專利名稱：可變電容器及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可變電容器，其具有用于改變其電容的控制電極。具體而 言，本發(fā)明涉及其中控制電場獨立地對信號電場進(jìn)行控制的可變電容器， 并涉及使用上述可變電容器的電子裝置。
背景技術(shù)：
可變電容器廣泛應(yīng)用于電子裝置以用于通過從外部向其施加偏壓信號 由此改變其電容來控制頻率及時間，并在業(yè)界例如被制造為二極管(可變
電容二極管)或MEMS (微機電系統(tǒng))。這種類型的可變電容器不具有用 于施加偏壓信號以控制可變電容的專用端子。換言之，可變電容器僅包括 通用的兩種端子，S卩，信號端子及控制端子(雙端子器件)。當(dāng)在實際電 路中使用可變電容器時，可變電容器需要具有如圖1所示電路結(jié)構(gòu)中的四 種端子。
圖1示出了等效電路的示例，該等效電路包括具有四種端子的現(xiàn)有技 術(shù)可變電容器150。在該現(xiàn)有技術(shù)等效電路的示例中，可變電容器150與 偏壓消除電容器151串聯(lián)。在等效電路中，可變電容器150的第一電極連 接至偏壓消除電容器151的第一電極。在等效電路中，控制電壓經(jīng)由電阻 器R施加至連接在偏壓消除電容器151的第一電極與可變電容器150的第 一電極之間連接的互連部分。
在等效電路中，AC信號流入偏壓消除電容器151及可變電容器150。 DC偏壓電流經(jīng)由電阻器R僅流入可變電容器150。如圖1的示例所示， 傳送AC信號的信號電壓源以及用于DC偏壓電流的控制電壓源在等效電 路中被分離設(shè)置。但是，盡管控制電壓源與信號電壓源在等效電路中被獨 立設(shè)置，但在可變電容器150中并未對信號電壓及控制電壓獨立設(shè)置端 子。在具有上述構(gòu)造的等效電路中，AC信號會干擾從控制電壓源流入的
3DC偏壓電流。
例如，日本未審査專利申請公報No. 2007-287996已經(jīng)公開了一種包 含鐵電材料的可變電容器。該公報公開的可變電容器包括具有較高可靠性 及生產(chǎn)性的電極結(jié)構(gòu)。參考圖2A、 2B描述上述可變電容器。圖2A是可 變電容器的示意性立體圖，而圖2B是其示意性結(jié)構(gòu)圖。
如圖2A、 2B所示，在上述公報中揭示的可變電容器100包括長方體 電介質(zhì)層104，其具有四個其上形成有端子的表面。四個端子中的兩個是 連接至內(nèi)部信號電極的信號端子103，而另兩個是連接至內(nèi)部控制電極的 控制端子102?？勺冸娙萜?00的內(nèi)部結(jié)構(gòu)被設(shè)置為使得如圖2B所示以層 疊的方式經(jīng)由電介質(zhì)層104交替設(shè)置多個信號電極和控制電極。在圖2B 的示例中，控制電極102a表示的底層電極、從底部起算的第五層電極、以 及頂層電極，它們每個均連接至控制端子102中的一個，控制電極102b 表示從底部起算的第三層電極以及從底部起算的第七層電極，它們每個均 連接至控制端子102中的另一個。此外，信號端子103a表示從底部起算的 第二層電極以及從底部起算的第六層電極，它們每個均連接至信號端子 103中的一個，而信號端子103b表示從底部起算的第四層電極以及從底部 起算的第八層電極，它們每個均連接至信號端子103中的另一個。
在現(xiàn)有技術(shù)可變電容器的示例中，通過以層疊的方式經(jīng)由電介質(zhì)層 104提供多個信號電極103a， 103b以及多個控制電極102a， 102b，能夠以 較低的成本提高其電容，同時可獨立地向控制端子102及信號端子103施 加電壓。
如上所述，通過以層疊的方式經(jīng)由電介質(zhì)層104設(shè)置多個信號電極 103a， 103b以及多個控制電極102a， 102b，可以方便地以較低的成本來制 造可變電容器IOO。但是，如圖2B中的C1至C8所示，會在電介質(zhì)層104 中沿相同的方向產(chǎn)生信號端子103之間的信號電容以及控制端子102之間 的控制電容。在此情況下，沿相同的方向產(chǎn)生信號電場及控制電場。因 此，在現(xiàn)有技術(shù)可變電容器100中，當(dāng)設(shè)置較薄的電介質(zhì)層以提高電場的 靈敏度由此通過施加較低的控制電壓來改變電容值時，絕緣性能降低，并 產(chǎn)生對信號電壓的較低耐壓性。具體而言，信號電場平行于控制電場產(chǎn)生，由此在信號端子103之間
產(chǎn)生的信號電容以及在控制端子102之間產(chǎn)生的控制電容具有相同的電容
部分。在此情況下，在可變電容器中降低控制電壓與提高對信號電壓的耐 壓性之間產(chǎn)生矛盾。因此，在施加具有較大振幅的信號電壓時，會難以通
過施加較低控制電壓來對現(xiàn)有技術(shù)的可變電容器100的電容進(jìn)行控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例意在提供一種可變電容器，其能夠與對信號電壓的耐 壓性不相關(guān)地設(shè)置用于控制電壓的電場的靈敏度，并提供一種使用上述可 變電容器的電子裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的可變電容器包括信號電極，其被配置為將電
介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生信號電場；以及控制電極，其被配置為將所述電介 質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生沿與在所述信號電極之間產(chǎn)生的所述信號電場相交的 方向的控制電場。
在根據(jù)本實施例的可變電容器中，在信號電極之間產(chǎn)生的信號電容的 電容值將隨著由沿與信號電場相交的方向產(chǎn)生的控制電場改變的控制電容 的電容值而發(fā)生變化。在該可變電容器中，因為控制電場與信號電場相 交，故可以將信號端子及控制端子設(shè)計為分別具有獨立的耐壓性。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子裝置包括電源；以及可變電容器。可變 電容器包括信號電極，其被配置為將電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生信號電 場；以及控制電極，其被配置為將所述電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生沿與在所
