專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-IXD陣列基板及其制 造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn) 稱TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為FPD)。圖1為現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的平面示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的陣列基板 (Array Substrate)包括柵線1、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管(Thin FirmTransistor，簡(jiǎn)稱為 TFT) 3以及像素電極4。柵線1橫向設(shè)置在透明基板11上，數(shù)據(jù)線2縱向設(shè)置在透明基板 11之上，柵線1與數(shù)據(jù)線2的交叉處設(shè)置有TFT3。TFT3為有源開關(guān)元件。圖2為圖1的A-A向剖面圖。如圖2所示，現(xiàn)有的陣列基板包括柵電極12、柵絕 緣層13、半導(dǎo)體層14、摻雜半導(dǎo)體層15、源電極16、漏電極17、鈍化層18。上述結(jié)構(gòu)皆設(shè)置 于透明基板11上。柵電極12與柵線1 一體成型，源電極16與數(shù)據(jù)線2 —體成型，漏電極 17與像素電極4 一般通過鈍化層過孔(via hole)連接。當(dāng)柵線1中輸入導(dǎo)通信號(hào)時(shí)，有源 層(半導(dǎo)體層14和摻雜半導(dǎo)體層15)導(dǎo)電，數(shù)據(jù)線2的數(shù)據(jù)信號(hào)可從源電極16經(jīng)TFT溝 道(channel) 19到達(dá)漏電極17，最終輸入至像素電極4。像素電極4得到信號(hào)后與公共電 極(根據(jù)TFT-LCD類型不同，可設(shè)置于陣列基板上或彩膜基板上，未圖示)形成用于驅(qū)動(dòng)液 晶轉(zhuǎn)動(dòng)的電場(chǎng)。目前，TFT-IXD陣列基板是通過多次構(gòu)圖工藝形成結(jié)構(gòu)圖形來完成，每一次構(gòu)圖工 藝中又分別包括掩膜曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻蝕和濕法刻 蝕，所以構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT-LCD陣列基板的繁簡(jiǎn)程度，減少構(gòu)圖工藝的次 數(shù)就意味著制造成本的降低?，F(xiàn)有技術(shù)的五次構(gòu)圖工藝包括柵線和柵電極構(gòu)圖、有源層構(gòu) 圖、源電極/漏電極構(gòu)圖、過孔構(gòu)圖和像素電極構(gòu)圖。現(xiàn)有技術(shù)中公開有大量的，通過減少構(gòu)圖工藝次數(shù)來降低制造成本，并通過工藝 的簡(jiǎn)化來提高生產(chǎn)效率的技術(shù)文獻(xiàn)。其中，較為領(lǐng)先的技術(shù)為通過三次構(gòu)圖工藝制造 TFT-IXD陣列基板的方法。該方法包括步驟1 沉積第一金屬薄膜，用普通掩模板(mask)形成柵線、柵電極的圖形；步驟2 依次沉積第一絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和第二金屬薄膜， 用第一雙調(diào)掩模板(dual tone mask)形成TFT溝道、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；步驟3 沉積第二絕緣薄膜，用第二雙調(diào)掩模板形成過孔，對(duì)殘留的光刻膠進(jìn)行灰 化，并沉積透明導(dǎo)電層，通過離地剝離(lift off)工藝，同光刻膠一通剝離掉殘留的光刻膠 上的透明導(dǎo)電層之后形成像素電極圖形。在步驟1中還可以依次沉積透明導(dǎo)電層及第一金屬層，并采用第三雙調(diào)掩膜板， 形成柵線、柵電極以及公共電極圖形，得以在陣列基板上形成公共電極的圖形。上述的步驟3的關(guān)鍵在于，沉積透明導(dǎo)電層時(shí)，在形成像素電極的圖形的邊緣部分形成斷層，使得后續(xù)的離地剝離工藝能夠?qū)嵤覍?shí)施簡(jiǎn)便。通常是在刻蝕(etch)鈍化 層時(shí)，將光刻膠(Photo resist，簡(jiǎn)稱為PR)形成咬邊(under cut)，所謂咬邊就是向內(nèi)傾斜 的斜邊。形成咬邊后，沉積在咬邊上的透明導(dǎo)電層會(huì)在咬邊處形成斷層，露出光刻膠的咬 邊，這時(shí)就可以從咬邊將光刻膠剝離，并一通剝離掉光刻膠上面的透明導(dǎo)電層，而得到像素 電極圖形，這種方法稱之為離地剝離工藝。但是，由于刻蝕第二絕緣層形成光刻膠的咬邊后，還需要進(jìn)行光刻膠的灰化 (ashing)工藝，因此實(shí)際生產(chǎn)中，很難維持光刻膠形成咬邊。并且還會(huì)發(fā)生咬邊形成的程度 不同的問題，即咬邊向內(nèi)傾斜的程度不同，而導(dǎo)致進(jìn)行離地剝離工藝時(shí)發(fā)生不良的幾率高， 導(dǎo)致良品率降低的問題。另外，光刻膠灰化時(shí)會(huì)污染透明導(dǎo)電層，帶來極高的不良率，也帶 來了對(duì)此相應(yīng)的繁瑣的處理程序。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠在不采用離地剝 離工藝的前提下，僅通過3次構(gòu)圖工藝制造陣列基板。