專利名稱：薄膜晶體管陣列構(gòu)件和有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
薄膜晶體管陣列構(gòu)件和有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法優(yōu)先權(quán)要求本申請引用早先于2008年5月6日提交韓國知識產(chǎn)權(quán)局并被正式分配 序列號No. 10-2008-0041867的申請，要求該申請的所有權(quán)益，并將該申請 合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本申請涉及具有簡化的制造工藝的薄膜晶體管(TFT)陣列構(gòu)件、具有 TFT陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造用于平板顯示器的TFT陣列構(gòu)件 的方法。
背景技術(shù)：
包括諸如薄膜晶體管、電容器和連接電子元件的導(dǎo)線之類的電子元件的 TFT陣列構(gòu)件被廣泛用于諸如液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光顯示裝置之類的平 板顯示裝置。 一般而言，為了形成包括TFT陣列構(gòu)件的精細(xì)圖案，使用其 上繪制有精細(xì)圖案的掩膜將精細(xì)圖案轉(zhuǎn)移到基板。光刻工藝通常用于使用掩膜來轉(zhuǎn)移圖案。根據(jù)光刻工藝，光刻膠被均勻 地涂覆在待形成圖案的基板上。在使用諸如步進(jìn)機(jī)之類的曝光設(shè)備將掩膜上 的圖案曝光之后，顯影被曝光的光刻膠。在光刻膠被顯影之后，執(zhí)行諸如使 用剩余的光刻膠作為掩膜來蝕刻圖案，然后去除不需要的光刻膠之類的 一 系 列工藝。在使用掩膜轉(zhuǎn)移圖案的過程中，由于需要具有必要圖案的掩膜，因此隨 著使用掩膜的工藝的數(shù)目增加，制造成本會因掩膜的準(zhǔn)備而增加。而且，由 于需要上述復(fù)雜的工藝，因此總體制造工藝復(fù)雜，且制造時(shí)間增加，因而增 加了制造成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可以使用較少的光刻掩膜制作而成的TFT陣列構(gòu)件、 有機(jī)發(fā)光平板顯示裝置以及TFT陣列構(gòu)件和有機(jī)發(fā)光平板顯示裝置的制造 方法，從而得到簡化的且成本較低的制造工藝以及改進(jìn)的設(shè)計(jì)。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供一種TFT陣列構(gòu)件，所述TFT陣列構(gòu)件包括 基板；以圖案布置在所述基板上的TFT的有源層和電容器的第一電極，所 述有源層和所述第一電極由相同的材^牛構(gòu)成并且4皮此分開一距離，所述有源 層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；分開布置在所述有源層和所述第一電極上的第 一絕緣層；布置在所述第一絕緣層上的柵電極和第二電極，所述柵電極和所 述第二電極被布置在同一層上并且由相同的材料構(gòu)成，所述柵電極被布置為 與所述有源層的溝道區(qū)相對應(yīng)，所述第二電極4皮布置為與所述第一電極相對 應(yīng)；布置在所述基板、所述第一絕緣層、所述柵電極和所述第二電極上的第 二絕緣層，所述第二絕緣層由用于暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔穿 過；布置在所述接觸孔內(nèi)并分別提供與所迷有源層的源區(qū)和漏區(qū)的電連接的 源電極和漏電極；布置在所述第二絕緣層上并與所述源電極和所述漏電極之 一連接的像素電極；以及布置在所述第二絕緣層上與所述第二電極對應(yīng)的位 置處的第三電極，所述第三電極由與所述源電極、所述漏電極和所述像素電 極中的每一個(gè)相同的材料構(gòu)成。TFT陣列構(gòu)件還可以包括布置在所述第二絕緣層、所述像素電極的邊緣 部分、所述源電極和所述漏電極以及所述第三電極上的^f象素限定層。所述 TFT的有源層和所述電容器的第一電極由通過晶體化非晶硅而產(chǎn)生的多晶 硅構(gòu)成。所述TFT的有源層的末端部分與所述TFT的第一絕緣層的末端部 分的形狀相同。所迷電麥器的第一電極、第一絕緣層和第二電極中每一個(gè)的 末端部分的形狀都相同。所述TFT陣列構(gòu)件還可以包括布置在所述基板上 的緩沖層。所述第二絕緣層的厚度可以大于所述第一絕緣層的厚度。所述第 二絕緣層的頂面可以基本上是平的。所述像素電極可以包括透光材料。所述像素電極可以包括,人氧化銦錫UTO)、氧化銦鋅(IZO) 、 ZnO和ln203 所組成的組中選^f奪的至少 一種材料。所述像素電極可以包括布置在所述第二絕緣層上的反射材料層和布置 在所述反射材料層上的透光材料層。所述像素電極的反射材料層可以包括從 Al、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所組成的組中選4奪的至少 一種材料。所述像素電極的透光材料層可以包括從氧化銦錫(ITO)、氧化 銦鋅(IZO) 、 ZnO和111203所組成的組中選擇的至少一種材料。所述電容 器的第三電極可以包括由與所述像素電極的反射材料層相同的材料構(gòu)成的 第一層；由與所述像素電極的透光材料層相同的材料構(gòu)成的第二層；和由與 所述源電極和所述漏電極的頂層相同的材料構(gòu)成的第三層。所述電容器的第 三電極的第一層、第二層和第三層中每一層的末端部分的形狀可以都相同。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示 裝置包括包括布置在以上所述的TFT陣列構(gòu)件的像素電極上的有機(jī)發(fā)光 層的中間層；和布置在所述中間層上的公共電極。所述顯示裝置還可以包括 布置在所述第二絕緣層、所述像素電極的邊緣、所述源電極和漏電極以及所 述第三電極上的像素限定層。所述顯示裝置還可以包括用于密封所述有機(jī)發(fā) 光層的密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)被布置在所述公共電極上。所述顯示裝置可 以是所述有機(jī)發(fā)光層內(nèi)的光通過所述基板透射出去以被觀看的底部發(fā)射顯 示裝置。所述像素電極可以包括布置在所述第二絕緣層上的反射材料層和 布置在所述反射材料層上的透光材料層。所述顯示裝置可以是所述有機(jī)發(fā)光 層內(nèi)的光從所述基板離開以被觀看的頂部發(fā)射顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種制造TFT陣列構(gòu)件的方法，該方法 包括在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上沉積第一絕緣層和第一導(dǎo) 電層；通過第一掩膜工藝同時(shí)圖案化所述半導(dǎo)體層、所述第一絕緣層和所述 第一導(dǎo)電層，形成TFT的有源層、柵絕緣層和柵電極以及電容器的第一電 極、第一介電層和第二電極；在所述基板上沉積第二絕緣層；通過第二掩膜 工藝在所述第二絕緣層中形成接觸孔，暴露所述TFT的有源層的源區(qū)和漏區(qū)的部分；通過在所述第二絕緣層上和所述接觸孔中依次沉積第二導(dǎo)電層和 第三導(dǎo)電層，形成與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的電接觸；以及通過第三掩膜 工藝同時(shí)圖案化所述第二導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層，形成所述TFT的源電 極、漏電極和像素電極以及所述電容器的第三電極。