專利名稱：像素陣列、液晶顯示面板以及光電裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關于一種像素陣列，且特別是有關于一種具有良好顯示品質(zhì)的像素陣列、液晶顯示面板以及光電裝置。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示器不斷地朝向大尺寸的顯示規(guī)格發(fā)展，為了克服大尺寸顯示下的視角問題，液晶顯示面板的廣視角技術(shù)也必須不停地進步與突破。其
中，多域垂直酉己向式(Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示面板以及高級型多域垂直配向式(Advanced MVA， AMVA)液晶顯示面板即為現(xiàn)行常見的廣視角技術(shù)。由于高級型多域垂直配向式(AMVA)液晶顯示面板能夠有效改善多域垂直配向式(MVA)液晶顯示面板中的色偏問題(color washout)，因此，與多域垂直配向式(MVA)液晶顯示面板相較，高級型多域垂直配向式(AMVA)液晶顯示面板能夠提供較佳的顯示品質(zhì)。
圖1為一種像素陣列的等效電路圖，而圖2為圖1中單一子像素的示意圖。請參照圖1與圖2，像素陣列200包括多個子像素P2，且各個子像素P2包括一第一薄膜晶體管TFT1、 一第二薄膜晶體管TFT2、 一第三薄膜晶體管TFT3、與第一薄膜晶體管TFT1電連接的第一像素電極ITOl以及與第二薄膜晶體管TFT2電連接的第二像素電極IT02。第一像素電極ITOl會與薄膜晶體管陣列基板上的共通線COM1耦合而形成一第一儲存電容Csl，且第一像素電極ITOl會與對向基板(如彩色濾光基板)上的共通電極耦合而形成一第一液晶電容CLC1。類似地，第二像素電極IT02會與薄膜晶體管陣列基板上的共通線COM2耦合而形成一第二儲存電容Cs2，且第二像素電極IT02會與對向基板(如彩色濾光基板)上的共通電極耦合而形成一第二液晶電容CLC2。從圖1與圖2可知，在與掃描線SL(n-l)電連接的子像素P2中，第一薄膜晶體管TFT1以及第二薄膜晶體管TFT2的柵極會與掃描線SL(n-l)電連接，而第三薄膜晶體管TFT3的柵極會與下一條掃描線SL(n)電連接。此外，第三薄膜晶體管TFT3的源極與第二像素電極IT02電連接，而第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第一像素電極ITOl稱合成第一電容CcA，且第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第一像素電極ITOl下方的共通線COM1耦合成第二電容CcB。當施加一高電壓于掃描線SL(n-l)時，圖像數(shù)據(jù)可通過數(shù)據(jù)線DL(n-l)、 DL(n)寫入與掃描線SL(n-l)連接的子像素中，此時，第一像素電極ITOl與第二像素電極IT02的電壓是相同的。接著，當施加一高電壓于掃描線SL(n)時，第一電容CcA與第二電容CcB會使第一像素電極ITOl的電壓與第二像素電極IT02的電壓不同。
由于第二薄膜晶體管TFT2的漏極會跨過第一像素電極ITOl而與第二像素電極IT02連接，因此第二薄膜晶體管TFT2的漏極D2與第一像素電極IT01之間便產(chǎn)生一寄生電容Od。此外，由于第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3會跨過第二像素電極IT02，因此第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第二像素電極IT02之間便產(chǎn)生一寄生電容Cx2。寄生電容Cxl、 Cx2會使第一像素電極ITOl與第二像素電極IT02的電壓差異拉開幅度減小，導致色偏問題無法有效地改善，因此如何避免子像素P2中寄生電容Cxl、 Cx2對于顯示品質(zhì)的影響，實有其必要性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列、液晶顯示面板以及光電裝置，其具有良好的顯不品質(zhì)。
本發(fā)明提供一種像素陣列，其包括多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個子像素。各個第二掃描線分別位置二相鄰的第一掃描線之間，數(shù)據(jù)線實質(zhì)上交錯于第一掃描線及第二掃描線。各個子像素與其中一條第一掃描線、其中一條第二掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電連接。各個子像素包括一第一開關元件、 一第二開關元件、 一第一像素電極、 一第二像素電極、 一第三開關元件以及多條彼此連接的共通線，其中第一開關元件與第二開關元件與同一條第一掃描線以及同一條數(shù)據(jù)線電連接，第一像素電極與第一開關元件電連接，第二像素電極與第二開關元件電連接，且第一掃描線位于第一像素電極與第二像素電極之間，且共通線分布于第一像素電極以及第二像素電極下方。此外，第三開關元件與第二掃描線以及第一像素電極電連接，第三幵關元件具有一電性浮置端，而電性浮置端與第二像素電極耦合為一第一電容，且電性浮置端與第二像素電極下方的共通線耦合為一第二電容。
