專利名稱：：電阻式存儲(chǔ)器器件及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的實(shí)施例涉及電阻式存儲(chǔ)器器件及其形成方法，并且更具體地，涉及可以高集成度集成的相變存儲(chǔ)器器件及其形成方法。
背景技術(shù)：
：相變存儲(chǔ)器器件是使用例如硫族化物的相變材料的導(dǎo)電率(或電阻率)的差異來(lái)存儲(chǔ)和讀取信息的存儲(chǔ)器器件。由于這些相變存儲(chǔ)器器件的特性，諸如隨機(jī)存取和非易失性，因此被看重為下一代存儲(chǔ)器。然而，如同其他的存儲(chǔ)器器件，由于相變存儲(chǔ)器器件要求較高級(jí)別的集成度，因此需要一種能夠滿足該要求的新的相變存儲(chǔ)器器件及其形成方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供了具有高集成度的電阻式存儲(chǔ)器器件及其形成方法。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了具有高集成度的相變存儲(chǔ)器器件及其形成方法。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，電阻式存儲(chǔ)器器件包括在襯底上提供9的電阻式存儲(chǔ)器元件。在該電阻式存儲(chǔ)器元件上提供位線。在該電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部提供上接線柱。該上接線柱包含與位線相同的材料并且該上接線柱下表面的高度高于位線的下表面。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，電阻式存儲(chǔ)器器件包括在襯底上提供的電阻式存儲(chǔ)器元件。在該電阻式存儲(chǔ)器元件上提供包括銅的位線。在該電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部提供單元上接線柱。該單元上接線柱包括銅并且其下表面的高度高于銅位線的下表面。提供了一種單元下接線柱，其與單元上接線柱的下表面連接并且包括不同于單元上接線柱的材料。仍在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，電阻式存儲(chǔ)器器件包括在襯底的單元陣列區(qū)上提供的電阻式存儲(chǔ)器元件。在該電阻式存儲(chǔ)器元件上提供包括銅的位線。在該電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部提供單元上接線柱。單元上接線柱包括銅并且其下表面的高度高于銅位線的下表面。提供了一種單元下接線柱，其與單元上接線柱的下表面連接并且包括不同于單元上接線柱的材料。在襯底和單元下接線柱之間提供單元接觸栓塞，該單元接觸栓塞與襯底和單元下接線柱電連接，并且該單元接觸栓塞上表面具有比單元下接線柱(stud)的下表面的直徑更寬的直徑。還在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所提供的形成電阻式存儲(chǔ)器器件的方法包括具有電阻式存儲(chǔ)器元件和單元接觸栓塞的襯底。在電阻式存儲(chǔ)器元件和單元接觸栓塞上形成具有使單元接觸栓塞暴露的單元接觸孔的第一絕緣層。在單元接觸孔中形成單元下接線柱。在單元下接線柱和第一絕緣層上形成第二絕緣層。通過(guò)對(duì)第二絕緣層和第一絕緣層構(gòu)圖形成使電阻式存儲(chǔ)器元件暴露的第一開(kāi)口和使單元下接線柱暴露的第二開(kāi)口。在第一開(kāi)口中形成位線并且在第二開(kāi)口中形成單元上接線柱，位線與電阻式存儲(chǔ)器元件連接，并且單元上接線柱與單元下接線柱連接且該單元上接線柱下表面的高度高于位線的下表面。又在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列包括在襯底上提供的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。字線與沿相同行布置的存儲(chǔ)器單元連接。位線與沿相同列布置的存儲(chǔ)器單元連接。位線包括銅，字線包括在位線下面提供的下字線和在位線上面提供的上字線，下字線通過(guò)接觸與上字線連接，并且該接觸包括與下字線連接的接觸栓塞，以及與接觸栓塞和上字線連接的、并且包含銅的接線柱。在本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例中，電阻式存儲(chǔ)器器件包括在襯底上形成的電阻式存儲(chǔ)器元件。第一銅導(dǎo)線與電阻式存儲(chǔ)器元件的一端連接。在第一銅導(dǎo)線上提供與電阻式存儲(chǔ)器元件的另一端連接的第二銅導(dǎo)線。附圖簡(jiǎn)述附圖被包括用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，并且被并入說(shuō)明書(shū)且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是說(shuō)明在其上形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的襯底的一些單元陣列區(qū)的俯視圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的一些單元陣列區(qū)的等效電路圖3~8是用于解釋形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的方法的剖視圖9是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的剖視圖；以及圖1017示出了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的裝置。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例涉及電阻式存儲(chǔ)器器件及其形成方法。電阻式存儲(chǔ)器器件是使用電阻式存儲(chǔ)器元件的一類存儲(chǔ)器器件，該電阻式存儲(chǔ)器元件根據(jù)施加的信號(hào)可以表示可辨別的至少兩個(gè)電阻狀態(tài)，例如高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)。電阻式存儲(chǔ)器元件可以包括例如，鈣鈦礦存儲(chǔ)器元件、相變存儲(chǔ)器元件、磁阻存儲(chǔ)器元件、傳導(dǎo)金屬氧化物(CMO)存儲(chǔ)器元件、固體電解質(zhì)存儲(chǔ)器元件、電阻聚合物存儲(chǔ)器元件、電阻多晶硅存儲(chǔ)器元件等。鈣鈦礦存儲(chǔ)器元件可以包括例如，巨磁阻(CMR)材料、高溫超導(dǎo)(HTSC)材料等。固體電解質(zhì)存儲(chǔ)器元件具有可以在固體電解質(zhì)中移動(dòng)的金屬離子，并且因此固體電解質(zhì)存儲(chǔ)器元件可以包括能夠形成傳導(dǎo)橋接的材料?，F(xiàn)將使用電阻式存儲(chǔ)器器件來(lái)描述本發(fā)明的示例實(shí)施例，該電阻式存儲(chǔ)器器件采用相變存儲(chǔ)器元件。因此，將理解，下文將提及的描述可應(yīng)用于采用上文描述的多種類型的存儲(chǔ)器元件的電阻式存儲(chǔ)器器件。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種相變存儲(chǔ)器器件及其形成方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件包括相變存儲(chǔ)器元件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器元件可以包括相變材料。例如，將理解，相變存儲(chǔ)器元件可指相變材料或者相變材料層和與相變材料層的兩個(gè)表面連接的兩個(gè)電極。