專利名稱：：轉(zhuǎn)寫片及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種轉(zhuǎn)寫片(transfersheet)和用于形成該轉(zhuǎn)寫片的方法，并且更具體地，涉及一種將由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層(transferlayer)轉(zhuǎn)寫至裝置基板側(cè)時所使用的轉(zhuǎn)寫片。
背景技術(shù)：
：4吏用通過有才幾材料實現(xiàn)的電致發(fā)光的有才幾電致發(fā)光(EL)裝置包括通過將有機空穴傳輸層和有機發(fā)光層堆疊在下電極(下部電極)與上電4及(上部電極)之間所形成的有4幾層。有機電致發(fā)光裝置作為利用低壓直流驅(qū)動能夠發(fā)射高強度光的發(fā)光裝置受到人們的關(guān)注。近年來，與掩模沉積法或噴墨法相比，可以使用較大基板并且顯著減少制造時間的轉(zhuǎn)寫法作為在使用有機I化裝置制造全色顯示器中用于圖案化有機層的技術(shù)已引起注意。在轉(zhuǎn)寫法中，使用待轉(zhuǎn)寫的包括有機層的轉(zhuǎn)寫片。例如，在熱轉(zhuǎn)寫法中使用的轉(zhuǎn)寫片包括在基才反上的間隔光熱轉(zhuǎn)換層的有機層。在這樣的轉(zhuǎn)寫片中，優(yōu)選對作為設(shè)置有機層的底部表面的光熱轉(zhuǎn)才奐層的表面進^f于清洗并且在表面上不應(yīng)該吸附分解有才幾層的水分、氧等。通過在光熱轉(zhuǎn)換層上形成氮化硅膜，然后通過將有機層設(shè)置在氮化石圭膜上來防止在有沖幾層的底部表面上吸附水分或氧?？商鎿Q地，提出了一種包括涂覆在作為光熱轉(zhuǎn)換層的第一金屬層上的諸如鋁(Al)或鋇(Ba)的與水分或氣反應(yīng)的金屬的第二金屬層，以及涂覆在第二金屬層上的有機層。在這種情況下，在涂覆有才幾層之前，立刻通過氣相'沉積一年由可與水分或氧反應(yīng)的金屬構(gòu)成的第二金屬層沉積在第一金屬層(光熱轉(zhuǎn)換層)上(參照日本未審查專利申誚v厶開(PCT申i青的^奪文)第2008-500730號，例如第段)。
發(fā)明內(nèi)容然而，即使使用任何上述轉(zhuǎn)寫片，在設(shè)置有機層之前，在有機層之下的底部表面的性能根據(jù)保存條件而改變。當將設(shè)置在底部表面上的有機層轉(zhuǎn)寫至裝置基板側(cè)時，難以維持有機層的膜性能。例如，在曰本未審查專利申請公開(PCT申請的"i奪文)第2008-500730號中，在涂覆有才幾層之前，立即在第一金屬層(光熱轉(zhuǎn)4奐層)上沉積第二金屬層。換句話-說，在第一金屬層上沉積第二金屬層，然后立即涂覆有才幾層。因此，在重復(fù)循環(huán)-使用在有才幾層已經(jīng)轉(zhuǎn)寫之后的轉(zhuǎn)寫片的情況下，在其上仍形成有第二金屬層的轉(zhuǎn)寫片保存在空氣中之后，第二金屬層的表面狀態(tài)改變。此外，即使將包括直到第二金屬層的轉(zhuǎn)寫片保存在手套箱或真空蒸發(fā)器中，表面狀態(tài)也根據(jù)保存時間而變化。第二金屬層的表面狀態(tài)的變化引起通化。在本發(fā)明中，期望提供一種轉(zhuǎn)寫片以及一種用于形成該轉(zhuǎn)寫片的方法，在該轉(zhuǎn)寫片中，可以將在反復(fù)使用時與保存條件無關(guān)的具有穩(wěn)定膜性能的轉(zhuǎn)寫層轉(zhuǎn)寫至目標裝置基板。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的轉(zhuǎn)寫片包括通過光轉(zhuǎn)換層在支撐基板上的鈍化層。將由有機材料構(gòu)成的待轉(zhuǎn)寫的轉(zhuǎn)寫層設(shè)置在鈍化層的表面上。通過在支撐基板上形成光熱轉(zhuǎn)換層，然后在光熱轉(zhuǎn)換層上形成鈍化層來形成這樣的轉(zhuǎn)寫片。例如，通過在光熱轉(zhuǎn)換層上形成金屬材料層，然后使金屬材料層的表面氣化來形成鈍化層以使表面鈍化。在鈍化層的表面上進行等離子清洗之后，在經(jīng)等離子清洗的表面上形成由有才幾材津+構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層。例如，通過氣相沉積來形成轉(zhuǎn)寫層。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于使用在材料性能方面總是穩(wěn)定的鈍化層作為基底并且將轉(zhuǎn)寫層設(shè)置在其上，所以轉(zhuǎn)寫層的材料性能可以被保持而沒有受基底影響。