專利名稱：：包括光效率改善層的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包括光效率改善層的有機(jī)發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光二極管是自發(fā)光裝置。有機(jī)發(fā)光二極管具有寬視角、高對比度、快響應(yīng)速度、優(yōu)異的發(fā)光特性、低驅(qū)動電壓和優(yōu)異的彩色化特性。通常，有機(jī)發(fā)光二極管包括基板、布置在基板上的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，它們以此順序依次布置在陽極上。在此，空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層是有機(jī)薄膜。現(xiàn)將詳細(xì)說明有才幾發(fā)光二才及管的工作原理。當(dāng)在陽極和陰極間施加電壓時，從陽極注入的空穴通過空穴傳輸層移動到發(fā)光層，而從陰極注入的電子通過電子傳輸層移動到發(fā)光層。均為載流子的空穴和電子在發(fā)光層中再結(jié)合，從而產(chǎn)生激子。激子從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)，從而發(fā)光。有機(jī)發(fā)光二極管的光效率可分成內(nèi)部發(fā)光效率和外部發(fā)光效率。內(nèi)部發(fā)光效率與插入在第一電極和第二電極之間，即陽極和陰極之間的有機(jī)層產(chǎn)生激子的效率有關(guān)，其中有機(jī)層可以是空穴傳輸層、發(fā)光層或電子傳輸層。外部發(fā)光效率(以下也稱作光耦合效率)與有機(jī)層中產(chǎn)生的光發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管外部的效率有關(guān)。因此，即使有機(jī)層具有的光轉(zhuǎn)換效率高，即內(nèi)部發(fā)光效率高，但當(dāng)光耦合效率低時，有機(jī)發(fā)光二極管的整體光效率會降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種光效率改善的的有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基板；布置在基板上的第一電極；布置在第一電極上的有機(jī)層；布置在有機(jī)層上的第二電極；以及光效率改善層，其中第一電極具有與有機(jī)層接觸的第一表面和與有機(jī)層相對的第二表面，第二電極具有與有機(jī)層接觸的第一表面和與有機(jī)層相對的第二表面，且光效率改善層形成在第一電極的第二表面和第二電極的第二表面中的至少一個表面上，并包括通式1表示的化合物通式1其中Ar是取代或未取代的C6~C30的芳環(huán)體系、或者取代或未取代的C2~(:30的雜芳環(huán)體系；Li為取代或未取代的dC3o的亞烷基、取代或未取代的C6C3o的亞芳基、或者取代或未取代的C2-C3Q的雜亞芳基；Xi為N、CYp或者與Li或Ar鍵合的碳原子；X2為N、CY2、或者與L!或Ar鍵合的碳原子；Xs為N、CY3、或者與k或Ar鍵合的碳原子；乂4為N;Xs為碳原子；以及X6為N或CY6;其中乂2和X3中任何一個是與或Ar鍵合的碳原子；R廣R3以及Y廣Y6各自獨(dú)立地選自氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或未取代的dC30的烷基、取代或未取代的dC3Q的烷氧基、取代或未取代的C廣C30的酰基、取代或未取代的C2C3。的烯基、取代或未取代的C2C30的炔基、取代或未取代的C6C3。的芳基、或者取代或未取代的C2~C3o的雜芳基中，其中從R4~R3以及Yi~Y6中選擇的兩個或更多個相鄰部分相互鍵合以形成飽和或不飽和環(huán)；a為0~10的整數(shù)；m為1~5的整數(shù)；且n為l10的整數(shù)。通過參照附圖對示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明又一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管的示意圖。具體實(shí)施例方式現(xiàn)將參照附圖更完整地說明本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)IO的示意圖。參照圖1，根據(jù)本實(shí)施方式的OLED10包括基板11、第一電極13、有機(jī)層15、第二電極17和光效率改善層18，它們以此順序依次形成。第二電極17可以是透明型電極，且有機(jī)層15中產(chǎn)生的光通過第二電極17和光效率改善層18發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管IO外部?；?1可以是用于常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管的任何基板。在這點(diǎn)上，基板11可以是具有機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、平整表面、便于處理，透明且防水的玻璃或塑料基板。第一電極13可通過在基板11上沉積或?yàn)R射第一電^l形成材料來形成。第一電極13具有與有機(jī)層15接觸的第一表面以及與有機(jī)層15相對的第二表面。當(dāng)?shù)谝浑姌O13是陽極時，第一電極形成材料可選自具有高功函的材料，以使空穴易于注入。第一電極13可以是反射型電極或透射型電極。第一電極形成材料可以是透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(Sn02)或氧化鋅(ZnO)。當(dāng)?shù)谝浑姌O13是反射型電極時，第一電極形成材料可以是鎂(Mg)、鋁(A1)、鋁-鋰(Al-Li)、4丐(Ca)、鎂-銦(Mg-In)或鎂-銀(Mg-Ag)。有機(jī)層15可布置在第一電極13上。在本說明書中，術(shù)語"有機(jī)層，，是指插入在第一電極13和第二電極17之間的層，且有機(jī)層可包括純有機(jī)材料以外的材料。在這點(diǎn)上，有機(jī)層還可包括金屬絡(luò)合物。有機(jī)層15可包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)構(gòu)成的組中選擇的至少一個層。HIL可用任何已知方法形成在第一電極13上，諸如真空沉積法、旋涂法、澆4壽法或Langmuir-Blodgett(LB);兄積法。如果HIL用真空沉積法形成，沉積條件可根據(jù)HIL形成材料、靶層結(jié)構(gòu)和熱特性不同。在這方面，通常，沉積溫度可為100~500°C，真空沉積壓力可為10-8~10-3托，且沉積速度可為0.01~100埃/秒。如果HIL是用旋涂法形成，涂布條件可根據(jù)HIL形成材料、靶層結(jié)構(gòu)和熱特性不同。在這方面，通常，涂布速度可為約2000rpm5000rpm，且涂布后去除溶劑的熱處理溫度可為約80°C~200°C。HIL形成材料可以是任<可^^知的空穴注入材沖牛?？昭ㄗ⑷氩腲+的實(shí)例包括諸如銅酞菁等酞菁化合物；以下圖示的4,4',4"-三(3-曱苯基苯氨基)三苯胺(m-MTDATA);以下圖示的N，N，-二(l-萘基)-N，N，-二笨基聯(lián)苯胺(NPB);以下圖示的TDATA;以下圖示的2T-NATA;聚苯胺/十二烷基苯石黃酸(Pani/DBSA);聚(3，4-乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS);聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA);和(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)。但是HIL形成材料不限于以上材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在實(shí)施方式中，HIL厚度可為約100A~iooooA。在另一個實(shí)施方式中，其厚度可為100A1000A。如果HIL厚度在此范圍內(nèi)，可得到適宜的空穴注入特性而不會大幅增加驅(qū)動電壓。然后用任何已知方法在HIL上形成HTL,諸如真空沉積法、旋涂法、澆鑄法或LB沉積法。當(dāng)HTL用真空沉積法或;5走涂法形成時，沉積條件和涂布條件可根據(jù)HTL形成材料不同。在這方面，沉積條件和涂布條件可以與對于HIL說明的條件相同或相近。HTL形成材料可以是任何已知的空穴傳輸材料?？