專利名稱：加熱處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在真空狀態(tài)下加熱基板的加熱處理裝置。
背景技術(shù)：
在制造液晶顯示器等各種裝置時，例如基板的脫氣處理等，需要在真空下加熱處理基板的工序。近年來隨著各種裝置的大型化，處理基板的大型化進展。例如在液晶顯示器的情況會使用第十一代(3000mmX3320mm)尺寸的玻璃基板。因此，加熱處理基板的加熱處理裝置的真空腔也有大型化的必要。 在此，真空腔例如通過切削鋁塊而形成。但是，在用鋁塊形成與大型基板對應的真
空腔時，必須有專用的大型切削加工裝置等，真空腔自身的制作費變高。 為抑制這樣制造成本的增加，例如，已知有由通過焊接接合分割的多個結(jié)構(gòu)部件
的框狀側(cè)壁部和相對該側(cè)壁部用螺栓固定的底板及蓋板構(gòu)成的真空腔(例如，參照日本特
開平8-64542號公報)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題 但是，在用于反復變換大氣狀態(tài)和低壓狀態(tài)的加熱處裝置中，在采用象上述公報所述的、通過焊接接合結(jié)構(gòu)部件的結(jié)構(gòu)的真空腔的情況下，存在容易從焊接部分發(fā)生漏泄的問題。 另外，即使只把框狀的側(cè)壁部分割成多個，為了把底板及蓋板輸送到處理裝置的設(shè)置場所，必須有大型的拖車等輸送裝置，是不方便的，另外，存在由于其尺寸、重量受法令等的限制不能輸送的問題。 但是，在進行基板脫氣處理等的加熱處理法置中，為了同時處理多塊大型基板，也有把具有一個處理空間的各真空腔堆積固定，使用構(gòu)成為具有多段處理空間的真空腔的情況。在該情況下，由于各真空腔的壁部必須形成厚到不會由于成真空狀態(tài)的處理空間內(nèi)和外部的壓力差導致發(fā)生變形的程度，所以真空腔的高度會高。因此，多段真空腔的設(shè)置場所被限定，另外還存在制作材料變多的問題。 進而在加熱處理裝置中，例如，在設(shè)置在真空腔內(nèi)的加熱板等加熱裝置上放置基板進行加熱。向這樣的真空腔內(nèi)運送基板，雖然一般由機械手等進行，但是為此，例如，需要使基板升降的升降機構(gòu)等特殊機構(gòu)，存在成本增加的問題。 本發(fā)明是鑒于這樣的情況提出的，目的在于提供一種能以低成本制造，能高效地
良好地加熱處理基板的加熱處理裝置。 解決課題的手段 解決上述課題的本發(fā)明是一種加熱處理裝置，其特征在于，其具有真空腔、支持部件和加熱裝置，所述真空腔具備腔本體，該腔本體由具有貫通孔的塊狀的多個腔部件構(gòu)成，上述貫通孔形成為可將基板插入，在鄰接的腔部件的至少一個上，沿與另一個抵接的面的上述貫通孔的開口部的整個周圍連續(xù)設(shè)置槽部，各腔部件在夾著安裝于上述槽部中的密 封部件、分別緊靠的狀態(tài)下被固定，該腔本體具有由多個貫通孔構(gòu)成的處理空間；壁面部 件，該壁面部件密封上述處理空間的一個開口 ；蓋部件，該蓋部件能開閉地塞住上述處理空 間的另一個開口 ，所述支持部件配置在上述處理空間內(nèi)、支持上述基板，所述加熱裝置與由 該支持部件支持的上述基板相對設(shè)置、用輻射熱加熱該基板。 在本發(fā)明中，由于構(gòu)成真空腔的腔部件緊湊化，所以運送或設(shè)置變得容易。另外， 由于由支持部件支持的基板由加熱裝置的輻射熱加熱，基板的運送變得容易，加熱處理的 生產(chǎn)量提高。 在此，在上述各個腔部件的每一個中最好沿其高度方向按規(guī)定間隔設(shè)置多個上述 貫通孔。由此，由于真空腔更為緊湊化，所以很少的制作材料即可，可以謀求削減成本。