管其保存條件如何，也可以將轉(zhuǎn)寫層設(shè)置在村料性能方面穩(wěn)定的鈍化層上。結(jié)果，即使轉(zhuǎn)寫層由有機材料構(gòu)成，也可以將其材料性能可以被保持而沒有受基底影響的轉(zhuǎn)寫層轉(zhuǎn)寫到裝置基板上，從而可的裝置特性。圖1是一個實施方式的轉(zhuǎn)寫片的示意性剖視圖；圖2A和圖2B是示出了使用該實施方式的轉(zhuǎn)寫片的有機電致發(fā)光裝置的形成步驟的剖^L圖；以及圖3是示出了還考慮轉(zhuǎn)寫片的循環(huán)使用的轉(zhuǎn)寫片的形成步驟的流程圖。具體實施例方式3見在，將參照附圖詳細;也描述本發(fā)明的實》fe方式。轉(zhuǎn)寫片圖1是一個實施方式的轉(zhuǎn)寫片的示意性剖視圖。如圖1所示，通過將抗反射層5、光熱轉(zhuǎn)換層7、金屬材料層9、鈍化層11、以及轉(zhuǎn)寫層13順序堆疊在支撐基板3上來形成轉(zhuǎn)寫片1。在下文中，從支撐基板3開始描述這些層的細節(jié)。支撐基板3應(yīng)該由足夠光滑并且具有光透過性和對熱處理具有耐熱性的材沖牛形成。支撐基板3由玻璃基板、石英基板、半透明陶瓷基纟反、或其他基板構(gòu)成。如果不存在對于加熱溫度的尺寸控制問題，則可以使用樹脂基板。在這種情況下，例如，使用具有0.1至3.0mm的厚度的玻璃基板作為支撐基板3。抗反射層5用于有效地將由支撐基板3側(cè)發(fā)出的激光束Lv限制在光熱轉(zhuǎn)換層7中。例如，抗反射層5由具有40ntn的厚度的非晶硅構(gòu)成。通過化學氣相沉積(CVD)或其他方法在支撐基板3上形成這才羊的抗反射層5。光熱轉(zhuǎn)換層7優(yōu)選由這樣的材料構(gòu)成，在使用該轉(zhuǎn)寫片的熱轉(zhuǎn)寫步驟中用作熱源的能量射線(例如，激光束)的波長范圍內(nèi)具有4氐反射率。例如，當使用具有由固態(tài)激光源發(fā)出的約800nm的波長的激光束時，鉻(Cr)、鉬(Mo)等優(yōu)選作為具有低反射率和高熔點的材料。在這種情況下，例如，使用具有40rim厚度的由鉬構(gòu)成的光熱轉(zhuǎn)換層7。通過賊射法或其他方法在抗反射層5上形成這樣的光熱轉(zhuǎn)換層7。金屬材料層9由可形成鈍態(tài)(鈍性)的金屬構(gòu)成。優(yōu)選地，該金屬材料層由在可形成鈍態(tài)的金屬中與水分或氧中的任一種進行反應(yīng)或者與水分和氧兩者進行反應(yīng)的金屬構(gòu)成。金屬的實例包括鋁(Al)、4各(Cr)、纟失(Fe)以及鎳(Ni),并且應(yīng)該包4舌它們中的至少一種。例如，可以使用鋁(Al)和釹(Nd)的合金(AINd)、由鐵(Fe)-鎳(Ni)-鉻(Cr)構(gòu)成的不銹鋼、或者單獨的鋁(AI)。當使用AlNd時，金屬材料層9具有改善的耐熱性和良好的平滑度。在這種情況下，例如，使用由鋁構(gòu)成的具有50nm厚度的金屬材料層9。通過濺射法或其他方法在光熱轉(zhuǎn)換層7上形成這樣的金屬材料層9。鈍化層11是在金屬材料的表面上形成的氧化膜。在這種情況下，鈍化層11是通過使金屬材料層9的表面氧化而形成的氧化膜。如果使用由例如鋁構(gòu)成的金屬材料層9，則在金屬材料層9的表面上形成由氧化鋁(Al2()3)構(gòu)成的鈍化層11。鈍化層11是非常穩(wěn)定的層，并且4艮據(jù)構(gòu)成金屬材料層9的金屬材料形成為約0.1~25nm的厚度。例如，通過使金屬材料層9的表面氧化來形成這樣的鈍化層11。如果光熱轉(zhuǎn)換層7由可形成鈍態(tài)的金屬構(gòu)成，則可以直接在光熱轉(zhuǎn)換層7的表面上形成鈍化層11。在這種情況下，不必設(shè)置金屬材料層9。然而，如果設(shè)置可形成鈍態(tài)的金屬中的可與水分或氧進行反應(yīng)或者與水分和氧兩者進行反應(yīng)的金屬構(gòu)成的金屬材料層9，則在形成在金屬材料層9的表面上的鈍化層11中包括可與水分或氧或者與水分和氧兩者進行反應(yīng)的金屬。這產(chǎn)生了去除在鈍化層11的表面上的氫和氧的效果。轉(zhuǎn)寫層13是在使用該轉(zhuǎn)寫片的轉(zhuǎn)寫過程中待轉(zhuǎn)寫的層并且由有機材料等構(gòu)成。例如，在使用該轉(zhuǎn)寫片形成有機電致發(fā)光裝置的發(fā)光層的情況下，轉(zhuǎn)寫層13由構(gòu)成發(fā)光層的有機材料構(gòu)成。