專利名稱：在雙極晶體管中反摻雜集電區(qū)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及雙極晶體管，并且更具體地涉及反摻雜雙極晶體 管的集電區(qū)。
背景技術(shù)：
雙極晶體管包括用I1型或P型材料交替摻雜的發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集
電區(qū)。例如，npn雙極晶體管包括用n型材料摻雜的發(fā)射區(qū)、用p型材 料摻雜的基區(qū)和用n型材料摻雜的集電區(qū)。對(duì)于另一個(gè)實(shí)例，pnp雙極 晶體管包括用p型材料摻雜的發(fā)射區(qū)、用n型材料摻雜的基區(qū)和用p型 材料摻雜的集電區(qū)。因此雙極晶體管的結(jié)構(gòu)和工作參數(shù)至少部分地由 被用來摻雜發(fā)射極、基極和/或集電極區(qū)域的具體工藝所產(chǎn)生的摻雜劑 分布確定。
圖1A、 1B和1C概念上示出了用于形成p叩雙極晶體管的集電極 的傳統(tǒng)技術(shù)。最初，如圖1A所示，SOI襯底(絕緣體上硅襯底)100 被用作起始材料。如圖1A所示，SOI襯底100由體(bulk)襯底100a、 埋置絕緣層100b和有源層100c構(gòu)成。通常體硅100a由硅構(gòu)成，埋置絕 緣層100b由二氧化硅(所謂的"BOX"層)構(gòu)成，并且有源層100c 由(摻雜的或未摻雜的)硅構(gòu)成?？梢院苋菀椎貜母鞣N商業(yè)上已知的 來源來獲得這樣的SOI結(jié)構(gòu)。通常，對(duì)于高電壓技術(shù)埋置絕緣層100b 將相對(duì)較厚，例如在約0.5-2微米的量級(jí)，而有源層100c可以具有約2 微米的初始厚度。
此后，如圖1A所示，摻雜的硅層105被形成在有源層100c上方。 硅層105被用例如磷、砷的N型摻雜劑材料摻雜，使得它具有約1.6-4.5 歐姆/厘米的電阻率，該電阻率對(duì)應(yīng)于約1-3 x 1015個(gè)離子/cm3的摻雜劑 濃度。硅層105是在外延反應(yīng)器中被淀積的外延硅層。在該情形下，
5可以通過在被用來形成層105的工藝期間將摻雜劑材料引入到外延反 應(yīng)器中來摻雜外延硅層105。然而，也可以通過在形成硅層105之后執(zhí) 行離子注入工藝來將摻雜劑材料引入到硅層105中。請(qǐng)注意，硅層105 內(nèi)的摻雜劑原子的分布在它的整個(gè)深度上可能不是均勻的。
僅僅出于說明的目的，附圖描繪了有源層100c與硅層105之間的 界面。實(shí)際上，這兩層之間的區(qū)別可能非常難以限定。然而，僅僅出 于說明的目的示出了不同的層。硅層105相對(duì)厚。在一個(gè)示例性實(shí)施 例中，硅層105具有約2-30微米范圍的厚度，這取決于具體的應(yīng)用。 此后，通過執(zhí)行例如熱氧化工藝在硅層105上方形成絕緣或氧化物層 110。
如圖1B所示，摻雜劑注入工藝(如箭頭115所示)可以被執(zhí)行來 在硅層105中注入摻雜劑物質(zhì)。例如，摻雜劑注入工藝115可以被用來 將例如硼的p型摻雜劑注入到硅層105中來形成摻雜區(qū)120。摻雜區(qū)120 可以被稱為p阱。在摻雜區(qū)120中的摻雜劑濃度通常在從約3x 10"到3 x 1016個(gè)離子/cm3的范圍內(nèi)。所注入的摻雜劑物質(zhì)的部分也可以保留 在氧化物層110內(nèi)。
圖2A示意性示出了作為到氧化物層和硅層中的深度的函數(shù)的摻 雜劑濃度。沿著垂直軸(任意單位)指示了摻雜劑濃度，而沿著水平 軸(任意單位)指示了深度。由垂直的虛線指示了在氧化物層和硅層 之間的邊界。由虛線205指示了在氧化物層和硅層中n型摻雜劑物質(zhì)的 濃度，而由實(shí)線210指示了所注入的p型摻雜劑物質(zhì)的濃度。所注入的 p型摻雜劑濃度在氧化物層和硅層之間界面的稍微下方處出現(xiàn)峰值， 并且然后隨著到硅層中的深度的增大而減少。n型摻雜劑的濃度在這 兩個(gè)層內(nèi)近似恒定。