述信號電極之間產(chǎn)生的所述信號電場相交的方向的控制電場。
在根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有可變電容器的電子裝置中，通過在控制 電極之間施加控制電壓來改變信號電極之間的電容值。
在根據(jù)末發(fā)明的實施例的可變電容器中，可基于在控制電極之間產(chǎn)生 的控制電容以及在信號電極之間產(chǎn)生的信號電容，來獨立地設(shè)定用于確定 其電容的三個主要因素，即，相對介電常數(shù)，形成有電極的面積以及電極 間距?？梢詫⒖勺冸娙萜髟O(shè)計為使得可以上述方式來獨立設(shè)定對信號電極 的耐壓性以及對控制電極的耐壓性。在根據(jù)本發(fā)明的實施例的電子裝置中，因為可在與對信號端子的耐壓 性不相關(guān)地設(shè)定控制端子之間的控制電場的靈敏度，故可通過施加較低控 制電壓來對安裝在被施加高信號電壓的電子裝置上的可變電容器進(jìn)行控 制。


圖1是使用現(xiàn)有技術(shù)可變電容器的等效電路。
圖2A和2B是現(xiàn)有技術(shù)可變電容器的示意立體圖和其剖面構(gòu)造圖。 圖3A和3B分別是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的可變電容器的示意立體 圖和其剖面構(gòu)造圖。
圖4A和4B是在實驗中使用的樣品的示意構(gòu)造示圖及其剖面構(gòu)造示圖。
圖5是示出通過實驗獲得的測量值的示圖。
圖6A和6B是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的可變電容器的示意立體圖及 其剖面構(gòu)造示圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例在制造階段可變電容器的分解立體圖 (部分I)。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例在制造階段可變電容器的分解立體圖 (部分II)。
圖9A和9B是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的可變電容器的示意立體圖及 其剖面構(gòu)造示圖。
圖IOA和IOB是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的另一改變示例的可變電容 器的示意立體圖及其剖面構(gòu)造示圖。
圖IIA和IIB是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的另一改變示例的可變電容 器的示意剖面構(gòu)造示圖。
圖12A和12B是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的可變電容器的示意剖面構(gòu)
造示圖和內(nèi)部信號電極層的平面構(gòu)造示圖。
圖13A和13B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的改變示例的可 變電容器的上控制電極層和下控制電極層的平面構(gòu)造示圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的改變示例的可變電容器的分解立 體圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的改變示例的可變電容器的示意性
剖面立體圖。
圖16A和16B每個都是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的其他改變示例的可 變電容器的示意性剖面立體圖。
圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的可變電容器的測量電容的示圖。
圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子裝置的一個示例的示意 性電路構(gòu)造。
具體實施例方式
以下將參考圖3A、 3B至圖18來描述本發(fā)明的實施例。 [第一實施例]
圖3A和3B分別是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的可變電容器的示意立體 圖和其剖面構(gòu)造圖。根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的可變電容器1包括形成為 長方體形狀的電介質(zhì)層4，其四個面分別具有四個端子。在圖3A和3B 中，x軸、y軸及z軸分別表示在圖紙的平面中示出的可變電容器l的從左 至右的水平方向、從下至上的豎直方向、及從前至后的深度方向。
用于電介質(zhì)層4的材料的示例包括離子極化及電子極化的鐵電材料。 離子極化鐵電材料由離子晶體材料形成，并通過離子晶體中的正負(fù)離子之 間的原子位移而被電極化。離子極化鐵電材料包括由化學(xué)式AB03 (原子 A，原子B)表示的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。上述材料的示例包括BaTi03 (鈦酸 鋇)，KNb03 (鈮酸鉀)，以及PbTi03 (鈦酸鉛)。本實施例中使用的 PZT是通過將PbTi03 (鈦酸鉛)與PbZr03 (鋯酸鉛)混合而形成的鐵電 材料。
電子極化鐵電材料顯示出因(在不同原子上)正負(fù)電荷的非均勻分布 而使得由電偶極矩引起的極化。近來，已經(jīng)提出了一種顯示出鐵電現(xiàn)象的 稀土鐵氧化物材料，其中通過包括F^+電荷面以及F^+電荷面而形成極化。這種類型的材料顯示出較高的介電常數(shù)，并通過以下分子式表示
(REKTM)2'04，其中(RE)表示稀土，而(TM)表示鐵族。(RE)的示例包括 Y、 Er、 Yb及Lu，其中Y及重稀土元素是特別優(yōu)選的，而(TM)的示例包 括Fe、 Co及Ni，其中Ni是特別優(yōu)選的。(RE》(TMV04的示例包括 ErFe204、 LuFe204、 AYFe204。