例如，通過在真空條4牛下由單3蟲的氣相;;冗泮只衛(wèi)a(vapordepositionboat)同時蒸發(fā)2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(TBADN)和四-叔丁基-二萘嵌苯(TBP)以將它們共沉積在4屯化層11上而形成用于形成發(fā)光層的轉(zhuǎn)寫層13。使用轉(zhuǎn)寫片的轉(zhuǎn)寫方法圖2A和圖2B是示出了在用于制造使用上述轉(zhuǎn)寫片1的顯示器的方法中包括的有機電致發(fā)光裝置的形成步驟的剖視圖。現(xiàn)在，將參照圖2A和圖2B描述用于形成電致發(fā)光裝置的步驟。如圖2A所示，首先制備作為目標基板的裝置基板21。例如，裝置基板21由玻璃基板、硅基板、塑料基板、或者其上形成有TFT的薄膜晶體管(TFT)基板構(gòu)成。在裝置基板21上圖案化下電極23。將由例如透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的下電極23形成為陽極(或陰極)，并且圖案化成適合于這里制造的顯示器的驅(qū)動系統(tǒng)的形狀。通過絕緣膜25來覆蓋下電極23的外圍。從絕緣膜25形成的窗口暴露的部分下電極23是設(shè)置有機電致發(fā)光裝置的像素區(qū)域。例如，絕緣膜25由諸如聚酰亞胺和光致抗蝕劑的有機絕緣材沖+或諸如氧化硅的無機絕緣材料構(gòu)成。例如，將空穴傳輸層27設(shè)置為覆蓋下電極23和絕緣膜25的公共層。例如，由4，4-二[N-(-萘基)-N-笨基氨基]聯(lián)苯(NPB)構(gòu)成的空穴傳JlT層27形成為150nm的厚度。將轉(zhuǎn)寫片l設(shè)置在裝置基板21上方，在該裝置基板21上形成直到如上所述的空穴傳輸層27的多個層，使得轉(zhuǎn)寫片1與裝置基板21相對。在這種情況下，使空穴傳輸層27和轉(zhuǎn)寫層13以約1Kim的3巨離才目只于，并且j呆才寺在減壓(例如，約K)—3pa)下。在這種狀態(tài)下，從轉(zhuǎn)寫片1的支撐基板3側(cè)發(fā)出具有800nm的波長的激光束Lv。將激光束U選擇性地照射至空穴傳輸層27上的與形成發(fā)光層的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。將激光束U在轉(zhuǎn)寫片1的光熱轉(zhuǎn)換層7中轉(zhuǎn)換成熱。利用熱來蒸發(fā)轉(zhuǎn)寫層13并且轉(zhuǎn)寫到裝置基板21的空穴傳輸層27上。使已經(jīng)轉(zhuǎn)寫至裝置基板21側(cè)的轉(zhuǎn)寫層13形成為發(fā)光層13a。之后，如圖2B所示，形成電子傳輸層31以便覆蓋形成發(fā)光層13a的裝置基板21的整個表面。通過將三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)真空沉積為30nm的厚度而形成電子傳輸層31。然后，在電子傳輸層31上形成電子注入層33。例如，通過將氟化鋰(LiF)真空沉積為0.5nm的厚度來形成電子注入層33。然后，在電子注入層33上形成上電極35。當下電極23是陽極時，上電極35用作陰極，而當下電極23是陰極時，上電極35用作陽才及。在這種情況下，例如，通過將鋁真空沉積為100nm的厚度而將上電極35形成為陰極。如上所述，獲得了具有其中包括發(fā)光層13a的有機層被下電^L23和上電極35夾置的結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光裝置37。用于制造包括由此形成的有機電致發(fā)光裝置37的顯示器的方法的一個實例包括結(jié)合于此作為參考的在日本未審查專利申請公開號2007-173145中所4皮露的方法。用于形成轉(zhuǎn)寫片的方法圖3是示出了還考慮到轉(zhuǎn)寫片的循環(huán)使用的用于上述轉(zhuǎn)寫的轉(zhuǎn)寫片的形成步驟的流程圖。現(xiàn)在，將基于圖3的流程圖參照圖1來描述包^4爭寫片的再循環(huán)的形成步驟。在步驟S1中，在支撐基板3上順序形成抗反射層5、光熱轉(zhuǎn)換層7、金屬材料層9以及鈍化層11。用于形成各層的方法如上所述。特別地，通過4吏可形成鈍態(tài)的金屬材料層9的表面氧化來形成作為本發(fā)明的特征結(jié)構(gòu)的鈍化層11。