在本發(fā)明一實施例中，前述的第一掃描線的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第二掃描線的延伸方向。
在本發(fā)明一實施例中，前述的子像素排列成多列，且排列于同一列的子像素與同一條第一掃描線以及同一條第二掃描線電連接。
在本發(fā)明一實施例中，與同一列子像素電連接的第一掃描線與第二掃描線彼此電性絕緣。
在本發(fā)明一實施例中，前述的子像素排列成多列，且與第n列子像素電連接的第二掃描線以及與第(n+l)列子像素電連接的第一掃描線是彼此電連接。
在本發(fā)明一實施例中，前述的各第二掃描線位于第一像素電極與第二像素電極之間。
在本發(fā)明一實施例中，前述的第二像素電極位于第一掃描線與第二掃描線之間。
在本發(fā)明一實施例中，各個第一開關元件為一第一薄膜晶體管，而第一薄膜晶體管具有一與其中一條第一掃描線電連接的第一柵極、 一與其中一條
數(shù)據(jù)線電連接的第一源極以及一與第一像素電極電連接的第一漏極。在本發(fā)明一實施例中，各個第二開關元件為一第二薄膜晶體管，而第二薄膜晶體管具有一與其中一條第一掃描線電連接的第二柵極、 一與其中一條
數(shù)據(jù)線電連接的第二源極以及一與第二像素電極電連接的第二漏極。
在本發(fā)明一實施例中，各個第三開關元件為一第三薄膜晶體管，而第三薄膜晶體管具有一與其中一條第二掃描線電連接的第三柵極、 一與第一像素
電極電連接的第三源極以及前述的電性浮置端。
在本發(fā)明一實施例中，前述的第三源極與第一像素電極直接連接。在本發(fā)明一實施例中，前述的第三源極與第一漏極直接連接，且第三源
極通過第一漏極與第一像素電極電連接。
在本發(fā)明一實施例中，前述的電性浮置端位于第二像素電極下方。
在本發(fā)明一實施例中，位于相同子像素中的第一掃描線的線寬(line width)實質(zhì)上大于與第二掃描線的線寬。
本發(fā)明另提供一種聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板(PSA-LCD panel),其包括一第一基板、 一第二基板、兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)右约耙灰壕印５谝换寰哂星笆龅南袼仃嚵?，第二基板配置于第一基板上方，而兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)臃謩e配置于第一基板與第二基板上。液晶層配置于聚合物穩(wěn)定配向?qū)又g。
本發(fā)明又提供一種光電裝置，其包括前述的像素陣列或聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板。
基于上述，由于本發(fā)明將子像素中的第一掃描線設置于第一像素電極與第二像素電極之間，因此本發(fā)明的像素陣列具有較低的寄生電容且能夠提供較佳的圖像品質(zhì)。


圖1為一種像素陣列的等效電路圖。圖2為圖1中單一子像素的示意圖。圖3A為本發(fā)明第一實施例的像素陣列的等效電路圖。圖3B為本發(fā)明第一實施例的像素陣列的示意圖。
圖3B，為沿著圖3B中A-A，剖面線的剖面示意圖。
圖3C為本發(fā)明第一實施例的像素陣列與周邊電路的示意圖。
圖3D為圖3B中單一子像素的示意圖。
圖4為另一種單一子像素的示意圖。
圖5A為本發(fā)明第二實施例的像素陣列的等效電路圖。
圖5B為本發(fā)明第二實施例的像素陣列的示意圖。
圖5B'為沿著圖5B中B-B'剖面線的剖面示意圖。
圖5C與圖5D分別為圖5B中單一子像素的示意圖。
圖6為第一像素電極與第二像素電極的電壓變化示意圖。
圖7為本發(fā)明的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板的示意圖。
圖8為本發(fā)明的光電裝置的示意圖。
附圖標號
200、 300、 400:像素陣列
500:柵極驅(qū)動電路
600:聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板
610:第一基板
620:第二基板
630、 640:聚合物穩(wěn)定配向?qū)?br> 650:液晶層700:光電裝置
P2、 P3、 P3' 、 P4:子像素SL、 SL(n-l) SL(n+l):掃描線SL1、 SLl(l) SLl(n+2):第一掃描線SL2、 SLl(l) SLl(n+l):第二掃描線DL、 DL(n-l)、 DL(n):數(shù)據(jù)線TFT1、 TFT2、 TFT3:開關元件Gl、 G2、 G3:柵極Sl、 S2、 S3:源極Dl、 D2、 D3:漏極CcA:第一電容