另外優(yōu)選在上述加熱裝置的表面形成含有提高輻射效率的材料的覆蓋膜，或在上 述加熱裝置上設(shè)置由提高輻射效率的材料形成的覆蓋板。由此，由于加熱裝置的輻射熱使 基板的加熱效果提高，可以良好地加熱基板。 優(yōu)選上述加熱裝置具有作為加熱源的護套加熱器()一》t一夕一)。由此，用加 熱裝置的輻射熱可以更好加熱基板。 上述支持部件例如在所述腔部件中由棒狀的基座部件和立設(shè)在該基座部件上的
多個基板支持銷構(gòu)成。通過作成這樣的結(jié)構(gòu)，可以在處理空間內(nèi)良好地支持基板。 另外，在支持部件由基座部件和基板支持銷構(gòu)成的情況下，上述基座部件也可以
作成在其軸向的多處具有能折彎的鉸鏈部。由此，支持部件的處理變得容易，提高維修作業(yè)
等中的安全性或作業(yè)性。 發(fā)明效果 如上面所說明的，本明的加熱處理裝置可以以比較低的成本制造。另外，提高了加 熱處理的生產(chǎn)量，即處理效率提高且可以良好地加熱處理基板。


圖1是本發(fā)明的加熱處理裝置的剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的腔本體的示意的立體圖 圖3是表示本發(fā)明的腔部件的示意的立體圖 圖4是表示本發(fā)明的處理空間內(nèi)部的示意圖。 圖5是表示本發(fā)明的保持部件的變形例的示意圖。 圖6是表示本發(fā)明的腔本體的變形例的示意的立體圖。 符號說明 10加熱處理裝置、20真空腔、21腔本體、22壁面部件、23蓋部件、24貫通孔、25腔 部件、26密封部件、27槽部、28間壁部、30支持部件、31基座部件、32基板支持銷、33分割基 座部件、34鉸鏈部、35軸、40加熱裝置、41覆蓋膜、A處理空間、S基板
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。 圖1是一實施方式的加熱處理裝置的剖視圖。圖2是表示腔本體的結(jié)構(gòu)的示意的
4立體圖，圖3是表示腔部件的結(jié)構(gòu)的示意圖，圖4是表示處理空間內(nèi)部的示意圖。
如圖1所示，加熱處理裝置10包括具有用于加熱處理基板S的處理空間A的真空 腔20，在處理空間A內(nèi)支持基板S的支持部件30和加熱基板S的加熱裝置40。該加熱處 理裝置10例如在通過加熱處理基板S進行脫氣處理時使用。 真空腔20由形成處理空間A的腔本體21和塞住處理空間A的開口的壁面部件22 及蓋部件23構(gòu)成。 腔本體21由具有貫通孔24的塊狀(大致正方體狀)的多個腔部件25構(gòu)成，上述
貫通孔24形成為可插入基板S。貫通孔24在腔本體21的相對向的一對壁面上分別開口。
這些腔部件25在分別彼此緊靠貫通孔24開口的壁面的狀態(tài)下進行固定。另外，在各腔部
件25上形成的貫通孔24分別連通，用這些多個貫通孔24劃分處理空間A。 在各腔部件25的每一個上，多個(在本實施方式中為5個)貫通孔24沿腔部件