昭▊鬏敳牧系膶?shí)例包括諸如N-苯基呼唑或聚乙烯基咕唑的呻唑衍生物；具有芳族縮環(huán)的胺衍生物，例如以下圖示的^1^'-雙(3-曱苯基)->^^-二苯基-[1,1-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)或以下圖示的N，N'-二(萘-l-基)-N，N'-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD);以及三苯胺類材料，例如4，4',4"-三(N-呻唑基)三苯胺(4，4'，4"-三(N-呻唑基)三苯胺)(TCTA)。具體地，除了空穴傳輸能力以外，TCTA還可具有阻擋EML中產(chǎn)生的激子擴(kuò)散的能力。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在一個實(shí)施方式中，HTL厚度可為約50A~100A。在另一種實(shí)施方式中，該厚度可為100A800A。如果HTL厚度在該范圍內(nèi)，可得到適宜的空穴傳輸特性而基本不會增加驅(qū)動電壓。然后用任何已知方法在HTL上形成EML，例如如真空沉積法、旋涂法、澆鑄法或LB沉積法。當(dāng)EML用真空沉積法或"走涂法形成時，沉積條件和涂布條件可根據(jù)EML形成材料而不同。在這方面，沉積條件和涂布條件可以與HIL所說明的條件相同或相似。EML可包括主體和纟參雜劑的化合物或組合。主體的實(shí)例包括Alq3,4,zT-N,N'-二呼唑-聯(lián)苯(CBP)、以下圖示的聚(乙烯基^唑)(PVK)、以下圖示的9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、以下圖示的1,3,5-三(N-苯基苯并咪哇-2-基)苯(1，3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)(TPBI)、以下圖示的3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、以下圖示的E3和二苯乙烯基亞芳烴(DSA)。但主體不限于這些材料。同時，紅色摻雜劑的已知實(shí)例包括以下圖示的PtOEP、Ir(piq):Btp2lr(acac)和DCJTB。<旦紅色4參雜劑不限于這些材料。18PtOEPlr(piqbBtp2lr(acac)綠色摻雜劑的已知實(shí)例包括Ir(ppy)3，其中ppy^以下圖示的苯基吡啶、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3和C545T。但綠色摻雜劑不限于這些材料。Ir(ppy)3Ir(pp^2(acac)lr(mpyp)3藍(lán)色摻雜劑的已知實(shí)例包括以下圖示的F2Irpic、以下圖示的(F2ppy)2Ir(tmd)、以下圖示的Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、以下圖示的4,4'_雙[4_(二-對曱苯氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)和以下圖示的2,5,8,11-四叔丁基二萘嵌苯(TBPe)。但藍(lán)色摻雜劑不限于這些材料。F2lrpic(F2ppy)2lr(tmd)lr(dfppz)3DPAVBiTBPe當(dāng)摻雜劑和主體一起使用時，摻雜劑的摻雜濃度沒有限制。在這點(diǎn)上，基于100重量份的主體，摻雜劑的含量可為0.01~15重量份。在一個實(shí)施方式中，EML厚度可為約100A~1000A。在另一個實(shí)施方式中，該厚度可為200A-600A。如果EML厚度在此范圍內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光特性而基本不會增加驅(qū)動電壓。當(dāng)EML用熒光摻雜劑形成時，可通過用從真空沉積法、旋涂法、澆鑄法和LB沉積法中選擇的任何方法在ETL與EML之間形成HBL來防止三線態(tài)激子或空穴擴(kuò)散進(jìn)ETL。當(dāng)用真空沉積法或i走涂法形成HBL時，沉積條件和涂布條件可根據(jù)HBL形成材料而不同。在這方面，沉積條件和涂布條件可以與HIL所說明的條件相同或相似。HBL形成材料可以是任何已知的空穴阻擋材料。在這點(diǎn)上，空穴阻擋材料的實(shí)例包括噁二唑書f生物、三唑書亍生物和二氮雜菲衍生物。在一個實(shí)施方式中，HBL厚度可為約50A-1000A。在另一個實(shí)施方式中，該厚度可為100A-300A。如果HBL厚度在此范圍內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的空穴阻擋特性而基本不會增加驅(qū)動電壓。然后，可用任何已知的方法形成ETL,例如真空沉積法、》走涂法或澆4壽法。當(dāng)用真空沉積法或旋涂法形成ETL時，沉積條件和涂布條件可根據(jù)ETL形成材料而不同。在這方面，沉積條件和涂布條件可以與HIL所說明的條件才目同iU目4以。ETL形成材料可以是任何已知的電子傳輸材料，它能夠穩(wěn)定地傳輸從電子注入電才及、即陰極注入的電子。電子傳輸材料實(shí)例包括喹啉書f生物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、以下圖示的TAZ和以下圖示的BAlq。但ETL形成材料不限于這些材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>在一個實(shí)施方式中，ETL厚度可為約100A~1000A。在另一個實(shí)施方式中，該厚度可為150A~500A。如果ETL厚度在此范圍內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)適宜的電子傳輸特性而基本不會增加驅(qū)動電壓。然后，EIL通過將EIL形成材料沉積在ETL上形成。EIL形成材沖+可以是電子易于注入的材料。EIL形成材料沒有限制，并可以是任何已知的EIL形成材料，諸如LiF、NaCl、CsF、Li20或BaO。EIL的沉積條件可才艮據(jù)EIL形成材料而不同。通常，沉積條件可以與HIL所說明的條件相同或相似。EIL厚度可為約lA~100A。在另一個實(shí)施方式中，該厚度可為5A-90A。如果EIL厚度在此范圍內(nèi)，可得到適宜的電子注入特性而基本不會增加驅(qū)動電壓。為透射型電極的第二電極17可布置在有機(jī)層15上。第二電極17具有與有機(jī)層15接觸的第一表面和與有機(jī)層15相對的第二表面。第二電極17可以是作為電子注入電極的陰極。第二電極形成金屬可以是低功函的金屬、低功函的合金、導(dǎo)電化合物、或者它們的混合物。具體地，第二電極形成材料的實(shí)例包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鉤(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)。同時，如果根據(jù)本實(shí)施方式的OLED10是前發(fā)光型裝置，第二電極17可以是由ITO或IZO形成的透射型電極。光效率改善層18布置在第二電極17的第二表面上。光效率改善層18包含由通式1表示的化合物通式121其中Ar可以是取代或未取代的C6C3o的芳環(huán)體系或取代或未取代的C2~C30的雜芳環(huán)體系。Ar的實(shí)例包括取代或未取代的戊搭烯、取代或未取代的茚、取代或未取代的萘、取代或未取代的奧、取代或未取代的庚搭烯、取代或未取代的苯并二茚、取代或未取代的苊烯、取代或未耳又代的藥、取代或未取代的1,8-苯嵌萘、取代或未取代的菲、取代或未取代的蒽、取代或未取代的熒蒽、取代或未取代的苯并菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的1,2-苯并菲、取代或未取代的萘并萘、取代或未取代的二苯并[a,i]菲、取代或未取代的二萘嵌苯、取代或未取代的二苯并[b,h]菲、取代或未取代的并六苯、取代或未取代的吡咯、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的咪哇、取代或未取代的咪峻啉、取代或未取代的吡，定、取代或未取代的吡。秦、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的。引哚、取代或未取代的噤呤、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的酞溱、取代或未取代的。引溱、取代或未取代的萘啶、取代或未取代的p奎唑啉、取代或未取代的噌啉、取代或未取代的。引唑、取代或未耳又代的呻唑、取代或未取代的吩。