現(xiàn)在參考圖1C，熱氧化工藝能夠被用來生長二氧化硅層110的所 選擇的部分。熱氧化工藝被用來生長部分125 (1-2)并且掩模層(未 示出)被用來防止這些部分之間的區(qū)域生長。熱氧化和隨之發(fā)生的部 分125的生長消耗了摻雜區(qū)120的一部分。在一些情況下，被用來摻雜 摻雜區(qū)120的摻雜劑物質(zhì)可能易于分凝(segregate),因?yàn)閾诫s劑物質(zhì)易于再分布使得在二氧化硅層110與摻雜區(qū)120之間的界面兩端的 化學(xué)勢(shì)近似恒定。這個(gè)現(xiàn)象通常被稱為摻雜劑分凝。例如，熱氧化能 夠促使硼從摻雜區(qū)120遷移到二氧化硅層110的部分125中以使界面兩 端的化學(xué)勢(shì)平衡。摻雜劑分凝可能導(dǎo)致在摻雜區(qū)120中p型摻雜劑的濃 度降到n型摻雜劑濃度以下，由此產(chǎn)生反型層。由此引起的n型反型層 能夠降低使用這個(gè)技術(shù)形成的器件的性能。
圖2B示意性示出了作為在熱氧化工藝之后到氧化物層和硅層中 的深度的函數(shù)的摻雜劑濃度。沿著垂直軸(任意單位)指示了摻雜劑 濃度，而沿著水平軸(任意單位)指示了深度。由垂直的虛線指示了 在氧化物層和硅層之間的邊界。熱氧化已經(jīng)增大了氧化物層的深度， 如由相對(duì)于圖2A該垂直的虛線移動(dòng)到右邊所示。由虛線205指示了在 氧化物層和硅層中n型摻雜劑物質(zhì)的濃度，而由實(shí)線210指示了所注入 的p型摻雜劑物質(zhì)的濃度。摻雜劑分凝已經(jīng)增大了在氧化物層中的p型 摻雜劑的濃度，并且減少了在硅層中的p型摻雜的濃度。n型摻雜劑的 濃度已經(jīng)在氧化物層中輕微地減少并且在硅層表面附近增大。因此， 反型區(qū)215已經(jīng)在硅層與氧化物層之間的界面附近形成。
所公開的主題涉及解決上述問題中的一個(gè)或多個(gè)的影響。

發(fā)明內(nèi)容
下面介紹所公開的主題的簡化摘要以便提供對(duì)所公開的主題的 一些方面的基本理解。這個(gè)摘要不是所公開的主題的窮盡性的總結(jié)。 其不意圖來確定所公開的主題的關(guān)鍵或重要元素或者來描寫所公開 的主題的范圍。其唯一的目的是以簡化的形式來介紹一些概念作為稍 后要討論的更詳細(xì)描述的序言。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供了 一種用于形成雙極晶體管的p阱的方法。 該方法包括用第一類型摻雜劑摻雜硅層并且執(zhí)行第一注入工藝來在 硅層中注入與第一類型相反的第二類型的摻雜劑。所注入的摻雜劑在 硅層中具有第 一摻雜劑分布。該方法也包括執(zhí)行第二注入工藝以便在 硅層中注入附加的第二類型摻雜劑。附加的所注入的摻雜劑在硅層中具有與第一摻雜劑分布不同的第二摻雜劑分布。該方法還包括通過消 耗硅層和第一類型摻雜劑的一部分來生長在硅層上方形成的絕緣層。
在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種雙極晶體管。該雙極晶體管包括 襯底、形成在該襯底上方的硅層以及絕緣層。硅層被用第一類型摻雜 劑摻雜，并且然后通過執(zhí)行第 一和第二注入工藝以便在硅層中注入與 第一類型相反的第二類型的摻雜劑來被進(jìn)一步摻雜。所注入的摻雜劑
在硅層中具有第一和第二摻雜劑分布。通過以下步驟來形成絕緣層 淀積或生長初始的絕緣層，并且通過消耗硅層和第二類型摻雜劑的一 部分來生長在硅層上方形成的該初始絕緣層。


參考結(jié)合附圖的下面的描述可以理解所公開的主題，在附圖中相 似的附圖標(biāo)記標(biāo)明相似的元件，并且在附圖中