該方法可以進(jìn)一步包括在所述源電極、漏電極、像素電極、第三電極上 和所述第二絕緣層的暴露部分上沉積第三絕緣層；以及通過第四掩膜工藝圖 案化所述第三絕緣層，暴露所述像素電極。所述半導(dǎo)體層的形成可以包括 在所述基板上沉積非晶硅層；和通過晶體化所述非晶硅層產(chǎn)生多晶硅。所述 第 一掩膜工藝可以使用在分別與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)對應(yīng)的位置處包 括半透光部分的第一半色調(diào)掩膜。所述TFT的柵絕緣層和所述電容器的第 一介電層可以在通過所述第一掩膜工藝圖案化之后彼此完全分開。所制造的 顯示裝置還可以具有在所述基板與所述半導(dǎo)體層之間的緩沖層。所述方法還 可以包括使用柵電極作為摻雜掩膜向所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)中摻入雜質(zhì)。 所述第三掩膜工藝可以使用在與所述像素電極對應(yīng)的位置處包括半透光部 分的第二半色調(diào)掩膜。第四導(dǎo)電層還可以被布置在所述第二導(dǎo)電層與被所述 接觸孔穿過的所述第二絕緣層之間，并且所述源電極、所述漏電極和所述第 三電極中的每一個(gè)可以包括所述第四導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo) 電層中每一個(gè)的部分，所述像素電極可以包括所述第四導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo) 電層的部分。所述第四導(dǎo)電層可以包括從Al、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所組成的組中選擇的至少 一種材料。根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述 方法包括在如前所述的制造的TFT陣列構(gòu)件上形成包括有機(jī)發(fā)光層的中 間層；和在所述中間層上形成公共電極。該方法可以在形成中間層之前進(jìn)一 步包括以下步驟在所述源電極、漏電極、像素電極、笫三電極上和所述第 二絕緣層的暴露部分上沉積第三絕緣層；以及通過第四掩膜工藝圖案化所述 第三絕緣層，暴露所述像素電極。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，本發(fā)明的更完整的認(rèn)知和其諸多附加優(yōu)點(diǎn)將通過參 考以下詳細(xì)描述而變得更好理解，因而將更加明顯，附圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的組件，其中圖1 - 11為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造TFT陣列構(gòu)件的方法和TFT陣列構(gòu)件的截面圖；圖12-14為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有TFT陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光顯 示裝置和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；并且圖15 - 19為示出根據(jù)本發(fā)明另 一 實(shí)施例的具有TFT陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā) 光顯示裝置和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。
具體實(shí)施方式
下文中，將參考示出本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。 本領(lǐng)域技術(shù)人員會認(rèn)識到，可以以均不超出本發(fā)明的精神或原理的范圍的多 種不同的方式對所描述的實(shí)施例進(jìn)行修改。請認(rèn)識到，附圖中所示的組成部件的尺寸和厚度是為了更好的理解和描 述的方便而任意給出的，本發(fā)明并不限于所示出的尺寸和厚度。為了清晰起見，放大了附圖中層、膜、面板和區(qū)域等的厚度。在申請文 件中，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)提到諸如層、 膜、區(qū)域或基板之類的元件在另一元件上時(shí)，它可以直接在其它元件之上， 或者也可以存在中間元件?？商鎿Q地，當(dāng)提到一元件直接在另一元件上時(shí)， 則不存在中間元件。為了闡明本發(fā)明，將對本說明書來說無關(guān)緊要的元件從本說明書的細(xì)節(jié) 中省略，并且在申請文件中，相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。在幾個(gè)示例性實(shí)施例中，使用相同的附圖標(biāo)記在第 一示例性實(shí)施例中代表性地描述具有相同結(jié)構(gòu)的組成元件，而在其它實(shí)施例中僅描述與第一示例性實(shí)施例中所描述的組成元件不同的組成元件?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖1-11,圖1- 10為按順序示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造 TFT陣列構(gòu)件的方法的截面圖，并且圖11為示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件的截面圖。參見圖1-11,根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件 包括基板10、緩沖層ll、第二絕緣層15、 TFT 20、電容器30和像素電極 45?；錓O可由Si02作為主要成分的透明玻璃材料制成?？商娲?，基板 10可由不透明材料或諸如塑料部件之類的其它材料制成。然而，對于圖像 被體現(xiàn)在基板IO側(cè)的底部發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置來說，基板10必須由透明材料制成。緩沖層11可以被提供在基板10的上表面上，以促進(jìn)基板10的水平度 并防止雜質(zhì)的侵入?？梢允褂?11203和/或SiNx通過諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積(PECVD )技術(shù)、常壓CVD ( APCVD ) 4支術(shù)和低壓CVD ( LPCVD ) 技術(shù)之類的各種沉積技術(shù)來沉積緩沖層11。現(xiàn)在參見圖1,半導(dǎo)體層12、第一絕緣層13和第一導(dǎo)電層14被依次形 成在緩沖層11之上。半導(dǎo)體層12通過沉積非晶硅并將所沉積的非晶硅晶體 化為多晶硅制作而成。