秦、取代或未取代的菲咬、取代或未取代的吡喃、取代或未取代的苯并吡喃、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的p塞吩、取代或未取代的苯并p塞吩、取代或未:f又代的異瘞唑，或者取代或未取代的異噁唑。在一些實(shí)施方式中，如上所述，除了未取代的C6C30的芳環(huán)體系或未取代的C2C3o的雜芳環(huán)體系以外，Ar可以是取代的C6-C3o的芳環(huán)體系或取代的C2~C3o的雜芳環(huán)體系。在取代的C6~C30的芳環(huán)體系或取代的C2~C30的雜芳環(huán)體系中，取代基可以是取代或未取代的C6C"的芳基、或者取代或未取代的C2-d4的雜芳基。在一些實(shí)施方式中，取代基可以是苯基、卣代苯基、ddo烷基苯基、dd。烷氧基苯基、萘基、囟代萘基、C廣do烷基萘基、dd。烷氧基萘基、吡啶基、卣代吡啶基、d-d。烷基吡啶基、c廣d。烷氧基吡啶基、喹啉基、卣代喹啉基、dd。烷基喹啉基、C廣do烷氧基喹啉基、異喹啉基、卣代異喹啉基、Q-do烷基異喹啉基、或者ddo烷氧基異喹啉基，但不限于此。在通式1中，L!可以是取代或未取代的dC30的亞烷基、取代或未取代的C6-C3。的亞芳基、或者取代或未取代的C2C3。的雜亞芳基。在一些實(shí)施方式中，L,可以是取代或未取代的C6-C!4的亞芳基、或者取代或未取代的C2d4的雜亞芳基。在一些實(shí)施方式中，k可以是亞苯基、卣代亞苯基、C廣do烷基亞苯基、C廣do烷氧基亞苯基、亞萘基、卣代亞萘基、C廣d。烷基亞萘基或d-Cn)烷氧基亞萘基，但不限于此。在通式l中，a表示L,的重復(fù)數(shù)量，并可以是0-10的整數(shù)。例如，a可為0-3。如果a為0,在通式1中，位于Li右側(cè)的雜環(huán)可直接與Ar連接。如果a為2或更大，多個"可相同或互不相同。在通式1中，-(1^1)!1-可由通式2&~28中的任何一個表示，但不限于此:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>在通式2a2g中，A表示與Ar鍵合的位置，*1表示在通式1中"的右側(cè)與雜環(huán)4建合的位置。例如，-(LOa-可由通式2a表示。在通式1中，X!為N、CY!、或者是與"或Ar4定合的碳原子；X2為N、CY2、或者是與k或Ar鍵合的碳原子；X3為N、CY3、或者是與M或Ar鍵合的碳原子；X4為N;Xs為碳原子；X6為N或CY"其中X2,。X3中的任何一個是與L,或Ar鍵合的碳原子。具體地，X,可為CYi或N;X2可為與b或Ar鍵合的碳原子；X3可為CY3或N;乂4可為N;Xs可為碳原子；X6可為N或CY6。在一些實(shí)施方式中，X4和X6中的至少一個可以是N。在一些實(shí)施方式中，各個Xi和X4可以是N。在一些其它的實(shí)施方式中，各個X4和Xe可以是N。在通式1中，X廣Xe中的R廣R3和YiY6各自獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或未取代的dC3。的烷基、取代或未取代的QC3o的烷氧基、取代或未取代的C廣C30的酰基、取代或未取代的C2C30的烯基、取代或未取代的C2C3Q的炔基、取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2C3o的雜芳基。在這點(diǎn)上，其中從R廣R3和Y廣Y6中選擇的兩個或更多個相鄰部分可選4奪性地相互4建合形成々包和或不々包和環(huán)。在一些實(shí)施方式中，R廣R3和Y廣Y6各自獨(dú)立為氫原子、取代或未取代的dd。的烷基、取代或未取代的C2-do的烯基、取代或未取代的C6~C"的芳基、或者取代或未取代的C2-d4的雜芳基。在一些實(shí)施方式中，R廣R3和Y廣Y6各自獨(dú)立地選自氫原子、Q-Ch)的烷基、C廣do的鹵代烷基、C2do的烯基、C2do的鹵代烯基、苯基、卣代苯基、C廣do烷基苯基、C廣Cu)烷氧基苯基、萘基、囟代萘基、C廣C!o烷基萘基或C廣Q。烷氧基萘基中，但不限于此。例如，R廣R3和Y廣Y6可各自獨(dú)立地選自氫原子、曱基和苯基中。例如，Y!、Y6、Ri、R2和R3可為氫原子。例如，R3可選自氫原子、曱基和苯基中。例如，Y6和I^可彼此4定合以形成々包和或不々包和環(huán)，例如苯環(huán)。在通式1中，m表示位于L!右側(cè)的雜環(huán)數(shù)量，其中雜環(huán)可以與L!或Ar鍵合，且m由Ar或Li的結(jié)構(gòu)決定。例如，m可以是l5的整數(shù)。例如，m為1。在通式1中，n為1~10的整數(shù)，并由Ar的結(jié)構(gòu)決定。例如，n為1或2。才艮據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，由通式1表示的化合物可以是乂人由通式1A~1X表示的化合物中選擇的任何一種，但不限于此通式1AY6,R,通式IB通式1CRiYe25<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>通式ID<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>通式IE<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>通式IF<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>通式1G<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>通式1H<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>通式II通式1J通式1K通式1L通式1M通式IN通式IO<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>通式IT通式1U通式IV通式1W<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>在通式lAlX中，Q廣Qn各自獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的C6~Cm的芳基、或者取代或未取代的C2d4的雜芳基。在一些實(shí)施方式中，(^Qn各自獨(dú)立地選自氫原子、苯基、卣代苯基、C廣do烷基苯基、C廣d。烷氧基苯基、萘基、卣代萘基、ddo烷基萘基、C廣Cu)烷氧基萘基、吡啶基、卣代吡啶基、C廣Cu)烷基吡啶基、C廣Cw烷氧基吡啶基、喹啉基、卣代喹啉基、C廣Cu)烷基喹啉基、C廣Cu)烷氧基喹啉基、異喹啉基、卣代異喹啉基、Q~C1Q烷基異喹啉基或C廣do烷氧基異喹啉基，但不限于此。在一些實(shí)施方式中，在通式1A~1D和1M~1P中，Q2和Q各自為取代或未取代的C6Ci4的芳基、或者取代或未取代的C2d4的雜芳基。例如，在通式1A-1D和1M~1P中，Q2和Q7各自獨(dú)立地選自苯基和萘基中，且Qi、Q3Q6和Qs均為氫原子。也就是說，在通式1A1D和1M~IP中，對應(yīng)于Q2和Q7位置的蒽環(huán)的9位和IO位不會與位于L!右側(cè)的雜環(huán)鍵合。這是因?yàn)檩飙h(huán)的9位和IO位是結(jié)構(gòu)上不穩(wěn)定的位置。當(dāng)用特定的官能團(tuán)取代蒽環(huán)的9位和IO位時，該特定官能團(tuán)會因熱量、氧氣和濕氣而容易與蒽環(huán)分離。例如，當(dāng)位于L右側(cè)的雜環(huán)與蒽環(huán)的9位和10位連4^時，由于在形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)層的工藝中，例如沉積工藝中產(chǎn)生的熱，或者在有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動時產(chǎn)生的熱，位于k右側(cè)的雜環(huán)會容易與蒽環(huán)分離，從而降低有機(jī)發(fā)光二極管的特性。在通式1A1X中，"可以是取代或未取代的C6C"的亞芳基、或者取代或未取代的C2CM的雜亞芳基。在一些實(shí)施方式中，L!可以是亞苯基、卣代亞苯基、C廣do烷基亞苯基、C廣Cu)烷氧基亞苯基、亞萘基、卣代亞萘基、d~do烷基亞萘基或C廣d。烷氧基亞萘基，但不限于此。在通式1A1X中，RpR2、R3、Y2和Y3各自獨(dú)立地為氫原子、取代或未取代的d-do的烷基、取代或未取代的C2do的烯基、取代或未取代的C6d4的芳基、或C2C"的雜芳基。在這點(diǎn)上，選自RpR2、R3、Y2、Y3和Y6中的兩個或更多個相鄰部分可選擇性地相互4建合以形成C6~C12的芳環(huán)。在通式1A~IX中，a為1或2。