圖1A、 1B和1C在概念上示出了用于形成pnp雙極晶體管的集電 極的傳統(tǒng)技術(shù)；
圖2 A示意性示出了作為在熱氧化之前到傳統(tǒng)pnp雙極晶體管的 氧化物層和硅層中的深度的函數(shù)的摻雜劑濃度；
圖2B示意性示出了作為在用來形成傳統(tǒng)pnp雙極晶體管的熱氧 化工藝之后到氧化物層和硅層中的深度的函數(shù)的摻雜劑濃度；
圖3A示意性示出了可以用來形成雙極晶體管的集電極的在氧化 物層和硅層之間的摻雜劑濃度的一個(gè)示例性實(shí)施例；
圖3B描繪了在第二摻雜工藝被用來將附加摻雜劑注入到硅層中 之后的摻雜劑濃度；以及
圖3C描繪了在熱處理已經(jīng)被用來熱生長氧化物層之后的摻雜劑濃度。
雖然所公開的主題容易進(jìn)行各種修改和具有可替代的形式，但是
描述了該具體實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在這里的具體實(shí)施例的描述 并不意圖來將所公開的主題限制到所公開的特定形式，而是正相反地，本發(fā)明意圖覆蓋落入如所附權(quán)利要求限定的所公開主題的范圍內(nèi) 的所有修改、等同物和可替代方案。
具體實(shí)施例方式
下面描述了所公開主題的示例性實(shí)施例。為了清楚，在本說明書 中并沒有描述實(shí)際實(shí)施方案的所有特征。當(dāng)然將明白，在任何這樣的 實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行許多實(shí)施方案特有的決策來實(shí)現(xiàn)開發(fā) 者的特有目標(biāo)，例如符合系統(tǒng)有關(guān)的和商業(yè)有關(guān)的約束，其會(huì)從一個(gè)
實(shí)施方案到另一個(gè)實(shí)施方案而變化。此外，將明白，這樣的開發(fā)努力 可能是復(fù)雜的并且耗時(shí)的，但是仍然會(huì)是享有本發(fā)明益處的本領(lǐng)域技
術(shù)人員采取的慣例(routine)。
現(xiàn)在將參考附圖來描迷所公開的主題。僅僅出于說明的目的而在 附圖中示意性描繪了各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)和器件，并且從而不會(huì)用本領(lǐng)域 技術(shù)人員所公知的細(xì)節(jié)來模糊本發(fā)明。然而，附圖被包括來描述和說 明示例性實(shí)例。在這里所使用的詞和短語應(yīng)當(dāng)被理解和解釋為具有與 相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)這些詞和短語的理解相一致的意思。術(shù)語或短語 的特有定義(即，與如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常的和習(xí)慣的意思 不同的定義)不意圖由在這里的該術(shù)語或短語的一貫用法所暗示。如 果術(shù)語或短語意圖具有特有意思(即，與技術(shù)人員所理解的不同的意 思)，則這樣的特有定義將在說明書中以明示的方式被清楚地陳述， 其直接且明確的提供了該術(shù)語或短語的特有定義。
圖3A示意性示出了在由氧化物形成的絕緣層和可以用來形成雙 極晶體管的p阱的硅層中摻雜劑濃度的一個(gè)示例性實(shí)施例。p阱然后 可以被用來形成雙極晶體管的集電極。在所示出的實(shí)施例中，集電極 層由硅形成，而氧化物層由二氧化硅形成。然而，享有本申請(qǐng)公開內(nèi) 容益處的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明不限于這些特定的材料。 摻雜劑濃度作為到氧化物層和硅層中的深度的函數(shù)而被繪出。沿著垂 直軸(任意單位)指示了摻雜劑濃度，而沿著水平軸(任意單位)指 示了深度。由垂直的虛線指示了在氧化物層和硅層之間的邊界。所示出的實(shí)施例描繪了在雙極晶體管的形成的中間階段的摻雜 劑濃度。在形成工藝中的這點(diǎn)處，硅層和氧化物層已經(jīng)被淀積并且被 用兩種彼此相反的摻雜劑物質(zhì)摻雜。在一個(gè)實(shí)施例中，雙極晶體管是 pup晶體管而在氧化物層和硅層中的11型摻雜劑物質(zhì)的濃度由虛線