在光熱轉(zhuǎn)換層7由可形成鈍態(tài)的金屬構(gòu)成的情況下，4i化層11可以通過使光熱轉(zhuǎn)換層7的表面氧化來形成，而無需形成金屬材料層9,,在步驟S2中，在鈍化層11上形成由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層13。優(yōu)選在形成鈍化層11之后立即通過在步驟Sl之后執(zhí)行的步驟S2形成轉(zhuǎn)寫層13。到此為止，形成了轉(zhuǎn)寫片1。在步驟S3中，使用轉(zhuǎn)寫片1將轉(zhuǎn)寫層13轉(zhuǎn)寫到裝置基板上。例如，如利用圖2A所描述的進行該轉(zhuǎn)寫步驟。在步驟S4中，進行去除在轉(zhuǎn)寫片1上殘留的沒有轉(zhuǎn)寫的轉(zhuǎn)寫層13的步驟。在這種情況下，例如，通過使用稀氟氫酸清洗來去除轉(zhuǎn)寫層13。在步驟S5中，當必要時，保存去除了轉(zhuǎn)寫層13的轉(zhuǎn)寫片1?？梢詫⑥D(zhuǎn)寫片1保存在空氣中。必要時，執(zhí)行該保存步驟。當在步驟S4之后立即使用轉(zhuǎn)寫片1進行轉(zhuǎn)寫時，可以省略保存步驟并且可以直接進行步驟S6。在步驟S6中，作為用于形成下一轉(zhuǎn)寫層的預(yù)處理，在轉(zhuǎn)寫片1的鈍化層11的表面上進行等離子清洗。在這種情況下，例如，利用氬等離子體來進行清洗。隨后，步驟返回至步驟S2，并且在等離子清洗的鈍化層11上形成由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層13以形成轉(zhuǎn)寫片1。之后，重復(fù)進行步驟S4之后的步驟。在沒有將支撐基板3放置在空氣中的情況下，優(yōu)選連續(xù)地進行在步驟S6中的等離子清洗和在步驟S6之后4iVf亍的步艱《S2的轉(zhuǎn)寫層13的形成。在上述實施方式中，由于使用在材料性能方面總是穩(wěn)定的#^匕層11作為基底，并且將轉(zhuǎn)寫層13設(shè)罝在其上，轉(zhuǎn)寫層13的材料性能可以被保持，而沒有受基底影響。換句話說，即使將其保存在空氣中，也不能使鈍化層11的表面氧化，并且鈍化層11的氧4匕膜的厚度和性能保持恒定。因此，即使在重復(fù)使用包括直到鈍化層11的轉(zhuǎn)寫片1的情況下，不管其保存條件如何，可以將轉(zhuǎn)寫層13設(shè)置在材料性能方面穩(wěn)定的鈍化層ll上。結(jié)果，即使轉(zhuǎn)寫層13由有機材料構(gòu)成，也可以將其材料性能保持而不受基底影響的轉(zhuǎn)寫層13轉(zhuǎn)寫到裝置基板上。這也可以改善具有通過轉(zhuǎn)寫層13構(gòu)成的有機層的有才幾電致發(fā)光裝置的裝置特征。此外，由于如上所述可以實現(xiàn)與保存條件等無關(guān)的良好制造方法，所以可以將包括直到鈍化層11的轉(zhuǎn)寫片1保存在空氣中。因此，對制造裝置不存在負擔并且降低了制造成本。現(xiàn)在將描述通過應(yīng)用上述實施方式制造的有才幾電致發(fā)光裝置的特征的評價結(jié)果。利用使用圖1所描述的該實施方式的轉(zhuǎn)寫片1，在使用圖2A和圖2B所描述的步驟中制造有機電致發(fā)光裝置(實施例)。此外，采用在轉(zhuǎn)寫片1的結(jié)構(gòu)中沒有設(shè)置鈍化層11的轉(zhuǎn)寫片，通過圖2A和圖2B所描述的步驟制造另一有機電致發(fā)光裝置(比較例)。在比4交例中，在真空下形成金屬材料層9之后，立即形成由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層13。對于實施例和比較例的有機電致發(fā)光裝置，在表1中示出了諸如發(fā)光效率和亮度半衰期(haifbrightnesslife)的裝置特征的測量結(jié)果。在表l中，當在比較例中的測量值為1時，示出了相對發(fā)光效率和相對亮度半衰期。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由表1顯而易見的是，利用本發(fā)明的設(shè)置了鈍化層，1的轉(zhuǎn)寫片l制造有機電致發(fā)光裝置，對于相對發(fā)光效率和相對亮度半衰期，由該發(fā)光裝置獲得的值提高。因此，證實了，通過應(yīng)用本發(fā)明可以在適當?shù)乇３洲D(zhuǎn)寫層的材料性能下進行轉(zhuǎn)寫。