CcB:第二電容
Csl、 Cs2:儲存電容Cxl、 Cx2:寄生電容CLC1、 CLC2:液晶電容ITOl、 IT02:像素電極COM、 COMl、 COM2:共通線VI、 V2、 V3:接觸窗
GI:柵絕緣層PV:保護層
具體實施例方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。第一實施例
圖3A為本發(fā)明第一實施例的像素陣列的等效電路圖，圖3B為本發(fā)明第一實施例的像素陣列的示意圖，而圖3B'為沿著圖3B中A-A'剖面線的剖面示意圖。請同時參照圖3A與圖3B，本實施例的像素陣列300包括多條第一掃描線SL1、多條第二掃描線SL2、多條數(shù)據(jù)線DL以及多個子像素P3。此處，第一掃描線SL1包括第一掃描線SLl(l) SLl(n+l)，第二掃描線SL2包括第二掃描線SL2(l) SL2(n)，而數(shù)據(jù)線DL包括數(shù)據(jù)線DL(l) DL(n)。圖3A與圖3B中僅繪示出部分的第一掃描線SL1、第二掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL。
各條第二掃描線SL2分別位置二相鄰的第一掃描線SL1之間，數(shù)據(jù)線DL 實質(zhì)上交錯于第一掃描線SL1及第二掃描線SL2。各個子像素P3與其中一條 第一掃描線SL1、其中一條第二掃描線SL2以及其中一條數(shù)據(jù)線DL電連接。 各個子像素P3包括一第一開關元件TFT1、 一第二開關元件TFT2、 一第一像 素電極ITOl、 一第二像素電極IT02以及一第三開關元件TFT3，其中第一開 關元件TFT1與第二開關元件TFT2與同一條第一掃描線SL1以及同一條數(shù)據(jù) 線DL電連接，第一像素電極ITOl與第一開關元件TFT1電連接，第二像素 電極IT02與第二開關元件TFT2電連接，且第一掃描線SL1位于第一像素電 極ITOl與第二像素電極IT02之間。此外，第三開關元件TFT3與第二掃描 線SL2以及第一像素電極ITOl電連接，第三開關元件TFT3具有一電性浮置 端D3，而此電性浮置端D3與第二像素電極IT02耦合為一第一電容CcA， 且電性浮置端D3與第二像素電極IT02下方的共通線COM2耦合為一第二電 容CcB。在一較佳實施例中，電性浮置端D3延伸于第二像素電極IT02下方 且位于共通線COM2的上方，如圖3B'所示。換言之，電性浮置端D3覆蓋 于共通線COM2的上方，且電性浮置端D3與共通線COM2之間具有柵絕緣 層GI，此外，第二像素電極IT02覆蓋于電性浮置端D3的上方，且第二像素 電極IT02與電性浮置端D3之間具有保護層PV。因此，共通線COM2、柵 絕緣層GI、電性浮置端D3、保護層PV以及第二像素電極IT02共同形成一 堆迭結(jié)構(gòu)。
由于與第一掃描線SL1連接的開關元件數(shù)量較多(第一與第二開關元 件)，為了平衡第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2的降低電阻-電容遲滯(RC delay),本實施例可另第一掃描線SL1的線寬(line width)大于與第二掃描線SL2 的線寬SL2。然而，在本發(fā)明的其他可行的實施例中，亦可通過材質(zhì)的選擇 而降低第一掃描線SL1的電阻-電容遲滯。
在本實施例中，第一像素電極ITOl會與薄膜晶體管陣列基板上的共通線耦合而形成一第一儲存電容Csl，且第一像素電極ITOl會與對向基板(如彩 色濾光基板)上的共通電極耦合而形成一第一液晶電容CLC1。類似地，第二 像素電極IT02會與薄膜晶體管陣列基板上的共通線耦合而形成一第二儲存 電容Cs2，且第二像素電極IT02會與對向基板(如彩色濾光基板)上的共通 電極耦合而形成一第二液晶電容CLC2。從圖3A可知，第一像素電極ITOl 的面積大于第二像素電極IT02的面積，然而，本實施例并不限定第一像素電 極ITOl與第二像素電極IT02的面積比例。
如圖3A所示，本實施例的第一掃描線SL1的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于第二 掃描線SL2的延伸方向。此外，子像素P3排列成多列，且排列于同一列的子 像素P3與同一條第一掃描線SL1以及同一條第二掃描線SL2電連接，且與同 一列子像素P3電連接的第一掃描線SL1與第二掃描線SL2是彼此電性絕緣。