305所示。n型摻雜劑可以在硅層和氧化物層已經(jīng)被淀積之后被注入 到這些層中，或者可替代地，n型摻雜劑可以在材料正在被淀積時(shí)被 并入該材料中。n型摻雜劑的濃度在這兩個(gè)層內(nèi)近似恒定。所注入的 p型摻雜劑物質(zhì)(例如，硼)的濃度由實(shí)線310所示。所注入的p型
峰值，并且然后隨著到硅層中的深度的增大而減少。例如，在摻雜區(qū) 310中的峰值摻雜劑濃度310可以在5 x 1016個(gè)離子/0113的量級(jí)。享有 本申請(qǐng)公開內(nèi)容益處的本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，雙極晶體管可以可 替代地是npn晶體管，在該情況下分布305、 310分別代表p型和n 型摻雜劑。
圖3B描繪了在第二摻雜工藝被用來將附加摻雜劑注入到硅層中 之后的摻雜劑濃度。在所示出的實(shí)施例中，第二摻雜工藝被用來將附 加的p型摻雜劑注入到硅層中，該附加的p型摻雜劑具有在深度325 處出現(xiàn)峰值的濃度320。深度325小于初始淀積的p型摻雜劑的深度 315?？梢允褂酶鞣N技術(shù)來選擇和調(diào)節(jié)相對(duì)深度315、 325。在一個(gè)實(shí) 施例中，可以通過使用相對(duì)高能量(例如，大于30 keV的能量)注 入摻雜劑物質(zhì)來產(chǎn)生摻雜劑濃度310，并且可以通過使用相對(duì)低能量 (例如，小于30 keV的能量)注入摻雜劑物質(zhì)來產(chǎn)生摻雜劑濃度320。 例如，可以通過在約300 keV下注入摻雜劑物質(zhì)來產(chǎn)生摻雜劑濃度 310，并且可以通過在約15-30 keV下注入摻雜劑物質(zhì)來產(chǎn)生摻雜劑濃 度320。然而，可以替代在注入能量上的變化或者除了在注入能量上 的變化之外還使用其它技術(shù)(例如，改變?cè)诘谝缓偷诙诫s工藝之間 的氧化物層的深度)來控制摻雜劑深度。在摻雜區(qū)中的峰值摻雜劑濃 度320可以在1017個(gè)離子/ 113的量級(jí)。
圖3C描繪了在熱氧化工藝已經(jīng)被用來生長絕緣氧化物層之后的
10摻雜劑濃度。熱氧化和氧化物層隨之發(fā)生的生長增大了氧化物層的深
度，如由相對(duì)于圖3B該垂直的虛線移動(dòng)到右邊所示。在熱氧化工藝 期間摻雜劑物質(zhì)遷移，并且因此摻雜劑分布310、 320已經(jīng)合并來形 成單個(gè)摻雜劑分布330。摻雜劑分凝已經(jīng)增大了在氧化物層中的p型 摻雜劑的濃度330，并且減少了在硅層中的p型摻雜劑的濃度330。 例如，熱氧化能夠促使硼從硅層遷移到二氧化硅層中使得這些層之間 的界面兩端的化學(xué)勢(shì)近似恒定。n型摻雜劑的濃度305已經(jīng)在氧化物 層中輕微地減少并且在近似相同水平處保持近似恒定，如圖3B所示。
在圖3B所示的第二摻雜工藝期間注入的附加摻雜劑已經(jīng)增大了 硅層與氧化物層之間的界面附近的摻雜劑濃度。因此，摻雜劑分凝和 由此引起的p型摻雜劑濃度330的減少?zèng)]有導(dǎo)致在硅層中形成的反型 區(qū)。作為代替的，在第二摻雜工藝期間注入的附加摻雜劑用作在熱氧 化工藝期間能夠被消耗的犧牲材料(例如，摻雜劑能夠遷移到氧化物 層中)，使得直到硅層內(nèi)的所選擇深度處p型摻雜劑物質(zhì)的濃度330 仍然大于n型摻雜劑物質(zhì)的濃度305。所選擇的深度是設(shè)計(jì)選擇的問 題。在各種實(shí)施例中，第一和第二注入工藝以及熱氧化工藝的參數(shù)可 以被修改、選擇和/或調(diào)節(jié)從而防止根據(jù)在這里所述的技術(shù)在由所選擇 深度限定的區(qū)域內(nèi)反型層的形成。
