專利名稱：發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管，尤指一種可混光的發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是由半導(dǎo)體材料所制成的發(fā)光組件，組 件具有兩個(gè)電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電流，經(jīng)由電子電洞的結(jié)合可將剩余 能量以光的形式激發(fā)釋出，此即發(fā)光二極管的基本發(fā)光原理。發(fā)光二極管不同于一般白熾 燈泡，發(fā)光二極管是屬冷發(fā)光，具有耗電量低、組件壽命長(zhǎng)、無須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等 優(yōu)點(diǎn)，再加上其體積小、耐震動(dòng)、適合量產(chǎn)，容易配合應(yīng)用上的需求制成極小或陣列式的元 件，目前發(fā)光二極管已普遍使用于信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指示器與顯示裝置上，成 為日常生活中不可或缺的重要組件。目前大部分發(fā)光二極管于進(jìn)行封裝制程時(shí)，于封裝體涂布熒光粉。如此封裝體內(nèi) 會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力問題有鑒于上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，提供單一的混光晶粒，可直 接進(jìn)行封裝，有效減少被封裝的發(fā)光二極管內(nèi)所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一，是在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，使金屬襯墊暴露， 以方便日后進(jìn)行打線及封裝制程。本發(fā)明的目的之一，是在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，提供單一的混光 晶粒，可直接進(jìn)行封裝，有效減少被封裝的發(fā)光二極管內(nèi)所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明是一種發(fā)光二極管，是包含一發(fā)光二極管，包含至少一電極；至少一金屬襯墊，設(shè)于該電極；一熒光層，設(shè)于該發(fā)光二極管，并暴露該金屬襯墊；以及其中，該發(fā)光二極管所產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光透過該熒光層轉(zhuǎn)換為至少一種第二波 長(zhǎng)的光，以形成混光。本發(fā)明中，其中該熒光層的材料包含一熒光粉及一有機(jī)高分子材料。本發(fā)明中，其中該熒光粉的材料是選自紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉及上 述熒光粉的組合中擇其一者。本發(fā)明中，其中該發(fā)光二極管更包含一第一半導(dǎo)體層；一發(fā)光層，設(shè)于該第一半導(dǎo)體層；以及一第二半導(dǎo)體層，設(shè)于該發(fā)光層。本發(fā)明中，其中該第一半導(dǎo)體層為N型，該第二半導(dǎo)體層為P型。本發(fā)明中，其中該第一半導(dǎo)體層為P型，該第二半導(dǎo)體層為N型。本發(fā)明中，更包含一介電層，設(shè)于該發(fā)光二極管與該熒光層之間。
本發(fā)明中，其中該熒光層的形狀為梯形或倒梯形。本發(fā)明還同時(shí)公開了一種發(fā)光二極管的制造方法，是包含形成一發(fā)光二極管；形成至少一金屬襯墊于該發(fā)光二極管；以及形成一熒光層于該發(fā)光二極管，并暴露該金屬襯墊。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是以點(diǎn)膠方式形成該熒光層于該發(fā)
光二極管。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再 以點(diǎn)膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是以噴膠方式形成該熒光層于該發(fā)
光二極管。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再 以噴膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是以灌膠方式形成該熒光層于該發(fā)
光二極管。本發(fā)明中，其中形成該螢光層于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再 以灌膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。本發(fā)明中，其中該屏蔽的材料為有機(jī)高分子材料。本發(fā)明中，其中該屏蔽是利用黃光顯影制程制成。本發(fā)明中，其中該屏蔽是利用網(wǎng)版印刷制程制成。本發(fā)明中，其中該點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式的膠量比例是依據(jù)該發(fā)光二極管的光電 性點(diǎn)測(cè)而控制。本發(fā)明具有的有益效果本發(fā)明所提供的一種發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是包含 一發(fā)光二極管、至少一金屬襯墊及一熒光層，該發(fā)光二極管包含二電極，該金屬襯墊設(shè)于該 發(fā)光二極管的該電極。該熒光層設(shè)于該發(fā)光二極管，該熒光層未完全覆蓋于該金屬襯墊，使 該金屬襯墊暴露，以便于日后進(jìn)行打線及封裝制程。該熒光層直接轉(zhuǎn)換部份或全部該發(fā)光 二極管所產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光為至少一第二波長(zhǎng)的光。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制造方法，欲制造該發(fā)光二極管是先形成一發(fā)光二 極管，接著形成至少一金屬襯墊于該發(fā)光二極管的該電極，最后形成一熒光層于該發(fā)光二 極管，并暴露該金屬襯墊。


