專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，更為具體地 講，涉及一種包括被容易并精確地沉積中間層的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造 方法。
背景技術(shù)：
因為有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有寬視角、高對比度以及快速響應(yīng)速度，所以 被認(rèn)為是下一代顯示設(shè)備。 一般來講，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有堆疊結(jié)構(gòu)，其 中，發(fā)射層設(shè)置在陽極和陰極之間。因此，基于將從陽極注入的空穴與從陰 極注入的電子復(fù)合在發(fā)射層上發(fā)光的原理，可實現(xiàn)顏色顯示。但是，這種結(jié) 構(gòu)難以實現(xiàn)有效的發(fā)光。因此，在每個電極與發(fā)射層之間選擇性地插入中間 層，比如，電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層及空穴注入層。但是，難以將薄有機(jī)層(如發(fā)射層或中間層)精細(xì)地圖案化，并且紅色、 綠色、藍(lán)色子像素的發(fā)光效率依賴于精確圖案化的有機(jī)層。因此，由于難以 實現(xiàn)期望的驅(qū)動電壓、電流密度、亮度、顏色純度、發(fā)光效率以及壽命，因 而應(yīng)該改進(jìn)傳統(tǒng)的有才幾發(fā)光顯示設(shè)備。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可具有這種結(jié)構(gòu)，即在第一電極和第二電極之間包 括發(fā)光層和中間層。在此情況下，可以用多種方式(如通過沉積方方法)制 作第一和第二電極及中間層。為了根據(jù)沉積方法制作有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，通過將掩膜緊密附著到將形成薄層的平面，然后將用于薄層的材料沉積在所得 結(jié)構(gòu)上，來以預(yù)定圖案形成薄層，其中，所述掩膜具有于所述薄層相同的圖案。圖1A是示意性示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的發(fā)射層/中間層圖案的平面圖。圖1B是示意性示出用于沉積傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的藍(lán)色發(fā)光層的掩膜10Bm的平面圖。參考圖1A和圖IB,傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的像 素11、 12、 13和14分別包括發(fā)射紅色、綠色或藍(lán)色光的多個發(fā)射層11R、 12R、 13R、 14R、 11G、 12G、 13G、 14G、 11B、 12B、 13B、 14B。分別發(fā)射 紅色光、綠色光和藍(lán)色光的三個子像素形成一個像素。如上所述，使用掩膜通過沉積形成像素11至14的發(fā)射層IIR至14B。 例如，通過沉積同時形成紅色子像素的發(fā)射層，通過沉積同時形成綠色子像 素的發(fā)射層，然后通過沉積同時形成藍(lán)色子像素的發(fā)射層。因此，如圖IB所 示，具有多個開口 llBm、 12Bm、 13Bm和14Bm的傳統(tǒng)掩膜10Bm被用于獲 得如圖1A所示的傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的藍(lán)色發(fā)射層圖案。此外，為了 形成有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的每個紅色和綠色發(fā)射層圖案，需要使用如傳統(tǒng)掩 膜lOBm的具有以相同間隔形成的多個開口的掩膜。由于中間層也以與發(fā)射層相同的圖案來形成，因此為了獲得有機(jī)發(fā)光顯 示設(shè)備10的中間層圖案，使用如傳統(tǒng)掩膜1 OBm的具有以相同間隔形成的多 個開口的掩膜。但是，為了制造高清晰顯示設(shè)備，隨著子像素之間的距離變 小，掩膜的開口的大小變小。即，參考圖IB,開口 11Bm至14Bm的寬度/0 變小。因此，為了實現(xiàn)高清晰有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，使用具有更小開口的掩膜。 但是，對于精細(xì)節(jié)距的掩膜存在極限。此外，隨著掩膜圖案變得精細(xì)，更難以使掩膜圖案化和使掩膜相對于將 沉積發(fā)射層/中間層的區(qū)域?qū)R。甚至極小的誤差也可導(dǎo)致發(fā)射層與相鄰的發(fā) 射層疊置。此外，除通過這樣的沉積制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備之外的顯示設(shè) 備也具有上述缺點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的各方面提供了一種顯示設(shè)備，其中，可容易和精確地沉積每個 子像素的中間層。根據(jù)本發(fā)明的 一方面，提供了 一種包括多個像素的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。 每個像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。該顯示設(shè)備包括在各 個子像素中以不同厚度形成的中間層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，在每個像素中，紅色子像素可排列在藍(lán)色子像素 和綠色像子素之間。中間層的厚度可在紅色像素中最大。根據(jù)本發(fā)明的各方面，綠色子像素的中間層的厚度和藍(lán)色子像素的中間 層的厚度之和可實質(zhì)上等于中間層在紅色子像素中的厚度。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層在每個像素內(nèi)可以形成為 一塊。根據(jù)本發(fā)明的各方面，每個子像素可還包括相對的第一電極和第二電 極；設(shè)置在電極之間的中間層；和設(shè)置在中間層內(nèi)的紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射 層和藍(lán)色發(fā)射層。中間層在具有紅色發(fā)射層的區(qū)域中的厚度大于中間層在具 有綠色發(fā)射層的區(qū)域中的厚度和中間層在具有藍(lán)色發(fā)射層的區(qū)域中的厚度中 的至少一個。根據(jù)本發(fā)明的各方面，包括在相鄰像素中的子像素可按這種方式排列，即像素的各個子像素關(guān)于相鄰像素之間的邊界對稱。