由通式1表示的化合物可以是,人化合物1~64中選擇的任何化合物，^f旦不限于此化合物1化合物2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>化合物5化合物6<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>化合物13化合物14<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>化合物33化合物34化合物39化合物40化合物41化合物42化合物47化合物48<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>化合物59化合物60在一些實(shí)施方式中，未取代的C廣C30的烷基可以是甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、戊基、異戊基或己基。在未取代的C廣C30的烷基中，一個或多個氫原子可用鹵素原子、羥基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、膦酸或其鹽、d-C30的烷基、C2C30的烯基、C廣C3o的炔基、C6-C30的芳基、C廣C20的芳烷基、C廣C2。的雜芳基或C3C3o的雜芳烷基取代。在一些實(shí)施方式中，未取代的C!C30的亞烷基是指與上述未取代的d~C3。的烷基具有相同結(jié)構(gòu)的二價基。在一些實(shí)施方式中，未取代的C廣C3o的烷氧基可以用-OA表示，其中A是上述未取代的dC30的烷基。適宜的未取代C!C3。的烷氧基的實(shí)例包括曱氧基、乙氧基和異丙氧基。在取代的QC30的烷氧基中，一個或多39個氫原子可被已在未取代的d~C3。的烷基中說明的取代基取代。在一些實(shí)施方式中，未取代的dC3o的?；鶎?shí)例包括乙?；?、丙?；?ethylcarbonyl)、異丙基?；?、苯?；?、萘酰基、聯(lián)苯基和環(huán)己基酰基。在未取代的d~C3()的?；校粋€或多個氫原子可被已在未取代的d~C30的烷基中說明的取代基取代。在一些實(shí)施方式中，未取代的C2~C3()的烯基是指其中心或末端具有C-C雙鍵的未取代的dC3o的烷基。適宜的未取代的C2C30的烯基實(shí)例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。在未取代的C2C30的烯基中，一個或多個氬原子可被已在未取代的Ct~C3o的烷基中說明的取代基取代。在一些實(shí)施方式中，未取代的C2~C3()的炔基是指其中心或末端具有C-C三鍵的未取代的C廣C3o的烷基。適宜的未取代C2C3。的炔基實(shí)例包括乙炔、丙炔、苯基乙炔、萘基乙炔、異丙基乙炔、叔丁基乙炔和二苯基乙炔。在未取代的C2~C3o的炔基中，一個或多個氫原子可被已在未取代的Q~C30的烷基中說明的取代基取代。在一些實(shí)施方式中，未取代的C6-C30的芳環(huán)體系是指具有一個或多個芳環(huán)和6~30個碳原子的碳環(huán)芳族體系。當(dāng)芳環(huán)體系包括兩個或更多個環(huán)時，該兩個或更多個環(huán)可稠合在一起或通過單4建相互連接。在未取代的C6~C30的芳環(huán)體系中，一個或多個氫原子可被已在未取代的C廣C30的烷基中說明的取代基取代。具體地，取代或未取代的Q-C3o的芳環(huán)體系的非限制性實(shí)例以及取代或未取代的C6~C3o的芳環(huán)體系的取代基的非限制性實(shí)例已在上文中進(jìn)行了說明。在一些實(shí)施方式中，未取代的C2-C30的雜芳環(huán)體系是指包括含有選自N、O、P和S中的一個或多個雜原子的一個或多個芳環(huán)的芳族體系，其中在一個或多個芳環(huán)中，其它的環(huán)原子是碳原子(C)。在這點(diǎn)上，當(dāng)未取代的C2-Qo的雜芳環(huán)體系包括兩個或更多個環(huán)時，該兩個或更多個環(huán)可稠合在一起或通過單鍵相互連接。在未取代的C2C3o的雜芳環(huán)體系中，一個或多個氫原子可被已在未取代的C!~C30的烷基中說明的取代基取代。具體地，取代或未取代的C2~C3Q的芳環(huán)體系的非限制性實(shí)例及其取代基的非限制性實(shí)例已在上文中進(jìn)行了說明。在一些實(shí)施方式中，未取代的C6C3o的芳基是指包括含有一個或多個芳環(huán)和6-30個碳原子的碳環(huán)芳族體系的單價基，且未取代的C6~C3Q的亞芳基是指包括含有一個或多個芳環(huán)和6~30個碳原子的碳環(huán)芳族體系的二價基。當(dāng)未取代的C6C30的芳基和未取代的C6-C30的亞芳基包括兩個或更多個環(huán)，該兩個或更多個環(huán)可稠合在一起或通過單^t相互連接。在各個未取代的06~(33()的芳基和未取代的C6C30的亞芳基中，一個或多個氫原子可被已在未取代的C!~C3o的烷基中說明的取代基取代。取代或未取代的C6~C3()的芳基實(shí)例包括苯基；諸如乙苯基等Ci~C10烷基苯基；諸如乙基聯(lián)苯基等dCu)烷基聯(lián)苯基；諸如鄰-、間-和對-氟苯基或二氯苯基等卣代苯基；二氰基苯基；三氟曱氧基苯基、鄰-、間-和對-曱苯基；鄰-、間-和對-異丙苯基、1,3,5-三曱苯基、苯氧苯基、(a,(x-二曱苯)苯基、(N，N'-二曱基)氨基苯基、(N,N'-二苯基)氨基苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、諸如氟代萘基等卣代萘基、諸如曱基萘基等C!do烷基萘基、諸如甲氧基萘基等烷氧基萘基、蒽基、奧基、庚搭烯基、苊基、1,8-苯嵌萘基、芴基、蒽醌基、曱基蒽基、菲基、三亞苯基、芘基、1，2-苯并菲基、乙基-1,2-苯并菲基、二苯并[a，i]菲基、二萘嵌苯基、氯代二萘嵌苯基、二苯并[b,h]菲基、并五苯基、亞四苯基、六苯基、并六苯基、玉紅省基、六苯并苯基、聯(lián)三萘基、七苯基、并七苯基、吡蒽基和卯苯基。參照取代或未取代的C6~C3()的芳基實(shí)例可容易認(rèn)識到取代或未取代的C6~C3G的亞芳基實(shí)例。在一些實(shí)施方式中，未取代的C2C3。的雜芳基是指包括含有選自N、O、P和S中的一個或多個雜原子的一個或多個芳環(huán)的單價基，其中在一個或多個芳環(huán)中，其它的環(huán)原子是碳原子(C)，且未取代的C2-C30的雜亞芳基是指包括含有選自N、O、P和S中的一個或多個雜原子的一個或多個芳環(huán)的二價基，其中在一個或多個芳環(huán)中，其它的環(huán)原子是碳原子(C)。在這點(diǎn)上，如果未取代的C2C30的雜芳基或未取代的C2C30的雜亞芳基41包括兩個或更多個環(huán)，該兩個或更多個環(huán)可稠合在一起或通過單鍵相互連接。在各個未取代的C2C3。的雜芳基和未取代的C2C3Q的雜亞芳基中，一個或多個氫原子可被已在未取代的C!~C30的烷基中說明的取代基取代。未取代的C2C3Q的雜芳基的適宜實(shí)例包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、遂唑基、三唑基、四唑基、噁二峻基、吡咬基、P達(dá)"秦基、嘧啶基、三。秦基、口卡唑基、吲咮基、喹啉基和異喹啉基。參照取代或未取代的QC3。的亞芳基實(shí)例可容易地確認(rèn)取代或未取代的C2~C3o的雜亞芳基的適宜實(shí)例。由通式1表示的化合物可用各種已知方法制備，這些方法對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是顯而易見的。例如，通式1表示的化合物可通過通式3表示的化合物與通式4表示的化合物反應(yīng)得到通式3Ar-[B(OH)2]n通式4Ha在通式3和4中，Ar、XiX6、R!-R3、L,、a、m和n已啦文限定。在通式4中，Ha可為卣素原子。通式1表示的化合物可通過通式3表示的化合物與通式4表示的化合物之間的Suzuki反應(yīng)來制得。包括通式1表示的化合物的光效率改善層18具有高折射系數(shù)，因而OLED10的光效率、特別是外部發(fā)光效率較高。例如，在約630nm波長處，光效率改善層18可具有1.8或更大的折射系數(shù)，特別是1.9或更大。通常，有機(jī)發(fā)光二極管包括多個由不同材料形成的層。因此，至少一部分有機(jī)層中產(chǎn)生的光在透過這些層時，會因內(nèi)部全反射而反射，從而不會發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管外部。當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管外部發(fā)光效率低時，即使有機(jī)層中的光轉(zhuǎn)換效率高，但有機(jī)發(fā)光二極管的整體光效率會相對較低。