非晶硅可以通過諸如快速熱退火(RTA)技術(shù)、準(zhǔn)分 子激光退火(ELA)技術(shù)、金屬誘導(dǎo)晶體化(MIC)技術(shù)、金屬誘導(dǎo)橫向晶 體化(MILC)技術(shù)或連續(xù)側(cè)向結(jié)晶(SLS)技術(shù)之類的各種技術(shù)被晶體化。 如上由非晶硅制成的半導(dǎo)體層12被圖案化為將在后面描迷(請參見圖11) 的TFT 20的有源層21和電容器30的第一電極31。在半導(dǎo)體層12上沉積第一絕緣層13。第一絕緣層13可以通過使用 PECVD技術(shù)、.APCVD技術(shù)或LPCVD技術(shù)中的任意一種沉積諸如SiNx或 SiOx之類的無機(jī)絕緣層制作而成。第一絕緣層13介于TFT 20的有源層21 與柵電極23之間，并充當(dāng)TFT 20的柵絕緣層22。而且，第一絕緣層13介 于第一電極31與第二電極'33之間，并充當(dāng)電容器30的第一介電層32。在第一絕緣層13上沉積第一導(dǎo)電層14。第一導(dǎo)電層14可以通過各種 沉積方法;兄積乂人Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr、 Li、 Ca、Mo、 Ti、 W、 MoW和Al/Cu所組成的組中選擇的一種或多種導(dǎo)電材^l"制作 而成。第一導(dǎo)電層14充當(dāng)TFT20的柵電極23，并充當(dāng)電容器30的第二電 極33?，F(xiàn)在參見圖2，在圖1的結(jié)構(gòu)的上表面上涂覆光刻膠。然后，通過預(yù)烘 焙或軟烘焙光刻膠來去除溶劑，以形成第一光刻膠層Pl。準(zhǔn)備好其上繪制 有預(yù)定圖案的第一掩膜Ml,并將第一掩膜M1對準(zhǔn)到基板10，以圖案化第 一光刻膠層P1。第一掩膜Ml是包括透光部分Mll、擋光部分M12a和M12b以及半透 光部分M13a和M13b的半色調(diào)掩膜。透光部分Ml 1透射預(yù)定波長的光，擋 光部分M12a和M12b阻擋入射光，而半透光部分M13a和M13b透射入射 光的一部分。圖2中所示的第一掩膜M1是概念上的，以便解釋掩膜各部分的功能。 實(shí)際上，第一掩膜M1可以預(yù)定圖案形成在諸如石英Qz之類的透明基板上。 在這種情況下，通過使用諸如Cr或Cr02之類的材料對石英基板進(jìn)行圖案化 來形成擋光部分M12a和M12b。通過調(diào)節(jié)使用Cr、 Is、 Mo、 Ta和Al中至 少一種材料的組成成分的比率或厚度，半透光部分M13a和M13b能夠控制 入射光的透光率。通過將上述圖案化后的第一掩膜Ml對準(zhǔn)到基板10并向第一光刻膠層 Pl輻照預(yù)定波長的光來執(zhí)行曝光。參見圖3,在第一光刻膠層P1的膝光部 分被去除后，剩余第一光刻膠層Pl的圖案。盡管在本實(shí)施例中，使用了曝 光部分被去除的正性光刻膠(正性PR),但是本發(fā)明不限于此，而是可以 替代性地使用負(fù)性光刻膠(負(fù)性PR )。在圖3中，.第一光刻膠層P1中與第一掩膜M1的透光部分M11對應(yīng)的 光刻膠部分Pll被去除。第一光刻膠層Pl中與擋光部分M12a和M12b對 應(yīng)的光刻膠部分P12a和P12b以及第一光刻膠層Pl中與半透光部分M13a 和M13b對應(yīng)的光刻膠部分P13a和P13b仍然存在。與半透光部分M13a和 M13b對應(yīng)的光刻"交部分P13a和P13b的厚度小于與擋光部分M12a和M12b對應(yīng)的光刻膠部分P12a和P12b的厚度。光刻膠部分P13a和P13b的厚度可 以通過改變形成掩膜Ml的半透光部分M13a和M13b的圖案的材料的成分 比率或厚度來調(diào)節(jié)。通過使用米刻膠部分P12a、 P12b、 P13a和P13b作為蝕刻掩膜利用蝕刻 設(shè)備，來蝕刻基板IO之上的半導(dǎo)體層12、第一絕緣層13和第一導(dǎo)電層14。 蝕刻工藝可以通過諸如濕法蝕刻和干法蝕刻之類的多種技術(shù)來執(zhí)行?，F(xiàn)在參見圖4,在第一次獨(dú)刻工藝期間，沒有光刻膠層存在的部分Pll 的半導(dǎo)體層12、第一絕緣層13和第一導(dǎo)電層14被蝕刻掉。盡管與圖3的 半透光部分M13a和M13b對應(yīng)的光刻膠部分P13a和P13b也被蝕刻掉，但 是下層結(jié)構(gòu)保持完整。半導(dǎo)體層12、第一絕緣層13和第一導(dǎo)電層14的下 層結(jié)構(gòu)在被圖案化時(shí)分別成為TFT 20的有源層21、柵絕緣層22和柵電極 23，并且分別成為電容器30的第一電極31、第一介電層32和第二電極33。 與擋光部分M12a和M12b對應(yīng)的光刻l交部分P12a和P12b的部分在第一次 蝕刻之后仍然存在，并將在第二次蝕刻期間被用作蝕刻掩膜。現(xiàn)在參見圖5,在第二次蝕刻工藝之后，圖4的光刻膠部分P12a和P12b 被完全蝕刻掉。具體來說，光刻膠部分P12a下面的第一導(dǎo)電層14的部分不 會被蝕刻掉，從而使柵電極23可以被形成為與有源層21的中間部分對應(yīng)。在圖5中，由于使用相同的掩膜M1在相同的結(jié)構(gòu)上同時(shí)圖案化TFT20 的有源層21、柵絕緣層22和柵電極23以及電容器30的第一電極31、第一 介電層32和第二電極33，因此TFT 20的有源層21和電容器30的第一電 極31被形成在同一層上并由相同的材料制成，并且TFT 20的斥冊電極23和 電容器30的第二電極33也由同一層形成并由相同的材料制成。而且，由于使用相同的掩膜M1同時(shí)圖案化TFT20的有源層21、柵絕 緣層22和柵電極23以及電容器30的第一電極31、第一介電層32和第二 電極33，因此由TFT20的有源層21和柵絕緣層22形成的末端部分的形狀 相同，并且由電容器30的第一電極31、第一介電層32和第二電極33形成 的末端部分的形狀相同。由于TFT 20與電容器30之間的第一光刻膠層P1通過第一掩膜M1的 透光部分Mil直接曝光，以便在顯影之后并在蝕刻之前被完全去除，因此 TFT 20與電容器30之間的結(jié)構(gòu)在第 一次蝕刻工藝期間同時(shí)都被去除。這樣， 由于第 一絕緣層13完全從TFT 20與電容器30之間的空間中去除，因此TFT 20的柵絕緣層22和電容器30的第一介電層32在圖案化之后即被彼此完全 分開。而且，盡管在圖5中未詳細(xì)示出，但通過使用柵電極23作為摻雜掩 膜注入N+或P+雜質(zhì)，形成包括源區(qū)21a、漏區(qū)21c和溝道區(qū)21b的有源層 21。現(xiàn)在參見圖6,在作為第一次掩膜工藝的結(jié)果的圖5的結(jié)構(gòu)上沉積第二 絕緣層15。在第二絕緣層15的上表面上形成第二光刻膠層P2，然后將第二 掩膜M2對準(zhǔn)在第二光刻膠層P2上。與第一絕緣層13相同，第二絕緣層15也可以通過諸如PECVD技術(shù)、 APCVD技術(shù)和LPCVD技術(shù)之類的技術(shù)沉積諸如SiNx或Si(X之類的無機(jī)絕 緣層而形成。另夕卜，第二絕緣層15可以包括諸如SiON、 A1203、 Ti02、 Ta205、 HF02、 Zr02、鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈥酸鉛(PZT)之類的無才兒絕緣層。