圖1是本發(fā)明的一較佳實(shí)例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的流程示意圖；圖3是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的形成發(fā)光二極管的流程示意圖；圖4A是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的流程示意圖；圖7是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；及
圖8是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的流程示意圖。圖號(hào)簡(jiǎn)單說明1發(fā)光二極管10發(fā)光二
101第一半導(dǎo)體層103發(fā)光層
105第二半導(dǎo)體層107電極
12金屬襯墊16熒光層
18介電層2承載器
3封裝膠
具體實(shí)施例方式為使對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，用以較佳的 實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說明，說明如下請(qǐng)參閱圖1，是本發(fā)明的一較佳實(shí)例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供一種 發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管1是包含一發(fā)光二極管10、至少一金屬襯墊12、及一熒光層16， 該發(fā)光二極管10包含電極107，本實(shí)施例的該金屬襯墊12的數(shù)量為兩個(gè)，該二金屬襯墊12 分別設(shè)于該電極107。該熒光層16設(shè)于該發(fā)光二極管10，該熒光層16未完全覆蓋于該二 金屬襯墊12，使該金屬襯墊12暴露，以便于日后進(jìn)行打線及封裝制程。該熒光層16直接轉(zhuǎn) 換部份或全部該發(fā)光二極管10所產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光為至少一第二波長(zhǎng)的光，以形成混 光。本實(shí)施例所提供的該發(fā)光二極管1即為一混光晶粒，可直接進(jìn)行封裝，不需于封裝體上 涂布熒光粉。其中該熒光層16的厚度大于30 μ m。而該熒光層16的材料包含一熒光粉及 一有機(jī)高分子材料，該熒光粉是選自紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉及上述熒光粉的 組合中擇其一者。上述發(fā)光二極管10更包含一第一半導(dǎo)體層101、一發(fā)光層103及一第二半導(dǎo)體層 105，該發(fā)光層103設(shè)于該第一半導(dǎo)體層101，該第二半導(dǎo)體層105設(shè)于該發(fā)光層103，而該 金屬襯墊12及該第二電極14設(shè)于該第二半導(dǎo)體層105，其中當(dāng)該第一半導(dǎo)體層101為P型 時(shí)，該第二半導(dǎo)體層105為N型；或者當(dāng)該第一半導(dǎo)體層101為N型時(shí)，該第二半導(dǎo)體層105 為P型。請(qǐng)一并參閱圖2，是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的流程示意圖。如圖所示，承圖1，圖1 提供一種發(fā)光二極管1，而本圖提供一種發(fā)光二極管1的制造方法，欲制造該發(fā)光二極管1 是先執(zhí)行步驟S10，形成一發(fā)光二極管10，其中該發(fā)光二極管10包含該電極107。請(qǐng)一并參 閱圖3，形成該發(fā)光二極管10的步驟更包含步驟S101，形成一第一半導(dǎo)體層101，接著執(zhí)行 步驟S103，形成一發(fā)光層103于該第一半導(dǎo)體層101，最后執(zhí)行步驟S105，形成一第二半導(dǎo) 體層105于該發(fā)光層103。完成步驟SlO后，執(zhí)行步驟S12，形成至少一金屬襯墊12于該發(fā)光二極管10的該 電極107，接著執(zhí)行步驟S14，形成一熒光層16于該發(fā)光二極管10，該熒光層16未完全覆蓋 于該金屬襯墊12，以暴露該金屬襯墊12，如此便于日后打線及封裝制程。而形成該熒光層16的步驟是利用點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式形成該熒光層16于該發(fā) 光二極管10。為了防止該熒光層16形成過程完全覆蓋于該金屬襯墊12及該第二電極14， 于利用點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式形成該熒光層16于該發(fā)光二極管10前，使用一屏蔽于該金屬襯墊12及該第二電極14，該屏蔽可將該金屬襯墊12及該第二電極14遮蔽起來，露出欲形 成該熒光層16的位置。該屏蔽是利用黃光微影制程或網(wǎng)版印刷制程制作，該屏蔽的材料為 有機(jī)高分子材料，如光阻劑。而該點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式的膠量比例是依據(jù)該發(fā)光二極管的 光電性點(diǎn)測(cè)而控制。