述第一表面的第二表面；有機層，設置在第一電極和第二電極之間；發(fā)光效率提高層，形成在基底和第一電極之間，發(fā)光效率提高層包含由 式1表示的化合物，<formula>formula see original document page 13</formula> 式1,其中，Xi為N或由C-(Ar,)a-R,表示的基團，X2為N或由C-(Ar2)b-R2表 示的基團，X3為N或由C-(Ar3)c-R3表示的基團，X4為N或由C-(Ar4)d-R4表 示的基團，Xs為N或由C-(Ars)e-R5表示的基團，X6為N或由C-(Ar6)rR6表 示的基團，并且X,至Xe中的至少一個為N;Ar!至Ar6各自獨立地為取代的或未取代的Cs-C3o亞芳基或者取代的或未 取代的CrC3o雜亞芳基；R!至R6各自獨立地為氫原子、卣素原子、羥基、氰基、取代或未取代的C廣C3。烷基、取代或未取代的C廣C30烷氧基、取代或未取代的C廣C3。酰基、 取代或未取代的C2-C3。烯基、取代或未取代的C2-C3。炔基、取代或未取代的Q-C3o芳基或者取代或未取代的C4-C3o雜芳基；a、 b、 c、 d、 e和f各自獨立地為0到10的整數(shù)。
24、 如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光二極管，其中，R至&中的至少兩 個相鄰基團彼此結(jié)合以形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)。
25、 如權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光二極管，其中，所述有機發(fā)光二極管 還包括形成在第一電極和發(fā)光效率提高層之間的至少一個額外的層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種采用包含由下面的式1表示的化合物的發(fā)光效率提高層的有機發(fā)光二極管，包括含有由式1表示的化合物的發(fā)光效率提高層的OLED可以具有優(yōu)異的發(fā)光效率。
文檔編號H01L51/50GK101656301SQ20091016546
公開日2010年2月24日 申請日期2009年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日
發(fā)明者李在庸, 李鐘赫, 梁承玨, 金喜妍 申請人:三星移動顯示器株式會社