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以進行各種變形、組合、子組合以及改變，只要它們在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)或其等同范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種轉(zhuǎn)寫片，包括支撐基板；光熱轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述支撐基板上；以及鈍化層，設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)寫片，進一步包括由有才幾材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層，所述轉(zhuǎn)寫層設(shè)置在所述鈍化層的表面上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)寫片，其中，所述鈍化層通過使設(shè)置4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)寫片，其中，所述鈍化層通過使設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的金屬材沖+層的表面氧化而形成；并且所述金屬材料層由可形成鈍態(tài)并可與水分或氧或者與水分禾口氧兩者進4于反應(yīng)的金屬構(gòu)成,，5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)寫片，其中，所述鈍化層通過使包括鉛(Al)、鉻(Cr)、鐵(Fe)以及鎳(Ni)中的至少一種的金屬材料層的表面氧化而形成，所述金屬材料層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上。6.—種用于形成轉(zhuǎn)寫片的方法，包括以下步驟在支撐基板上形成光熱轉(zhuǎn)換層；以及在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成鈍化層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于形成轉(zhuǎn)寫片的方法，進一步包括以下步驟等離子清洗所述《屯化層的表面；以及在已經(jīng)進行所述等離子清洗的所述表面上形成由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于形成轉(zhuǎn)寫片的方法，其中，在所述形成所述鈍化層的步驟中，在所述光熱轉(zhuǎn)換層上形成金屬材料層并且通過氧化使所述金屬材料層的表面鈍化。9.一種用于制造顯示器的方法，包括以下步驟設(shè)置通過順序堆疊支撐基板、光熱轉(zhuǎn)換層、鈍化層以及由有機材料構(gòu)成的轉(zhuǎn)寫層而形成的轉(zhuǎn)寫片，使得所述轉(zhuǎn)寫層面向目標基板；以及通過/人所述支撐基板側(cè)發(fā)射光而將所述轉(zhuǎn)寫層轉(zhuǎn)寫至所述目標基4反。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造顯示器的方法，其中，所述鈍4匕而形成。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用亍制造顯示器的方法，其中，所述鈍化層通過使設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的金屬材并十層的表面氧化而形成；并且所述金屬材料層由可形成鈍態(tài)并且可與水分或氧或者與水分和氧兩者進行反應(yīng)的金屬構(gòu)成。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造顯示器的方法，其中，所述鈍化層通過使包括鋁(Al)、鉻(Cr)、鐵(Fc)以及鎳(Ni)中的至少一種的金屬材料層的表面氧化而形成，所述金屬材料層設(shè)置在所述光熱轉(zhuǎn)換層上,，全文摘要本發(fā)明披露了一種轉(zhuǎn)寫片及其形成方法。該轉(zhuǎn)寫片包括支撐基板、設(shè)置在支撐基板上的光熱轉(zhuǎn)換層以及設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層上的鈍化層。文檔編號H01L21/82GK101640185SQ20091016087公開日2010年2月3日申請日期2009年7月30日優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日發(fā)明者上田賢司,蟻坂裕一申請人:索尼株式會社