相變材料可以是這樣的材料，該材料的結(jié)晶態(tài)取決于熱量而在顯現(xiàn)不同電阻狀態(tài)的多個(gè)結(jié)晶態(tài)之間反向改變。諸如電流、電壓的電信號(hào)、光信號(hào)、輻射等可用于改變相變材料的結(jié)晶狀態(tài)。例如，當(dāng)電流在與相變材料兩端連接的電極之間流動(dòng)時(shí)，通過(guò)電阻加熱將熱量提供給相變材料。此時(shí)，相變材料的結(jié)晶態(tài)可以依賴于提供的熱量強(qiáng)度和提供的時(shí)間而改變。例如，相變材料可以具有帶有高電阻的無(wú)定形態(tài)(或復(fù)位狀態(tài))和帶有低電阻的結(jié)晶態(tài)(或設(shè)置狀態(tài))。相變材料可以包括例如，硫族化物。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變材料由"XY"表示時(shí)，"X"可以包括從由碲(Te)、硒(Se)、硫(S)和釙(Po)組成的組中選出的至少一個(gè)，并且"Y"可以包括從由銻(Sb)、砷(As)、鍺(Ge)、錫(Sn)、磷(P)、氧(0)、銦(In)、鉍(Bi)、銀(Ag)、金(Au)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、硼(B)、氮(N)和硅(Si)組成的組中選出的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變材料的示例可以包括硫族化物，諸如Ge-Sb-Te(GST)、Ge-Bi-Te(GBT)、As-Sb-Te、As-Ge-Sb隱Te、Sn國(guó)Sb-Te、In-Sn-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、周期表的族5A中的元素-Sb-Te、周期表的族6A中的元素-Sb-Te、周期表的族5A中的元素-Sb-Se、周期表的族6A中的元素-Sb-Se、以及其中雜質(zhì)被摻雜在前面提及的硫族化物中的硫族化物。摻雜在硫族化物中的雜質(zhì)可以包括例如，氮、氧、硅或其組合。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成多種導(dǎo)線的方法，所述多種導(dǎo)線諸如在單元陣列區(qū)中的位線和字線，和在外圍電路區(qū)中的局部導(dǎo)線，以及一種在相變存儲(chǔ)器器件中的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間的互連方法。隨著集成度的增加，水平方向上的元件之間的距離、諸如位線和局部導(dǎo)線的多種導(dǎo)線之間的距離、和導(dǎo)線的線寬減小，但是在垂直方向上堆疊在襯底上的層的高度增加。垂直方向上的高度增加引起了諸如接觸孔、通孔等多種開(kāi)口中的寬高比(aspect)的增加，所述開(kāi)口用于下和上傳導(dǎo)區(qū)與導(dǎo)線之間、傳導(dǎo)區(qū)之間或者導(dǎo)線之間的電連接。隨著鄰近導(dǎo)線之間的距離的減小，難于使用蝕刻形成導(dǎo)線，并且由于線寬的減小，導(dǎo)線的電阻增加。而且，隨著開(kāi)口的寬高比的增加，難于用傳導(dǎo)材料填充開(kāi)口，并且開(kāi)口中填充的傳導(dǎo)材料的電阻也增加。因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種使用大馬士革技術(shù)和銅來(lái)至少形成例如位線的導(dǎo)線的方法。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，當(dāng)使用大馬士革技術(shù)形成銅位線時(shí)，用于傳導(dǎo)區(qū)之間、傳導(dǎo)區(qū)和導(dǎo)線之間或者導(dǎo)線之間的電連接的一部分接觸結(jié)構(gòu)由在銅位線鄰近位置處的銅形成。例如，在形成用于位線的條型開(kāi)口，形成用于一部分接觸結(jié)構(gòu)的孔型開(kāi)口時(shí)，用銅填充用于位線的條型開(kāi)口以形成銅位線，并且用銅填充用于一部分接觸結(jié)構(gòu)的開(kāi)口以形成銅接線柱(stud)。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，在形成銅位線和銅接線柱之前，金屬接線柱可由鴇等形成以便于進(jìn)一步減小將在其中形成銅接線柱的開(kāi)口的寬高比。與本說(shuō)明書(shū)的元件結(jié)合使用的諸如"下表面"和"上表面"的術(shù)語(yǔ)是關(guān)系術(shù)語(yǔ)，分別指出了"相對(duì)接近襯底的主表面的表面"和"相對(duì)遠(yuǎn)離襯底的主表面的表面"。而且，將理解，在本說(shuō)明書(shū)中，元件表面的高度可以與襯底的主表面相比較。例如，將理解，當(dāng)提到一個(gè)元件的下表面"低于"另一元件的下表面時(shí)，該描述可以指出，相比于該另一元件的下表面，該一個(gè)元件的下表面被安置為與襯底的主表面更加接近。本說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)"傳導(dǎo)材料"包括但不限于，金屬、傳導(dǎo)金屬氮化物、傳導(dǎo)金屬氧化物、傳導(dǎo)氮氧化物、硅化物、金屬合金或者其組合。金屬的示例包括銅(Cu)、鋁(Al)、鎢鈦(TiW)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鉤(W)等。傳導(dǎo)金屬氮化物包括但不限于，例如，氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鉬(MoN)、氮化鈮(NbN)、氮化硅鈦(TiSiN)、氮化鋁鈦(TiAlN)、氮化硼鈦(TiBN)、氮化硅鋯(ZrSiN)、氮化硅鉤(WSiN)、氮化硼鴇(WBN)、氮化鋁鋯(ZrAlN)、氮化硅鉬(MoSiN)、氮化鋁鉬(MoAlN)、氮化硅鉭(TaSiN)、氮化鋁鉭(TaAlN)等。傳導(dǎo)氮氧化物的示例包括但不限于，氮氧化鈦(TiON)、氮氧化鋁鈦(TiA10N)、氮氧化鴇(WON)、氮氧化鉭(TaON)等。傳導(dǎo)金屬氧化物的示例包括但不限于，傳導(dǎo)新穎金屬氧化物、諸如氧化銥(IrO)、氧化釕(RuO)等。14現(xiàn)將參考附圖更加全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以具體化為許多不同的形式并且不應(yīng)被解釋為限于此處闡述的實(shí)施例；相反地，這些實(shí)施例被提供為使本公開(kāi)內(nèi)容是全面的和完整的，并且將全面地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的概念。在附圖中，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，并且因此將省略其描述。在本說(shuō)明書(shū)中，"襯底"或"半導(dǎo)體襯底"或"半導(dǎo)體層"可以指示具有硅表面的基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。而且，"襯底"或"半導(dǎo)體襯底"或"半導(dǎo)體層"可以指示傳導(dǎo)區(qū)、絕緣區(qū)、和/或其上形成器件的基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。該基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)可以指示，例如，硅層、絕緣體上硅(SOI)層、鍺硅(SiGe)層、鍺(Ge)層、砷化鎵(GaAs)層、摻雜或未摻雜的硅層、由半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)支撐的硅外延層、或者任何半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。將理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為位于另一元件或?qū)?