專利名稱：：一種半導(dǎo)體器件及測試模具、測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及測試模具、測試方法。
背景技術(shù)：
：門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)和集成門極換流晶閘管(IGCT)等全控型電力半導(dǎo)體器件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作且其開關(guān)過程可以由門極控制，因此被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電力電子線路中。這類全控型電力半導(dǎo)體器件封裝后的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，一般包括管蓋11、作為陽極12的金屬片組、管芯13、作為陰極14的金屬片組、門極15和管座16,還可以包括用于固定管蓋11和陽極12的定位銷17。其中，作為陽極12的金屬片組和作為陰極14的金屬片組通常均選用鍍銠鉬片組。然而，在對該類器件進(jìn)行封裝之前都要逐只對管芯13的芯片進(jìn)行動態(tài)性能測試，以檢驗器件的開通、關(guān)斷與頻率特性，篩選出合格產(chǎn)品。為了盡量保證測試結(jié)果與封裝后的產(chǎn)品使用情況保持一致，在進(jìn)行測試時，將被測管芯芯片、測試用的門極組件和鍍銠鉬測試片組，按照封裝后的連接方式共同裝入測試夾具內(nèi)，以使這種裝入方式同完成封裝后的真實產(chǎn)品保持最接近。如果被測管芯芯片的測試結(jié)果合格，則更換后續(xù)待測管芯芯片，仍釆用上述測試用的門極組件和鍍銠鉬測試片組進(jìn)行測試。但是，如果測試結(jié)果不合格，則會同時損壞被測管芯芯片和測試用的鍍銠鉬測試片組，被測芯片的損壞是測試篩選的自然結(jié)果，然而鍍銠鉬測試片組的損壞增加了對這類半導(dǎo)體器件的測試成本。因此，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中采用鍍銠鉬金屬片組導(dǎo)致了進(jìn)行動態(tài)測試時測試成本的增加，而且，現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中采用鍍銠鉬金屬片組還存在通態(tài)壓降較大的缺點。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體器件及測試模具、測試方法，能夠減小通態(tài)壓降而且可以減少測試成本。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例的技術(shù)方案如下一種半導(dǎo)體器件，包括依次層疊設(shè)置的管蓋、鋁合金陽極、管芯芯片、鋁合金陰極、門極和管座，每層相鄰構(gòu)件之間電性連接且所述門極還與所述管芯芯片電連接。進(jìn)一步，所述鋁合金陽極為圓盤形，所述鋁合金陰極包括一個圓盤和套在所述圓盤外周的同心圓環(huán)，所述圓盤和圓環(huán)位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置所述門極的環(huán)形縫隙。進(jìn)一步，所述鋁合金陽極為圓盤形，所述鋁合金陰極為圓盤形且圓盤中心設(shè)置有用于放置所述門極的安裝孔。進(jìn)一步，所述鋁合金陽極上和所述管蓋上對應(yīng)設(shè)置有用于安裝定位銷的定位孔。進(jìn)一步，所述鋁合金為LY12鋁合金。一種半導(dǎo)體器件測試模具，包括依次層疊設(shè)置的陽極、鋁合金測試片組的陽極、鋁合金測試片組的陰極、門極和陰才及，所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間具有用于放置待測管芯芯片的縫隙。進(jìn)一步，所述鋁合金測試片組的陽極為圓盤形，所述鋁合金測試片組的陰極包括一個圓盤和套在所述圓盤外周的同心圓環(huán)，所述圓盤和圓環(huán)位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置所述門極的環(huán)形縫隙。進(jìn)一步，所述鋁合金測試片組的陽極為圓盤形，所述鋁合金測試片組的陰極為圓盤形且圓盤中心設(shè)置有用于放置所述門極的安裝孔。進(jìn)一步，所述鋁合金測試片組的陽極上和所述陽極上對應(yīng)設(shè)置有用于安裝定位銷的定位孔。進(jìn)一步，所述鋁合金片組的材料為LY12鋁合金。一種半導(dǎo)體器件測試方法，包括將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具，所述待測管芯芯片夾在所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間；才丸4亍動態(tài)測i式。進(jìn)一步，在所述執(zhí)行動態(tài)測試后進(jìn)一步包括分析測試結(jié)果，如果測試合格，則更換待測管芯芯片重復(fù)所述執(zhí)行動態(tài)測試；如果測試不合格，則更換所述鋁合金測試片組和待測管芯芯片后重復(fù)所述執(zhí)4于動態(tài)測試。