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可以形成為一塊，并可橫跨相鄰像素延伸。 根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可包括空穴注入層，以基本恒定厚度形成在每個像素內(nèi)；空穴傳輸層，形成在空穴注入層上，具有根據(jù)各個子像素而變化的厚度。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可包括空穴注入層，具有根據(jù)各個子像 素而變化的厚度；空穴傳輸層，形成在空穴注入層上，具有一致的厚度。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可包括空穴注入層，具有根據(jù)各個子像 素而變化的厚度；空穴傳輸層，形成在空穴注入層上，具有根據(jù)各個子像素 而變化的厚度。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可包括具有根據(jù)各個子像素而變化的厚度 的電子傳輸層。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種制作具有多個像素的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，每個像素具有紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，該方法包括如下步驟在基底的表面上形成多個第一電極；在第一電極上形成發(fā)射層和具有根據(jù)各個子像素而變化的厚度的中間層；和在發(fā)射層和中間層上形 成多個第二電極。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可以包括在第一區(qū)域中沉積 中間層的第一部分；和在與第一區(qū)域部分疊置的第二區(qū)域中沉積中間層的第 二部分。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成發(fā)射層的步驟可以包括在第一區(qū)域和第二 區(qū)域彼此疊置的區(qū)域中形成紅色發(fā)射層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可以包括在具有紅色和綠色 子像素的區(qū)域中，以一塊形成中間層；在具有紅色和藍(lán)色子像素的區(qū)域中， 以一塊形成中間層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，在具有紅色和綠色子像素的區(qū)域中，以一塊形成中間層的步驟可以包括通過使用在具有紅色子像素和綠色子像素區(qū)域形成 為一個開口的第一掩膜，并將中間層圖案化。根據(jù)本發(fā)明的各方面，在具有紅色子像素和藍(lán)色子像素的區(qū)域中，以一 塊形成中間層的步驟可以包括，通過使用在具有紅色子像素和藍(lán)色子像素區(qū) 域形成為一個開口的第二掩膜，并將中間層圖案化。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可包括在每個像素內(nèi)以一塊 塊形成中間層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成發(fā)射層和中間層的步驟可包括以使中間層 的一部分的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在第 一電極上形成中間層；和在中 間層上形成發(fā)射層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可包括在第一電極上以基本 恒定厚度形成空穴注入層；和以使空穴傳輸層的 一部分的厚度根據(jù)子像素而 變化的方式在空穴注入層上形成空穴傳輸層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可包括以使空穴注入層的一 部分的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在第一電極上形成空穴注入層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可包括以使空穴注入層的一 部分的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在第一電極上形成空穴注入層；和以使 空穴傳輸層的部分厚度根據(jù)子像素而變化的方式在空穴注入層上形成空穴傳 輸層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成發(fā)射層和中間層的步驟可包括在第一電極 上形成發(fā)射層；和以使中間層的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在發(fā)射層上形 成中間層。根據(jù)本發(fā)明的各方面，形成中間層的步驟可包括以使電子傳輸層的厚 度根據(jù)子像素而變化的方式在發(fā)射層上形成電子傳輸層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該設(shè)備包括 基底；設(shè)置在基底上的相對的第一電極和第二電極；中間層，設(shè)置在電極之 間；和多個發(fā)射層，設(shè)置在中間層中。紅色發(fā)射層在一個像素的中心排列在藍(lán)色和綠色發(fā)射層之間。中間層的厚度在紅色發(fā)射層的附近最大。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子傳輸層中的至少一個。根據(jù)本發(fā)明的各方面，中間層可在每個像素內(nèi)形成為 一塊。 根據(jù)本發(fā)明的各方面，第一電極可以是反射電極，第二電極可以是半透明電纟及或透明電才及。根據(jù)本發(fā)明的各方面，當(dāng)所述設(shè)備驅(qū)動時，第一電極和第二電極之間可產(chǎn)生諧振。在下面的描述中將部分地闡明本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)，通過描述， 部分地會變得更加清楚，或者可通過實施本發(fā)明獲知。