在根據(jù)第一實施例的可變電容器1中，平板狀的控制端子2形成在長 方體電介質(zhì)層4的yz面的表面上，而信號端子3形成在長方體電介質(zhì)層4 的面的表面上。此外，信號端子3及控制端子2以彼此不會發(fā)生接觸 的方式形成在電介質(zhì)層4上。
在根據(jù)第一實施例的可變電容器1中，信號端子3也具有信號電極的 能力，而控制端子2具有控制電極的能力。具體而言，在如上構(gòu)造的可變 電容器1中，形成在yz表面上的平板狀的控制端子2被用作控制電極以在 控制端子2之間產(chǎn)生控制電容。在此情況下，沿由箭頭"a"所示的x方向 產(chǎn)生控制電場。類似的，形成在xy表面上的平板狀的信號端子3被用作 信號電極，以在信號端子3之間產(chǎn)生信號電容，其與控制端子2以直角相 交。在此情況下，沿由箭頭"c"所示的z方向產(chǎn)生信號電場。換言之，根 據(jù)第一實施例的可變電容器被構(gòu)造使得控制電場的方向與信號電場的方向 彼此以直角相交。
在根據(jù)第一實施例的可變電容器中，可通過在控制端子2之間施加的 控制電壓(DC電壓)來控制控制電容的電容值。在控制端子2之間施加 控制電壓使得在信號端子3之間產(chǎn)生的信號電容的電容值依從于控制電容 的電容值而改變，并且當(dāng)在信號端子之間傳送AC信號時，可變電容器1 用作其信號電容可控的電容器。
在根據(jù)第一實施例的可變電容器中，信號端子3設(shè)置在電介質(zhì)層4的 x-y表面上，而控制端子2設(shè)置在其yz表面上；但是，可以相反地設(shè)置信 號端子3及控制端子2。可替代地，可在電介質(zhì)層4的yz表面上設(shè)置信號 端子3或控制端子2。換言之，可以布置信號端子3及控制端子2，使得 控制電場與信號電場彼此相交。在根據(jù)第一實施例的可變電容器中，電介 質(zhì)層4形成為長方體形狀，由此控制電場與信號電場彼此呈直角相交。但是，控制電場與信號電場也可不呈直角相交，而只是彼此相交即可。
使用圖4A和4B所示的樣品來進(jìn)行實驗以測量其中信號電場與控制電 場彼此相交的可變電容器的特性，并在圖5中示出獲得的結(jié)果。圖4A是 樣品5的示意性立體圖，而圖4B是沿z軸方向剖開的樣品5的示意剖面 構(gòu)造示圖。
如圖4A所示，在實驗中使用的樣品5是包括電介質(zhì)層8的可變電容 器，具有沿x軸方向約30mm的長度，以及沿y方向及z方向約0.5mm的 長度。在該可變電容器中，控制端子7形成在電介質(zhì)層8的x'z表面上， 而信號端子形成在電介質(zhì)層的ry表面上。樣品5的電介質(zhì)層8由鈦酸鉛 鋯(PZT)制成，其是鐵電材料的一個示例。在樣品5中，控制端子7及 信號端子6以彼此不會發(fā)生接觸的方式形成在電介質(zhì)層8上?？刂贫俗? 及信號端子6也分別被用作控制電極及信號電極，以形成電容器。利用鎳 鍍覆來形成信號端子6及控制端子7。
在樣品5中，在控制端子7之間施加9V的期望DC電壓，以沿箭頭 "a"的方向產(chǎn)生控制電場。電容計IO布置在信號端子6之間以測量電容 值的變化率。注意，在信號端子6之間沿箭頭"c"的方向產(chǎn)生信號電場。
在圖5所示的圖中，橫軸表示施加9V的DC電壓時獲得的電場強 度，而縱軸表示在信號端子6之間測量的電容值的變化率?；趌nF作為 基準(zhǔn)值來測量電容值的變化率。在圖5中，當(dāng)施加正極性的DC電壓時獲 得測量值A(chǔ)VE(+)，而當(dāng)施加負(fù)極性的DC電壓時獲得測量值A(chǔ)VE(-)。如 圖5清楚所示，當(dāng)通過在控制端子7之間產(chǎn)生控制電場來改變樣品5的電 容值時，沿相交方向獲得的電容值(即在信號端子6之間測得的電容值) 也發(fā)生改變。具體而言，當(dāng)可變電容器被構(gòu)造為使得控制電場與信號電場 相交時，可通過改變在控制端子7之間產(chǎn)生的電容值來對信號端子6之間 產(chǎn)生的電容值進(jìn)行控制。
電容值的改變源于介電常數(shù)因電介質(zhì)層的極化狀態(tài)的改變而發(fā)生改 變。換言之，隨控制電場的方向而改變的極化可影響信號端子6之間電容 值的變化，即，信號端子6之間介電常數(shù)的變化。在圖3A和3B所示的根 據(jù)第一實施例的可變電容器1中，可通過在控制端子2之間施加控制電壓來改變在信號端子3之間獲得的信號電容值。
各向異性介電材料是其介電常數(shù)由其方向確定的材料。例如，在圖
3A和3B中，當(dāng)為電介質(zhì)層4使用各向異性介電材料時，因控制電場的產(chǎn) 生而改變的極化對信號端子3之間的電容值的變化會產(chǎn)生極大的影響。在 此情況下，通過在控制端子2之間施加DC電壓，即較低的控制電壓，可 以顯著改變信號電容的值。
在根據(jù)第一實施例的可變電容器中，因為獨立地形成控制端子及信號 端子，并且控制電場與信號電場彼此相交，故在控制端子之間傳送的信號 將不會漏入信號端子。因此，就無需在現(xiàn)有技術(shù)可變電容器中所使用的偏 壓消除電容器(用于消除DC電壓)。
圖6A和6B是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的可變電容器的示意立體圖及 其剖面構(gòu)造示圖。在圖6A， 6B中，x軸、y軸及z軸分別表示在圖紙的平 面中顯示的可變電容器12的從左至右的水平方向、從下至上的豎直方 向、及從前至后的深度方向。在圖6A和6B中，對與圖3A和3B中相應(yīng) 的元件賦予相同的附圖標(biāo)記，并省去對其的重復(fù)描述。
根據(jù)第二實施例的可變電容器12包括電介質(zhì)層4，其具有連接至控制 端子2的多個內(nèi)部控制電極13a， 13b。內(nèi)部控制電極13a， 13b沿x'z表面 方向延伸形成為平板形狀，并以層疊的形式經(jīng)由電介質(zhì)層4來設(shè)置其六個 層。如圖6B所示，根據(jù)第二實施例，在可變電容器12中，從底部起算形 成的第一、第三、第五內(nèi)部控制電極13a與第一控制端子2a相連，而第 二、第四、第六內(nèi)部控制電極13b與第二控制端子2b相連。