但是，當(dāng)有機(jī)層15中產(chǎn)生的光通過第二電極17和光效率改善層18發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管外部時，光效率改善層18通過相長干涉可提高外部發(fā)光效率。在圖1中，光效率改善層18布置在第二電極17的表面上。但是，在光效率改善層18和第二電極17之間可進(jìn)一步布置多個層。同時，盡管圖1中未示出，但可在光效率改善層18上進(jìn)一步布置用于密封OLED10的密封層。如上所述，4艮據(jù)該實(shí)施方式的OLED可具有多種更改。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施方式的OLED20的示意圖。參照圖2,根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管20包括基才反21、光效率改善層28、第一電極23、有機(jī)層25和第二電極27,它們以此順序依次布置。第一電極23具有與有機(jī)層25接觸的第一表面和與有機(jī)層25相對的第二表面。光效率改善層28形成在第一電極23的第二表面上。第一電極23為透射型電極，且有機(jī)層25中產(chǎn)生的光通過第一電極23和光效率改善層28發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管20外部。有機(jī)發(fā)光二才及管20的各個層與OLED10的對應(yīng)層相同，因而在此不對其做詳細(xì)說明。光效率改善層28包括通式1表示的化合物，因而具有高折射系數(shù)。因此，有機(jī)層25產(chǎn)生的光通過相長干涉有效地發(fā)射到OLED20外部。因此，OLED20的光效率相對較高。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施方式的OLED30的示意圖。參照圖3,根據(jù)本實(shí)施方式的OLED30包括基板31、第一光效率改善層38、第一電極33、有機(jī)層35、第二電極37和第二光效率改善層39,它們以此順序依次布置。在OLED30中，第一電極31和第二電極37是透射型電極。因此，有機(jī)層35中產(chǎn)生的光通過第一電才及31和第一光效率改善層38并還通過第二電^L37和第二光效率改善層39發(fā)射到有機(jī)發(fā)光二極管30外部。有機(jī)發(fā)光二極管30的各個層與OLED10的對應(yīng)層相同，因而在此不對其做詳細(xì)說明。第一光效率改善層38和第二光效率改善層39各自包含通式1表示的化合物，因而具有高折射系數(shù)。因此，有機(jī)層35產(chǎn)生的光通過相長干涉有效地發(fā)射到OLED20外部。因此，OLED30的光效率相對較高。同時，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的OLED中，有機(jī)層可對應(yīng)于R、G和B像素單獨(dú)形成圖形。因此，有機(jī)層可包括紅色發(fā)光有機(jī)層、綠色發(fā)光有機(jī)層和藍(lán)色發(fā)光有機(jī)層。在這點(diǎn)上，包括上述通式1表示的化合物的光效率改善層可以是R、G和B像素的通用層。當(dāng)光效率改善層為R、G和B像素的通用層時，光效率改善層厚度可為500A~800A。在其它實(shí)施方式中，該厚度可為600A~700A。如果光效率改善層的厚度在此范圍內(nèi)時，可改善有機(jī)發(fā)光二極管的光效率?；蛘?，光效率改善層可包括,人光效率改善層R、光效率改善層G和光效率改善層B中選擇的一個或多個層。即，光效率改善層可對應(yīng)于R、G和B像素單獨(dú)形成圖形。在本說明書中，術(shù)語"光效率改善層R"是指在對應(yīng)于R像素的區(qū)域內(nèi)形成的光效率改善層。在本說明書中，術(shù)語"光效率改善層G"是指在對應(yīng)于G像素的區(qū)域內(nèi)形成的光效率改善層。在本說明書中，術(shù)語"光效率改善層B"是指在對應(yīng)于B像素的區(qū)域內(nèi)形成的光效率改善層。光效率改善層R、光效率改善層G和光效率改善層B形成在第一電極的第二表面和第二電極的第二表面中的至少一個表面上。光效率改善層R、光效率改善層G和光效率改善層B可具有相同或不同的厚度。現(xiàn)將參照以下合成例和實(shí)施例更詳細(xì)地i兌明本發(fā)明。這些合成例和實(shí)施例僅用于說明目的，而不會限制本發(fā)明的范圍。合成例1:化合物1的合成化合物1根據(jù)反應(yīng)示意圖1合成44反應(yīng)示意圖1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>中間體la的合成將10g(44mmol)的溴化銅和8g(35.8mmol)的2-氨基蒽醌加入到25ml的溴酸中，并在65。C下將該混合物加熱至不再產(chǎn)生任何氣體。然后將加熱的化合物冷卻至室溫。將1000ml的20%鹽酸溶液加入該反應(yīng)產(chǎn)物中，然后將二氯曱烷加入其中以萃取有機(jī)層。用無水硫酸鎂除去有機(jī)層中殘留的水分，然后減壓干燥。所得反應(yīng)產(chǎn)物用柱色譜法(二氯甲烷:正己烷=4:1)提純，從而得到7.7g中間體la(產(chǎn)率75%)。中間體lb的合成將10g(34.8mmo1)的中間體la加入100ml已在氮?dú)夥罩星г锪说乃臍暹秽?THF)并將溫度降至-78。C，然后將0.5M(lOmmol)的2-萘基溴化鎂緩慢加入其中。將其溫度升至室溫并攪拌所得產(chǎn)物3小時。然后，將氯化銨溶液加入反應(yīng)產(chǎn)物中并將二氯甲烷加入其中以提取有機(jī)層。將有機(jī)層用無水硫酸鎂干燥以去除所有溶劑。將所得混合物溶解于乙醚中，并將石油醚加入其中并攪拌，從而得到固體化合物。固體化合物在真空條件下干燥以得到17.6g二萘基二醇。將17.6g(32.4mmo1)的二萘基二醇在氮?dú)夥罩蟹稚⒃?00ml乙酸中，然后將53.4g(33Ommo1)的石典化鉀和58g(660mmo1)的水合連二磷酸鈉加入其中并攪拌回流三小時。將所得產(chǎn)物冷卻至室溫以產(chǎn)生固體產(chǎn)物。將所得固體產(chǎn)物過濾，用包括水和甲醇的化合物洗滌，并在真空條件下千燥，從而得到11.3g淺黃色的中間體lb。中間體lc的合成將5g(9.81mmol)的中間體lb溶解在70ml已在氮?dú)夥罩懈稍锪说腡HF中，然后在-78。C將4.7ml(11.8mmo1)的丁基鋰滴入其中。將所得化合物在-78"攪拌1小時，然后將2.20ml(29,4mmo1)的硼酸三曱酯加入其中。將溫度升至室溫并靜置1小時。然后將2N鹽酸溶液加入所得產(chǎn)物中并攪拌3小時以產(chǎn)生固體化合物。將該固體化合物過濾并用曱苯洗滌以得到3.27g(產(chǎn)率70%)淺黃色中間體lc。中間體ld的合成將3.39g(35.98mmo1)2-氨基吡啶和10g(35.98mmo1)2，4'-二溴苯乙酮溶解在150ml乙醇中并回流12小時。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫產(chǎn)生白色固體，用NaHC03飽和溶液洗滌該白色固體得到有機(jī)層。用無水硫酸鎂除去有機(jī)層46殘留水分，然后將所得有機(jī)層減壓干燥并用二氯曱烷和正己烷重結(jié)晶得到8.02g(產(chǎn)率82%)具有片狀結(jié)晶結(jié)構(gòu)的中間體ld?；衔?的合成將1.85g(3.90mmo1)中間體lc和lg(3"0mmo1)中間體ld加入包含2.7g(19.5mmo1)碳酸鉀溶液和THF的溶劑混合物中，然后邊攪拌邊將225mg(0.196mmo1)Pd(PPh3)4加入其中，回流所得混合物6小時。然后將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻以產(chǎn)生固體化合物。將該固體化合物過濾并用水、乙醇和THF洗滌得到1.73g(產(chǎn)率71%)淺黃色粉末化合物1。所得化合物用NMR分析鑒定，結(jié)果如下lHNMR(楊MHz，CDC13)8.13-8.04(7H)，8.01(1H),7.97-7.92(4H),7.86-7.82(2H),7.75卿，7.71-7.58(固)，7.32(2H),7.15(1H)，6.75(1H)。合成例2:化合物2的合成化合物2根據(jù)反應(yīng)示意圖2合成反應(yīng)示意圖2以與合成例1相同的方法制備化合物2,區(qū)別在于用中間體2c代替中間體lc,其中中間體2c用苯基溴化鎂代替合成例1中用于制備中間體lb和lc的2-萘基溴化鎂來制得。通過5g(13.36mmo1)的中間體2c和3.32g(12.15mmo1)中間體ld之間的Suzuki反應(yīng)得到4.6g(產(chǎn)率73°/。)