而 且，第二絕緣層15可以由混合沉積體制成，其中諸如苯酚類聚合物衍生物 (phenol based polymer derivative )、 丙烯酸類聚合物(acryl based polymer) 和酰胺類聚合物(amide based polymer)之類的有機(jī)絕緣層與無機(jī)絕緣層交 替沉積。第二絕緣層15被形成為比第一絕緣層13厚。第二絕緣層15的表 面被形成為平的，從而使即將形成在第二絕緣層15上的像素電極的界面也 是平的。第二絕緣層15作為TFT 20的第二絕緣層，并且介于將在后面描述的 TFT 20的柵電極23與源電極25和漏電極26之間。而且，第二絕緣層15 介于電容器30的第二電極33與第三電極35之間，并且充當(dāng)電容器30的第 二介電層。案的第二掩膜M2，并將第二掩膜M2對準(zhǔn)到基板10,以圖案化第二光刻膠 層P2。第二掩膜M2包括透光部分M21和擋光部分M22。透光部分M21透射 預(yù)定波長的光，而擋光部分M22阻擋光。透光部分M21包括與有源層21 的源區(qū)21a和漏區(qū)21c的預(yù)定空間相對應(yīng)的圖案。第二光刻膠層P2使用第 二掩膜M2被曝光，然后被顯影，因而可以使用剩余的光刻膠圖案作為蝕刻 掩膜來執(zhí)行蝕刻工藝。現(xiàn)在參見圖7，作為使用第二掩膜M2的上述工藝的結(jié)果，在第二絕緣 層15中制作用于暴露源區(qū)21a和漏區(qū)21c中每一個(gè)的一部分的接觸孔24。現(xiàn)在參見圖8,在作為第二次掩膜工藝的結(jié)果的圖7的結(jié)構(gòu)上依次沉積 第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17。第二導(dǎo)電層16可以包括從諸如氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鋅(IZO) 、 ZnO或111203之類的透明材料中選擇的具有高 功函數(shù)的至少一種材料。第二導(dǎo)電層16是將在后面描述的電容器30的第三 電極35和TFT陣列構(gòu)件的像素電極45中每一個(gè)的一部分。第三導(dǎo)電層17通過各種沉積技術(shù)中的一種沉積乂人Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr、 Li、 Ca、 Mo、 Ti、 W、 MoW和Al/Cu所組成的 組中選擇的一種或多種導(dǎo)電材料而形成。第三導(dǎo)電層17也是將在后面描述 的電容器30的第三電極35和TFT 20的源電極25和漏電極26中每一個(gè)的 一部分。現(xiàn)在參見圖9，在圖8的結(jié)構(gòu)的上表面上涂覆光刻膠。然后，通過預(yù)烘 焙或軟烘焙光刻膠來去除溶劑，以形成第三光刻膠層P3。準(zhǔn)備好其上繪制 有預(yù)定圖案的第三掩膜M3，并將第三掩膜M3對準(zhǔn)到基板10，以圖案化第 三光刻膠層P3。第三掩膜M3是包括透光部分M31、擋光部分M32和半透光部分M33 的半色調(diào)掩膜。透光部分M31透射預(yù)定波長的光，擋光部分M32阻擋入射 光，而半透光部分M33透射入射光的一部分。將其上繪制有上述圖案的第 三掩膜M3對準(zhǔn)到基板10,并通過向第三光刻膠層P3輻照預(yù)定波長的光來執(zhí)行曝光?，F(xiàn)在參見圖10,該圖示意性示出在用于去除第三光刻膠層P3的曝光部 分的顯影工藝之后剩余的光刻膠的圖案。盡管在本實(shí)施例中使用了曝光部分 被去除的正性PR,但本發(fā)明不限于此，而是可以替代性地使用負(fù)性PR。在圖10中，第三光刻膠層P3中與第三掩膜M3的透光部分M31對應(yīng) 的光刻膠部分P31在顯影之后即被去除。第三光刻膠層P3中與擋光部分 M32對應(yīng)的光刻膠部分P32a、 P32b和P32c以及第三光刻J交層P3中與半透 光部分M33對應(yīng)的光刻膠部分P33仍然存在。與半透光部分M33對應(yīng)的光 刻膠部分P33的厚度小于與擋光部分M32對應(yīng)的光刻膠部分P32a、 P32b和 P32c的厚度。與半透光部分M33對應(yīng)的光刻膠部分P33的厚度可以通過改 變形成掩膜M3的半透光部分M33的圖案的材料的成分比率或厚度來調(diào)節(jié)。通過使用光刻膠部分P32a、 P32b和P32c作為蝕刻掩膜利用蝕刻設(shè)備來 蝕刻基板10上的第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17。沒有光刻膠層存在的光 刻膠部分P31的結(jié)構(gòu)首先^皮蝕刻掉，光刻膠部分P32a、 P32b、 P32c和P33 的剩余部分沿光刻膠層的厚度方向被部分蝕刻。盡管圖IO中未示出，但與使用第一掩膜Ml的處理相同，在第一次蝕 刻工藝期間，與沒有光刻膠層存在的光刻膠部分P31對應(yīng)的第二導(dǎo)電層16 和第三導(dǎo)電層17被完全蝕刻掉。雖然與半透光部分M33對應(yīng)的光刻膠部分 P33也被蝕刻，但是作為光刻膠部分P33下面的結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層16和第 三導(dǎo)電層17仍然存在。而且，由于與擋光部分M32對應(yīng)的光刻膠部分P32a、 P32b 、 P32c在第一次蝕刻工藝之后剩余預(yù)定的厚度，因此可以使用光刻膠 部分P32a、 P32b、 P32c作為蝕刻掩膜執(zhí)行第二次蝕刻工藝?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖11,圖11示意性示出執(zhí)行第二次蝕刻工藝之后TFT陣列構(gòu) 件的結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在參見圖11，與半透光部分M33對應(yīng)的區(qū)域中的第三導(dǎo)電層 17被蝕刻并且被去除，從而圖案化第二導(dǎo)電層16的金屬，因此形成像素電 極45。由于在第一次蝕刻工藝之后，與擋光部分M32對應(yīng)的光刻月交部分 P32a、 P32b 、 P32c剩余預(yù)定的厚度，因此第二導(dǎo)電層16的部分25-1、 26-1和35-1以及第三導(dǎo)電層17的部分25-2、 26-2和35-2保留，并成為TFT 20 的源電才及25和漏電極26以及電容器30的第三電極35。盡管圖11中未示出，但是連接TFT 20的源電極25或漏電極26和電容 器30的第二電極33的導(dǎo)線或接觸孔可以在不增加本發(fā)明所需的掩膜數(shù)目且 不超出基板10的情況下形成。而且，連接電容器30的第一電極31和第三 電極35的導(dǎo)線或接觸孔可以在不增加本發(fā)明所需的掩膜數(shù)目且不超出基板 10的情況下形成。盡管電容器30的第一電極31中并不摻有諸如N+或P+ 之類的雜質(zhì)，但可以通過將施加到第一電極31的電壓調(diào)節(jié)到使電容器的電 容飽和的范圍內(nèi)，來使半導(dǎo)體層12充當(dāng)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)電容器 的電極。根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列構(gòu)件，由于具有上述結(jié)構(gòu)的基板可以使用最小 數(shù)目的掩膜制造而成，因此成本會因?yàn)檠谀?shù)目的減少和制造工藝的簡化而 降低。