上"或者在另一元件或?qū)?上形成"時(shí)，其可以直接位于該另一元件或?qū)由匣蛘咧苯釉谠摿硪辉驅(qū)由闲纬?，或者可以存在或形成介于中間的元件或?qū)?。而且，將理解，盡管此處可能使用術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"、"第三"等在本說(shuō)明書(shū)通篇中描述多種元件，諸如接線柱、導(dǎo)線、接觸栓塞、絕緣層、傳導(dǎo)材料、接觸孔、通孔、開(kāi)口等，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于使一個(gè)元件區(qū)別于另一區(qū)。圖1是說(shuō)明配備有根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的襯底100的一部分單元陣列區(qū)的俯視圖。參考圖1，襯底IOO包括具有在第一方向，例如行方向上延伸的條形圖案的元件區(qū)ACT。通過(guò)將雜質(zhì)注入到該元件區(qū)ACT，可以形成字線WL。淺槽隔離區(qū)STI被安置在不同于元件區(qū)ACT的區(qū)。具有在列方向上延伸的條形圖案的位線BL被布置為與字線WL單元可以安置在位線BL和字線WL的交叉部分處。在本發(fā)明的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元可以包括例如，電阻式存儲(chǔ)器元件Mp，諸如相變存儲(chǔ)器元件。電阻式存儲(chǔ)器元件Mp的一端與位線BL連接并且另一端與字線WL連接。選擇元件可以安置在字線WL和電阻式存儲(chǔ)器元件Mp的另一端之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，電阻式存儲(chǔ)器元件Mp可以包括相變材料。該相變材料可以是這樣的材料，該材料的結(jié)晶態(tài)能夠根據(jù)施加給它的信號(hào)，例如，電信號(hào)、光信號(hào)或輻射，諸如電壓或電流而反向改變。例如，電阻式存儲(chǔ)器元件Mp可以包括諸如硫族化物的相變材料。字線WL和位線BL的布置可以有多種改變。例如，字線WL可被安置為比位線BL更接近襯底100。相反地，位線BL可被安置為比字線WL更接近襯底100。為了減小字線WL的電阻，字線WL可以通過(guò)接觸結(jié)構(gòu)WLC與具有低電阻的導(dǎo)線電連接。例如，考慮到用于減小字線WL的電阻的具有低電阻的導(dǎo)線相比于字線WL距離襯底100更遠(yuǎn)，因此該導(dǎo)線可被稱為上字線UWL。考慮到該上字線，字線WL可被稱為下字線。而且，將理解，字線WL可以指示上字線UWL以及下字線LWL。接觸結(jié)構(gòu)WLC可以被安置在在第一方向上相互鄰近的電阻式存儲(chǔ)器元件Mp之間?？梢悦款A(yù)定數(shù)目的存儲(chǔ)器單元(多個(gè))形成接觸結(jié)構(gòu)WLC，例如，每八個(gè)鄰近存儲(chǔ)器單元。即，可以在第一方向上相互鄰近的接觸結(jié)構(gòu)WLC之間布置八個(gè)存儲(chǔ)器單元。而且，可以每未規(guī)定數(shù)目的存儲(chǔ)器單元形成接觸結(jié)構(gòu)。即，不同數(shù)目的存儲(chǔ)器單元，例如，十六個(gè)、三十二個(gè)存儲(chǔ)器單元可以被布置在第一方向上相互鄰近的接觸結(jié)構(gòu)WLC之間。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的一部分單元陣列區(qū)的等效電路圖。參考圖2，例如相變存儲(chǔ)器元件的存儲(chǔ)器元件Mp的一端可以與位線BL連接，并且另一端可以與字線WL連接。用于選擇存儲(chǔ)器元件Mp的選擇元件D可以包括但不限于，二極管、MOS晶體管和MOS二極管。在圖2中二極管D被說(shuō)明為選擇元件的一個(gè)示例?，F(xiàn)將參考圖3~8描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成相變存儲(chǔ)器器件的方法。圖3~8說(shuō)明了存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)的剖視圖。在存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的情況中，一同示出了行方向上的剖視圖(即字線延伸方向上的剖視圖)和列方向上的剖視圖(即位線延伸方向上的剖視圖)。在圖3~9中，左圖是存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的行方向上的剖視圖，中圖是存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的列方向上的剖視圖，并且右圖是外圍電路區(qū)的剖視圖。參考圖3，在襯底中形成由器件隔離區(qū)110限定的元件區(qū)120A和120B，并且隨后將雜質(zhì)注入到單元陣列區(qū)的元件區(qū)120A以形成下字線LWL。下字線LWL可以具有例如，在行方向上延伸的條形圖案。而且，下字線LWL可以通過(guò)使用多種不同的方法形成。例如，通過(guò)在襯底100上形成形狀為多個(gè)平行的條形圖案的外延半導(dǎo)體圖案并且將雜質(zhì)離子注入到該外延半導(dǎo)體圖案中，可以形成下字線LWL。通過(guò)蝕刻一部分襯底100以形成溝槽并且用絕緣材料填充該溝槽，可以形成器件隔離區(qū)IIO。通過(guò)使用傳統(tǒng)工藝，在外圍電路區(qū)的元件區(qū)120B上形成包括源極/漏極S/D和柵極G的驅(qū)動(dòng)器晶體管130。在描述本發(fā)明的實(shí)施例時(shí)，當(dāng)在單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)中同時(shí)形成具有相同或相似結(jié)構(gòu)或功能的多種開(kāi)口(諸如接觸孔、通孔和條形圖案孔)時(shí)，單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)中的這些開(kāi)口可以通過(guò)在單元陣列區(qū)中形成的元件前面加上術(shù)語(yǔ)"單元"和在外圍電路區(qū)中形成的元件前面加上術(shù)語(yǔ)"外圍"加以區(qū)分。同樣地，填充多種開(kāi)口以及在單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)中形成的接觸結(jié)構(gòu)可以通過(guò)使用術(shù)語(yǔ)"單元"和"外圍"加以區(qū)分。在形成下字線LWL和驅(qū)動(dòng)器晶體管130之后，在襯底100上形成第一層間絕緣層140。第一層間絕緣層140被構(gòu)圖以形成使下字線LWL暴露的下接觸孔140c。在下接觸孔140c中形成諸如二極管的選擇元件150。通過(guò)在下接觸孔140c中形成鍺、硅、或鍺硅的半導(dǎo)體層并且隨后將雜質(zhì)離子注入到該半導(dǎo)體層中，可以形成二極管150。通過(guò)使用選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)技術(shù)、固相外延技術(shù)等，可以形成下接觸孔140c中的半導(dǎo)體層。SEG是一種將暴露的下字線LWL用作種籽層來(lái)生長(zhǎng)半導(dǎo)體外延層的方法。與此不同，固相外延技術(shù)是一種在下接觸孔140c中形成無(wú)定形半導(dǎo)體層或者多晶半導(dǎo)體層并且隨后使其結(jié)晶化的方法。在將用于形成二極管的雜質(zhì)注入到下接觸孔140c中的半導(dǎo)體層中之前，可以移除在下接觸孔140c中形成的一部分半導(dǎo)體層。這樣，凹進(jìn)的二極管150的上表面的高度低于第一層間絕緣層140的上表面。用諸如鎢的傳導(dǎo)材料填充下接觸孔140c的剩余部分以在下接觸孔140c的上部分處形成傳導(dǎo)栓塞160。