如圖7所示，通過以層疊的方式設(shè)置內(nèi)部控制電極層13來形成可變 電容器12，其中通過在用作電介質(zhì)層4的平板狀陶瓷生材片4a上印刷由 金屬膏制成的內(nèi)部控制電極13a， 13b來制造內(nèi)部控制電極層13。寬度dl 表示控制端子2之間的距離，而寬度d2表示陶瓷生材片4a的信號端子3 之間的距離。因為內(nèi)部控制電極13a， 13b的第一端被用作控制端子2的引 出電極，所以內(nèi)部控制電極13a， 13b的第一端被形成為從陶瓷生材片4a 的端部露出。多個內(nèi)部控制電極層13被層疊，使得在其上形成的露出的
10弓I出電極交替地布置在彼此相反側(cè)。此外，保護(hù)性陶瓷生材片被設(shè)置在各個內(nèi)部控制電極層13的上方及下方，然后例如在1300。C的高溫下燒結(jié)。隨后，如圖8所示，信號端子3 及控制端子2與內(nèi)部控制電極層13的主體的所意圖連接的側(cè)表面連接， 由此獲得可變電容器12的成品。此時，第一控制端子2a被形成為與形成 在內(nèi)部控制電極13a的端部處的引出電極接觸，而第二控制端子2b被形成 為與形成在內(nèi)部控制電極13b的端部處的引出電極接觸。在具有上述構(gòu)造的可變電容器12中，通過在控制端子2之間施加電 壓來在相鄰的內(nèi)部控制電極13a， 13b之間產(chǎn)生控制電容。在其上形成控制 端子的yz平面、與在其上形成內(nèi)部控制電極13a， 13b (其以控制電容產(chǎn) 生控制電場)的平面之間存在垂直關(guān)系。在以下描述中，將具有上述位置 關(guān)系的電容定義為"垂直電容器"。因為根據(jù)第二實施例的可變電容器12包括內(nèi)部控制電極13a， 13b， 故沿箭頭"b"所示y方向產(chǎn)生控制電場。此外，因為信號端子3形成在 x-y平面上，故沿箭頭"c"所示的z方向(是與控制電場垂直的方向)產(chǎn) 生信號電場。在根據(jù)第二實施例的可變電容器12中，通過形成內(nèi)部控制電極13a， 13b來產(chǎn)生垂直電容器的控制電容。但是，因為控制電場與信號電場之間 在方向上存在相交關(guān)系，所以根據(jù)第二實施例的可變電容器12可顯示出 與第一實施例中獲得的相同的效果。此外，因為根據(jù)第二實施例能夠通過在可變電容器12中形成內(nèi)部控 制電極13a， 13b來方便地減小電極之間的距離，故可以將可變電容器12 構(gòu)造為使得控制電場的電場強度大于信號電場的電場強度。因此，可以降 低用于改變電容值的控制電壓。在此情況下，內(nèi)部控制電極13a， 13b的構(gòu) 造也不會受到信號端子3的構(gòu)造或信號端子3之間的距離的過多影響。因 此，即使當(dāng)連接至控制端子2的內(nèi)部控制電極13a， 13b被改變以包含垂直 電容器使得可通過施加較低的控制電壓來改變電容值時，也可保持控制端 子2的耐壓性。根據(jù)第二實施例的可變電容器12包括六層內(nèi)部控制電極13a， 13b，ii但是，可變電容器12并不限于此?？勺冸娙萜?2可包括期望層數(shù)的內(nèi)部控制電極13a， 13b。可替代地，可以在圖6A和6B至圖8中所示的可變 電容器12被構(gòu)造為基礎(chǔ)單元的情況下，將多個可變電容器12層疊。根據(jù)第二實施例的可變電容器12可通過改變內(nèi)部控制電極13a， 13b 的形狀來增大控制電場的有效區(qū)域。換言之，當(dāng)相鄰的內(nèi)部控制電極 13a， 13b的面積增大時，內(nèi)部控制電極13a， 13b之間相互重疊的面積將 增大，由此增大產(chǎn)生控制電場的面積。但是，隨著上述面積的增大，控制 電容也隨之增大，由此導(dǎo)致較差的響應(yīng)性?？刂齐妶鏊枰膮^(qū)域可以包 括其中產(chǎn)生信號電場的區(qū)域。因此，如圖6B所示，可通過消除內(nèi)部控制 電極13a， 13b的其中不會產(chǎn)生信號電場的消除區(qū)域U來減小控制電容， 在區(qū)域11中不會產(chǎn)生信號電場，且其不會影響對信號電場的任何控制。[第三實施例]圖9A和9B是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的可變電容器的示意立體圖及 其剖面構(gòu)造示圖。在圖9A和9B中，x軸，y軸及z軸分別表示在圖面的 平面中顯示的可變電容器17的從左至右的水平方向，從下至上的豎直方 向，以及從前至后的深度方向。在圖9A和9B中，對與圖3A和3B中相應(yīng)的元件賦予相同的參考標(biāo) 號，并省去對其的重復(fù)描述。根據(jù)第三實施例的可變電容器17包括電介質(zhì)層4，其具有連接至控制 端子2的兩個內(nèi)部控制電極15， 16。內(nèi)部控制電極16連接至第一控制端 子2a,而內(nèi)部控制電極15連接至第二控制端子2b。平板狀的內(nèi)部控制電 極15， 16在沿電介質(zhì)層4的y軸方向的中心位置處平行于x'z表面設(shè)置。 兩個內(nèi)部控制電極15， 16在兩者之間沿x軸方向設(shè)置有寬度wl (以下稱 為"間隙長度wl")的間隙。信號端子3形成在電介質(zhì)層4的x'y平面 上，由此與間隙長度wl重疊。在根據(jù)第三實施例的可變電容器17中，沿由箭頭"c"所示的z方向 產(chǎn)生信號電場，而沿由箭頭"a"所示的x方向產(chǎn)生控制電場。因此，因為 在控制電場與信號電場之間在方向上存在相交關(guān)系，故第三實施例的可變電容器n也能夠顯示出與在第一實施例中獲得的相同的效果。在根據(jù)第三實施例的可變電容器17中，在兩個內(nèi)部控制電極15， 16 之間產(chǎn)生控制電容，利用在控制端子2之間施加的控制電壓(DC電壓) 來使電介質(zhì)層4在間隙長度wl處的電容值發(fā)生改變。在根據(jù)第三實施例 的可變電容器17中，在其上形成有內(nèi)部控制電極15， 16的同一平面中產(chǎn) 生的電容被定義為水平電容器。在第三實施例中，信號端子3之間的距離 被定義為間隙長度w2。因為根據(jù)第三實施例的可變電容器17包括連接至控制端子2并形成 水平電容器的內(nèi)部控制電極15， 16，由此在水平電容器中將控制電場施加 至電介質(zhì)層4，由此改變水平電容器的電容值。