而且，通過形成包括三個(gè)電極和兩個(gè)介電層的電容器，可以在不增大 電容器面積的情況下增加電容器的電容。現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖12-14，圖12-13為按順序示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施 例的圖14的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖，其中有機(jī)發(fā)光顯示裝置具 有圖ll的TFT陣列構(gòu)件。圖14為示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā) 光顯示裝置的截面圖。通過執(zhí)行圖12和13所示的、相對于圖1 - 11所示的 制造TFT陣列構(gòu)件的工藝所獲得的結(jié)果來說的后續(xù)工藝，制造根據(jù)本實(shí)施 例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置?，F(xiàn)在參見圖14,根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板10、緩沖 層11、第二絕緣層15、 TFT20、電容器30、像素電極45、像素限定層46、 包括有機(jī)發(fā)光層47的中間層48以及公共電極49。因?yàn)橐陨弦呀?jīng)在圖1 - 11 中對基板IO、緩沖層11、第二絕緣層15、 TFT 20、電容器30和像素電極 45進(jìn)行了描述，因此其描述將在以下描述中省略?，F(xiàn)在參見圖12,在圖11的上述結(jié)構(gòu)的上表面上形成第三絕緣層19,并 將第四掩膜M4對準(zhǔn)到基板10。第三絕緣層19可以通過使用旋轉(zhuǎn)涂覆技術(shù)由從聚酰亞胺(polyimide )、聚酰胺(polyamide )、丙蜂酸樹月旨(acryl resin)、 苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene )和酚醛初于月旨(phenol resin)所組成的組中 選擇的一種或多種有機(jī)絕緣材料制成。第三絕緣層19不僅可以由上述有機(jī) 絕緣材料制成，而且還可以由諸如第一絕緣層13中和第二絕緣層15中所使 用的無機(jī)絕緣材料制成。第三絕緣層19充當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素限定 層(PDL) 46,有機(jī)發(fā)光顯示裝置將在描述使用第四掩膜M4進(jìn)行的蝕刻工 藝之后進(jìn)行描述。第四掩力菱M4包括在與〗象素電極45對應(yīng)的位置處的透光部分M41和剩 余區(qū)域中的擋光部分M42。當(dāng)向第四掩膜M4輻照光時(shí)，第三絕緣層19中 光到達(dá)的部分的有才幾絕緣材料可以通過干法蝕刻纟支術(shù)直接;故去除。在以上所 述的第一至第三掩膜工藝中，光刻膠層被沉積、曝光并顯影，使用顯影后的 光刻膠層作為掩膜對下層結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖案化。然而在本實(shí)施例中，當(dāng)使用有機(jī) 絕緣材料時(shí)，第三絕緣層19可以在不使用光刻膠層的情況下直接被干法蝕 刻?，F(xiàn)在參見圖13,第三絕緣層19被蝕刻以形成開口 ，使像素電極45被 暴露，從而形成限定像素的像素限定層46。而且，由于像素限定層46具有 預(yù)定的厚度，因此^f象素電極45的邊緣與/>共電才及49之間的間隔-波增加。這 樣就防止電場聚集在像素電極45的邊緣處，乂人而可以防止^象素電極45與公 共電才及49之間的短路。現(xiàn)在參見圖14,包括有機(jī)發(fā)光層47的中間層48和公共電極49形成在 像素電極45和被圖案化的像素限定層46上。有機(jī)發(fā)光層47響應(yīng)于像素電 極45和公共電極49的電驅(qū)動而發(fā)光。小分子或聚合體有機(jī)材料可以被用于 有機(jī)發(fā)光層47。當(dāng)有機(jī)發(fā)發(fā)光層47由小分子有機(jī)材料制成時(shí)，中間層48可以由在相對 于有機(jī)發(fā)光層47朝向像素電極45的方向上的空穴傳輸層(HTL)和空穴注 入層(HIL)以及在朝向公共電極49的方向上的電子傳輸層(ETL)和電子 注入層(EIL)構(gòu)成。另外，如果需要則還可以沉積其它的各種層。可以使用諸如銅酞菁(CuPc) 、 N，N-二 (萘-l-基)-N，N-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)和 八羥基喹啉鋁(Alq3)之類的各種有機(jī)材料。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層47由聚合體有機(jī)材料制成時(shí)，中間層48可以僅由在相對 于有機(jī)發(fā)光層47朝向像素電極45的方向上的空穴傳輸層(HTL)構(gòu)成。HTL 可以通過噴墨打印或旋轉(zhuǎn)涂覆技術(shù)，由聚(2,4)-亞乙基-二氬p塞吩(PEDOT) 或聚苯胺(PANI)形成在像素電極45的上表面上。聚亞苯基乙烯撐(PPV) 類或聚芴類的聚合物有機(jī)材料可以被用作有機(jī)材料。彩色圖案可以通過諸如 噴墨打印或旋轉(zhuǎn)涂覆之類的典型技術(shù)或通過使用激光的熱轉(zhuǎn)移技術(shù)形成。在包括有機(jī)發(fā)光層47的中間層48上沉積作為相對電極的公共電極49。 在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，像素電極45可以作為陽極，公共 電極49可以作為陰極，然而這些電極的極性可以替代性地#1反轉(zhuǎn)，并且這 種情況仍然在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是圖像被體現(xiàn)在朝向基板10的方向上的底部發(fā)射 型時(shí)，像素電極45是透明的，且公共電極49具有反射作用。反射電極可以 通過很薄地沉積諸如Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr、 Li、 Ca、 LiF/Ca或其組合物之類的具有低功函數(shù)的金屬而形成。盡管在圖14中未示 出，但是用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光層47不被外部水汽和氧氣損壞的密封構(gòu)件(未 示出)和吸水材料(未示出)可以進(jìn)一步形成在公共電極49上。由于以上所述的本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以使用最小數(shù)目的掩 膜制造而成，因此制造成本會因掩膜數(shù)目的減少和制造工藝的簡化而降低。 而且，因?yàn)殡娙萜鞅痪唧w實(shí)現(xiàn)為具有三個(gè)電極和兩個(gè)介電層，所以電容器的 電容可以在不增大電容器尺寸的情況下被增加。因此，對于像素電極是透明 的并且圖像被體現(xiàn)在朝向基板10的方向上的底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置 來說，可以防止開口率的減小?