在形成傳導(dǎo)栓塞160之前，考慮到與二極管150的接觸電阻特性，可以在二極管150上形成硅化物層。例如，該硅化物層可以是硅化鈷、硅化鎳、硅化鎢或硅化鈦。在第一層間絕緣層140和傳導(dǎo)栓塞160上形成第二層間絕緣層170。第二層間絕緣層170被構(gòu)圖以形成使傳導(dǎo)栓塞160暴露的上接觸孔170c。將用于電極的傳導(dǎo)材料填充在上接觸孔170c中以形成第一電極180。在填充用于電極的傳導(dǎo)材料之前，可以在上接觸孔170c的側(cè)壁上形成絕緣隔層。該絕緣隔層減少了在其中形成第一電極180的上接觸孔170c的直徑，由此后面將形成的第一電極180和相變材料之間的接觸區(qū)域減小。在單元陣列區(qū)中，第二層間絕緣層no和第一層間絕緣層mo被構(gòu)圖以形成使下字線LWL暴露的單元接觸孔175c。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，形成使驅(qū)動(dòng)器晶體管130的柵極G、源極/漏極S/D暴露的外圍接觸孔175pl、175p2和175p3以及在元件區(qū)120B上形成的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。在單元接觸孔175c中順序填充傳導(dǎo)材料層，例如氮化鈦層和鎢層以形成單元接觸栓塞190c。同時(shí)，在外圍接觸孔175pl、175p2和175p3中形成外圍接觸栓塞190pl、190p2和190p3。接下來(lái)，參考圖4，在第一電極180上對(duì)應(yīng)地形成相變材料層200和第二電極210。此處，相變材料層200可被形成為，使得相同列或行中的至少兩個(gè)存儲(chǔ)器單元共享相變材料層200。g卩，相變材料層200可被形成為在列方向或行方向上延伸的條形圖案。圖中示出了具有在列方向上延伸的條形圖案的相變材料層200。與此不同，相變材料層200可被形成為，使得相變材料層分散在鄰近存儲(chǔ)器單元個(gè)體中。即，相變材料層200可被形成為島類型。形成絕緣層并且隨后使其平面化，使得暴露出第二電極210，以形成具有平坦上表面的第三層間絕緣層220。第三層間絕緣層220覆蓋相變材料層200的側(cè)壁和第二電極210的側(cè)壁。在外圍電路區(qū)中，在第二層間絕緣層170上形成第三層間絕緣層220。在第三層間絕緣層220和第二電極210上形成蝕刻停止層230。蝕刻停止層230是用于確保后繼光刻工藝的工藝裕度的層。接下來(lái)，參考圖5，在蝕刻停止層230上形成第四層間絕緣層240。第四層間絕緣層240、蝕刻停止層230和第三層間絕緣層220被構(gòu)圖以形成分別使第四層間絕緣層240、蝕刻停止層230和第三層間絕緣層220暴露的單元接觸孔240c和外圍接觸孔240pl240p3。在這些接觸孔240c、240pl240p3中順序填充傳導(dǎo)材料層，例如氮化鈦層和鎢層以形成單元下接線柱250c和與對(duì)應(yīng)的接觸栓塞連接的外圍下接線柱250pl250p3。接下來(lái)，參考圖6，在第四層間絕緣層240和下接線柱250c、250pl250p3上形成第五層間絕緣層260。在單元陣列區(qū)中，第五層間絕緣層260被構(gòu)圖以形成形狀為孔并且使單元下接線柱250c暴露的單元接觸開(kāi)口260cl;并且同時(shí)第五層間絕緣層260、第四層間絕緣層240和蝕刻停止層230被構(gòu)圖以形成形狀為條的、并且用于位線的單元條形開(kāi)口260c2，單元條形開(kāi)口260c2使第二電極210暴露。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，第五層間絕緣層260被構(gòu)圖以形成形狀為孔的、并且使外圍下接線柱250pl暴露的外圍接觸開(kāi)口260pl;并且第五層間絕緣層260、第四層間絕緣層240和蝕刻停止層230被構(gòu)圖以形成形狀為條的、并且用于第一導(dǎo)線的外圍條形開(kāi)口260p2，外圍條形開(kāi)口260p2使外圍下接線柱250p2和250p3的一部分側(cè)壁和上表面暴露。接下來(lái)，參考圖7，在單元接觸開(kāi)口260cl、單元條形開(kāi)口260c2、外圍接觸開(kāi)口260pl和外圍條形開(kāi)口260p2中填充傳導(dǎo)材料，優(yōu)選地是銅層，以形成單元上接線柱270cl、位線270c2、外圍上接線柱270pl和第一導(dǎo)線170p2。單元上接線柱270cl與單元下接線柱250c電連接。位線270c2與第二電極210電連接。外圍上接線柱270pl與外圍下接線柱250pl電連接，并且第一導(dǎo)線270p2與外圍下接線柱270p2和270p3電連接。此處，第一導(dǎo)線270p2可以不具有導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，但是可以具有使外圍下接線柱270p2和270p3相互電連接的接觸焊盤結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)線270p2可以接觸外圍下接線柱270p2和270p3的一部分側(cè)壁和上表面。第一導(dǎo)線270p2的一部分下表面可以低于外圍下接線柱270p2和270p3的上表面。例如，第一導(dǎo)線270p2的下表面可以接觸第三層間絕緣層220的上表面。因此，第一導(dǎo)線270p2的下表面可以具有不平坦的輪廓。參考圖8，在位線270c2、單元上接線柱270cl、第一導(dǎo)線270p2、外圍上接線柱270pl和第五層間絕緣層260上形成第六層間絕緣層280。第六層間絕緣層280被構(gòu)圖以形成使單元上接線柱270cl暴露的單元通孔280c和限定單元陣列區(qū)中的上字線的條形單元開(kāi)口。用傳導(dǎo)材料層，例如銅層填充單元通孔、條形單元開(kāi)口、外圍通孔和條形外圍開(kāi)口，以形成與單元陣列區(qū)中的單元上接線柱270cl電連接的上字線290C。同時(shí)，在外圍區(qū)中，用銅層填充外圍通孔和外圍開(kāi)口以形成與外圍上接線柱270pl電連接的第二導(dǎo)線290p。根據(jù)上文描述的本發(fā)明的實(shí)施例，使用銅的大馬士革技術(shù)應(yīng)用于形成相變存儲(chǔ)器器件的方法。根據(jù)上文描述的方法，在形成與相變存儲(chǔ)器元件電連接的銅位線時(shí)，可以與銅位線同時(shí)形成與單元接觸栓塞連接的銅接線柱。在形成銅接線柱之前，可以形成與單元接觸栓塞連接的鎢接線柱。根據(jù)上文描述的本發(fā)明的實(shí)施例，電連接下字線LWL和上字線290c的接觸結(jié)構(gòu)可以包括例如，具有順序堆疊的氮化鈦層和鴿層的單元接觸栓塞190c和包含銅的單元上接線柱270cl。而且，可以在單元接觸栓塞190c和單元上接線柱290cl之間提供具有順序堆疊的氮化物層和鴿層的單元下接線柱250c。單元接觸栓塞190c的上表面的直徑可以大于單元下接線柱250c的下表面的直徑。圖9是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的剖視圖，并且示出了存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)的剖面。為了更清楚地理解根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件，行方向上的存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的剖面(在字線的延伸方向截取)和列方向上的存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的剖面(在位線的延伸方向截取)均被示出。圖9的左圖是行方向上的剖視圖，中圖是列方向上的剖視圖，并且圖9的右圖是外圍電路區(qū)中的剖視圖。參考圖9，在存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的半導(dǎo)體襯底100上提供多個(gè)字線，即下字線LWL?？