上面所公開的特定實(shí)施例僅僅是示例性的，因?yàn)楸景l(fā)明可以以對(duì) 于享有在這里的教導(dǎo)益處的本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的不同但是等 同的方式來被修改和實(shí)踐。此外，并不意圖限制在這里所示的結(jié)構(gòu)或 設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)，除了如在下面的權(quán)利要求中所描述的之外。因此，顯然 在上面所公開的特定實(shí)施例可以被改變或修改，并且所有這樣的變化 被認(rèn)為在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，在這里所尋求的保護(hù)如在下面的權(quán) 利要求中所陳述的。
權(quán)利要求
1.一種形成雙極晶體管的p阱的方法，包含以下步驟執(zhí)行第一注入工藝以在硅層中注入第一類型的摻雜劑，所述硅層摻雜有與第一類型相反的第二類型的摻雜劑，所注入的摻雜劑在所述硅層中具有第一摻雜劑分布；執(zhí)行第二注入工藝，以便在所述硅層中注入附加的第一類型的摻雜劑，附加的所注入的摻雜劑在所述硅層中具有第二摻雜劑分布，所述第二摻雜劑分布不同于所述第一摻雜劑分布；以及通過消耗所述硅層和第一類型摻雜劑的一部分來在所述硅層上方生長絕緣層。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，包含以下步驟在硅襯底和絕緣 體上硅襯底中的至少一種上方淀積所述硅層。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中淀積所述硅層的步驟包含淀 積摻雜的硅層的步驟。
4. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中淀積所述硅層的步驟包含以 下步驟淀積未摻雜的硅層，然后用第一類型的摻雜劑摻雜所述硅層。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中執(zhí)行第一注入工藝的步驟包 含注入具有第 一摻雜劑分布的摻雜劑的步驟，所述第 一摻雜劑分布在 所述硅層中的第 一深度處具有第 一峰值。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中執(zhí)行第二注入工藝的步驟包 含注入具有第二摻雜劑分布的摻雜劑的步驟，所述第二摻雜劑分布在 所述硅層中的第二深度處具有第二峰值，所述第二注入工藝使用比第 一注入工藝更低的能量使得第二深度比第一深度更淺。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中注入具有第一摻雜劑分布的 摻雜劑的步驟包含以下步驟注入在第一峰值處的摻雜劑濃度大于所 述硅層中的第一類型摻雜劑的濃度的摻雜劑。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中注入具有第二摻雜劑分布的 摻雜劑的步驟包含以下步驟注入在第二峰值處的摻雜劑濃度大于第一峰值處的摻雜劑濃度的摻雜劑，所述摻雜劑的一部分被淀積在所述 絕緣層中。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述絕緣層包含氧化物層， 并且其中生長所述氧化物層的步驟包含以下步驟使用熱氧化來促使 在所述第一和第二摻雜劑分布中的摻雜劑的一部分遷移到所述氧化 物層中。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中注入具有所述第一和第二摻 雜劑分布的摻雜劑的步驟包含以下步驟注入摻雜劑使得在從所述氧中，第:類型摻雜一劑的濃度在加熱之后仍保持大于第一類:摻雜劑的濃度。