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖15-19,圖15-19為示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造圖 11的TFT陣列構(gòu)件的另 一方法和完成后的具有TFT陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光顯 示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。現(xiàn)在參見圖15-19,與先前描述的實(shí)施例的圖11-14的TFT陣列構(gòu)件相比，根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件在形成像素電極 45，、源電極25，和漏電極26，以及電容器的第三電極35，的導(dǎo)電層方面具有不 同的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在參見圖15和19,與圖8的結(jié)構(gòu)相比，第四導(dǎo)電層18被進(jìn)一步沉 積在第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17下面。也就是說，在本實(shí)施例中，第四 導(dǎo)電層18、第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17被依次沉積在圖7的結(jié)構(gòu)上。 本實(shí)施例的第四導(dǎo)電層18可以包括從A1、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所組成的組中選擇的一種或多種材料。第四導(dǎo)電層18成為像素 電極45，(見圖19)的部分45-2、源電極25，的部分25-3和漏電極26，的部 分26-3以及電容器的第三電極35，的部分35-2,如圖19所示。
正如圖11-14的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層16可以包括/人ITO、 IZO、 ZnO 和111203所組成的組中選擇的具有高功函數(shù)的至少一種透明材料。第二導(dǎo)電 層16隨后成為像素電極的部分45-1、源電極25，的部分25-1和漏電極26， 和部分26-l以及電容器的第三電極的部分35-1,如圖19中所示。第三導(dǎo)電 層17可以包括,人Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr、 Li、 Ca、 Mo、 Ti、 W、 MoW和Al/Cu所組成的組中選擇的至少一種導(dǎo)電材料。第三 導(dǎo)電層17隨后成為源電極25'的部分25-2和漏電極26，的部分26-2以及電 容器的第三電極35，的部分35-3,如圖19所示。
現(xiàn)在參見圖16,在圖15的結(jié)構(gòu)的上表面上涂覆光刻膠之后，通過預(yù)烘 焙或軟烘焙光刻膠來去除溶劑，從而形成第三光刻膠層P3，。準(zhǔn)備好其上繪 制有預(yù)定圖案的第三掩膜M3',并且將第三掩膜M3，對準(zhǔn)到基板10,以圖案 化第三光刻膠層P3'。
第三掩膜M3，是包括透光部分M31，、擋光部分M32，和半透光部分M33' 的半色調(diào)掩膜。透光部分M31'透射預(yù)定波長的光，擋光部分M32，阻擋入射 光，而半透光部分M33，透射入射光的一'J、部分。
現(xiàn)在參見圖17，該圖示意性示出在曝光和顯影之后剩余的光刻膠的圖 案。在圖17中，第三光刻膠層P3，中與第三掩膜M3，的透光部分M31，對應(yīng)的光刻膠部分P31，被去除。第三光刻膠層P3，中與擋光部分M32，對應(yīng)的光 刻膠部分P32a，、 P32b，和P32c，以及第三光刻膠層P3，中與半透光部分M33， 對應(yīng)的光刻膠部分P33，仍然存在。與半透光部分M33，對應(yīng)的光刻膠部分 P33，的厚度小于與擋光部分M32，對應(yīng)的光刻膠部分P32a，、 P32b，和P32c' 的厚度。與半透光部分M33，對應(yīng)的光刻膠部分P33，的厚度可以通過改變形 成半透光部分M33，的圖案的材料的成分比率或厚度來調(diào)節(jié)。
通過使用光刻膠部分P32a，、 P32b，、 P32c，和P33，作為蝕刻掩膜利用蝕 刻設(shè)備來蝕刻基板IO上的第四導(dǎo)電層18、第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17。 沒有光刻膠層存在的光刻膠部分P31，的結(jié)構(gòu)首先被蝕刻掉，而光刻膠部分 P32a，、 P32b，、 P32c，和P33，的剩余部分沿光刻膠層的厚度方向被部分蝕刻。
在第一次蝕刻工藝期間，光刻膠部分P31，的第四導(dǎo)電層18、第二導(dǎo)電 層16和第三導(dǎo)電層17被完全蝕刻掉。雖然與半透光部分M33，對應(yīng)的光刻 膠部分P33，在第一次蝕刻工藝期間被蝕刻掉，但是光刻月交部分P33，下面的 第四導(dǎo)電層18、第二導(dǎo)電層16和第三導(dǎo)電層17保持完整。而且，由于與 擋光部分M32，對應(yīng)的光刻膠部分P32a，、 P32b，和P32c，在第一次蝕刻工藝之 后剩余預(yù)定的厚度，因此可以再次使用光刻膠部分P32a，、 P32b，和P32c，作 為蝕刻掩膜來執(zhí)行第二次蝕刻工藝。
現(xiàn)在參見圖18，圖18示意性示出執(zhí)行第二次蝕刻工藝之后TFT陣列構(gòu) 件的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在參見圖18,與半透光部分M33，對應(yīng)的區(qū)域中的第三導(dǎo)電層 17被蝕刻掉。第四導(dǎo)電層18和第二導(dǎo)電層16的金屬被圖案化以形成像素 電極45，。第四導(dǎo)電層18的部分25-3、 26-3和35-3以及第二導(dǎo)電層16的部 分25-1、 26-1和35-1仍然存在，并成為TFT 20的源電極25，和漏電極26， "及電容器30的第三電極35，。
現(xiàn)在參見圖19,圖19示意性示出如圖14所示的那樣在圖18的結(jié)構(gòu)上 形成像素限定層46、包括有機(jī)發(fā)光層47的中間層48以及公共電極49的有 機(jī)發(fā)光顯示裝置。省略對與圖14的有機(jī)發(fā)光顯示裝置相同的組成元件46、 47、 48和49的部分的描述。由于具有反射作用并且形成在第二導(dǎo)電層16下面的第四導(dǎo)電層18可以 被用作反射電極，因此才艮據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件和具有TFF陣列構(gòu)件 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置有利于圖像被體現(xiàn)在與泰板10相對的方向上的頂部發(fā) 射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。盡管在本實(shí)施例中，兩層中的導(dǎo)電材料45-l和45-2 被用作像素電極45',但本發(fā)明并不限于此，并且多層中的導(dǎo)電層可以不增 加掩膜工藝數(shù)目的方式被用作像素電極的部分。