本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件中采用鋁合金片組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬片組，不僅在對半導(dǎo)體器件進(jìn)行動態(tài)測試時降低了測試成本，而且減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種封裝后的半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)圖2是本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖3是本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件中鋁合金陰極的結(jié)構(gòu)示意圖圖4是本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件測試模具的結(jié)構(gòu)示意圖5是本發(fā)明實施例另一種半導(dǎo)體器件測試模具的結(jié)構(gòu)示意圖6是本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件測試模具的剖面結(jié)構(gòu)圖7是本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件測試方法流程圖8是本發(fā)明實施例另一種半導(dǎo)體器件測試方法的流程圖。具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行描述。參照圖2,為本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。在本實施例中，該半導(dǎo)體器件為采用鋁合金構(gòu)件組來代替鍍銠鉬構(gòu)件組作為全壓接式器件的封裝部件。該半導(dǎo)體器件可以包括依次層疊連接的管蓋21、鋁合金陽極22、管芯芯片23、鋁合金陰4及24、門極25和管座26。每層相鄰構(gòu)件之間電性連接且所述門極還與管芯芯片23電連接。各部分的連接方式與現(xiàn)有技術(shù)中相同。其中，管蓋21作為該半導(dǎo)體器件的陽才及，管座26作為該半導(dǎo)體器件的陰極。該半導(dǎo)體器件中鋁合金陽極22為圓盤形，管蓋21和鋁合金陽極22上均可設(shè)置定位孔，用于安裝定位銷22以對兩構(gòu)件進(jìn)行定位，鋁合金陽極22和鋁合金陰極24之間設(shè)置有管芯芯片23，如圖3所示，鋁合金陰極24可以包括一個圓盤241和套在所述圓盤外周的同心圓環(huán)242,該圓盤241和圓環(huán)242位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置門極24的環(huán)形縫隙243。門極25如圖2中所示，呈圓環(huán)形且沿軸向具有一定的厚度，在圓環(huán)壁上沿徑向向外側(cè)延伸出一個引出電極。管座26與鋁合金陰極24形狀類似，也可以包括一個圓盤和一個圓環(huán)，且兩者之間也具有一個環(huán)形縫隙，用于放置門極25。門極25放置在鋁合金陰極24的環(huán)形縫隙和管座26的環(huán)形縫隙中，實現(xiàn)了管座26、門極25和鋁合金陰極24層層之間的貼合，并保證門極25與位于鋁合金陰極24上方的管芯芯片23接觸。在本發(fā)明的另一實施例中，鋁合金陰極可以只包括一個圓盤，并在該圓盤上設(shè)置一個用于放置門極的安裝孔，在管座上也對應(yīng)設(shè)置用于放置門極的安裝孔，該實施例中門極的形狀為圓柱體，通過插放在鋁合金陰極和管座上的安裝孔內(nèi)，實現(xiàn)管座、門極和鋁合金陰極層層之間的貼合，并保證門極與位于鋁合金陰極上方的管芯芯片接觸。按照上述結(jié)構(gòu)封裝后的半導(dǎo)體器件，通過采用鋁合金構(gòu)件組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬構(gòu)件組，降低了半導(dǎo)體器件成本的同時也減少了測試時由于鍍銠鉬測試片組損壞而產(chǎn)生的高成本，而且該半導(dǎo)體器件減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。上述半導(dǎo)體器件的實施例中，各部件的形狀和尺寸，以及定位孔的設(shè)置可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，且鋁合金陰極和鋁合金陽極的材料可以選取LY12鋁合金或其它類型的鋁合金材料。針對電學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)性能，以鋁-銅-鎂系中的典型硬鋁合金2024(LY12)為例與鍍銠鉬片組中的主要成分鉬進(jìn)行對比，如下表所示<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>上表是鉬材與鋁材的物理參數(shù)對比(典型值)，由此可見，鋁合金片組與鍍銠鉬片組相比減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能。