在根據(jù)第三實施例的可變 電容器17中，可通過減小形成水平電容器的內(nèi)部控制電極15， 16之間的 間隙長度wl來降低用于改變電容值的控制電壓。在此情況下，不需要改 變信號端子3之間的間隙長度w2。因此，可以保持信號端子3之間的耐壓 性。具體而言，在根據(jù)第三實施例的可變電容器17中，通過在電介質(zhì)層4 中設(shè)置內(nèi)部控制電極15， 16而產(chǎn)生水平電容器，從而可任意地構(gòu)造間隙 長度wl。因此，可以不考慮對信號電壓的耐壓性的大小來設(shè)置電場對控 制電壓的靈敏度。例如，如果將連接至控制端子2的內(nèi)部控制電極15， 16之間的間隙 長度wl設(shè)置為2/mi，則可將信號端子3之間的間隙長度w2設(shè)置為從200 至300/mi。在結(jié)構(gòu)上可能難以制造具有以下高寬比的可變電容器使得信 號端子3之間的間隙長度為200至300/mi，而控制端子2之間的間隙長度 為2/mi。但是，根據(jù)第三實施例，通過形成可變電容器的內(nèi)部控制電極 15， 16，可以任意地設(shè)計間隙長度wl及w2的高寬比。此外，因為對信號 端子的耐壓性的大小正比于間隙長度，并且控制電壓的大小也正比于間隙 長度，故根據(jù)第三實施例的可變電容器可通過在保持對信號電壓的耐壓性 的同時施加低控制電壓來控制電容值。具體而言，在第三實施例的可變電容器中，可將控制電壓降低至信號 電壓的約1/100至1/300。例如，如果施加有3000V信號電壓的裝置設(shè)置 有現(xiàn)有技術(shù)的可變電容器，則會需要信號電壓的約1/4至1/6作為控制電13壓以控制電容值。但是，如果施加有3000V信號電壓的裝置設(shè)置有根據(jù)第三實施例的可變電容器17，則可通過施加約10V的控制電壓來控制可變 電容器17。在根據(jù)第三實施例的可變電容器中，信號端子3形成在電介質(zhì)層4的 兩個x'y平面上，但是，如圖IOA， IOB所示，信號端子3可以可選地形 成在電介質(zhì)層4的兩個x'z平面上。在圖IOA， IOB中，對與圖9A， 9B中 相應(yīng)的元件賦予相同的附圖標(biāo)記，并省去對其的重復(fù)描述。圖IOA和10B示出了根據(jù)第三實施例的可變電容器14，其中沿箭頭 "b"所示的y軸方向在信號端子3之間產(chǎn)生信號電場。在此情況下，沿 箭頭"a"所示的x方向在控制端子2之間產(chǎn)生控制電場。因此，當(dāng)連接至 控制端子2的內(nèi)部控制電極15， 16形成水平電容器并且同時信號端子3形 成在電介質(zhì)層4的rz平面上時，控制電場與信號電場相互以直角相交。 信號端子3形成在電介質(zhì)層4的rz平面上，由此不與間隙長度wl重疊。 在此情況下，根據(jù)第三實施例的可變電容器14也可顯示出與圖9A， 9B所 示的第三實施例的可變電容器17中獲得的相同的效果。圖IIA和IIB是根據(jù)第三實施例的可變電容器的另一改變示例的可變 電容器的示意性剖面構(gòu)造示圖，其中設(shè)置了兩個面內(nèi)層(in-plane layer)，每一個面內(nèi)層均由連接至控制端子2的兩個內(nèi)部控制電極形成。 在圖IIA中，對與圖9A， 9B中相應(yīng)的元件賦予相同的附圖標(biāo)記，并省去 對其的重復(fù)描述。在圖IIB中，對與圖IOA， 10B中相應(yīng)的元件賦予相同 的附圖標(biāo)記，并省去對其的重復(fù)描述。圖IIA示出了包括兩個如圖9A， 9B所示的內(nèi)部控制電極15， 16那 樣的面內(nèi)層的可變電容器17的改變示例。如圖IIA所示，該改變示例包 括內(nèi)部控制電極21， 18的第一層，以及內(nèi)部控制電極19， 20的第二層。 圖IIB示出了包括如圖IOA， IOB所示的內(nèi)部控制電極15， 16那樣的可 變電容器14的改變示例。如圖IIB所示，該改變示例包括內(nèi)部控制電極 21， 18的第一層，以及內(nèi)部控制電極19， 20的第二層。在可變電容器 17， 14中，第一層的內(nèi)部控制電極18連接至第一控制端子2a，而第一層 的內(nèi)部控制電極21連接至第二控制端子2b。此外，第二層的內(nèi)部控制電極20設(shè)置在第一層的內(nèi)部控制電極18正上方，并以與內(nèi)部控制電極18連 接至第一控制端子2a相同的方式連接至第一控制端子2a。類似的，第二 層的內(nèi)部控制電極19設(shè)置在第一層的內(nèi)部控制電極21正上方，并以與內(nèi) 部控制電極21連接至第二控制端子2b相同的方式連接至第二控制端子 2b。第一層的平板狀的內(nèi)部控制電極21， 18以及第二層的平板狀的內(nèi)部 控制電極19， 20形成在電介質(zhì)層4的面內(nèi)x'z表面上。分別連接至控制端 子2b， 2a的內(nèi)部控制電極21, 18在兩者之間沿x軸方向形成具有寬度wl (以下稱為"間隙長度wl")的間隙。類似的，分別連接至控制端子 2b， 2a的內(nèi)部控制電極18， 20在兩者之間沿x軸方向形成具有寬度wl的 間隙。在根據(jù)第三實施例的可變電容器中，分別在內(nèi)部控制電極21， 18 之間以及在內(nèi)部控制電極19， 20之間產(chǎn)生水平電容器，并且通過在控制 端子2之間施加的控制電壓(DC電壓)來使電介質(zhì)層4在間隙長度wl處 的電容值發(fā)生變化。因此，可通過在第一層的內(nèi)部控制電極21， 18上方設(shè)置第二層的內(nèi) 部控制電極19， 20，來增大水平電容器的數(shù)量。在圖IIA， IIB所示的示 例中，增大水平電容器的數(shù)量可增大控制電場的有效區(qū)域，即，增大水平 電容器的數(shù)量可增大控制電容的可變量。通過增大內(nèi)部控制電極21， 18 之間以及內(nèi)部控制電極19， 20之間的間隙長度wl，可沿面內(nèi)方向增大控 制電場的有效區(qū)域。但是，由于電場強度的減小，這導(dǎo)致控制電壓自身的 增大。通過增大內(nèi)部電極的層的數(shù)量來增大控制電場沿豎直方向的區(qū)域， 在保持相同控制電壓的同時，在不降低電場強度的情況下，可對控制電場 進(jìn)行控制。