黃色粉末化合物2。所得產(chǎn)物用NMR分析鑒定，結(jié)果如下lHNMR(400MHz，CDC13)8.11(1H)，7.99(2H)，7.95(1H)，7,86(1H)，7.64(1H)，7.73-7.70(2H),7.69(1H)，7.66-7.61(7H),7.58(2H)，7.56-7.50(4H),7.34(2H)，7.17(1H),6.78(1H)。合成例3:化合物3的合成化合物3根據(jù)反應(yīng)示意圖3合成:反應(yīng)示意圖3化合物3以與合成例1相同的方法制備化合物3,區(qū)別在于用中間體3d代替中間體ld，其中中間體3d用2，4'-二溴苯丙酮代替合成例1中用于制備中間體ld的2,4'-二溴苯乙酮來制得。通過5g(10.54mmo1)的中間體lc和2.75g(9.58mmo1)中間體3d之間的Suzuki反應(yīng)得到4.15g(產(chǎn)率68%)黃色粉末化合物3。所得產(chǎn)物用NMR分析鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz,CDC13)8.12(2H),8.07-8.02(5H),7.97-7.95(2H),7.89-7.84(2H),7.80-7.71(4H),7.70-7.66(3H)，7.63-7.60(7H),7.32(2H),7.15(1H)，6.83(1H)，2,62(3H)。合成例4:化合物4的合成化合物44艮據(jù)反應(yīng)示意圖4合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>中間體4d的合成將5g(18.3mmo1)中間體ld(參見合成例1)和4.12g(18.3mmo1)N國碘代琥珀酰亞胺(NIS)溶解在乙腈溶劑中并在室溫下攪拌1小時，然后將100ml氯仿加入其中。將該反應(yīng)產(chǎn)物用10°/。氫氧4匕鈉-容液洗滌，然后用石危^硫酸鈉飽和溶液和水洗滌。所得產(chǎn)物用無水石克酸4美干燥并過濾以去除使用的溶劑，從而得到固體產(chǎn)物。將該固體產(chǎn)物過濾并用曱醇洗滌得到5.8g(產(chǎn)率79%)的碘化合物。將硪化合物和1.76g(14.5mmo1)苯基溴酸加入包括10g石友酸鉀溶液和THF的溶劑化合物中，然后邊攪拌邊將335mgPd(PPh3)4力口入其中。將所得混合物回流24小時。向反應(yīng)溶液加入二氯曱烷以^是取有才幾層，并用無水硫酸鎂除去有機(jī)層的殘留水分，將所得有機(jī)層減壓干燥。所得產(chǎn)物用柱色譜(乙酸乙酯:正己烷=2:3)提純得到2.93g(產(chǎn)率58%)中間體4d?；衔?的合成以與制備合成例1的化合物1相同的方法制備化合物4，區(qū)別在于用中間體4d代替合成例1的中間體ld。通過10g(21.08mmo1)的中間體lc和6.69g(19.16mmo1)中間體4d之間的Suzuki反應(yīng)得到9.72g(產(chǎn)率73%)淺黃色粉末化合物4。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz,CDC13)8.08(1H)，8.03-8.01(2H),7.97-7.88(3H)，7.81(1H)，7.74-7.58(12)，7.51-7.40(10),7.29-7.23(3H),7.15(1H),6.69(1H)。合成例5:化合物7的合成化合物7根據(jù)反應(yīng)示意圖5合成反應(yīng)示意圖5化合物750以與合成例1相同的方法制備化合物7，區(qū)別在于用中間體7d代替中間體ld，其中中間體7d用1-氨基異喹啉代替中間體ld的2-氨基吡啶來制得。通過10g(21.08mmo1)的中間體lc和6.19g(19,16mmo1)中間體7d之間的Suzuki反應(yīng)得到9.03g(產(chǎn)率70%)淺黃色粉末化合物7。所得產(chǎn)物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz，CDC13)8.69(1H),8.12(2H),8.07-8.02(5H),7.99-7.95(4H)，7.89-7.84(2H)，7.79-7.75(3H),7.71-7,65(4H)，7.64-7.54(8H),7,33(2H),7.02(1H)。合成例6:4t合物11的合成化合物ll根據(jù)反應(yīng)示意圖6合成反應(yīng)示意圖6化合物11<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>化合物11用中間體2c和中間體3d制備，其中中間體2c用與合成例2相同的方法制備而中間體3d用與合成例3相同的方法制備。通過5g(13.36mmo1)的中間體2c牙口3.49g(12.15mmo1)中間體3d之間的Suzuki反應(yīng)得到4.72g(產(chǎn)率72%)淺黃色粉末化合物11。所得產(chǎn)物用NMR分析鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz,CDC13)7.97(IH)，7.91(1H),7.85(2H),7,80(IH)，7.73-7.70(2H)，7.69(IH)，7.66-7.61(7H),7.58(2H),7.56-7.50(4H),7.34(2H),7.19(1H),6.86(1H),2.67腳。合成例7:4t合物12的合成化合物12根據(jù)反應(yīng)示意圖7合成反應(yīng)示意圖7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula>1d中間體Id以與合成例1相同的方法制備，然后將5g中間體ld、4.5g芘_1_基一1一硼酸、0.46g四(三苯基膦)合鈀和6g碳酸鉀溶解在包括80mlTHF和80ml水的溶劑混合物中。將所得混合物在回流溫度下攪拌18小時。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫并分離第一有機(jī)層。將80ml二氯曱烷加入水性層中萃取第二有機(jī)層。將第一有機(jī)層和第二有機(jī)層合在一起并用硫酸鎂干燥以除去使用的溶劑，從而得到粗制產(chǎn)物。用硅膠柱色譜提純該粗制產(chǎn)物得到5.5g化合物12。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下1HNMR(DMSO-d6，權(quán)MHz)S(ppm)8.56(lH，d)，8.51(1H，s),8.36(1H,d)，8.31(1H,d)，8.28(1H,d),8.228.18(6H，m),8.108,05(2H,m)，7.70(2H，d)，7.61(1H,d),7.26(1H,t),6.91(1H,t)。合成例8:4t合物14的合成化合物14才艮據(jù)反應(yīng)示意圖8合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>中間體4d以與合成例4相同的方法制備，然后將2.9g中間體4d、2.0g花_1_基_1一硼酸、1.03g四(三苯基膦)合鈀和13g碳酸鉀溶解在包括80mlTHF和80ml水的溶劑混合物中。將所得混合物在回流溫度下攪拌18小時。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫并分離第一有機(jī)層。將40ml二氯曱烷加入水性層中萃3F又第二有機(jī)層。將第一有機(jī)層和第二有機(jī)層合在一起并用硫酸鎂干燥以除去使用的溶劑，從而得到粗制產(chǎn)物。用硅膠柱色譜提純該粗制產(chǎn)物得到3.0g化合物14。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下lHNMR(DMSO-d6,400MHz)d(ppm)8.248.13(4H,m)，8.07(2H,s),8.01~7.97(4H，m)，7.89(2H,d)，7.73(1H,d)，7.57(7H,brs),7.22(1H,t)，6.74(1H，t)。合成例9:化合物17的合成化合物17根據(jù)反應(yīng)示意圖9合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>反應(yīng)示意圖97d中間體7d以與合成例5相同的方法制備，然后將3.94g中間體7d、3.0g芘-l一基—l-硼酸、o.7g四(三苯基膦)合鈀和8g碳酸鉀溶解在包括70mlTHF和70ml水的溶劑混合物中。將所得混合物在回流溫度下攪拌18小時。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫并分離第一有機(jī)層。將70ml二氯曱烷加入水性層中萃取第二有機(jī)層。