11. 一種雙極晶體管，包含 襯底；在所述襯底上方形成的硅層，所述硅層摻雜有第一類型摻雜劑， 并且所述硅層進(jìn)一步通過以下處理來被摻雜執(zhí)行第一注入工藝，以在所述硅層中注入與第 一類型相反的 第二類型的摻雜劑，所注入的摻雜劑在所述硅層中具有第一摻雜劑分布；執(zhí)行第二注入工藝，以便在所述硅層中注入附加的第二類型 的摻雜劑，附加的所注入的摻雜劑在所述硅層中具有第二摻雜劑 分布，所述第二摻雜劑分布不同于所述第一摻雜劑分布； 絕緣層，在摻雜所述硅層之后通過生長所述絕緣層來形成，以促 使所述絕緣層通過消耗所述硅層的一部分和第二類型摻雜劑的一部 分來生長。
12. 如權(quán)利要求ll所述的雙極晶體管，其中所述襯底包含硅村底 和絕緣體上硅村底中的至少 一種。
13. 如權(quán)利要求12所述的雙極晶體管，其中所述硅層通過淀積摻 雜的硅層來形成。
14. 如權(quán)利要求12所述的雙極晶體管，其中所述硅層通過淀積未摻雜的硅層并且然后用第一類型的摻雜劑摻雜所述硅層來形成。
15. 如權(quán)利要求ll所述的雙極晶體管，包含在生長絕緣層之前通 過第一注入工藝在所述硅層中注入的具有第一摻雜劑分布的摻雜劑， 所述第 一摻雜劑分布在所述硅層中的第 一深度處具有第一峰值。
16. 如權(quán)利要求15所述的雙極晶體管，包含在生長所述絕緣層之 前通過第二注入工藝在所述硅層中注入的具有第二摻雜劑分布的摻 雜劑，所述第二摻雜劑分布在所述硅層中的第二深度處具有第二峰 值，所述第二注入工藝使用比第一注入工藝更低的能量使得第二深度 比第一深度更淺，所述摻雜劑的一部分被淀積在所述絕緣層中。
17. 如權(quán)利要求16所述的雙極晶體管，其中所述第一峰值處的摻 雜劑濃度大于所述硅層中的第一類型摻雜劑的濃度。
18. 如權(quán)利要求17所述的雙極晶體管，其中所述第二峰值處的摻 雜劑濃度大于第一峰值處的摻雜劑濃度。
19. 如權(quán)利要求18所述的雙極晶體管，其中所述絕緣層包含氧化 物層，并且其中生長所述絕緣層包含使用熱氧化來生長所述氧化物層 以促使在第一和第二摻雜劑分布中的摻雜劑的一部分遷移到所述氧 化物層中。
20. 如權(quán)利要求19所述的雙極晶體管，其中在從所述絕緣層與所 述硅層之間的界面延伸到所述硅層中所選擇深度的區(qū)域中，在生長所 述絕緣層之后第二類型摻雜劑的濃度仍保持大于第一類型摻雜劑的 濃度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種形成雙極晶體管的方法，包括在雙極晶體管中反摻雜集電區(qū)的方法。該方法包括用第一類型摻雜劑摻雜硅層并且執(zhí)行第一注入工藝以便在硅層中注入與第一類型相反的第二類型的摻雜劑。所注入的摻雜劑在硅層中具有第一摻雜劑分布。該方法也包括執(zhí)行第二注入工藝以便在硅層中注入附加的第二類型摻雜劑。附加的所注入的摻雜劑在硅層中具有與第一摻雜劑分布不同的第二摻雜劑分布。該方法還包括通過消耗硅層和第一類型摻雜劑的一部分來生長在硅層上方形成的絕緣層。
文檔編號(hào)H01L21/331GK101552201SQ20091012990
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2009年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月2日
發(fā)明者C·J·斯派爾, T·J·克魯特西克 申請(qǐng)人:卓聯(lián)半導(dǎo)體(美國)公司