在圖IIA， IIB所示的示例中，兩層內(nèi)部控制電極21， 18以及內(nèi)部控 制電極19， 20設(shè)置在電介質(zhì)層4中，但是，層的數(shù)量并不限于此。可在 電介質(zhì)層4中設(shè)置任意數(shù)量的內(nèi)部控制電極層。此外，可通過與制造根據(jù) 第二實施例的可變電容器的相同方式來制造圖9A， 9B以及圖IIA， 11B 所示的可變電容器。在該方法中，金屬膏印刷在平面陶瓷生材片上的期望 位置處，然后印刷陶瓷生材片被層疊設(shè)置，并且將得到的陶瓷生材片燒結(jié)以獲得可變電容器。 [第四實施例]圖12A是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的可變電容器的剖面構(gòu)造示圖。在 圖12A中，x軸，y軸及z軸分別表示在圖面的平面中從左至右的水平方 向，從下至上的豎直方向，以及垂直于圖面的平面的深度方向。根據(jù)第四實施例的可變電容器31包括本示例中的為三層的電介質(zhì)層 28;形成在本示例中的位于中間的一個電介質(zhì)層28的表面上的兩個梳狀 結(jié)構(gòu)的內(nèi)部信號電極24， 25;以及分別形成在電介質(zhì)層28的上表面和下 表面上的上控制電極26和下控制電極23。圖12B示出了兩個內(nèi)部信號電 極的示意平面構(gòu)造示圖。兩個內(nèi)部信號電極24, 25連接至信號端子(未示出)。信號電極24 包括連接至第一信號端子的引出電極部分24b，以及沿面內(nèi)方向從引出電 極部分24b伸出的多個帶狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24a。信號電極25包括連接 至第二信號端子的引出電極部分25b,以及沿面內(nèi)方向從引出電極部分 25b伸出的多個帶狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極25a。內(nèi)部信號電極24, 25的帶狀 內(nèi)部信號電極24a， 25a交替地布置在同一平面上。在根據(jù)第四實施例的可 變電容器31中，內(nèi)部信號電極24， 25形成在電介質(zhì)層28中的vz平面 內(nèi)，而信號端子形成在電介質(zhì)層28的x'y平面上。上控制電極26形成在與其面對的電介質(zhì)層28的x'z平面上，而上控 制電極26的第一端連接至形成在電介質(zhì)層28的yz平面上的控制端子 22a。下控制電極23形成在與其面對的電介質(zhì)層28的x'z平面上，而下控 制電極23的第一端連接至形成在電介質(zhì)層28的y'z平面上的控制端子 22b。根據(jù)第四實施例的可變電容器31，設(shè)置信號端子及控制端子22使得 彼此不會形成短路。如圖12A所示，在根據(jù)第四實施例的可變電容器31中，在連接至信 號端子的內(nèi)部信號電極24， 25之間產(chǎn)生作為信號電容Cl的水平電容器， 而在與控制端子22連接的上控制電極26與下控制電極23之間產(chǎn)生作為控 制電容C2的豎直電容器。在如此構(gòu)造的可變電容器31中，也在上控制電極26與下控制電極23之間產(chǎn)生控制電場，并且在內(nèi)部信號電極24， 25之 間產(chǎn)生與控制電場以直角相交的信號電場。因此，通過向控制端子22施 加控制電壓來改變控制電容C2的電容值，從而改變了內(nèi)部信號電極24， 25之間的信號電容C1的電容值。如上所述，包括與信號端子連接的梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24， 25的 可變電容器31可以被設(shè)置為使得信號電場與信號控制電場以直角相交。 因此，根據(jù)第四實施例的可變電容器31顯示出與在第一實施例中獲得的 相同效果。此外，在根據(jù)第四實施例的可變電容器31中，通過改變內(nèi)部信號電 極24， 25以及上控制電極26及下控制電極23的布置，可以為各個信號電 容C1及控制電容C2獨立地設(shè)計相對介電常數(shù)、電極面積、以及電極之間 的距離。因為與控制端子22分離地設(shè)置信號端子，故設(shè)置可變電容器31的元 件使得信號電場與控制電場以直角相交的一個優(yōu)點在于信號電場與控制電 場的干擾極小。但是，如圖12A所示，因為內(nèi)部信號電極24, 25以及上 控制電極26及下控制電極23全部形成在電介質(zhì)層28的面內(nèi)x'z平面內(nèi)， 故在上控制電極26與下控制電極23之間產(chǎn)生冗余雜散電容Cx。冗余雜散 電容Cx將使得信號端子與控制端子22的分離并不完全。因為當(dāng)電介質(zhì)層 28的厚度減小時梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24， 25和上控制電極26及下控制 電極23之間的冗余雜散電容Cx將變的更顯著，故必須采取某些應(yīng)對措 施。圖13A, 13B是分別示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的用于防止產(chǎn)生雜 散電容的可變電容器的上控制電極及下控制電極的構(gòu)造示圖。圖13A示出 了用于防止產(chǎn)生雜散電容的上控制電極29的構(gòu)造示例，而圖13B示出了 用于防止產(chǎn)生雜散電容的下控制電極30的構(gòu)造示例。圖14是使用上控制 電極29及下控制電極30的可變電容器的示意性分解立體圖。在圖13A， 13B以及圖14中，對與圖12A， 12B中相應(yīng)的元件賦予相同的附圖標(biāo)記， 并省去對其的重復(fù)描述。如圖14所示，上控制電極29及下控制電極30被構(gòu)造為使得將其與內(nèi)部信號電極24， 25在y軸方向上重疊的部分去除。換言之，在上控制電 極29及下控制電極30與內(nèi)部信號電極24， 25重疊的部分中不形成電極。 在包含了用于電介質(zhì)層28的表面上的印刷錯位公差以及在內(nèi)部信號電極 24， 25與上控制電極29及下控制電極30被層疊時的位置錯位的公差的情 況下，確定上控制電極29及下控制電極30的呈梳狀被去除的部分。通過在將被用作電介質(zhì)層的平板狀陶瓷生材片上印刷期望圖案的金屬 膏，來形成內(nèi)部信號電極24， 25以及上控制電極29及下控制電極30。