在本實施例中，各個子像素P3中的第一掃描線SL1以及第二掃描線SL2 皆位于第一像素電極ITOl與第二像素電極IT02之間。由于第一掃描線SL1 以及第二掃描線SL2皆位于第一像素電極ITOl與第二像素電極IT02之間， 因此第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2與第三開關元件TFT3會集中 于第一像素電極ITOl與第二像素電極IT02之間的區(qū)域，有利于第一像素電 極ITOl以及第二像素電極IT02與第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2 以及第三開關元件TFT3之間的電連接。
從圖3A可知，本實施例的第一開關元件TFT1為一第一薄膜晶體管，而 第一薄膜晶體管具有一與其中一條第一掃描線SL1電連接的第一柵極G1、 一 與其中一條數(shù)據(jù)線DL電連接的第一源極Sl以及一與第一像素電極ITOl電 連接的第一漏極D1。第二開關元件TFT2為一第二薄膜晶體管，而第二薄膜 晶體管具有一與其中一條第一掃描線SL1電連接的第二柵極G2、 一與其中一 條數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極S2以及一與第二像素電極IT02電連接的第 二漏極D2。此外，第三開關元件TFT3為一第三薄膜晶體管，而第三薄膜晶 體管具有一與其中一條第二掃描線SL2電連接的第三柵極G3、 一與第一像素電極ITOl電連接的第三源極S3以及以第三漏極D3 (即前述的電性浮置端 D3)。
圖3C為本發(fā)明第一實施例的像素陣列與周邊電路的示意圖。請參照圖 3B與圖3C，本實施例的像素陣列300可進一步包括多條彼此連接的共通線 COM (即共通線COMl、 COM2)，且共通線COM分布于第一像素電極ITOl 以及第二像素電極IT02下方。詳言之，共通線COMl會從周邊區(qū)域延伸至 第一像素電極ITOl ，而共通線COM2會從周邊區(qū)域延伸至第二像素電極IT02 下方。
從圖3C可知，像素陣列300中的子像素P3會排列成多列，且與第n列 子像素P3電連接的第二掃描線SL2(n)以及與第(n+l)列子像素P3電連接的第 一掃描線SLl(n+l)是彼此電連接。類似地，第二掃描線SL2(n+l)以及第一掃 描線SLl(n+2)亦彼此電連接。此外，第一掃描線SLl(n)、 SLl(n+l)、 SLl(n+2) 會與一柵極驅(qū)動電路500的不同輸出端子電連接。
然而，本發(fā)明并不限定第二掃描線必須與下一級第一掃描線電連接，第 一掃描線與第二掃描線亦可以分別地與柵極驅(qū)動電路500的不同輸出端子電 連接。
圖3D為圖3B中單一子像素的示意圖。請同時參照圖3B與圖3D，在單 一子像素P3中，由于第一掃描線SL1與第二掃描線SL2皆位于第一像素電極 ITOl以及第二像素電極IT02之間，因此當?shù)诙∧ぞw管TFT2的第二漏極 D2與第二像素電極IT02電連接時，第二漏極D2不會跨過第一像素電極ITOl 而產(chǎn)生寄生電容(已知中所提及的寄生電容Cxl)。此外，當?shù)谌∧ぞw 管TFT3的第三漏極D3與第二像素電極IT02耦合成第一電容CcA并且與第 二像素電極IT02下方的共通線耦合成第二電容CcB時，第三漏極D3亦不會 與第一像素電極ITOl耦合而產(chǎn)生寄生電容。因此，與已知技術(shù)相較，本實施 例的子像素P3具有較少的寄生電容。
從圖3D可以清楚得知，第三薄膜晶體管TFT3的第三源極S3與第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極Dl直接連接，且第三源極S3通過第一漏極Dl與 第一像素電極ITOl電連接。換言之，第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極D1 以及第三薄膜晶體管TFT3的第三源極S3是通過相同的接觸窗VI與第一像 素電極ITOl電連接。此外，第二薄膜晶體管TFT2的第二漏極Dl是通過接 觸窗V2與第二像素電極IT02電連接。圖4為另一種單一子像素的示意圖。請參照圖4，在子像素P3'中，第 三薄膜晶體管TFT3的第三源極S3與第一像素電極ITOl直接連接。換言之， 第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極D1以及第三薄膜晶體管TFT3的第三源極 S3是分別通過不同的接觸窗VI、 V3與第一像素電極ITOl電連接。此外， 第二薄膜晶體管TFT2的第二漏極D1是通過接觸窗V2與第二像素電極IT02 電連接。從圖3D與圖4可知，圖3D中所繪示的子像素P3不具有接觸窗V3，因 此圖3D中所繪示的子像素P3具有較高的透光面積。 第二實施例圖5A為本發(fā)明第二實施例的像素陣列的等效電路圖，圖5B為本發(fā)明第 二實施例的像素陣列的示意圖，圖5B，為沿著圖5B中B-B'剖面線的剖面 示意圖，而圖5C與圖5D為圖5B中單一子像素的示意圖。請參照圖5A至圖 5C，本實施例的像素陣列500與第一實施例的像素陣列300類似，惟二者主 要差異之處在于各子像素P4中的第二像素電極IT02位于第一掃描線SL1 與第二掃描線SL2之間。