25的高度方向(圖中上下方向)按規(guī)定間隔設(shè)置多個。S卩，腔本體21具有多段處理空間A。 在圖2所示例中，通過把形成貫通孔24的腔部件25橫著每六個并列、分別固定， 從而形成由6個貫通孔24構(gòu)成的5段處理空間A。另外，通過這樣把處理空間A形成5段 的各腔部件25縱向重疊兩個，形成具有10段處理空間A的腔本體21。 S卩，本實施方式的腔 本體21全部由12個腔部件25構(gòu)成。另外，雖然被重疊的各腔部件25彼此沒有必要必須 固定，但為了防止偏移最好用螺栓等固定。 對于構(gòu)成這樣的真空腔20的各腔本體21例如橫X進深(基板搬運方 向)X高是3200mmX3600mmX2200mm左右來說，各腔部件25例如橫X進深X高為 3200mmX600mmX2200mm程度是極緊湊的，重量也變得比較輕。因而可以不用大型特殊的輸 送裝置比較容易地運送腔本體21 (腔部件25)。即，將規(guī)定數(shù)量的腔部件25輸送到加熱處 理裝置10的設(shè)置場所，通過在此組裝可以制造任意大型的腔本體21。 另外腔部件25的制造方法沒有特別限定，但是腔部件25例如通過切削鋁或不銹 鋼等金屬塊制造。 壁面部件22固定在腔本體21的處理空間A開口一方的壁面21a上，蓋部件23可 開閉地固定在腔本體21的處理空間A開口的另一壁面21b上。在本實施方式中這些壁面 部件22及蓋部件23對應各處理空間A分別設(shè)置。 進而，在這些各壁面部件22及蓋部件23和腔本體21 (腔部件25)之間，以及各腔 部件25之間，設(shè)有0形圈等密封部件26。具體地，如圖3所示，在各腔部件25的貫通孔24 開口的至少一個的壁面上設(shè)置在整個貫通孔24周圍連續(xù)的槽部27，在該槽部27中安裝著 密封部件26。由此，壁面部件22及蓋部件23和腔本體21(腔部件25)之間，以及各腔部件 25之間被切實地密封。 上述那樣構(gòu)成真空腔20的腔本體21、壁面部件22及蓋部件23，可密封處理空間 A地被分別固定。S卩，劃分處理空間A的各部件不是通過焊接固定，而是通過夾著密封部件 26用螺釘?shù)染o固部件固定，因此可密封地構(gòu)成處理空間A。由此，即使使處理空間A內(nèi)反復 變化為大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)，也可以抑制在劃分處理空間A的各部件間發(fā)生漏泄。
另外，腔部件25為了在使處理空間A的內(nèi)部成為所希望的壓力(例如lPa)的情 況下抑制周圍的壁部的變形，需要設(shè)定各壁部的厚度為規(guī)定厚度以上。另外，若各處理空間
5A的壓力大致一定，在各貫通孔24間的間壁部28上基本不會發(fā)生彎曲。因而，間壁部28的 厚度可以比最上部的貫通孔24的頂壁及最下部的貫通孔24的底壁的厚度簿。由此，由于 可以更緊湊地形成腔部件25，搬運或設(shè)置更容易。另外，以少的制作材料即可，可以謀求削 減成本。 以下，對設(shè)置在這樣的真空腔20的處理空間A內(nèi)的支持部件30及加熱裝置40進 行詳細說明。 加熱裝置40，例如具有作為加熱源的護套加熱器，通過輻射熱使基板加熱到例如 120 15(TC的程度。在本實施方式中，如圖4所示，加熱裝置40沿基板S的搬運方向并列 設(shè)置6個，分別固定。S卩，加熱裝置40分別設(shè)置在各腔部件25的貫通孔24內(nèi)。