隨 后，其上分別形成內(nèi)部信號電極24， 25，上控制電極29以及下控制電極 30的多個電介質(zhì)層28被如圖14所示層疊，并被燒結(jié)，并且控制端子22 及信號端子32隨后被連接至形成于上控制電極29、下控制電極30以及內(nèi) 部信號電極24， 25的端部處的引出電極，由此制成可變電容器的成品。根據(jù)第四實施例的可變電容器包括各具有約1/mi厚度的電極。因此， 即使上控制電極29及下控制電極30包括去除部分(未形成電極的部分) 以防止雜散電容，通過在下控制電極30的上方及上控制電極29的下方以 層疊方式布置電介質(zhì)層28 (每個均具有約2至10/mi的厚度)并向?qū)盈B的 電介質(zhì)層施加壓力并將其燒結(jié)，從而經(jīng)由所述去除部分將層疊的電介質(zhì)層 陶瓷化而不產(chǎn)生任何間隙。圖15是使用上控制電極29及下控制電極30的可變電容器的示意剖面 視圖。如圖15所示，上控制電極29及下控制電極30的與內(nèi)部信號電極 24， 25在y軸方向上重疊的部分被去除。因此，可防止在連接至信號端子 (圖15中未示出)的內(nèi)部信號電極24， 25與連接至控制端子22的上控制 電極29及下控制電極30之間產(chǎn)生雜散電容?？商娲?，可以層疊方式設(shè)置圖15所示的多個可變電容器。圖16A 是示意性構(gòu)造示圖，示出了包括三層梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24， 25的可 變電容器。在圖16A中，對與圖15中相應(yīng)的元件賦予相同的附圖標(biāo)記， 并省去對其的重復(fù)描述。在包括沿y軸方向布置的多層(圖16A中為三層)梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號 電極24， 25的可變電容器的示例中，上控制電極29及下控制電極30形成 在內(nèi)部信號電極24， 25的上方及下方。在此情況下，也沒有電極形成在上控制電極29及下控制電極30與內(nèi)部信號電極24， 25重疊的部分中。在包括梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24， 25的可變電容器中，除了上述應(yīng) 對措施之外，另一種用于防止產(chǎn)生雜散電容的應(yīng)對措施可以是如圖16B所 示在上控制電極26與下控制電極23之間設(shè)置兩層梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極 24， 25。沿y軸方向?qū)盈B布置具有相同電勢的多個內(nèi)部信號電極24， 25 可減小在豎直布置的梳狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極24， 25之間產(chǎn)生的雜散電 容。根據(jù)第四實施例，包括梳狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電極的可變電容器可增大每單 位面積的電容，這對于減小可變電容器的尺寸是有效的。在圖12A, 12B 所示的內(nèi)部信號電極24， 25中，當(dāng)通過以下近似計算Ml (7/) = 1.43 " + 0.285獲得金屬化率(metallized ratio) Ml時，根據(jù)CIDT = W x N x el x Ml O;)獲得電容dDT，其中，W表示帶狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極的在延伸方向 上的長度，dl表示相鄰帶狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極之間的距離，d2表示梳狀 結(jié)構(gòu)內(nèi)部信號電極的末端與引出電極的面對其的部分之間的距離，d3表示 帶狀信號電極的互連寬度，LI表示引出電極之間的距離，N表示帶狀結(jié)構(gòu) 內(nèi)部信號電極的對數(shù)，el表示有效介電常數(shù)，而r/表示dl/d3。圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的可變電容器的測量電容值的 示圖。在圖17的圖中示出的測量值表示圖15中被設(shè)計為沿x軸方向具有 2.5mm長度并沿y軸方向具有1.25mm長度的可變電容器的電容CIDT。圖 中，水平X軸表示通過dl—d3獲得的距離，豎直Y軸表示互連寬度d3， 而電容CIDT由基于距離與互連寬度d3之間的關(guān)系的不同圖案來表示。電容隨著電極之間的距離或各個電極的寬度而改變，并且通過減小該 距離及電極的寬度，可以增大電容。如果希望電極具有約數(shù)十個Mm的寬 度，則可通過低成本涂覆來制造上述電極，但是，另一方面，如果希望其 具有數(shù)/mi的寬度(難以通過涂覆來實現(xiàn))，則可通過濺射法等來制造電 極。電容的上述特性(即，受電極寬度影響)可適用于其中電極形成在一 層中的情況，因此可通過以層疊方式設(shè)置多個電極來增大電容。如上所述，在根據(jù)第一至第四實施例的各個可變電容器中，可通過與 信號電場相交的控制電場來改變控制電容，由此也改變信號電容。此外，19可以獨立于對控制電極的耐壓性來設(shè)計對信號電極的耐壓性。此外，通過 適當(dāng)?shù)夭贾眯盘栯姌O及控制電極，使得信號電場的強度比控制電場的強度 更低，可以在保持對信號電極的耐壓性的同時使施加至控制電極的控制電 壓降低。由此，可將高信號電壓施加至受到低控制電壓控制的可變電容 器。[電子裝置的實施例]根據(jù)本發(fā)明的實施例的可變電容器每個都可應(yīng)用于圖18所示的電子 裝置。圖18示出了用于作為電子裝置的一個實施例的用于液晶電視的CCFL (冷陰極熒光燈)的背光逆變電路構(gòu)造。圖18所示的逆變電路50包括CCFL 42、連接至CCFL 42的增壓變壓 器40、以及驅(qū)動增壓變壓器40的驅(qū)動電路41。此外，還在CCFL42與增 壓變壓器40之間設(shè)置由可變電容器49形成的鎮(zhèn)流電容器。用作鎮(zhèn)流電容 器的可變電容器49的示例包括根據(jù)第一至第四實施例所述的可變電容 器。