詳言之，第三薄膜晶體管TFT3的第三源極S3會跨 過第二像素電極IT02而與第一漏極D1直接電連接(如圖5C所繪示)，此 時，第三源極S3與第二像素電極IT02之間會產(chǎn)生寄生電容Cx2。雖然子像 素P4中有寄生電容Cx2的存在，但與已知的子像素P2相較，子像素P4中僅 有寄生電容Cx2存在，寄生電容Cxl (繪示于圖2)則不會產(chǎn)生，因此本實施例的子像素仍具有較少的寄生電容。承上述，各子像素P4亦可以采用圖5D中的布局，詳言之，第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極D1以及第三薄膜晶體管TFT3的第三源極S3是分別通 過不同的接觸窗V1、 V3與第一像素電極IT01電連接。圖6為第一像素電極與第二像素電極的電壓變化示意圖。請參照圖6，當 寄生電容Cxl與Cx2存在時，第一像素電極與第二像素電極之間的電壓差異 拉開幅度較小，反之，當寄生電容Cxl與Cx2不存在時，第一像素電極與第 二像素電極之間的電壓差異能夠被拉開。據(jù)此，與已知的子像素P2相較，前 述第一實施例與第二實施例的子像素P3、 P4能夠更有效地改善色偏問題。第三實施例圖7為本發(fā)明的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板的示意圖。請參照圖7，本 實施例的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板600包括一第一基板610、 一第二基板 620、兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)?30、 640以及一液晶層650。第一基板610具有前 述第一實施例或第二實施例中的像素陣列(300或400)，第二基板620配置 于第一基板610上方，而兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)?30、 640分別配置于第一基板 610與第二基板620上。此外，液晶層650配置于兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)?30、 640之間。值得注意的是，液晶層650在制作上是采用包含有能夠被能量源聚 合的單體的液晶材料，當能量源(如紫外光)被施加于液晶層650時，這些 能夠被能量源聚合的單體會分別聚合于第一基板610與第二基板620的表面 上，以形成兩聚合物穩(wěn)定配向膜630、 640。圖8為本發(fā)明的光電裝置的示意圖。請參照圖8，本實施例亦提出一種光 電裝置700，其包括前述第一實施例或第二實施例中的像素陣列(300或400) 或是圖7中的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板600。而光電裝置的類型包括便攜 式產(chǎn)品(如手機、攝影機、照相機、筆記本電腦、游戲機、手表、音樂播放 器、電子信件收發(fā)器、地圖導航器、數(shù)碼相片、或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品 (如影音播放器或類似的產(chǎn)品)、熒幕、電視、看板、投影機內(nèi)的面板等。基于上述，由于本發(fā)明將子像素中的第一掃描線設置于第一像素電極與 第二像素電極之間，因此本發(fā)明的像素陣列具有較低的寄生電容，且能夠提供較佳的圖像品質(zhì)。
雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 本技術(shù)領域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的 更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求范圍所界定為準。
權(quán)利要求
1. 一種像素陣列，其特征在于，所述像素陣列包括多條第一掃描線；多條第二掃描線，其中各所述第二掃描線分別位置二相鄰的第一掃描線之間；多條數(shù)據(jù)線，所述這些數(shù)據(jù)線實質(zhì)上交錯于所述這些第一掃描線及所述這些第二掃描線；多個子像素，各所述子像素與其中一條第一掃描線、其中一條第二掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電連接，且各所述子像素包括一第一開關元件；一第二開關元件，其中所述第一開關元件與所述第二開關元件與同一條第一掃描線以及同一條數(shù)據(jù)線電連接；一第一像素電極，與所述第一開關元件電連接；一第二像素電極，與所述第二開關元件電連接，其中所述第一掃描線位于所述第一像素電極與所述第二像素電極之間；多條彼此連接的共通線，分布于所述第一像素電極以及所述第二像素電極下方；一第三開關元件，與所述第二掃描線以及所述第一像素電極電連接，其中所述第三開關元件具有一電性浮置端，所述電性浮置端與所述第二像素電極耦合為第一電容，且所述電性浮置端與所述第二像素電極下方的所述共通線耦合為一第二電容。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述這些第一掃描線的 延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于所述這些第二掃描線的延伸方向。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述這些子像素排列成 多列，且排列于同一列的子像素與同一條第一掃描線以及同一條第二掃描線電連接。