在加熱裝置40的表面上，作為表面處理，形成包含提高輻射效率的材料，例如金 屬材料等的覆蓋膜41。由此，因為提高了加熱裝置40的輻射效率，所以可用加熱裝置40的 輻射熱有效地加熱基板S。覆蓋膜41例如通過在加熱裝置40表面上熱噴涂材料而形成。作 為覆蓋膜41使用的材料，可以適當?shù)厥褂媒饘俨牧?，如鋁、鈦或鉻，或者包含它們的合金、 它們的氧化物等。當然，覆蓋膜41使用的材料，只要可以提高輻射效率，沒有特別的限定。 但是，從真空加熱處理室的觀點出發(fā)，希望使用排出氣體少的材料。 另外，在由形成了由上述材料構(gòu)成的覆蓋膜41的純鋁板構(gòu)成的試料中設(shè)置熱電 耦，在離其20mm的位置處用輻射溫度計測定加熱器的溫度，與熱電耦的溫度比較，核查輻 射效率后，在熱噴涂氧化鈦的情況下輻射效率為0. 89，在形成氧化鉻膜的情況下輻射效率 為0. 9。另外，同樣測定的純鋁板的輻射效率為0. 3，所以可知通過形成作為這些表面處理 的覆蓋膜41，輻射效率提高。 另外，在本實施方式中，在加熱裝置40的表面形成覆蓋膜41提高了輻射效率，但 也可以例如代替覆蓋膜41，作成把與加熱裝置40不同材料的金屬材料構(gòu)成的覆蓋板設(shè)置 成與加熱裝置40的表面接觸的狀態(tài)。作為形成覆蓋板的金屬材料，只要使用與覆蓋膜41 同樣的材料就可以。即使作成這樣的結(jié)構(gòu)也可以提高加熱裝置40的輻射效率。
支持部件30在離加熱裝置40規(guī)定距離的位置支持基板S。在本實施方式中支持 部件30配置在加熱裝置40上，由沿基板S的搬運方向設(shè)置的多個棒狀基座部件31 (在圖 4中作為例子是8根)和按規(guī)定間隔立設(shè)在基座部件31上的多個基板支持銷32組成。而 且支持部件30用這些多個基板支持銷32的前端支持基板S。 在此，基板S，例如用機械手搬運到處理空間A內(nèi)。此時，基板S由機械手從蓋部件 23側(cè)插入處理空間A內(nèi)，放置在基板支持銷32上。其后，機械手在該基板S和加熱裝置40 的間隙中移動從蓋部件23側(cè)拉到外部。 在本發(fā)明加熱處理裝置10中，這樣用機械手將基板S放置在支持部件30的基板 支持銷32上時，在該狀態(tài)下可以用加熱裝置40的輻射熱加熱處理基板S。例如，在作為加 熱裝置采用加熱板等的以前的加熱處理裝置中，在基板支持銷上放置了基板后，為進一步 與加熱裝置接觸必須使基板移動，但在本實施方式的加熱處理裝置中不需要這樣的基板移 動，生產(chǎn)能力提高。 另外，為了移動基板使之與加熱裝置接觸，例如需要設(shè)置能使基板支持銷升降的 機構(gòu)等，但在本發(fā)明的加熱處理裝置中由于不需要有這樣的機構(gòu)，故也可以比較廉價地制 造加熱處理裝置。
以上對本發(fā)明的加熱處裝置的一例進行了說明，但本發(fā)明不限于本實施方式。
例如在上述實施方式中例示了在一根棒狀的基座部件31上立設(shè)了基板支持銷32 的支持部件30，但支持部件30的結(jié)構(gòu)不限于此。例如如圖5a所示，支持部件30也可以由 多個分割基座部件33、連接各分割基座部件33的鉸鏈部34、在各分割基座部件33上隔開 規(guī)定間隔立設(shè)的支持銷32構(gòu)成。鉸鏈部34構(gòu)成能以軸35為中心折彎。另外，鄰接的鉸鏈 部34，如圖5(b)所示，最好配置成分別反方向折彎。因此，由于可以以各鉸鏈部34的軸35 為中心折疊支持部件30，因此處理變得容易。例如，在維修裝置時，在把支持部件30從處理 空間A拆下時，能把長的支持部件30折疊變短并取出，所以處理變得容易。