而且，由于被測管芯芯片的兩個表面均為鈍鋁，因此鋁合金片組與管芯芯片的接觸是一種相近材料的表面接觸，相比與不同的材料接觸，其結(jié)果應(yīng)當(dāng)是有利的，因此采用鋁合金片組也改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。本發(fā)明實施例采用了的LY12鋁合金片組，LY12(2024)鋁合金強度高，有一定的耐熱性，可用作150。c以下的工作零件。溫度高于125。c,2024鋁合金的強度比7075鋁合金的還高。熱狀態(tài)、退火和新淬火狀態(tài)下成形性能都比較好，熱處理強化效果顯著，但熱處理工藝要求嚴(yán)格。抗蝕性較差，但用純鋁包覆可以得到有效保護；采用特殊工藝可以焊接，也可以鉚接。廣泛用于飛機結(jié)構(gòu)、鉚釘、卡車輪轂、螺旋槳元件及其他結(jié)構(gòu)件。當(dāng)然，本實施例中所采用的鋁合金測試片組不局限于用LY12鋁合金?，F(xiàn)有技術(shù)中，在對管芯芯片進(jìn)行動態(tài)測試時，每一次測試結(jié)果不合格都會在損壞管芯芯片的同時損壞測試用的鍍銠鉬測試片組，而每一付鍍銠鉬片組本身價值都高達(dá)IOOO元，如果每年測l萬只器件，假定動態(tài)測試通過率為85%，則將產(chǎn)生1500x1000=150萬元的損失。這無疑大大增加了半導(dǎo)體器件的測試成本，同時也是一種極大的浪費。通過對鍍銠鉬片組及替代材料的各種物理性能的研究，結(jié)合上述實施例中的半導(dǎo)體器件，本發(fā)明實施例提出了采用鋁合金材料作為測試片組的半導(dǎo)體器件測試模具，如下所述參照圖4，為本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件測試模具的結(jié)構(gòu)示意圖。該測試模具可以包括依次層疊設(shè)置的陽極41、鋁合金測試片組的陽極42、鋁合金測試片組的陰極44、門極45和陰極46。鋁合金測試片組的陽極42和鋁合金測試片組的陰極44之間具有用于放置待測管芯芯片43的縫隙。在本實施例中陽極41呈圓盤形，鋁合金測試片組的陽極42也為圓盤形，兩個圓盤上均可設(shè)置定位孔，用于安裝定位銷47以對兩圓盤進(jìn)4亍定位。鋁合金測試片組的陰極44包括一個圓盤441和套在所述圓盤外周的同心圓環(huán)442，該圓盤441和圓環(huán)442位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置門極45的環(huán)形縫隙443。門極45如圖中所示，呈圓環(huán)形且沿軸向具有一定的厚度，9在圓環(huán)壁上沿徑向向外側(cè)延伸出一個引出電極。陰極46與鋁合金測試片組的陰極44形狀類似，也包括一個圓盤和一個圓環(huán)，且兩者之間也具有一個環(huán)形縫隙461,用于放置門極45，陰極46的圓環(huán)表面上設(shè)置有一凹槽，用于放置門極45上的引出電極，在陰極46的圓盤上也可以i殳置一個用于安裝定位銷的定位孔，用于將陰極定位安放在測試臺上。在利用該測試模具進(jìn)行半導(dǎo)體器件測試前的安裝時，可以先將陰極46通過定位孔和定位銷固定在測試臺上，然后將門極45的引出電極下方部分安裝在陰極46上設(shè)置的環(huán)形縫隙461內(nèi)，并將門極45的引出電極卡在陰極46的圓環(huán)表面的凹槽內(nèi)，再將鋁合金測試片組的陰極44套裝在門極45的上部，具體的，使門極45的引出電極上方部分安裝在鋁合金測試片組的陰極44具有的環(huán)形縫隙443內(nèi)，并保證門極45與位于鋁合金測試片組的陰極44上方的管芯芯片43接觸，實現(xiàn)陰極46、門極45和鋁合金測試片組的陰極44層層之間的貼合，如圖6中的剖面結(jié)構(gòu)圖所示。在鋁合金測試片組的陰極44上放置待測的管芯芯片43，在管芯芯片43上方放置鋁合金測試片組的陽極42,也即將管芯芯片43夾在鋁合金測試片組的陰極44和鋁合金測試片組的陽極42之間，最后在鋁合金測試片組的陽極42上方設(shè)置陽極41。為了便于陽極41和鋁合金測試片組的陽極42準(zhǔn)確定位，還可以將定位銷插在鋁合金測試片組的陽極42和陽極41上的定位孔內(nèi)。本發(fā)明實施例采用鋁合金測試片組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬測試片組，一套測試片組成本約25元，仍按每年測1萬只器件和85%的通過率，產(chǎn)生的損失下降為1500x25=3.75萬元，損失同比僅為原來的2.5%，降低了97.5%。該測試模具不僅降低了測試成本，而且鋁合金測試片組與鍍銠鉬測試片組相比減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。參照圖5,為本發(fā)明實施例另一種半導(dǎo)體器件測試模具的結(jié)構(gòu)示意圖。該測試模具可以包括依次層疊設(shè)置的陽極51、鋁合金測試片組的陽極52、鋁合金測試片組的陰極54、門極55和陰極56。鋁合金測試片組的陽極52和鋁合金測試片組的陰極54之間具有用于放置待測管芯芯片53的縫隙。