通過下面結(jié)合附圖對實施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚和更易于理解，其中圖1A是示意性示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)射層/中間層圖案的平面圖；圖1B是示意性示出用于沉積圖1A的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的藍(lán)色發(fā)射層的 傳統(tǒng)掩膜的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖；圖3A至3E是順序示出根據(jù)本發(fā)明第 一示例性實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯 示設(shè)備的方法的剖視圖；圖4和圖5是示意性示出用于沉積有機(jī)發(fā)光設(shè)備的中間層的掩膜的平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖； 圖7A至圖7E是順序示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖； 圖9A至圖9E是順序示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖；圖10A是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的中間層圖案的平面圖；圖IOB是示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的用于沉積圖IOA的有機(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備的紅-綠中間層的掩膜的平面圖；圖IOC是示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的用于沉積圖IOA的有機(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備的紅-藍(lán)中間層的掩膜的平面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有源矩陣(AM )發(fā)光設(shè)備的剖視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將對本發(fā)明示例性實施例進(jìn)行詳細(xì)的描述，其示例表示在附圖中， 其中，相同的標(biāo)號始終表示相同部件。下面通過參照附圖對示例性實施例進(jìn) 行描述以解釋本發(fā)明的各方面。如這里所述，當(dāng)?shù)谝徊考幻枋鰹樵O(shè)置或形 成在第二部件"上"，或與第二部件"相鄰"時，第一部件與第二部件可直接 接觸，或可以通過一個或多個位于第 一部件與第二部件之間的其它部件而與 第二部件分離。相反，當(dāng)?shù)谝徊考环Q為"直接"設(shè)置在其它另一部件"上" 時，不存在中間部件。如這里所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān) 所列項的任意和所有組合。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。 參考圖2,有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底102、第一電極131、絕緣層132、 第二電極134、發(fā)射層(EML) 111R(紅色發(fā)射層)、111G(綠色發(fā)射層)、 111B (藍(lán)色發(fā)射層)和形成在發(fā)射層111R、 111G和111B的頂部和/或底部的 中間層。中間層包括空穴注入層(HIL) 141、空穴傳輸層(HTL) 142和電 子傳輸層(ETL) 143。發(fā)射層111R、 111G、 111B以及HIL 141、 HTL 142 和ETL 143形成在第一電極131和第二電極134之間。才艮據(jù)其材料，發(fā)射層 111R、 111G、 111B可分別發(fā)出紅色光、綠色光或藍(lán)色光。第一電極131被圖案化在基底102上。然后，形成絕緣層132以填充第 一電極131之間的間隙，從而限定像素區(qū)域。HIL 141、HTL 142、發(fā)射層111R、 U1G和111B、 ETL143和電子注入層(EIL )(未示出)以單個或復(fù)合結(jié)構(gòu)沉 積在第一電極131上。然后，在ETL 143上形成第二電極134。第一電極131或第二電極134之一是反射電極，另一個是半透明電極或 透明電極。因此，當(dāng)驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時，在第一電極131和第二電極 134之間產(chǎn)生諧振。因此，當(dāng)驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時，在第一電極131和第二電極134之間諧振的同時，發(fā)射層111R、 111G和111B產(chǎn)生的光發(fā)射到 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的外部。因此，可改善發(fā)光亮度和效率。更為具體地講，第一電極131可形成在基底102的表面上。在本示例性 實施例中，第一電極131可以是反射電極，第二電極134可以是半透明電極 或透明電極。因此，在第一電極131和第二電極134之間諧振的同時，發(fā)射 層111R、 lll.G和111B產(chǎn)生的光可通過第二電極134(沿基底102的反方向) 發(fā)射到有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的外部。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的中間層可包括HIL 141 或HTL 142，或可包括具有空穴注入和傳輸特性的單個層。根據(jù)第一示例性實施例，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備以這樣的方式制造，即包括 HIL 141或HTL 142的中間層以不同的厚度沉積在不同子像素上。更為具體 地講，HTL 142可以以1600A至2200A的厚度形成在紅色子^象素R中。如果 HTL142的厚度小于1600A或大于2200A，則發(fā)射層U1R不會具有合適的空 穴注入特性和/或空穴傳輸特性以產(chǎn)生諧振，因此顏色純度的等級和發(fā)光效率 會降低。如果HTL142的厚度大于2200A，則會增加驅(qū)動電壓。在綠色子像素G中，HTL 142可形成為IOOOA至1200A的厚度。如果 HTL 142的厚度小于IOOOA或大于1200A，則發(fā)射層111G不會具有合適的 空穴注入特性和/或空穴傳輸特性以產(chǎn)生諧振，因此顏色純度的等級和發(fā)光效 率會降低。如果HTL142的厚度大于1200A，則會增加驅(qū)動電壓。在藍(lán)色子像素B中，HTL 142可形成為IOOA至500A的厚度。如果HTL 142的厚度小于IOOA或大于500A,則發(fā)射層111B不會具有合適的空穴注入 特性和/或空穴傳輸特性以產(chǎn)生諧振，因此顏色純度的等級和發(fā)光效率會降 低。如果HTL 142的厚度大于500A,則會增加驅(qū)動電壓。