另外在本實施方式中，說明了在構(gòu)成腔本體21的各腔部件25中形成多個(5個) 貫通孔24的例子，但腔本體21的結(jié)構(gòu)不限于此。例如，如圖6所示，腔本體21A也可以把 形成一個貫通孔24的腔部件25A堆積規(guī)定數(shù)量。 進而，在本實施方式中使加熱裝置與腔部件25合并，對一個處理空間A設(shè)置6個， 但也可以設(shè)置適合處理空間A的大小的大型加熱裝置。另外，在本實施方式中，雖然在處理 空間A內(nèi)分別設(shè)置支持部件30和加熱裝置40，但也可以把這些設(shè)置為一體。具體地，例如 也可以在加熱裝置40上直接設(shè)置基板支持銷32。 另外在本實施方式中，雖然在各腔部件25的貫通孔24開口的至少一個壁面上設(shè) 置在貫通孔24的整個周圍連續(xù)的槽部27，但是這樣的槽部27也可以分別設(shè)在鄰接的各腔 部件25的壁面上。
權(quán)利要求
一種加熱處理裝置，其特征在于，其具有真空腔、支持部件和加熱裝置，所述真空腔具備腔本體，該腔本體由具有貫通孔的塊狀的多個腔部件構(gòu)成，上述貫通孔形成為可將基板插入，在鄰接的腔部件的至少一個上，沿與另一個抵接的面的上述貫通孔的開口部的整個周圍連續(xù)設(shè)置槽部，各腔部件在夾著安裝于上述槽部中的密封部件、分別緊靠的狀態(tài)下被固定，該腔本體具有由多個貫通孔構(gòu)成的處理空間；壁面部件，該壁面部件密封上述處理空間的一個開口；蓋部件，該蓋部件能開閉地塞住上述處理空間的另一個開口，所述支持部件配置在上述處理空間內(nèi)、支持上述基板，所述加熱裝置與由該支持部件支持的上述基板相對設(shè)置、用輻射熱加熱該基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的加熱處理裝置，其特征在于，在上述腔部件的每一個上，沿其高度方向、以規(guī)定間隔設(shè)置多個所述貫通孔。
3. 如權(quán)利要求1所述的加熱處理裝置，其特征在于，在上述加熱裝置的表面，形成含有提高輻射效率的材料的覆蓋膜。
4. 如權(quán)利要求1所述的加熱處理裝置，其特征在于，在上述加熱裝置上設(shè)置由提高輻射效率的材料形成的覆蓋板。
5. 如權(quán)利要求1所述的加熱處理裝置，其特征在于，上述加熱裝置具有作為加熱源的護套加熱器。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的加熱處理裝置，其特征在于，上述支持部件在上述腔部件中由棒狀的基座部件和立設(shè)在該基座部件上的多個基板支持銷構(gòu)成。
7. 如權(quán)利要求6所述的加熱處理裝置，其特征在于，所述基座部件在其軸向的多處具有能折彎的鉸鏈部。
全文摘要
提供能夠以低成本制造、高效率良好加熱處理基板的加熱處理裝置。該加熱處理裝置具有真空腔(20)、支持部件(30)和加熱裝置(40)，所述真空腔(20)具備腔本體(21)，該腔本體(21)由具有貫通孔(24)的多個腔部件(25)構(gòu)成，在鄰接的腔部件(25)的至少一個上，沿與另一個抵接的面的貫通孔(24)的開口部的整個周圍連續(xù)設(shè)置槽部(27)，各腔部件(25)在夾著安裝在槽部(27)中的密封部件(26)、分別緊靠的狀態(tài)下被固定，腔本體(21)具有由多個貫通孔(24)構(gòu)成的處理空間(A)；塞住處理空間(A)的壁面部件(22)；以及蓋部件(23)，上述支持部件(30)配置在處理空間(A)內(nèi)、支持基板(S)，上述加熱裝置(40)用輻射熱加熱基板(S)。
文檔編號H01L21/324GK101789358SQ20091012986
公開日2010年7月28日 申請日期2009年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者岡山智彥, 松本浩一, 森岡和, 池田均, 目崎芳則 申請人:株式會社愛發(fā)科