將第一有機(jī)層和第二有機(jī)層合在一起并用硫酸鎂干燥以除去使用的溶劑，從而得到粗制產(chǎn)物。用硅膠柱色譜提純該粗制產(chǎn)物得到3.7g化合物17。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下lHNMR(DMSO-d6,400MHz)d(ppm)8.59(lH，d),8.56(1H，s)，8.41(1H,d)，8.40(1H,d)，8.34(1H,d)，8.32(1H,d),8.27~8.19(6H,m)，8.13~8.10(2H,m),7.91(1H,d),7.75(2H，d),7.72~7.66(2H,m)，7.31(1H,d)。合成例10:化合物36的合成化合物36根據(jù)反應(yīng)示意圖IO合成54反應(yīng)示意圖10<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>化合物36中間體la、lb和lc用與合成例l相同的方法合成。中間體36d的合成將3.39g(35.98mmo1)2-氨基他咬和10g(35.98mmo1)2,4'-二溴苯乙酮溶解在150ml乙醇中并將該混合物回流12小時。將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫以形成白色固體。將該白色固體過濾并用NaHC03飽和溶液洗滌。用無水硫酸鎂除去有機(jī)層殘留水分，然后減壓干燥。然后將所得有機(jī)層用二氯曱烷和正己烷重結(jié)晶得到8.02g(產(chǎn)率82%)具有片狀結(jié)晶態(tài)的中間體36d?；衔?6的合成將1.85g(3"0mmo1)中間體lc和lg(3.90mmo1)中間體36d力口入2.7g(19.5mmo1)石友酸鉀溶液和THF的溶液混合物中，然后邊攪拌邊將225mg(0.196mmol)Pd(PPh3)4加入其中，回流所得混合物6小時。然后將反應(yīng)產(chǎn)物冷卻至室溫以形成固體化合物，并將該固體化合物過濾并用水、乙醇和曱苯洗滌得到1.73g(產(chǎn)率71%)化合物36。所得化合物用NMR分析鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz,CDC13)8.51(1H),8.40(1H),8.12(1H),8.06-7.99(5H)，7.96(2H)，7.85(1H)，7.78-7.59(15H),7.32(2H)，6.84(1H)。合成例11:化合物37的合成以與合成例10中相同的方法制備化合物37,區(qū)別在于用苯基溴化鎂代替合成例10中用于形成中間體lb的2-萘基溴化鎂。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz，CDC13)8.54(1H),8.42(1H)，8.07(2H)，7.96(1H),7.83(1H)，7.80(1H),7.73-7.48(15H),7.35(2H),6.87(1H)。合成例12:化合物38的合成以與合成例10中用于制備化合物36的相同方法制備化合物38，區(qū)別在于用苯基溴化鎂代替合成例10中用于形成中間體lb的2-萘基溴化鎂并用2，4'-二溴苯丙酮代替2,4'-二溴苯乙酮用于制備中間體36d。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下1HNMR(400MHz,CDC13)8.54(1H),8.22(1H),7.97(1H),7.93(2H),7.70(1H)，7.71-7.52(15H)，7.35(2H)，6.92(1H)，2.73(3H)。合成例13:化合物45的合成化合物45才艮據(jù)反應(yīng)示意圖ll合成反應(yīng)示意圖11o中間體36d以與合成例10相同的方法制備，然后將3.3g中間體36d、3.0g芘-l-基-l-硼酸、0.7g四(三苯基膦)合鈀和8g碳酸鉀溶解在包括70mlTHF和70ml水的溶劑混合物中。將所得混合物過濾并在回流溫度下攪拌18小時。將反應(yīng)混合物冷卻至室溫。然后將有機(jī)層中的固體產(chǎn)物過濾并用包括水和THF的溶劑混合物洗滌，從而得到2.7g化合物45。所得化合物用NMR分析來鑒定，結(jié)果如下lHNMR(DMSO-d6,400MHz)d(ppm)9.01(1H,dd)，8.56(1H,q)，8.51(1H,s),8.39(1H,d),8.32(2H,q)，8.25~8.19(6H,m),8.10(2H，t),7.75(2H，d)，7.09(1H，dd)。實(shí)施例1將根據(jù)合成例1制備的化合物1真空沉積在基板上以形成厚度為600A的光效率改善層。然后通過形成15Q/cm2(1200A)ITO在光效率改善層上布置陽才及。然后在陽才及上真空沉積m-MTDATA形成厚度為750A的HIL，然后在HIL上真空沉積a-NPD形成厚度為150A的HTL。用97wt。/。主體DSA和3wt。/。摻雜劑TBPe在HTL上形成厚度為300A的EML。將Alq3真空沉積在EML上形成厚度為200A的ETL。然后將LiF真空沉積在ETL上形成厚度為80A的EIL，然后將Al真空沉積在EIL上形成厚度為3000A的陰極，從而完成了有才幾發(fā)光二極管的制造。實(shí)施例2~9用與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于用化合物2、3、4、7、11、36、37和38代替化合物1形成光效率改善層。對比例用與實(shí)施例1相同的方法制造有機(jī)發(fā)光二極管，區(qū)別在于用Alq3代替化合物1形成光效率改善層。評價例1用PR650色散掃描型源測量單元(PhotoResearch公司制造)測定根據(jù)實(shí)施例1~9和對比例制作的各個有機(jī)發(fā)光二極管的效率(cd/A)。結(jié)果示于表l中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>如本發(fā)明實(shí)施方式中所述，包括含有通式1表示的化合物的光效率改善層的有機(jī)發(fā)光二極管具有優(yōu)異的光效率。域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是，可進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變而不背離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明的范圍由以下權(quán)利要求書限定。權(quán)利要求1、一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基板；第一電極，限定彼此相對的第一表面和第二表面，第二表面面向基板；有機(jī)層，面向第一電極的第一表面；第二電極，限定彼此相對的第一表面和第二表面，第一表面面向有機(jī)層；以及光效率改善層，與第一電極的第二表面和第二電極的第二表面中的至少一個表面接觸，并包括通式1表示的化合物通式1其中Ar是取代或未取代的C6～C30的芳環(huán)體系、或者取代或未取代的C2～C30的雜芳環(huán)體系；L1各自獨(dú)立地選自由取代或未取代的C1～C30的亞烷基、取代或未取代的C6～C30的亞芳基、以及取代或未取代的C2～C30的雜亞芳基構(gòu)成的組中；X1為N、CY1、或者與L1或Ar鍵合的碳原子；X2為N、CY2、或者與L1或Ar鍵合的碳原子；X3為N、CY3、或者與L1或Ar鍵合的碳原子；X4為N；X5為碳原子；X6為N或CY6；其中X1、X2和X3中的一個是與L1或Ar鍵合的碳原子；R1～R3和Y1～Y6各自獨(dú)立地選自由氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的?；?、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C2～C30的炔基、取代或未取代的C6～C30的芳基，以及取代或未取代的C2～C30的雜芳基，其中從R1～R3和Y1～Y6中選擇的兩個或更多個相鄰部分能夠相互鍵合形成飽和環(huán)或不飽和環(huán)；a為0～10的整數(shù)；m為1～5的整數(shù)；且n為1～10的整數(shù)。2、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中Ar選自由取代或未取代的戊搭烯、取代或未取代的茚、取代或未取代的萘、取代或未取代的奠、取代或未取代的庚搭烯、取代或未取代的苯并二茚、取代或未取代的苊烯、取代或未取代的芴、取代或未取代的1，8-苯嵌萘、取代或未取代的菲、取代或未取代的蒽、取代或未取代的熒蒽、取代或未取代的苯并菲、取代或未取代的芘、取代或未取代的1,2-苯并菲、取代或未取代的萘并萘、取代或未取代的二苯并[a,i]菲、取代或未取代的二萘嵌苯、取代或未取代的二苯并[b,h]菲、取代或未取代的并六苯、取代或未取代的吡咯、取代或未取代的吡唑、取代或未取代的咪唑、取代或未取代的咪唑啉、取代或未取代的吡咬、取代或未取代的吡。