根據(jù)本實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件和具有TFF陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā)光顯示裝 置，由于具有上述結(jié)構(gòu)的基板可以使用最小數(shù)目的掩膜制造而成，因此制造 成本會因?yàn)檠谀?shù)目的減少和制造工藝的筒化而降低。而且，由于電容器被 具體實(shí)現(xiàn)有三個(gè)電極和兩個(gè)介電層，因此電容器的電容可以在不增加電容器
尺寸的情況下被增加。
盡管在本賣施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被描述為平板顯示裝置的示例， 但本發(fā)明決不僅限于此，包括使用根據(jù)上述實(shí)施例的TFT陣列構(gòu)件的LCD 裝置的任何顯示裝置都可以為此而使用，并且仍然在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
而且，盡管在本發(fā)明中，僅在附圖中示出一個(gè)TFT和一個(gè)電容器，但 這只是為了解釋的方便，本發(fā)明決不僅限于此。假如掩膜數(shù)目和掩膜工藝不 會被增加，則可以包括多個(gè)TFT和多個(gè)電容器，并且仍然在本發(fā)明的范圍 內(nèi)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的TFT陣列構(gòu)件、具有TFT陣列構(gòu)件的有機(jī)發(fā) 光顯示裝置及其制造方法，由于可以使用較少的掩膜制造以上所述的基板， 因此成本會根據(jù)減少的掩膜數(shù)目和簡化的制造工藝而降低。而且，由于電容 器具有三個(gè)電極和兩個(gè)介電層，因此電容器的電容可以在不增加電容器尺寸 的情況下被增加。
盡管參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例，具體地示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)理解，可以在不違背權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍 的情況下作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管陣列構(gòu)件，包括基板；以圖案布置在所述基板上的薄膜晶體管的有源層和電容器的第一電極，所述有源層和所述第一電極由相同的材料構(gòu)成并且彼此分開一距離，所述有源層包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)；分開布置在所述有源層和所述第一電極上的第一絕緣層；布置在所述第一絕緣層上的柵電極和第二電極，所述柵電極和所述第二電極被布置在同一層上并且由相同的材料構(gòu)成，所述柵電極被布置為與所述有源層的溝道區(qū)相對應(yīng)，所述第二電極被布置為與所述第一電極相對應(yīng)；布置在所述基板、所述第一絕緣層、所述柵電極和所述第二電極上的第二絕緣層，所述第二絕緣層由用于暴露所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔穿過；布置在所述接觸孔內(nèi)并分別提供與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的電連接的源電極和漏電極；布置在所述第二絕緣層上并與所述源電極和所述漏電極之一連接的像素電極；以及布置在所述第二絕緣層上與所述第二電極對應(yīng)的位置處的第三電極，所述第三電極由與所述源電極、所述漏電極和所述像素電極中的每一個(gè)相同的材料構(gòu)成。
2、 才艮據(jù)權(quán)利要求l所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，進(jìn)一步包括布置在所述第 二絕緣層、所述像素電極的邊緣部分、所述源電極和所述漏電極以及所述第三 電極上的像素限定層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述薄膜晶體管的有 源層和所述電容器的第一電極由通過晶體化非晶硅而產(chǎn)生的多晶硅構(gòu)成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述薄膜晶體管的有 源層的末端部分與所迷薄膜晶體管的第一絕緣層的末端部分的形狀相同。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述電容器的第一電 極、第一絕緣層和第二電極中每一個(gè)的末端部分的形狀都相同。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，進(jìn)一步包括布置在所述基 板上的緩沖層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述第二絕緣層的厚 度大于所述第一絕緣層的厚度。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述第二絕緣層的頂 面是平的。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述像素電極由透光 材料構(gòu)成。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述像素電極由從 氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和111203所組成的組中選4奪的至少一種材料構(gòu)成。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述像素電極由以 下材料構(gòu)成布置在所述第二絕緣層上的反射材料層；和 布置在所述反射材料層上的透光材料層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述像素電極的反 射材料層由從A1、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所組成的組中 選擇的至少一種材料構(gòu)成。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述像素電極的透 光材料層由從氧化銦錫、氧化銦鋅、ZnO和ln203所組成的組中選擇的至少一 種材料構(gòu)成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述電容器的第三 電極包括由與所述像素電極的反射材料層相同的材料構(gòu)成的第一層； 由與所述像素電極的透光材料層相同的材料構(gòu)成的第二層；和 由與所述源電極和漏電極的頂層相同的材料構(gòu)成的第三層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件，其中所述電容器的第三電極的第一層、第二層和第三層中每一層的末端部分的形狀都相同。