4. 如權(quán)利要求3所述的像素陣列，其特征在于，與同一列子像素電連接 的第一掃描線與第二掃描線彼此電性絕緣。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述這些子像素排列成 多列，與第n列子像素電連接的第二掃描線以及與第n十l列子像素電連接的 第一掃描線是彼此電連接，其中n為正整數(shù)。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第二掃描線位于 所述第一像素電極與所述第二像素電極之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第二像素電極位于 所述第一掃描線與所述第二掃描線之間。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第一開關元件為 一第一薄膜晶體管，而所述第一薄膜晶體管具有一與其中一條第一掃描線電 連接的第一柵極、 一與其中一條數(shù)據(jù)線電連接的第一源極以及一與所述第一 像素電極電連接的第一漏極。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第二開關元件為 一第二薄膜晶體管，而所述第二薄膜晶體管具有一與其中一條第一掃描線電 連接的第二柵極、 一與其中一條數(shù)據(jù)線電連接的第二源極以及一與所述第二 像素電極電連接的第二漏極。
10. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，各所述第三開關元件為 一第三薄膜晶體管，而所述第三薄膜晶體管具有一與其中一條第二掃描線電連接的第三柵極、 一與所述第一像素電極電連接的第三源極以及所述電性浮 置端。
11. 如權(quán)利要求IO所述的像素陣列，其特征在于，所述第三源極與所述 第一像素電極直接連接。
12. 如權(quán)利要求IO所述的像素陣列，其中所述第三源極與所述第一漏極 直接連接，且所述第三源極通過所述第一漏極與所述第一像素電極電連接。
13. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，所述電性浮置端位于所 述第二像素電極下方。
14. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，位于相同子像素中的所 述第一掃描線的線寬實質(zhì)上大于與所述第二掃描線的線寬。
15. —種聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板，其特征在于，所述面板包括 一第一基板，具有如權(quán)利要求1所述的像素陣列；一第二基板，配置于所述第一基板上方；兩聚合物穩(wěn)定配向?qū)樱謩e配置于所述第一基板與所述第二基板上；以及一液晶層，配置于所述這些聚合物穩(wěn)定配向?qū)又g。
16. —種光電裝置，其特征在于，所述光電裝置包括權(quán)利要求l所述的像 素陣列。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素陣列、液晶顯示面板以及光電裝置。所述像素陣列，其包括多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個子像素。各個子像素包括第一開關元件、第二開關元件、第一像素電極、第二像素電極、第三開關元件以及多條彼此連接的共通線，其中第一開關元件與第二開關元件與同一條第一掃描線以及同一條數(shù)據(jù)線電連接，第一像素電極與第一開關元件電連接，第二像素電極與第二開關元件電連接，第一掃描線位于第一像素電極與第二像素電極之間，且共通線分布于第一像素電極以及第二像素電極下方。此外，第三開關元件與第二掃描線以及第一像素電極電連接，第三開關元件具有一電性浮置端。
文檔編號H01L23/528GK101504503SQ200910129969
公開日2009年8月12日 申請日期2009年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月10日
發(fā)明者丁天倫, 徐文浩, 王自豪, 蘇振嘉, 邱鐘毅, 陳介偉 申請人:友達光電股份有限公司