在本示例性實施例中，HTL 142作為一塊形成在紅色子像素R和綠色子 像素G中，然后作為一塊再次形成在紅色子像素R和藍(lán)色子像素B中。即， HTL 142在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B上只沉積一次，但是在紅色子像素 R上沉積兩次。因此，HTL142在紅色子像素R中的厚度大于HTL142在綠 色子像素G和藍(lán)色子像素B中的厚度。換言之，HTL142在紅色子像素R中 的厚度實質(zhì)上等于HTL 142在綠色子像素G中的厚度與HTL 142在藍(lán)色子像 素B中的厚度之和。另外，HTL 142在一個像素內(nèi)形成為一塊。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，當(dāng)驅(qū)動有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時，在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生諧振。在這種情況 下，根據(jù)從發(fā)射層發(fā)射的光的顏色，空穴傳輸層的厚度變化，從而實現(xiàn)良好 的驅(qū)動電壓、電流密度、發(fā)光的亮度、顏色純度的等級、發(fā)光效率、壽命等。圖3A至3E是示意性和順序示出根據(jù)本發(fā)明的第 一示例性實施例的制造 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。參考圖3A至3E，該方法包括在基底 102的表面上形成第一電極131;在第一電極131上形成HTL 142,使HTL 142 的一部分的厚度大于HTL 142其余部分的厚度；在HTL 142上形成發(fā)射層 111G、 111R和111B;和在發(fā)射層111G、 111R和111B上形成第二電極134。更為具體地講，如圖3A所示，第一電極131形成在基底102上。基底 102可以是在一般的有機(jī)發(fā)光設(shè)備的領(lǐng)域中使用的任何基底。比如，考慮透 明度、光滑度、易處理性、耐水性等，可使用各種類型的基底，如玻璃基底 或塑料基底。第一電極131可以是使用導(dǎo)電金屬材料或金屬氧化物材料形成的反射電 極，半透明電極或透明電極，可從由鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁鋰合 金(Al-Li)、 4丐(Ca)、鎂銦合金(Mg-In)、鎂銀合金(Mg-Ag)、和鈣鋁合 金(Ca-Al)組成的組中選擇所述導(dǎo)電金屬材料，可以從由氧化銦錫(ITO)、 氧化銦鋅(IZO)和氧化銦(ln203 )組成的組中選擇所述金屬氧化物材料。 另外，可使用從導(dǎo)電金屬和金屬氧化物中選擇的兩種或多種材料的結(jié)合，來 形成第一電極131。絕緣層132形成在將形成有機(jī)層的區(qū)域中。絕緣層132可使用無機(jī)基底 (如氧化硅和氮化物)或絕緣有機(jī)基底以包括沉積方法或涂覆方法的多種方 式來形成。如圖3B所示，HIL 141以預(yù)定厚度形成在第一電極131和絕緣層132上。 HIL 141可通過包括真空沉積方法、旋轉(zhuǎn)涂覆方法、鑄造方法(casting method ) 或Langmuir-Blodget ( LB )方法的多種已知方法形成。如圖3C所示，第一 HTL 142a以一塊形成在紅色子像素R和綠色子像素 G中的HIL141上。然后，如圖3D所示，第二HTL 142b以一塊形成在紅色 子像素R和藍(lán)色子像素B中的HIL 141上。具體來講，隨著子像素之間的距離變短，為了制造高清晰顯示設(shè)備，用 于沉積子像素的發(fā)射層/中間層的掩膜的開口的大小也變小。因此，為了實現(xiàn) 高清晰有機(jī)發(fā)光顯示器，使用具有更小開口的精細(xì)節(jié)距的掩膜。但是，掩膜的節(jié)距具有極限。為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的實施例，中間層以一塊沉積在兩個相鄰子像素區(qū)域中，即，在紅色子像素R和綠色子像素G中以及在紅色子像素 R和藍(lán)色子像素B上。中間層的最佳厚度根據(jù)發(fā)射層的類型而改變。中間層在紅色子像素R處 最厚。綠色子像素G和藍(lán)色子像素B排列在紅色子像素R的兩側(cè)。然后，中 間層以 一塊形成在紅色子像素R和綠色子像素G中，然后以 一塊再次形成在 紅色子像素R和藍(lán)色子像素B中。即，中間層在綠色子像素G和藍(lán)色子像素 B中只形成一次，但是在紅色子像素R中形成兩次。因此，中間層在紅色子 像素R中的厚度大于中間層在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B中的厚度。換言 之，中間層在紅色子像素R中的厚度實質(zhì)上等于中間層在綠色子像素G中的 厚度和中間層在藍(lán)色子像素B中的厚度之和。根據(jù)第一示例性實施例，在制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中，使用了如 圖4和圖5所示的掩膜110RGm和110RBm。當(dāng)使用110RGm和110RBm時， 掩膜110RGm中的多個開口 11 lRGm和112RGm以及掩膜110RBm中的多個 開口 lllRBm和112RBm中的每個的寬度/1是傳統(tǒng)掩膜10Bm的開口 11Bm 和12Bm中的每個的寬度/0 (圖1B所示)的大約兩^"。因此，可以減少在^務(wù) 膜的制造和對齊工藝中的困難，從而在制造高質(zhì)量和高清晰顯示設(shè)備時，增 加良率并降^f氐成本。如圖3E所示，發(fā)射層111R、 111G和111B形成在HTL 142上。沒有具 體限定發(fā)射層111R、 111G和111B的材料。然后，通過將電子傳輸材料真空 沉積或旋轉(zhuǎn)涂覆在發(fā)射層111R、 111G和111B上來形成ETL 143。電子傳輸 材料沒有被具體限定且可以是Alq3。然后，通過將用于第二電極的材料沉積 在ETL 143上來形成第二電極134。用于第二電極的材料可以是從一個組中 選擇的導(dǎo)電、透明的金屬氧化物材料，該組由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、氧化錫(Sn02)和氧化鋅(ZnO)組成。另外，ETL 143可通過使 用從一個組中選擇的金屬材料沉積薄膜來形成為反射電極、半透明電極或透 明電極，該組由鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁鋰合金(Al-Li)、,丐(Ca)、 鎂銦合金(Mg-In)、鎂銀合金(Mg-Ag)和鈣鋁合金(Ca-Al)組成。但是， 第二電極的材料沒有局限于所述的材料。第一電極131和第二電極134可分 別用作陽極和陰極，反之亦然。