本實施例與前述實施例的區(qū)別在于，本實施例中，鋁合金測試片組的陰極54為一個圓盤，在該圓盤上具有一個用于放置門極55的安裝孔541。門極55如圖中所示，呈圓柱體形，該圓柱體上方延伸出一個引出電極。陰極56與鋁合金測試片組的陰極54形狀類似，也呈圓盤形，且圓盤上具有一個安裝孔561，用于放置門極55，在陰極56的圓盤上也可以設(shè)置一個用于安裝定位銷的定位孔，用于將陰極定位安放在測試臺上。在利用該測試模具進(jìn)行半導(dǎo)體器件測試前的安裝時，可以先將陰極56通過定位孔和定位銷固定在測試臺上，然后將門極55的引出電極下方部分安裝在陰極56上設(shè)置的安裝孔561內(nèi)，再將鋁合金測試片組的陰極54套裝在門極55上，具體的，使門極55安裝在鋁合金測試片組的陰極54的安裝孔541內(nèi)，并保證門極55與位于鋁合金測試片組的陰極54上方的管芯芯片53接觸，實現(xiàn)陰極56、門極55和鋁合金測試片組的陰極54層層之間的貼合。在鋁合金測試片組的陰極54上放置管芯芯片53，在管芯芯片53上方放置鋁合金測試片組的陽極52,也即將管芯芯片53夾在鋁合金測試片組的陰極54和鋁合金測試片組的陽極52之間，最后在鋁合金測試片組的陽極52上方設(shè)置陽極51。為了便于陽極51和鋁合金測試片組的陽極52準(zhǔn)確定位，還可以將定位銷插在鋁合金測試片組的陽極52和陽極51上的定位孔內(nèi)。本實施例中的測試模具通過采用鋁合金測試片組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬測試片組，不僅降低了測試成本，而且鋁合金測試片組與鍍銠鉬測試片組相比減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。上述測試模具實施例中，各部件的形狀和尺寸可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，且測試片組的材料可以選取LY12鋁合金或其它類型的鋁合金材料。相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提出了采用鋁合金材料作為測試片組的半導(dǎo)體器件測試方法，如下所述現(xiàn)結(jié)合圖7的測試方法流程圖和圖4、圖5的測試模具的結(jié)構(gòu)示意圖對該測試方法進(jìn)行說明。參照圖7,為本發(fā)明實施例一種半導(dǎo)體器件測試方法流程圖。該測試方法可以包4舌步驟701，將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具，所述管芯芯片夾在所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間。將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具時，鋁合金測試片組代替現(xiàn)有的鍍銠鉬測試片組裝入測試夾具，具體安裝的順序和方法可以與現(xiàn)有4支術(shù)相同。具體的，可以先i殳定測試臺，將測試片組和4寺測的管芯芯片準(zhǔn)備好，然后^t姿照如圖4或圖5所示的結(jié)構(gòu)，可以先將陰;歐固定在測試臺上，然后依次放置門極、鋁合金測試片組的陰極、待測管芯芯片、鋁合金測試片組的陽極，最后在測試片組的陽極上方設(shè)置陽極，并保持各層之間處于電連接狀態(tài)。當(dāng)然，安裝方式有多種，不僅限于上述方式。步驟702,執(zhí)行動態(tài)測試。待上述各組件安裝好后，開始執(zhí)行動態(tài)測試，該動態(tài)測試可以由軟件程序進(jìn)行控制執(zhí)行，也可以通過人工操作進(jìn)行。該通過該測試，則說明被測試的管芯芯片合格，如果未通過測試，則說明管芯芯片不合格，則在該測試過程中管芯芯片和鋁合金測試片組均已損壞。該測試過程為現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。本實施例測試方法中通過采用鋁合金測試片組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬測試片組，不僅降低了測試成本，而且鋁合金測試片組與鍍銠鉬測試片組相比減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。參照圖8,為本發(fā)明實施例另一種半導(dǎo)體器件測試方法的流程圖。該方法針對于多個待測管芯芯片的測試，通常應(yīng)用于測試流水線作業(yè)，該方法可以包4舌步驟801，將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具，所述待測管芯芯片夾在所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰才及之間。步驟802,執(zhí)行動態(tài)測試。12其中，步驟801-802與前述實施例相同，此處不再贅述。步驟803,分析測試結(jié)果，如果測試合格，則更換待測管芯芯片重復(fù)所述執(zhí)行動態(tài)測試；如果測試不合格，則更換所述鋁合金測試片組和待測管芯芯片后重復(fù)所述執(zhí)行動態(tài)測試。