梢酝ㄟ^(guò)例如，利用n型雜質(zhì)慘雜半導(dǎo)體層而形成下字線LWL。例如，下字線LWL可以在行方向上延伸。下字線LWL可以包括金屬層、傳導(dǎo)金屬氮化物層、傳導(dǎo)金屬氧化物層、傳導(dǎo)氮氧化物層、硅化物層、金屬合金層或其組合。絕緣層，諸如器件隔離層110，可以使相互鄰近的下字線LWL電絕緣。在外圍電路區(qū)中，可以在器件隔離層IIO限定的有源區(qū)120B上提供用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的驅(qū)動(dòng)器元件，例如驅(qū)動(dòng)器晶體管。在存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)的襯底IOO上提供與下字線LWL交叉的多個(gè)位線BL。在外圍電路區(qū)中，提供對(duì)應(yīng)于位線BL的第一導(dǎo)線M1。第一導(dǎo)線Ml可以與驅(qū)動(dòng)器晶體管130的柵極G、源極/漏極區(qū)S/D電連接。位線BL和第一導(dǎo)線可以包括銅。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于可以使用大馬士革技術(shù)由銅形成位線BL和第一導(dǎo)線Ml，因此可能減小位線BL和第一導(dǎo)線M1的電阻。相變材料層200安置在下字線LWL和位線BL之間。在相變材料層200和下字線LWL之間提供第一電極180和選擇元件150，并且在相變材料層200和位線BL之間提供第二電極210。換言之，第一電極180和第二電極210與相變材料層200連接。第一電極180可以用作例如，用于加熱相變材料層200的加熱器。第一電極180例如通過(guò)諸如二極管的選擇元件150與下字線LWL電連接。第二電極210與位線BL電連接。選擇元件150可以包括堆疊在襯底100上的n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層。p型半導(dǎo)體層可以與第一電極180鄰近，并且n型半導(dǎo)體層可以與下字線LWL鄰近。在單元陣列區(qū)中，可以提供單元接觸結(jié)構(gòu)255c，該單元接觸結(jié)構(gòu)255c與位線BL鄰近，與下字線LWL電連接，并且包括單元接觸栓塞190c和單元下接線柱250c。在單元接觸結(jié)構(gòu)255c上提供由與位線BL的材料相同的材料形成的單元上接線柱270cl。單元上接線柱270cl的上表面可以具有基本上與位線BL的上表面相同的高度。單元接觸結(jié)構(gòu)255c的上表面，更具體地，單元下接線柱250c的上表面可以高于位線BL的下表面。因此，單元上接線柱270cl的下表面可以高于位線BL的下表面。例如，單元上接線柱270cl的寬度可以窄于位線BL的寬度。例如，當(dāng)使用大馬士革技術(shù)由銅形成單元上接線柱270cl和位線BL時(shí)，用于單元上接線柱270cl的單元接觸孔的寬高比可以減小以增強(qiáng)銅填充特性。而且，單元上接線柱270cl可以與位線BL同時(shí)形成。gp，由于形成位線BL時(shí)，單元上接線柱270cl可以與位線BL—起形成，因此可以減少接觸電阻。單元接觸栓塞190c、單元下接線柱250c和單元上接線柱270cl可以構(gòu)成如圖1中示出的連接下字線LWL和上字線UWL的字線接觸結(jié)構(gòu)WLC。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，可以提供對(duì)應(yīng)于單元接觸結(jié)構(gòu)255c的外圍接觸結(jié)構(gòu)255pl255p3。外圍接觸結(jié)構(gòu)255pl255p3還可以包括外圍接觸栓塞190pl190p3和外圍下接線柱250pl250p3。外圍接觸結(jié)構(gòu)255pl255p3可以與驅(qū)動(dòng)器晶體管130的柵極G、源極/漏極區(qū)S/D或者雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)125電連接。與單元接觸結(jié)構(gòu)255c相同，可以在外圍接觸結(jié)構(gòu)255pl上，更具體地，在外圍下接線柱250pl上提供外圍上接線柱270pl。第一導(dǎo)線Ml可以接觸外圍接觸結(jié)構(gòu)255p2和255p3的外圍下接線柱250p2和250p3的一部分側(cè)壁和上表面。因此，第一導(dǎo)線Ml同外圍接觸結(jié)構(gòu)255p2和255p3之間的耦合可以被加強(qiáng)。而且，第一導(dǎo)線Ml和與第一導(dǎo)線Ml連接的外圍接觸結(jié)構(gòu)255p2和255p3之間的接觸電阻特性可以被增強(qiáng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，單元接觸栓塞190c和/或單元下接線柱250c可由不同于單元上接線柱270cl的材料形成。同樣地，外圍接觸栓塞190pl190p3和/或外圍下接線柱250pl250p3可由不同于外圍上接線柱270pl的材料形成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，接觸栓塞和對(duì)應(yīng)于該接觸栓塞的下接線柱23可以由相同的材料形成。而且，下接線柱和對(duì)應(yīng)于下接線柱的上接線柱可以由不同材料形成。例如，上接線柱可以包括銅但是下接線柱可以不包括銅。例如，下接線柱可以包括鎢。在本發(fā)明的實(shí)施例中，單元接觸栓塞190c的上表面的直徑可以大于單元下接線柱250c的下表面的直徑。即，單元接觸結(jié)構(gòu)255c的側(cè)壁可以具有臺(tái)階。同樣地，外圍接觸栓塞190pl190p3的直徑可以大于外圍下接線柱250cl250c3的直徑。艮卩，外圍接觸結(jié)構(gòu)255pl255p3的側(cè)壁可以具有臺(tái)階。用于減小下字線LWL的電阻的上字線UWL可以例如，與單元陣列區(qū)的字線接觸結(jié)構(gòu)WLC連接，更具體地，與單元上接線柱270cl連接。同時(shí)，在外圍電路區(qū)中，可以提供對(duì)應(yīng)于上字線UWL的第二導(dǎo)線M2。第二導(dǎo)線M2可以例如，與外圍上接線柱270pl連接。可替換地，第二導(dǎo)線M2可以與第一導(dǎo)線M1連接。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于可以使用大馬士革技術(shù)由銅形成上字線UWL和第二導(dǎo)線M2，因此可以減小上字線UWL和第二導(dǎo)線M2的電阻。在單元陣列區(qū)中，在上字線UWL上提供全局位線GBL，并且在外圍電路區(qū)中，在第二導(dǎo)線M2上提供對(duì)應(yīng)于全局位線GBL的第三導(dǎo)線M3。全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3可以包括銅。由于可以使用大馬士革技術(shù)由銅形成全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3，因此可以減小全局位線GBL和第三導(dǎo)線M3的電阻。第三導(dǎo)線M3可以與第二導(dǎo)線M2電連接?？梢栽谌治痪€GBL和第三導(dǎo)線M3上提供鈍化層330。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，為了獲得較高的集成度，相變存儲(chǔ)器器件可以在基底上以多層形成。前面提及的電阻式存儲(chǔ)器器件可以具體化為多種形式或者可以用作多種裝置的一個(gè)元件。例如，前面提及的電阻式存儲(chǔ)器器件可以被應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)多種類型的存儲(chǔ)器卡、USB存儲(chǔ)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器等。