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，由于掩膜的開口的大小可以相 對大，因此可以容易地制造用于形成中間層的精細(xì)節(jié)距的掩膜。因此，使用 所述掩膜可制造高清晰顯示設(shè)備。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。 圖7A至圖7E是示意性和順序性示出制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。參考圖6和圖7，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底202、多個第一電極231、 絕緣層232、多個第二電極234、多個發(fā)射層211R (紅色發(fā)射層)、211G(綠 色發(fā)射層)、211B (藍(lán)色發(fā)射層)和形成在發(fā)射層211R、 211G和211B的頂 部和/或底部的中間層。中間層包括空穴注入層241 、空穴傳輸層242和電 子傳輸層243。發(fā)射層211R、 211G、 211B、空穴注入層241、空穴傳輸層242 和電子傳輸層243形成在第一電極231和第二電極234之間。根據(jù)其材料， 發(fā)射層211R、 211G、 211B可分別發(fā)射紅色光、綠色光或藍(lán)色光。第二示例性實施例與第 一 示例性實施例的不同在于，對于不同的子像素， 空穴注入層241形成為不同的厚度。詳細(xì)地講，空穴注入層241以一塊形成 在紅色子像素R和綠色子像素G中，并以一塊再次形成在紅色子像素R和藍(lán) 色子像素B中。即，空穴注入層241在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B中只沉 積一次，但是在紅色子像素R中沉積兩次。因此，空穴注入層241在紅色子 像素R中的厚度大于在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B中的厚度。換言之，空 穴注入層241在紅色子像素R中的厚度實質(zhì)上等于空穴注入層241在綠色子 像素G中的厚度和空穴注入層241在藍(lán)色子像素B中的厚度之和。空穴注入 層241以一塊形成在一個像素內(nèi)。為此，如圖7A示出，第一電極231和絕 緣層232形成在基底202上。然后，如圖7B示出，空穴注入層241a以一塊形成在紅色子像素R和綠 色子像素G兩者中的第一電極231和絕緣層232上。然后，如圖7C所示， 空穴注入層241b以一塊形成在紅色子像素R和藍(lán)色子像素B兩者中的第一 電極231和絕緣層232上。如圖7D示出，空穴傳輸層242形成在空穴注入層241上。最后，如圖 7E示出，發(fā)射層211R、 211G、 211B、電子傳輸層243和第二電極234順序 地形成。如上所述，由于開口的大小可相對大，因此可容易地制作用于形成 中間層的精細(xì)節(jié)距的掩膜，并可使用該掩膜制造高清晰顯示設(shè)備。在第一示例性實施例中，對于一個像素以預(yù)定厚度形成空穴注入層，并 且空穴傳輸層形成在空穴注入層上?？昭▊鬏攲拥暮穸仍诓煌淖酉袼靥幙?變化。在第二示例性實施例中，在不同的子像素中以不同的厚度形成空穴注 入層，并且空穴傳輸層形成在空穴注入層上。但是，本發(fā)明沒有局限于此。 即，從第一和第二示例性實施例可得出這樣一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備包括以不同厚度形成的空穴注入層和形成在空穴注入層上的空 穴傳輸層，從而空穴傳輸層的厚度在不同的像素中改變。圖8是根據(jù)本發(fā)明
的第三示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。圖9A至9E是順序示出 制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。
參考圖8和圖9A至9E,有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基底302、多個第一 電極331、絕緣層332、多個第二電極334、多個發(fā)射層3UR、 311G、 311B 和中間層。中間層可包括空穴注入層341、空穴傳輸層342和電子傳輸層 343。發(fā)射層311R、 311G和311B可形成在中間層內(nèi)。發(fā)射層311R、 311G、 3UB、空穴注入層341、空穴傳輸層342和電子傳輸層343形成在第一電極 331和第二電極334之間。根據(jù)其材料，發(fā)射層311R、 311G、 311B可分別發(fā) 射紅色光、綠色光或藍(lán)色光。
第三示例性實施例與第一和第二示例性實施例的不同在于，對于不同的 子像素，電子傳輸層343形成為不同的厚度。詳細(xì)地講，電子傳輸層343以 一塊沉積在紅色子像素R和綠色子像素G中，然后以一塊沉積在紅色子像素 R和藍(lán)色子像素B中。即，電子傳輸層343在綠色和藍(lán)色子像素G和B中只 沉積一次，但是在紅色子像素R中沉積兩次。因此，電子傳輸層343在紅色 子像素R中的厚度大于在綠色子像素G和藍(lán)色子像素B中的厚度。換言之， 電子傳輸層343在紅色子像素R中的厚度實質(zhì)上等于電子傳輸層343在綠色 子像素G中的厚度和電子傳輸層343在藍(lán)色子像素B中的厚度之和。電子傳 輸層343以一塊形成在一個像素內(nèi)。
如圖9A所示，第一電極331和絕緣層332形成在基底302上。然后， 如圖9B所示，空穴注入層341和空穴傳輸層342形成在第一電極331和絕緣 層332上。發(fā)射層311R、 311G和311B形成在空穴傳輸層342上。然后，如 圖9C所示，電子傳輸層343a以一塊形成在紅色子像素R和綠色子像素G中。
如圖9D所示，電子傳輸層343b以一塊形成在紅色子像素R和藍(lán)色子像 素B中。然后，如圖9E所示，第二電極334形成在電子傳輸層343上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，由于開口的大小可以相對大， 因此可容易地制作用于形成中間層的精細(xì)節(jié)距的掩膜，并可使用該掩膜制造 高清晰顯示設(shè)備。
圖1 OA是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的中間層
圖案的平面圖。圖IOB是示意性示出用于沉積圖IOA的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的 紅-綠中間層的掩膜的平面圖。圖10C是示意性示出用于沉積圖10A的有機(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備的紅-藍(lán)中間層的掩膜的平面圖。如上所述，圖IOA示意性示出 有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的中間層圖案，但是為了便于解釋，可將所述中間層圖案 認(rèn)為成表示多個子像素。