秦、取代或未取代的嘧咬、取代或未取代的吲咮、取代或未取代的噤呤、取代或未取代的p奎啉、取代或未取代的酞嗪、取代或未取代的卩引噪、耳又代或未取代的萘咬、取代或未取代的查唑啉、取代或未取代的噌啉、取代或未取代的吲唑、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的吩溱、取代或未取代的菲啶、取代或未取代的p比喃、取代或未取代的苯并吡喃、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的p塞吩、取代或未取代的苯并噻吩、取代或未取代的異噻唑、和取代或未取代的異噁峻構(gòu)成的組中。3、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，當(dāng)Ar是取代的CsC30的芳環(huán)體系或取代的C2~C30的雜芳環(huán)體系時，取代基選自由取代或未取代的Qd4的芳基和取代或未取代的C2d4的雜芳基構(gòu)成的組中。4、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中，當(dāng)Ar是取代的C6~C3o的芳環(huán)體系或取代的C2~C3o的雜芳環(huán)體系時，取代基選自由苯基、鹵代苯基、dd。烷基苯基、C廣d。烷氧基苯基、萘基、囟代萘基、ddo烷基萘基、dC,o烷氧基萘基、吡啶基、卣代吡啶基、C,-do烷基吡啶基、ddo烷氧基吡啶基、喹啉基、卣代喹啉基、C廣Cu)烷基喹啉基、C廣Cu)烷氧基喹啉基、異喹啉基、由代異喹啉基、C廣do烷基異喹啉基和C廣do烷氧基異喹啉基構(gòu)成的組中。5、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中"各自獨(dú)立地選自由取代或未取代的C6~C14的亞芳基和取代或未取代的C2~C14的雜亞芳基構(gòu)成的組中。6、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中L,各自獨(dú)立地選自由亞苯基、卣代亞苯基、C廣do烷基亞苯基、C廣do烷氧基亞苯基、亞萘基、鹵代亞萘基、G~C川烷基亞萘基和Q~CK)烷氧基亞萘基構(gòu)成的組中。7、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中-(L0a-由選自通式2a2g中的任何一個通式表示通式2e通式2f通式2g8、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中Xt、X4和Xs中的至少一個是N。9、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中Xt和X4各自為N。10、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中XpX4和X6各自為N。11、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中R！~R3和Yi~Y6各自獨(dú)立地選自由氫原子、取代或未取代的ddo的烷基、取代或未取代的C2~C10的烯基、取代或未取代的C6C!4的芳基、以及取代或未取代的C廣Q4的雜芳基構(gòu)成的組中。12、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中R廣R3和Y!-Y6各自獨(dú)立地選自由氫原子、d~C1()的烷基、d~do的鹵代烷基、C2~C1()的烯基、C2~do的鹵代烯基、苯基、鹵代苯基、C廣do烷基苯基、C廣do烷氧基苯基、萘基、鹵代萘基、ddo烷基萘基或dCK)烷氧基萘基構(gòu)成的組中。13、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中n為1或2。14、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述由通式1表示的化合物是由選自通式1A~IX中任何一個通式表示的化合物通式1A<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>通式1B<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>通式1C<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>通式ID通式IE通式IF<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>通式1G<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>通式IKR2通式1LR2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>R2通式1M<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>通式IN<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>通式1WR2通式IX其中QiQn各自獨(dú)立地選自由氫原子、取代或未取代的C6C"的芳基和取代或未取代的C2d4的雜芳基構(gòu)成的組中；"各自獨(dú)立地選自由取代或未取代的C6~d4的亞芳基和取代或未耳又代的C2d4的雜亞芳基構(gòu)成的組中；R^、R2、R3、Y2和Y3各自獨(dú)立地選自由氫原子、取代或未取代的Q-Cu)的烷基、取代或未取代的C2-do的烯基、取代或未取代的Qd4的芳基和C2d4的雜芳基構(gòu)成的組中，其中選自R!、R2、R3、Y2和Y3中的至少兩個相鄰部分能夠相互鍵合以形成C6Cu的芳環(huán)；且a為1或2。15、如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中QiQn各自獨(dú)立地為氫原子、苯基、卣代苯基、ddo烷基苯基、C廣do烷氧基苯基、萘基、鹵代萘基、dCu)烷基萘基、C廣do烷氧基萘基、吡咬基、囟代吡。錄、C廣do烷基吡口錄、d~do烷氧基吡啶基、喹啉基、由代喹啉基、C廣Cu)烷基喹啉基、dd。烷氧基喹啉基、異喹啉基、卣代異喹啉基、d~do烷基異喹啉基或dd。烷氧基異喹啉基。16、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第二電極是透射型電極，且所述光效率改善層與第二電極的第二表面接觸。17、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第一電極是透射型電極，且所述光效率改善層與第一電極的第二表面接觸。18、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中第一電極和第二電極是透射型電極，且所述光效率改善層與第一電極的第二表面接觸，且所述光效率改善層與第二電極的第二表面接觸。19、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層對應(yīng)于R、G和B像素單獨(dú)形成，且所述光效率改善層是R、G和B像素的通用層。20、如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層對應(yīng)于R、G和b像素單獨(dú)形成，且所述光效率改善層包括選自由對應(yīng)于Rl象素形成的光效率改善層R、對應(yīng)于G像素形成的光效率改善層G和對應(yīng)于B像素形成的光效率改善層B構(gòu)成的組中的至少一個層。21、如權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述光效率改善層包括所述光效率改善層R、所述光效率改善層G和所述光效率改善層B。22、如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述光效率改善層R、所述光效率改善層G和所述光效率改善層B具有相同或不同的厚度。全文摘要本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括含有通式1表示的化合物的光效率改善層。文檔編號H01L51/50GK101656300SQ200910163380公開日2010年2月24日申請日期2009年8月17日優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日發(fā)明者李在庸,李鐘赫,梁承玨,金喜妍申請人:三星移動顯示器株式會社