此外，還在CCFL 42與增壓變壓器40之間設(shè)置連接至控制端子的控 制電壓電源43。圖18所示示例中的逆變電路僅包括一個CCFL42，但是，其也可包 括并聯(lián)的兩個CCFL42。由增壓變壓器40增壓的高AC電壓(交流電壓) 經(jīng)由可變電容器49的鎮(zhèn)流電容器被供應(yīng)至CCFL 42。增壓變壓器40的輸 出電力通常約為1500V， 51kHz。流入CCFL 42的電流為5至10mA。由 可變電容器49形成的鎮(zhèn)流電容器通常用于在驅(qū)動并聯(lián)的CCFL 42時使兩 個CCFL42穩(wěn)定，但是，有時除了電容器之外，還附加地使用變壓器。為CCFL背光使用鎮(zhèn)流電容器以降低制造成本，但是，因為由于 CCFL之間電容的可變性以及CCFL與外圍金屬材料之間雜散電容的可變 性而使電流強度在不同CCFL之間變化，故使用鎮(zhèn)流電容器會在CCFL背 光中引起亮度的不均勻。因此，在本示例中，使用由鎮(zhèn)流電容器形成的可變電容器49來調(diào)節(jié) 電容。為了調(diào)節(jié)可變電容器49的電容值，DC (直流)電壓通過連接控制 端子的控制電壓電源43而被施加至可變電容器49的控制端子(未示 出)。由此通過向可變電容器49的控制端子施加期望的DC電壓來調(diào)節(jié)可20變電容器49的電容值。如果高DC電壓施加至增壓變壓器40的端子，則 過大的電流會流入變壓器線圈。但是，在本示例中，DC電壓施加至可變 電容器49的控制端子。因此，當(dāng)電壓施加至可變電容器49的控制端子以 調(diào)節(jié)其電容值時，電壓不會被直接施加至與可變電容器49的信號端子連 接的增壓變壓器40及CCFL 42?？赏ㄟ^向可變電容器49施加電壓來調(diào)節(jié) 安裝在逆變電路50上的可變電容器49的電容值。在包括可變電容器49的 CCFL背光中，可以調(diào)節(jié)其電容值以顯示出CCFL 42的均勻亮度。使用根據(jù)上述第一至第四實施例的可變電容器49的逆變電路可在保 持對信號端子的耐壓性的同時降低期望的控制電壓。例如，可通過施加作 為增壓變壓器40的輸出電力的一百分之一至三百分之一的控制電壓來調(diào) 節(jié)可變電容器49的電容值。在本實施例中，使用逆變電路作為其上安裝可變電容器的電子裝置的 示例，但是，可變電容器也可被應(yīng)用在諸如非接觸型IC卡之類的其他裝 置中。因此，因為可變電容器安裝在電子裝置上，故可將控制電壓施加至 可變電容器而不影響電子裝置上的其他電路，由此獲得期望的電容值。盡 管量產(chǎn)的具有上述可變電容器的裝置顯示出因其可變性產(chǎn)生的離散調(diào)諧頻 率(scattered tuning frequency)，但可通過使可變電容器在出廠時具有期 望的電容值來調(diào)節(jié)離散調(diào)諧頻率。本發(fā)明包含于2008年4月25日向日本專利局遞交的日本專利在先申 請JP 2008-116242中揭示的相關(guān)主題，通過引用將其全部內(nèi)容包含在本說 明書中。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在落入所附權(quán)利要求及其等同技術(shù)方案 的范圍內(nèi)的前提下，取決于設(shè)計要求及其他因素，可以進(jìn)行各種不同的改 變，組合，子組合，以及替換。
權(quán)利要求
1.一種可變電容器，包括信號電極，其被配置為將電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生信號電場；以及控制電極，其被配置為將所述電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生沿與在所述信號電極之間產(chǎn)生的所述信號電場相交的方向的控制電場。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變電容器，其中，所述信號電場的電場強度不同于所述控制電場的電場強度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可變電容器，其中， 所述信號電場的所述電場強度低于所述控制電場的所述電場強度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變電容器，其中，在所述電解質(zhì)層內(nèi)以層疊的方式經(jīng)由所述電介質(zhì)層設(shè)置多個所述控制 電極和/或所述信號電極，使得可以各自預(yù)先確定所述信號電極之間的距 離、所述信號電極的面積、所述控制電極之間的距離、以及所述控制電極 的面積。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可變電容器，其中，所述信號電極和所述控制電極具有所期望的形狀，或者被布置在所述 電介質(zhì)層的期望位置處，使得在所述信號電極與所述控制電極之間在層疊 方向上不存在重疊。
6. —種電子裝置，包括 電源；以及 可變電容器，其包括信號電極，其被配置為將電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生信號電場；以及控制電極，其被配置為將所述電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生沿與在所 述信號電極之間產(chǎn)生的所述信號電場相交的方向的控制電場。
全文摘要
本發(fā)明涉及可變電容器及電子裝置。揭示的可變電容器包括信號電極及控制電極，信號電極被配置為將電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生信號電場，而控制電極被配置為將電介質(zhì)層夾在其間以產(chǎn)生沿與在信號電極之間產(chǎn)生的信號電場相交的方向的控制電場。
文檔編號H01G7/06GK101567266SQ20091013762
公開日2009年10月28日 申請日期2009年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者橫田敏昭, 渡邊誠, 管野正喜, 羽生和隆 申請人:索尼株式會社