在本步驟中，如果測試結(jié)果為合格，則只更換待測管芯芯片，重復(fù)步驟進(jìn)行檢測即可，但是，如果測試結(jié)果不合格，則說明該測試過程中鋁合金測試片組也已經(jīng)被破壞，則需要對鋁合金測試片組和待測管芯芯片均進(jìn)行更換，然后重復(fù)步驟802。該過程可以通過軟件程序進(jìn)行控制或人工操作完成。本實施例通過將鋁合金測試片組應(yīng)用于對多個管芯芯片的測試中，不僅降低了測試成本，減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合，而且提高了測試效率。上述各實施例不僅可以應(yīng)用于門極可關(guān)斷晶閘管和集成門極換流晶閘管等全控型電力半導(dǎo)體器件，還可以應(yīng)用于其它類似的半導(dǎo)體器件。以上所述的本發(fā)明實施方式，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的管蓋、鋁合金陽極、管芯芯片、鋁合金陰極、門極和管座，每層相鄰構(gòu)件之間電性連接且所述門極還與所述管芯芯片電連接。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鋁合金陽極為圓盤形，所述鋁合金陰極包括一個圓盤和套在所述圓盤外周的同心圓環(huán)，所述圓盤和圓環(huán)位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置所述門極的環(huán)形縫隙。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鋁合金陽極為圓盤形，所述鋁合金陰極為圓盤形且圓盤中心設(shè)置有用于放置所述門極的安裝孔。4、根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鋁合金陽極上和所述管蓋上對應(yīng)設(shè)置有用于安裝定位銷的定位孔。5、根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鋁合金為LY12鋁合金。6、一種半導(dǎo)體器件測試4莫具，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的陽極、鋁合金測試片組的陽極、鋁合金測試片組的陰極、門極和陰極，所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間具有用于放置待測管芯芯片的縫隙。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的測試模具，其特征在于，所述鋁合金測試片組的陽極為圓盤形，所述鋁合金測試片組的陰極包括一個圓盤和套在所述,圓盤外周的同心圓環(huán)，所述圓盤和圓環(huán)位于同一平面且兩者之間沿徑向具有用于放置所述門極的環(huán)形縫隙。8、才艮據(jù)權(quán)利要求6所述的測試模具，其特征在于，所述鋁合金測試片組的陽極為圓盤形，所述鋁合金測試片組的陰極為圓盤形且圓盤中心設(shè)置有用于放置所述門極的安裝孔。9、根據(jù)權(quán)利要求6-8中任意一項所述的測試模具，其特征在于，所述鋁合金測試片組的陽極上和所述陽極上對應(yīng)設(shè)置有用于安裝定位銷的定位孔。10、根據(jù)權(quán)利要求6-8中任意一項所述的測試模具，其特征在于，所述鋁合金片組的材料為LY12鋁合金。11、一種半導(dǎo)體器件測試方法，其特征在于，包括將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具，所述待測管芯芯片夾在所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間；才丸4亍動態(tài)測試。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述執(zhí)行動態(tài)測試后進(jìn)一步包括分析測試結(jié)果，如果測試合格，則更換待測管芯芯片重復(fù)所述執(zhí)行動態(tài)測試；如果測試不合格，則更換所述鋁合金測試片組和待測管芯芯片后重復(fù)所述^L行動態(tài)測試。全文摘要本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體器件及測試方法、測試模具。其中，一種半導(dǎo)體器件，包括依次層疊設(shè)置的管蓋、鋁合金陽極、管芯芯片、鋁合金陰極、門極和管座，每層相鄰構(gòu)件之間電性連接且所述門極還與所述管芯芯片電連接。半導(dǎo)體器件測試方法，包括將待測管芯芯片、門極組件和鋁合金測試片組裝入測試夾具，所述待測管芯芯片夾在所述鋁合金測試片組的陽極和所述鋁合金測試片組的陰極之間；執(zhí)行動態(tài)測試。本發(fā)明實施例采用鋁合金片組代替了現(xiàn)有技術(shù)中的鍍銠鉬片組，不僅降低了測試成本，而且減少了通態(tài)壓降，改善了熱阻性能，改良了與管芯芯片的表面結(jié)合。文檔編號H01L23/48GK101615602SQ20091016095公開日2009年12月30日申請日期2009年7月31日優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日發(fā)明者劉旭君,明張,彭文華,李繼魯,誼蔣申請人:株洲南車時代電氣股份有限公司