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括多個像素，每個像素包括沿一個方向(如沿x軸 方向)順序排列的紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素，如圖10A所示。 這樣排列子像素，使得從第一像素的各個子像素發(fā)射的光的顏色在x軸方向 上與第 一像素相對的第二像素的相應(yīng)子像素發(fā)射的光的顏色，關(guān)于第 一像素
和第二像素之間的邊界對稱。即，例如，像素的子像素在x軸方向上以綠、 紅、藍(lán)、藍(lán)、紅、綠、綠、紅、藍(lán)、藍(lán)、紅、綠等的順序排列。
根據(jù)第四示例性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備與第 一示例性實施例和第二 示例性實施例的不同在于中間層的形狀。每個子像素包括相互面對的第 一 電 極和第二電極和設(shè)置在第 一電極和第二電極之間的中間層。在根據(jù)第四示例 性實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，中間層以一塊形成為橫跨沿x軸方向相鄰 的兩個像素。更為具體地講，在圖IOA示出的中間層圖案(子像素圖案)中， 如果最上一行中的多個像素沿x軸方向是第一像素311、第二像素312、第三 像素313、第四像素314，則第一像素311包括子像素311G (綠色子像素)、 311R (紅色子像素)和311B (藍(lán)色子像素)。
與第一像素311相鄰的第二像素312的多個子像素312B、 312R和312G 沿第一像素311和第二像素312之間的邊界與第一像素311的子像素311G、 311R和311B對稱。因此，第二像素312包括子像素312B、子像素312R和 子像素312G。
在上述的中間層圖案中，在第一像素311和第二像素312之間的邊界相 鄰的子像素中，中間層形成為一塊。即，中間層311RB橫跨第一像素311的 紅色子像素311R和藍(lán)色子像素311B形成為一塊。中間層312RB橫跨第二像 素312的紅色子像素312R和藍(lán)色子像素312B形成為一塊。類似地，中間層橫跨在第二像素312和第三像素313之間的邊界相鄰的子像素形成為一塊。 即，對于紅色子像素和綠色子像素，中間層312RG形成為一塊。中間層313RG 橫跨第三像素313中的紅色子像素和綠色子像素形成為一塊。類似地，沿x 軸方向的其它像素也具有上述的圖案。
在這種情況下，圖10B中示出的掩膜310RGm用于形成用于紅色子像素 和綠色子像素的中間層。圖10C中示出的掩膜310RBm用于形成用于紅色和 藍(lán)色子像素的中間層。參考圖IOB和圖IOC，在掩膜310RGm和310RBm中 的開口的大小相對大。
根據(jù)在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的子像素的排列，示出在圖10B中的掩膜 310RGm被用于沉積中間層。在掩膜310RGm中的每個開口的面積是傳統(tǒng)掩 膜10Bm (圖1B示出)中開口的面積約四倍大。因此，可實現(xiàn)高清晰有機(jī)發(fā) 光顯示設(shè)備。
現(xiàn)在將參考圖11和圖12簡要描述具有上述中間層的發(fā)光設(shè)備的結(jié)構(gòu)， 該發(fā)光設(shè)備可包括在根據(jù)上述實施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中?？砂ㄔ谟袡C(jī) 發(fā)光顯示設(shè)備中的發(fā)光設(shè)備形成在基底602上。使用透明玻璃材料制作基底 602,但是可以使用各種塑料材料(如，丙烯?；?acryl)、聚酰亞胺、聚 碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜(MYLAR))制作基底。
發(fā)光設(shè)備可具有各種形狀。例如，發(fā)光設(shè)備可以是無源矩陣(PM)發(fā)光 設(shè)備，或者可以是具有薄膜晶體管的有源矩陣(AM)發(fā)光設(shè)備。
圖11是，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的PM發(fā)光設(shè)備603的剖視圖。參 考圖11，緩沖層621 (Si02層)形成在基底602上。多個第一電極631以預(yù) 定圖案形成在緩沖層621上。然后，發(fā)射層633和多個第二電極634順序形 成在第一電極631上。絕緣層632可設(shè)置在第一電極631的線之間。第二電 極634可以以與第一電極的圖案垂直的圖案形成。雖未在圖中示出，但為了 獲得第二電極634的圖案，還可以包括附加絕緣層作為與第一電極631垂直 的圖案。
發(fā)射層633可由有機(jī)材料或無機(jī)材料形成。當(dāng)發(fā)射層633由有機(jī)材料形 成時，可使用小分子有機(jī)材料或聚合物有機(jī)材料。如果使用小分子有機(jī)材料， 則可以以單層或復(fù)合結(jié)構(gòu)來堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有 機(jī)發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)?？墒褂酶鞣N有 機(jī)材料，如，銅酞菁(CuPc)、 N，N，-二(萘-l-基)-N，N，-二苯基聯(lián)苯胺(N,N，-Di(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。通過將上述小分子有機(jī)材料之一圖案化 并使用上述掩膜之一將所得結(jié)構(gòu)真空沉積來獲得發(fā)射層633。
通常，如果發(fā)射層633由聚合物有機(jī)材料形成，則發(fā)射層633包括空穴 傳輸層和發(fā)射層。在這種情況下，空穴傳輸層由聚3、 4-乙烯二氧噻吩 (PEDOT)、聚笨乙烯碌u磺形成，并且發(fā)射層由聚-對苯撐乙炔(PPV)/螺聚芴 類聚合物有機(jī)材料形成。
第一電極631可以是陽極電極，和第二電極632可以是陰極電極，反之 亦然。第一電極631可以是透明電極或反射電極。如果第一電極631是透明 電極，則可使用ITO、 IZO、 ZnO或In203。如果第一電極631是反射電極， 則通過使用Ag、 Mg、 Al、 Pt、 Pd、 Au、 Ni、 Nd、 Ir、 Cr或它們的組合形成 反射層，然后在所得結(jié)構(gòu)上沉積由ITO、 IZO、 ZnO或111203制成的層來獲得 第一電極631。