請(qǐng)參閱圖4A及圖4B圖，是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖及本發(fā)明的另 一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，承圖1，本實(shí)施例亦提供一種發(fā)光二極管，本實(shí)施 例與上述實(shí)施例不同在于，該熒光層16可利用蝕刻方式改變?cè)摕晒鈱?6的形狀，該熒光層 16的形狀可為梯形或倒梯形。請(qǐng)參閱圖5，是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本實(shí)施例提供 一種發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管1是包含一發(fā)光二極管10、至少一金屬襯墊12、一介電層18 及一熒光層16，該發(fā)光二極管10包含電極107，該金屬襯墊12設(shè)于該發(fā)光二極管10的該 電極107。該介電層18設(shè)于該發(fā)光二極管10，并位于該金屬襯墊12的周圍。該熒光層16 設(shè)于該介電層18，并位于該金屬襯墊12的周圍。該熒光層16直接部份或全部轉(zhuǎn)換該發(fā)光 二極管10所產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光為至少一第二波長(zhǎng)的光，以形成混光。然而該熒光層16 未完全覆蓋于該金屬襯墊12，使該金屬襯墊12暴露，以便于日后進(jìn)行打線及封裝制程。而 且本實(shí)施例所提供的該發(fā)光二極管1即為一混光晶粒，可直接進(jìn)行封裝，不需于封裝體上 涂布熒光粉。其中該熒光層16的厚度大于30 μ m。其中該發(fā)光二極管10更包含一第一半 導(dǎo)體層101、一發(fā)光層103及一第二半導(dǎo)體層105。請(qǐng)一并參閱圖6，是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的流程示意圖。如圖所示，承圖5，圖 5提供一種發(fā)光二極管1，而本圖提供一種發(fā)光二極管1的制造方法，欲制造該發(fā)光二極管 1是先執(zhí)行步驟S10，形成一發(fā)光二極管10。接著執(zhí)行步驟S12，形成至少一金屬襯墊12于 該發(fā)光二極管10的該第二半導(dǎo)體層105，再執(zhí)行步驟S13，形成一介電層18于該發(fā)光二極 管10，然后執(zhí)行步驟S14，形成一熒光層16于該介電層18，該熒光層16未完全覆蓋于該金 屬襯墊12，以暴露該金屬襯墊12，如此便于日后打線及封裝制程。而形成該熒光層16的步驟是利用點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式形成該熒光層16于該發(fā) 光二極管10。為了防止該熒光層16形成過程完全覆蓋于該金屬襯墊12及該第二電極14， 于利用點(diǎn)膠、噴膠或灌膠方式形成該熒光層16于該發(fā)光二極管10前，使用一屏蔽于該金屬 襯墊12及該第二電極14，該屏蔽可將該金屬襯墊12遮蔽起來，露出欲形成該熒光層16的 位置。該屏蔽是利用黃光微影制程或網(wǎng)版印刷制程制作，該屏蔽的材料為有機(jī)高分子材料， 如光阻劑。請(qǐng)參閱圖7，是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，承圖1，圖1所 提供的該發(fā)光二極管1欲進(jìn)行封裝制程，該發(fā)光二極管1設(shè)于一承載器2，然后利用打線連 接該金屬襯墊12及該第二電極14，最后利用一封裝膠3覆蓋于該承載器2，并包覆該發(fā)光 二極管1，而該封裝膠3的材料為有機(jī)高分子材料，其更可包含熒光粉。該封裝膠3的有機(jī) 高分子材料與上述圖1的該熒光層16的有機(jī)高分子材料并不相同，而該封裝膠3與該熒光 層16亦非為同時(shí)間進(jìn)行制作，且兩者烘烤時(shí)間亦不同，可有效減少被封裝的該發(fā)光二極管 1所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。而本實(shí)施例的該封裝結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于圖5的實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖8，是本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的流程示意圖。如圖所示，承圖7，圖1所 提供的該發(fā)光二極管1欲進(jìn)行封裝制程的方法，先執(zhí)行步驟S16，設(shè)置一承載器2于該發(fā)光二極管1，并與該熒光層16相對(duì)，接著執(zhí)行步驟S 18，利用打線連接該金屬襯墊12及該第 二電極14，最后執(zhí)行步驟S19，利用一封裝膠3覆蓋于該承載器2，并包覆該發(fā)光二極管1。 本實(shí)施例所提供的封裝方法可用于圖5所提供的該發(fā)光二極管1，于此不再贅述。由上述可知，本發(fā)明是提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，本發(fā)明的特征在于使 金屬襯墊暴露，以方便日后進(jìn)行打線及封裝制程。另本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管即為單一 混光晶粒，直接進(jìn)行封裝即可，不須于封裝膠上涂布熒光粉，如此熒光層與封裝膠不為同時(shí) 進(jìn)行，而且為不同材料，如此有效減少被封裝的發(fā)光二極管內(nèi)所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。