圖10說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，本實(shí)施例的裝置包括存儲(chǔ)器510和存儲(chǔ)器控制器520。存儲(chǔ)器510可以包括根據(jù)上文描述的本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件。存儲(chǔ)器控制器520可以供給用于控制存儲(chǔ)器510的操作的輸入信號(hào)。例如，存儲(chǔ)器控制器520可以供給命令語(yǔ)言和地址信號(hào)。存儲(chǔ)器控制器520可以基于接收到的控制信號(hào)來(lái)控制存儲(chǔ)器510。圖11說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，本實(shí)施例的裝置包括與接口515連接的存儲(chǔ)器510。存儲(chǔ)器510可以包括根據(jù)前面提及的本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器器件。接口515可以提供例如，外部輸入信號(hào)。例如，接口515可以提供命令語(yǔ)言和地址信號(hào)。接口515可以基于從外部生成和接收到的控制信號(hào)來(lái)控制存儲(chǔ)器510。圖12說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，本發(fā)明的裝置與圖10的裝置相似，不同之處在于，由存儲(chǔ)器卡530具體化了存儲(chǔ)器510和存儲(chǔ)器控制器520。例如，存儲(chǔ)器卡530可以是滿足諸如數(shù)字相機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等的電子器具的兼容性標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器卡。存儲(chǔ)器控制器520可以基于存儲(chǔ)器卡從不同器件，例如從外部器件接收到的控制信號(hào)來(lái)控制存儲(chǔ)器510。圖13說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的移動(dòng)設(shè)備6000。移動(dòng)設(shè)備6000可以是MP3，視頻播放器，視頻、音頻播放器等。如圖中示出的，移動(dòng)設(shè)備6000包括存儲(chǔ)器510和存儲(chǔ)器控制器520。存儲(chǔ)器510包括根據(jù)前面提及的本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件。移動(dòng)設(shè)備6000可以包括編碼器和解碼器EDC610，呈現(xiàn)組件620和接口630。諸如視頻和音頻的數(shù)據(jù)可以經(jīng)由存儲(chǔ)器控制器520在存儲(chǔ)器510與編碼器和解碼器EDC610之間交換。如虛線指出的，數(shù)據(jù)可以直接在存儲(chǔ)器510與編碼器和解碼器EDC610之間交換。EDC610可以對(duì)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器510中的數(shù)據(jù)編碼。例如，EDC610可以將音頻數(shù)據(jù)編碼為MP3文件并且將編碼的MP3文件存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器510中。可替換地，EDC610可以對(duì)MPEG視頻數(shù)據(jù)(例如，MPEG3、MPEG4等)編碼并且將編碼的視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器510中。而且，EDC610可以包括根據(jù)不同數(shù)據(jù)格式對(duì)不同類型的數(shù)據(jù)編碼的多個(gè)編碼器。例如，EDC610可以包括用于音頻數(shù)據(jù)的MP3編碼器和用于視頻數(shù)據(jù)的MPEG編碼器。EDC610可以對(duì)來(lái)自存儲(chǔ)器510的輸出數(shù)據(jù)解碼。例如，EDC610可以將從存儲(chǔ)器510輸出的音頻數(shù)據(jù)解碼為MP3文件。可替換地，EDC610可以將從存儲(chǔ)器510輸出的視頻數(shù)據(jù)解碼為MPEG文件。而且，EDC610可以包括根據(jù)不同數(shù)據(jù)格式對(duì)不同類型的數(shù)據(jù)解碼的多個(gè)解碼器。例如，EDC610可以包括用于音頻數(shù)據(jù)的MP3解碼器和用于視頻數(shù)據(jù)的MPEG解碼器。而且，EDC610可以僅包括解碼器。例如，先前編碼的數(shù)據(jù)可以被遞送到EDC610，被解碼并且隨后被遞送到存儲(chǔ)器控制器520和/或存儲(chǔ)器510。EDC610經(jīng)由接口630接收用于編碼的數(shù)據(jù)或者先前編碼的數(shù)據(jù)。接口630可以符合公知的標(biāo)準(zhǔn)(例如，USB、火線等)。接口630可以包括一個(gè)或多個(gè)接口。例如，接口630可以包括火線接口、USB接口等。從存儲(chǔ)器510提供的數(shù)據(jù)可以經(jīng)由接口630輸出。呈現(xiàn)組件620呈現(xiàn)存儲(chǔ)器510和/或EDC610解碼的數(shù)據(jù)，由此用戶可以感知該解碼的數(shù)據(jù)。例如，呈現(xiàn)組件620可以包括顯示視頻數(shù)據(jù)等的顯示屏和用于輸出音頻數(shù)據(jù)的揚(yáng)聲器插孔。圖14說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，存儲(chǔ)器510可以與主機(jī)系統(tǒng)7000連接。存儲(chǔ)器510包括根據(jù)前面提及的本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件。主機(jī)系統(tǒng)7000可以是諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字相機(jī)等的處理系統(tǒng)。存儲(chǔ)器510可以是可分離的貯存介質(zhì)形式，例如，存儲(chǔ)器卡、USB存儲(chǔ)器或者固態(tài)驅(qū)動(dòng)器SSD。主機(jī)系統(tǒng)7000可以提供用于控制存儲(chǔ)器510的操作的輸入信號(hào)。例如，主機(jī)系統(tǒng)7000可以提供命令語(yǔ)言和地址信號(hào)。圖15說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。在該實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)7000與存儲(chǔ)器卡530連接。主機(jī)系統(tǒng)7000向存儲(chǔ)器卡530供給控制信號(hào)，由此存儲(chǔ)器控制器520控制存儲(chǔ)器510的操作。圖16說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，根據(jù)本實(shí)施例的裝置，存儲(chǔ)器510可以與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)8000中的中央處理單元CPU810連接。例如，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)8000可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理等。存儲(chǔ)器510可以經(jīng)由總線與CPU810連接。圖17說(shuō)明了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電阻式存儲(chǔ)器器件的裝置。