第二電極634也可以是透明電極或反射電極。如果第二電極634是透明 電極，則第二電極634可用作陰極電極。因此，第二電極634可這樣獲得， 即，在作為有機(jī)層的發(fā)射層633上沉積逸出功小的金屬材料(如，Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Mg或它們的組合)。然后，可使用諸如ITO、 IZO、 ZnO 或111203的材料來可形成輔助電極或?qū)?butt)電極列。如果第二電極634 是反射電極，則可通過沉積Li、 Ca、 LiF/Ca、 LiF/Al、 Al、 Mg或它們的組合 來形成第二電極634。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的AM發(fā)光設(shè)備603的剖視圖。如 圖12所示，在AM發(fā)光設(shè)備603中，每個子像素包括至少一個薄膜晶體管 (TFT)。 TFT的結(jié)構(gòu)不限于圖12示出的結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管TFT的總數(shù)量和 結(jié)構(gòu)可以改變。
如圖12示出，由Si02制成的緩沖層621形成在玻璃基底602上，TFT 形成在緩沖層621上。TFT包括有源層622,在緩沖層621上；柵極絕緣 層623,在有源層622和緩沖層621上；柵電極624,在4冊極絕緣層623上。 柵電極624形成在柵極絕緣層623上的預(yù)定位置，并連接到傳送TFT的導(dǎo)通 /截止信號的柵極線。形成有柵電極624的預(yù)定位置與有源層622中的溝道區(qū) 相應(yīng)。
內(nèi)部絕緣層625形成在柵電極624上。源電極626和漏電極627形成為 通過接觸孔分別接觸有緣層622的源區(qū)和漏區(qū)。由Si02制成的無源層628形成在源電4及626和漏電才及627上。由丙烯酰 化物或聚酰亞胺制成的像素限定層629形成在無源層628上，并還使保護(hù)TFT 的上表面平坦化。
雖未在圖中示出，但至少一個電容器連接到TFT。具有這種TFT的電路 不限于圖12示出的電路。
AM發(fā)光設(shè)備603連接到TFT的漏電極627。 AM發(fā)光設(shè)備的第一電極 631形成在無源層628上，像素限定層629形成在第一電極631上。發(fā)射層 633形成在像素限定層629的開口中。為了便于解釋每個子像素的結(jié)構(gòu)，圖 12示出的是，發(fā)射層633被圖案化為只與一個子像素對應(yīng)，但發(fā)射層633可 延伸到相鄰子像素。
第一電極631、第二電極634、發(fā)射層633和形成在發(fā)射層633的頂部和 底部的中間層(未示出)的材料可與PM發(fā)光設(shè)備603的材料相同。基底602 上的AM發(fā)光設(shè)備603被相對單元密封(未示出)。相對單元可包括玻璃或塑 料材料，或形成為金屬帽(cap)。
在具有這種發(fā)光設(shè)備的發(fā)光顯示設(shè)備中，如上所述來構(gòu)造中間層，因此， 在容易地在每個子像素中沉積中間層的同時，可改善圖案精確度，從而提高 發(fā)光顯示設(shè)備的分辨率。
已經(jīng)關(guān)于發(fā)光顯示設(shè)備描述了本發(fā)明的上述示例性實施例，但是本發(fā)明 的各方面也可應(yīng)用于通過沉積形成每個子像素的任意類型的顯示設(shè)備。根據(jù) 本發(fā)明的上述實施例的顯示設(shè)備具有如下的優(yōu)點(diǎn)。
首先，可減輕掩膜的制造和對齊工藝的難度。因此，由于減少了子像素 之間的距離，所以可防止良率減小。還可減少制造高質(zhì)量和高清晰顯示設(shè)備 時的制造成本。第二，可增加用于形成中間層的掩膜中的開口的大小。第三， 可容易地制作精細(xì)節(jié)距的掩膜，并通過該掩膜容易地制造高清晰顯示設(shè)備。
雖然已表示和描述了本發(fā)明的一些實施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解， 在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定本發(fā)明的范圍的本發(fā)明的原理和精神的 情況下，可以對這樣的實施例進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括沿第一方向發(fā)光的像素，包括第一電極、第二電極和設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層，其中，每個像素被劃分為紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，和中間層的厚度根據(jù)子像素而變化。
2、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中在每個像素中，紅色子像素設(shè)置在綠色子像素和藍(lán)色子像素之間；和 中間層的厚度在紅色子像素中最大。
3、 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，中間層在藍(lán)色子像素和綠色子像素 中的厚度之和實質(zhì)上等于中間層在紅色子像素中的厚度。
4、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，在每個子像素中，中間層形成為一塊。
5、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子 像素分別包括設(shè)置在中間層中的紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層；其中，中間層的厚度在紅色子像素中最大。
6、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，相鄰像素的子像素根據(jù)顏色關(guān)于相 鄰像素之間的邊界對稱地設(shè)置。
7、 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，中間層形成為橫跨所述邊界延伸的 一塊或多塊，從而設(shè)置在至少兩個相鄰像素上。
8、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，中間層包括 空穴注入層，設(shè)置在第一電極上，具有恒定厚度；和 空穴傳輸層，設(shè)置在空穴注入層上，具有根據(jù)子像素而變化的厚度。
9、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，中間層包括空穴注入層，設(shè)置在每個像素的第一電極上，具有根據(jù)子像素而變化的 厚度；和-空穴傳輸層，設(shè)置在空穴注入層上，具有恒定厚度。
10、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，中間層包括 空穴注入層，具有根據(jù)子像素而變化的厚度；和空穴傳輸層，形成在空穴注入層上，具有根據(jù)子像素而變化的厚度。