綜上所述，僅為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡 依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于 本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管，其特征在于，是包含一發(fā)光二極管，包含至少一電極；至少一金屬襯墊，設(shè)于該電極；一熒光層，設(shè)于該發(fā)光二極管，并暴露該金屬襯墊；以及其中，該發(fā)光二極管所產(chǎn)生的第一波長(zhǎng)的光透過該熒光層轉(zhuǎn)換為至少一種第二波長(zhǎng)的光，以形成混光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該熒光層的材料包含一熒光 粉及一有機(jī)高分子材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該熒光粉的材料是選自紅色 熒光粉、綠色熒光粉、藍(lán)色熒光粉及上述熒光粉的組合中擇其一者。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該發(fā)光二極管更包含 一第一半導(dǎo)體層；一發(fā)光層，設(shè)于該第一半導(dǎo)體層；以及 一第二半導(dǎo)體層，設(shè)于該發(fā)光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層為N型，該第 二半導(dǎo)體層為P型。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層為P型，該第 二半導(dǎo)體層為N型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，更包含一介電層，設(shè)于該發(fā)光二 極管與該熒光層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，其中該熒光層的形狀為梯形或倒 梯形。
9.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，是包含形成一發(fā)光二極管； 形成至少一金屬襯墊于該發(fā)光二極管；以及形成一熒光層于該發(fā)光二極管，并暴露該金屬襯墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層于 該發(fā)光二極管是以點(diǎn)膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層 于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再以點(diǎn)膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層于 該發(fā)光二極管是以噴膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層 于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再以噴膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層于 該發(fā)光二極管是以灌膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中形成該螢光層 于該發(fā)光二極管是先形成一屏蔽于該金屬襯墊，再以灌膠方式形成該熒光層于該發(fā)光二極
16.根據(jù)權(quán)利要求11、13或15所述的混光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該 屏蔽的材料為有機(jī)高分子材料。16.根據(jù)權(quán)利要求11、13或15所述的混光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該 屏蔽是利用黃光顯影制程制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求11、13或15所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該屏蔽 是利用網(wǎng)版印刷制程制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求10、12或14所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其中該點(diǎn) 膠、噴膠或灌膠方式的膠量比例是依據(jù)該發(fā)光二極管的光電性點(diǎn)測(cè)而控制。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管及其制造方法，該發(fā)光二極管是包含一發(fā)光二極管、至少一金屬襯墊及一熒光層。本發(fā)明的主要特征在于，使金屬襯墊暴露，以方便日后進(jìn)行打線及封裝制程。另一特征為本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管即為單一混光晶粒，直接進(jìn)行封裝即可，不須于封裝膠上涂布熒光粉，如此熒光層與封裝膠不為同時(shí)進(jìn)行，而且為不同材料，如此有效減少被封裝的發(fā)光二極管內(nèi)所產(chǎn)生的應(yīng)力問題。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101958373SQ20091015899
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月14日
發(fā)明者李佳霖, 林裕智, 潘錫明, 鄭惟綱, 黃國(guó)欽 申請(qǐng)人:璨圓光電股份有限公司