技術(shù)編號：6933007
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例涉及，并且更具體地，涉及可以高集成度集成的相變存儲器器件及其形成方法。背景技術(shù)相變存儲器器件是使用例如硫族化物的相變材料的導(dǎo)電率(或電阻率)的差異來存儲和讀取信息的存儲器器件。由于這些相變存儲器器件的特性，諸如隨機存取和非易失性，因此被看重為下一代存儲器。然而，如同其他的存儲器器件，由于相變存儲器器件要求較高級別的集成度，因此需要一種能夠滿足該要求的新的相變存儲器器件及其形成方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了具有高集成度的。本發(fā)明的實施例還提...
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