如圖中示出的，根據(jù)本實(shí)施例的裝置9000可以包括控制器910，諸如鍵盤、顯示器等的輸入/輸出部件920，存儲(chǔ)器930和接口940。在本實(shí)施例中，構(gòu)成該裝置的各個(gè)組件可以經(jīng)由總線950相互連接。控制器910可以包括至少一個(gè)微處理器、數(shù)字處理器、微控制器或處理器。存儲(chǔ)器930可以存儲(chǔ)由數(shù)據(jù)和/或控制器910執(zhí)行的命令。接口940可以用于發(fā)射來(lái)自例如通信網(wǎng)絡(luò)的不同系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，或者針對(duì)通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)射數(shù)據(jù)。裝置9000可以是諸如PDA、便攜式計(jì)算機(jī)、web無(wú)線終端(webtablet)、無(wú)線電話、移動(dòng)電話、數(shù)字音樂(lè)播放器、存儲(chǔ)器卡的移動(dòng)系統(tǒng)或者可以發(fā)射和/或接收信息的不同系統(tǒng)。圖10~17示出了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器器件的裝27置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，使用大馬士革技術(shù)，可以采用下接線柱和上接線柱的雙接線柱結(jié)構(gòu)形成具有較好的電阻特性的銅接線柱、銅位線、銅局部導(dǎo)線、和/或銅字線。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，銅接線柱可以與銅位線或銅導(dǎo)線同時(shí)形成以減小接觸電阻。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以采用雙接線柱結(jié)構(gòu)減少在其中形成銅接線柱的開(kāi)口的寬高比，導(dǎo)致了銅填充特性的增強(qiáng)。上文公開(kāi)的內(nèi)容應(yīng)被視為說(shuō)明性的，而非限制性的，并且附屬權(quán)利要求應(yīng)涵蓋落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍內(nèi)的所有這樣的修改、增強(qiáng)和其他實(shí)施例。因此，在法律允許的最大范疇內(nèi)，本發(fā)明的范圍由附屬權(quán)利要求及其等效的最廣泛的可允許的解釋所確定，不應(yīng)受前面的詳細(xì)描述的約束或限制。權(quán)利要求1.一種電阻式存儲(chǔ)器器件，包括襯底上的電阻式存儲(chǔ)器元件；所述電阻式存儲(chǔ)器元件上的位線；以及所述電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部的上接線柱，所述上接線柱包含與所述位線相同的材料并且具有高度高于所述位線下表面的下表面。2.如權(quán)利要求l所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述位線和所述上接線柱每個(gè)均包括銅。3.如權(quán)利要求2所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述襯底和所述上接線柱之間的下接線柱，所述下接線柱與所述上接線柱連接，所述下接線柱具有高度高于所述位線下表面的上表面，并且所述下接線柱由不同于所述上接線柱的材料形成。4.如權(quán)利要求3所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述下接線柱包括鎢。5.如權(quán)利要求3所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述上接線柱上的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線與所述上接線柱電連接并且用作字線。6.如權(quán)利要求5所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中用作字線的所述導(dǎo)線包含銅。7.如權(quán)利要求2所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述襯底和所述上接線柱之間的下接線柱，所述下接線柱與所述上接線柱連接，所述下接線柱具有高度高于所述位線下表面的上表面，并且所述下接線柱由不同于所述上接線柱的材料形成；所述下接線柱和所述襯底之間的接觸栓塞，所述接觸栓塞與所述襯底的下字線和所述下接線柱電連接，并且具有比所述下接線柱下表面的直徑小的直徑；以及所述上接線柱上的、并且與所述上接線柱電連接的上字線。8.如權(quán)利要求2所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述襯底和所述上接線柱之間的單元下接線柱，所述單元下接線柱與所述上接線柱連接，所述單元下接線柱具有高度高于所述位線下表面的上表面，并且所述單元下接線柱由不同于所述上接線柱的材料形成；所述電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部的外圍下接線柱，所述外圍下接線柱由不同于所述上接線柱的材料形成；以及所述外圍下接線柱的一部分側(cè)表面上和所述外圍下接線柱的上表面上的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線由與所述位線相同的材料形成。9.如權(quán)利要求2所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述上接線柱的上表面與所述位線的上表面基本上共平面。10.—種電阻式存儲(chǔ)器器件，包括襯底上的電阻式存儲(chǔ)器元件；所述電阻式存儲(chǔ)器元件上的位線，所述位線包含銅；所述電阻式存儲(chǔ)器元件外表面上的單元上接線柱，所述單元上接線柱具有高度高于所述位線下表面的下表面，并且所述單元上接線柱包含銅；以及單元下接線柱，與所述單元上接線柱的下表面連接并且包含不同于所述單元上接線柱的材料。11.如權(quán)利要求IO所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述單元下接線柱包括鉤。12.如權(quán)利要求IO所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述單元下接線柱和所述襯底之間的單元接觸栓塞，所述單元接觸栓塞與所述單元下接線柱和所述襯底連接，并且所述單元接觸栓塞具有直徑寬于所述單元下接線柱下表面直徑的上表面。13.如權(quán)利要求12所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述單元上接線柱上的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線與所述單元上接線柱電連接，所述導(dǎo)線包含銅并且用作字線。14.如權(quán)利要求IO所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部的外圍下接線柱，所述外圍下接線柱由不同于所述單元上接線柱的材料形成，并且所述外圍下接線柱具有高度與所述單元下接線柱上表面和下表面高度基本上相同的的上表面和下表面；以及所述外圍下接線柱的一部分側(cè)表面上和所述外圍下接線柱的上表面上的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線包含銅。15.