16、 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括包括布置在權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列構(gòu)件的像素電極上的有機(jī)發(fā) 光層的中間層；和布置在所述中間層上的公共電極。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括布置在所述第 二絕緣層、所述像素電極的邊緣、所述源電極和漏電極以及所述第三電極上的 像素限定層。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括用于密封所述 有機(jī)發(fā)光層的密封結(jié)構(gòu)，所述密封結(jié)構(gòu)被布置在所述公共電極上。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述顯示裝置是所述有機(jī) 發(fā)光層內(nèi)產(chǎn)生的光通過所述基板透射出去以被觀看的底部發(fā)射顯示裝置。
20、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述像素電極由以下 材料構(gòu)成布置在所述第二絕緣層上的反射材料層；和 布置在所述反射材料層上的透光材料層。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述顯示裝置是所述有機(jī) 發(fā)光層內(nèi)產(chǎn)生的光從所述基板離開以被觀看的頂部發(fā)射顯示裝置。
22、 一種制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，包括 在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上沉積第一絕緣層和第一導(dǎo)電層；通過第 一掩膜工藝同時(shí)圖案化所述半導(dǎo)體層、所述第 一絕緣層和所述第一 導(dǎo)電層，形成薄膜晶體管的有源層、柵絕緣層和柵電極以及電容器的第一電極、 第一介電層和第二電極；在所述基板上沉積第二絕緣層；通過第二掩膜工藝在所述第二絕緣層中形成接觸孔，暴露所述薄膜晶體管的有源層的源區(qū)和漏區(qū)的部分；通過在所述第二絕緣層上和所述接觸孔中依次沉積第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，形成與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)的電接觸；以及通過第三掩膜工藝同時(shí)圖案化所述第二導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層，形成所 述薄膜晶體管的源電極、漏電極和像素電極以及所述電容器的第三電極。
23、 沖艮據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，進(jìn)一步包括 在所述源電極、漏電極、像素電極、第三電極上和所述第二絕緣層的暴露部分上沉積第三絕緣層；以及通過第四掩膜工藝圖案化所述第三絕緣層，暴露所述像素電極。
24、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中所述半 導(dǎo)體層的形成包括在所述基板上沉積非晶硅層；和 通過晶體化所述非晶硅層產(chǎn)生多晶硅。
25、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中所述第 一掩膜工藝使用在分別與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)對應(yīng)的位置處包括半透光部 分的第一半色調(diào)掩膜。
26、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中所述薄 膜晶體管的柵絕緣層和所述電容器的第一介電層在通過所述第一掩膜工藝圖案 化之后彼此完全分開。
27、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，進(jìn)一步包括 在所述基板與所述半導(dǎo)體層之間形成緩沖層。
28、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，進(jìn)一步包括 使用柵電極作為摻雜掩膜向所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)中摻入雜質(zhì)。
29、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中所述第 三掩膜工藝使用在與所述像素電極對應(yīng)的位置處包括半透光部分的第二半色調(diào) 掩膜。 ，
30、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中第四導(dǎo)電層被進(jìn)一步布置在所述第二導(dǎo)電層與被所述接觸孔穿過的第二絕緣層之間， 并且所述源電極、所述漏電極和所述第三電極中的每一個(gè)由所述第四導(dǎo)電層、 所述第二導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層中的每一個(gè)的部分構(gòu)成，并且所述像素電極 由所述第四導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的部分構(gòu)成。
31、 根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造薄膜晶體管陣列構(gòu)件的方法，其中所述第 四導(dǎo)電層由從A1、 AlNd、 ACX、 AlNiLa、 Ag、 Mo、 Ti和MoW所組成的組中 選擇的至少 一種材料構(gòu)成。
32、 一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括 在以權(quán)利要求22所述的方法制造的薄膜晶體管陣列構(gòu)件上形成包括有機(jī)發(fā)光層的中間層；和在所述中間層上形成公共電極。
33、 根據(jù)權(quán)利要求32所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，在形成中間層 之前進(jìn)一步包括以下步驟在所述源電極、漏電極、像素電極、第三電極上和所述第二絕緣層的暴露 部分上沉積第三絕緣層；以及通過第四掩膜工藝圖案化所述第三絕緣層，暴露所述像素電極。
全文摘要
一種薄膜晶體管(TFT)陣列構(gòu)件和有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該方法通過采用由兩步蝕刻工藝緊隨的半色調(diào)掩膜，并通過與源電極、漏電極和像素電極的各層的形成同時(shí)形成電容器的各層，來尋求減少TFT陣列構(gòu)件的制造中所使用的掩膜的數(shù)目。結(jié)果，電容器的各層與源電極、漏電極和像素電極的各層中的相應(yīng)層位于相同的水平并且由相同材料的制成。電容器具有由兩個(gè)分開的介電層隔開的三個(gè)電極，從而在不增加電容器尺寸的情況下得到具有增加的電容的電容器。
文檔編號H01L21/336GK101577283SQ20091013862
公開日2009年11月11日 申請日期2009年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
發(fā)明者任忠烈, 劉喆浩, 盧大鉉, 權(quán)度縣, 李一正 申請人:三星移動顯示器株式會社