11、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，中間層包括具有根據(jù)子像素而變 化的厚度的電子傳輸層。
12、 一種制造具有多個像素的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其中，每個像素被劃分為紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，所述方法包括如下步驟 在基底的表面上形成第一電極；在第 一 電極上形成發(fā)射層和中間層，使得中間層的厚度根據(jù)子像素而變 化；和在中間層上形成第二電極。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括 在第一區(qū)域中形成中間層的第一部分；和 在與第一區(qū)域疊置的第二區(qū)域中形成中間層的第二部分。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成發(fā)射層的步驟包括在第一 區(qū)域和第二區(qū)域疊置的部分形成紅色發(fā)射層。
15、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括 橫跨相鄰的紅色子像素和綠色子像素形成中間層的第 一部分；和 橫跨相鄰的藍(lán)色子像素和紅色子像素形成中間層的第二部分，從而第一部分和第二部分被結(jié)合到 一起。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成中間層的第一部分的步驟包 括使用具有與每個第 一部分相應(yīng)的開口的第一掩膜將第 一部分圖案化。
17、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成中間層的第二部分的步驟包 括使用具有與每個第二部分相應(yīng)的開口的第二掩膜將第二部分圖案化。
18、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括在每個 像素中中間層形成為一塊。
19、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成發(fā)射層和中間層的步驟包括 在中間層內(nèi)形成發(fā)射層。
20、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括 在第一電極上以恒定厚度形成空穴注入層；和以使空穴傳輸層的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在空穴注入層上形成空 穴傳輸層。
21、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括 以使空穴注入層的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在第一電極上形成空穴注入層；和在空穴注入層上以恒定厚度形成空穴傳輸層。
22、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成中間層的步驟包括 以使空穴注入層的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在第一電極上形成空穴注入層；和以使空穴傳輸層的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在空穴注入層上形成空 穴傳輸層。
23、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成發(fā)射層和中間層的步驟包括 在第 一 電極上形成中間層的第 一部分；在第 一部分上形成發(fā)射層；以使中間層的第二部分的厚度根據(jù)子像素而變化的方式在發(fā)射層上形成 中間層的第二部分。
24、 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，第二部分是電子傳輸層。
25、 一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基底和像素，像素包括 設(shè)置在基底上并劃分為紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，所述像素包括第一電極； 第二電極；和中間層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，具有根據(jù)子像素而變化的厚 度；和紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層，分別設(shè)置在紅色子像素、綠色 子像素和藍(lán)色子像素的中間層內(nèi)，其中，紅色子像素設(shè)置在藍(lán)色子像素和綠色子像素之間，和 中間層的厚度在紅色子像素中最大。
26、 如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中，中間層包括空穴注入層、空穴傳 輸層和電子傳輸層。
27、 如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中，在每個像素中，中間層形成為一塊。
28、 如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中，第一電極是反射性的，第二電極 是半透明性或透明性的。
29、 如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其中，當(dāng)從發(fā)射層發(fā)光時，在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生諧振。
30、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，相鄰像素的綠色子像素或藍(lán)色子 像素設(shè)置在相鄰像素之間的邊界處。
31、 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，中間層的厚度從藍(lán)色子像素向綠 色子像素、紅色子像素增加。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括像素，該像素包括相對的第一電極和第二電極以及設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層。該像素被劃分為紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。中間層具有根據(jù)子像素而變化的厚度。
文檔編號H01L21/84GK101533852SQ20091011845
公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月13日
發(fā)明者宋明原 申請人:三星移動顯示器株式會社