—種電阻式存儲(chǔ)器器件，包括襯底的單元陣列區(qū)上的電阻式存儲(chǔ)器元件；所述電阻式存儲(chǔ)器元件上的位線，所述位線包含銅；所述電阻式存儲(chǔ)器元件之上和外部的單元上接線柱，所述單元上接線柱具有高度高于所述位線下表面的下表面，并且所述單元上接線柱包含銅；與所述單元上接線柱的下表面連接的單元下接線柱，所述單元下接線柱包括不同于所述單元上接線柱的材料；以及所述襯底和所述單元下接線柱之間的單元接觸栓塞，所述單元接觸栓塞與所述襯底和所述單元下接線柱電連接，并且所述單元接觸栓塞具有直徑寬于所述單元下接線柱下表面直徑的上表面。16.如權(quán)利要求15所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，進(jìn)一步包括所述襯底的外圍電路區(qū)上的外圍接觸栓塞；與所述外圍接觸栓塞電連接的外圍下接線柱；第一導(dǎo)線，位于所述外圍下接線柱的一部分側(cè)表面上和所述外圍下接線柱的上表面上，所述第一導(dǎo)線由與所述位線相同的材料形成；與所述單元上接線柱電連接的字線；以及與所述第一導(dǎo)線電連接的第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線由與所述字線相同的材料形成。17.如權(quán)利要求16所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述第二導(dǎo)線和所述字線每個(gè)均包括銅。18.—種形成電阻式存儲(chǔ)器器件的方法，包括提供襯底，所述襯底包括電阻式存儲(chǔ)器元件和單元接觸栓塞；在所述電阻式存儲(chǔ)器元件和所述單元接觸栓塞上形成第一絕緣層，并且所述第一絕緣層具有使所述單元接觸栓塞暴露的單元接觸孔；在所述單元接觸孔中形成單元下接線柱；在所述單元下接線柱和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；通過(guò)對(duì)所述第二絕緣層和所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖，來(lái)形成第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口使所述電阻式存儲(chǔ)器元件暴露，并且所述第二開(kāi)口使所述單元下接線柱暴露；以及在所述第一開(kāi)口中形成位線，并且在所述第二開(kāi)口中形成單元上接線柱，所述位線與所述電阻式存儲(chǔ)器元件連接，并且所述單元上接線柱與所述單元下接線柱連接，并且所述單元上接線柱具有高度高于所述位線下表面的下表面。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述在所述第一開(kāi)口中形成位線以及在所述第二開(kāi)口中形成單元上接線柱的步驟包括用銅填充所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口。20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述在所述單元接觸孔中形成單元下接線柱的步驟包括用鎢填充所述單元接觸孔。21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在所述襯底的單元陣列區(qū)上形成所述電阻式存儲(chǔ)器元件、所述單元接觸栓塞、所述單元下接線柱和所述單元上接線柱，并且在所述襯底的外圍電路區(qū)上進(jìn)一步提供外圍接觸栓塞，所述方法進(jìn)一步包括在形成所述單元下接線柱時(shí)，在所述襯底的所述外圍電路區(qū)上形成與所述外圍接觸栓塞連接的外圍下接線柱。22.如權(quán)利要求21所述的方法，進(jìn)一步包括在通過(guò)對(duì)所述第二絕緣層和所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口時(shí)，形成第三開(kāi)口，所述第一開(kāi)口使所述電阻式存儲(chǔ)器元件暴露，所述第二開(kāi)口使所述單元下接線柱暴露，并且所述第三開(kāi)口使所述外圍下接線柱的一部分側(cè)表面和上表面暴露；以及在通過(guò)用銅填充所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口以在所述襯底的所述單元陣列區(qū)上形成所述位線和所述單元上接線柱時(shí)，通過(guò)用銅填充所述外圍電路區(qū)上的所述第三開(kāi)口來(lái)形成第一導(dǎo)線。23.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括在所述位線、所述上接線柱和所述第二絕緣層上形成第三絕緣層，所述第三絕緣層具有使所述單元上接線柱暴露的第一通孔；以及通過(guò)在所述第一通孔中和所述第三絕緣層上形成傳導(dǎo)材料，來(lái)形成與所述單元上接線柱電連接的字線。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中形成所述字線的步驟包括在所述第一通孔中和所述第三絕緣層上形成銅層。25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中在所述襯底的單元陣列區(qū)上形成所述電阻式存儲(chǔ)器元件、所述單元接觸栓塞、所述單元下接線柱、所述單元上接線柱和所述字線，并且在所述襯底的外圍電路區(qū)上進(jìn)一步提供外圍接觸栓塞，所述方法進(jìn)一步包括在形成所述單元下接線柱時(shí)，在所述襯底的外圍電路區(qū)上形成與所述外圍接觸栓塞連接的外圍下接線柱；在通過(guò)對(duì)所述第二絕緣層和所述第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口時(shí)，在所述襯底的所述外圍電路區(qū)上形成第三開(kāi)口，所述第一開(kāi)口使所述電阻式存儲(chǔ)器元件暴露，所述第二開(kāi)口使所述單元下接線柱暴露，并且所述第三開(kāi)口使所述外圍下接線柱的一部分側(cè)表面和上表面暴露；在通過(guò)用銅填充所述第一開(kāi)口和所述第二開(kāi)口來(lái)在所述襯底的所述單元陣列區(qū)上形成所述位線和所述單元上接線柱時(shí)，通過(guò)用銅填充所述外圍電路區(qū)上的所述第三開(kāi)口來(lái)形成第一導(dǎo)線；以及在形成所述字線時(shí)，在所述襯底的所述外圍電路區(qū)上形成與所述第一導(dǎo)線連接的第二導(dǎo)線，其中所述第三絕緣層具有第二通孔，該第二通孔使所述外圍電路區(qū)上的所述第一導(dǎo)線暴露。26.—種存儲(chǔ)器陣列，包括襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)器單元；與沿相同行布置的存儲(chǔ)器單元連接的字線；以及與沿相同列布置的存儲(chǔ)器單元連接的位線，其中所述位線包括銅，所述字線包括所述位線下面的下字線和所述位線上面的上字線，所述下字線通過(guò)接觸與所述上字線連接，以及所述接觸包括與所述下字線連接的接觸栓塞；以及與所述接觸栓塞和所述上字線連接的、并且包含銅的接線柱。27.—種電阻式存儲(chǔ)器器件，包括襯底上的電阻式存儲(chǔ)器元件；與所述電阻式存儲(chǔ)器元件的一端連接的第一銅導(dǎo)線；以及在所述第一銅導(dǎo)線上并且與所述電阻式存儲(chǔ)器元件的另一端連接的第二銅導(dǎo)線。28.如權(quán)利要求27所述的電阻式存儲(chǔ)器器件，其中所述第一銅導(dǎo)線用作位線并且所述第二銅導(dǎo)線用作字線。全文摘要提供了一種可以高集成度集成的電阻式存儲(chǔ)器器件及其形成方法。在實(shí)施例中，使用大馬士革技術(shù)由銅形成位線，并且在形成銅位線時(shí)，可以在銅位線周圍形成銅接線柱。文檔編號(hào)H01L23/532GK101533849SQ20091012743公開(kāi)日2009年9月16日申請(qǐng)日期2009年3月11日優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日發(fā)明者吳在熙,樸正勛,林東源,柳庚昶,金亨俊申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社