本發(fā)明的另一目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，能夠避免光刻膠 的灰化工藝污染透明導(dǎo)電層，減少去污的繁瑣處理程序，繼而提高產(chǎn)品的良品率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板的制造方法，所述陣列基 板包括柵電極區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域、半導(dǎo)體層區(qū)域，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、柵線區(qū)域及像素 電極區(qū)域，制造方法包括步驟1 在透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜， 通過第一構(gòu)圖工藝形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；步驟2 沉積半導(dǎo)體薄膜，通過第二構(gòu)圖工藝形成包括TFT溝道和半導(dǎo)體層的圖 形；步驟3 沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜，通過第三構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極 的圖形。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種通過上述TFT-IXD陣列基板的制造方法得 到的TFT-IXD陣列基板。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的TFT-IXD陣列基板及其制造方法具有如下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的TFT-IXD陣列基板及其制造方法，通過三次構(gòu)圖工藝制造了頂柵極結(jié) 構(gòu)的TFT-LCD陣列基板，相比現(xiàn)有的三次構(gòu)圖工藝制造陣列基板的方法，本發(fā)明無需進(jìn)行 剝離(lift off)工藝，極大的簡(jiǎn)化了工藝難度，提高了產(chǎn)品的良品率。2、本發(fā)明的TFT-IXD陣列基板及其制造方法，由于先沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金 屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜后，進(jìn)行光刻膠的灰化工藝，相比現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行光刻膠灰化工 藝后沉積透明導(dǎo)電層相比，避免了灰化工藝對(duì)透明導(dǎo)電層的污染，提高了產(chǎn)品的良品率。


圖1為現(xiàn)有的TFT-IXD陣列基板的平面示意圖；圖2為圖1的A-A向剖面圖；圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的平面圖4為圖3中A1-A1向的剖面圖；圖5為在透明基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜后的剖 面圖；圖6為圖5的結(jié)構(gòu)上涂覆了光刻膠后，對(duì)光刻膠進(jìn)行了曝光及顯影處理后的剖面 圖；圖7為對(duì)圖6的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第一刻蝕工藝后的剖面圖；圖8為對(duì)圖7中的光刻膠進(jìn)行了灰化工藝之后的剖面圖；圖9為對(duì)圖8的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第二刻蝕工藝后的剖面圖；圖10為圖9的結(jié)構(gòu)上剝離掉了剩余光刻膠后的剖面圖；圖11為在圖10的結(jié)構(gòu)上沉積了半導(dǎo)體薄膜后的剖面圖；圖12為在圖11的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠后的剖面圖；圖13為對(duì)圖12的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；圖14為在圖13的結(jié)構(gòu)上沉積絕緣薄膜后的剖面圖；圖15為在圖14的結(jié)構(gòu)上沉積柵金屬薄膜后的剖面圖；圖16為圖15的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠后的剖面圖；圖17為對(duì)圖16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖；圖18為剝離掉圖17中的光刻膠后的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是1、本發(fā)明中所述的例如“X設(shè)置于Y上”中的“上”包含了 X與Y接觸，并且X位于 Y的上方的意思，本發(fā)明中如附圖所示，將透明基板定義為設(shè)置于最下方；2、本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等 工藝，光刻膠以正性光刻膠為例；3、本發(fā)明中所述的“某某區(qū)域”是某某圖形在透明基板上映射的區(qū)域，即該區(qū)域與 某某圖形具有相同的形狀，例如柵線區(qū)域，即為柵線的圖形在透明基板上的映射的區(qū)域，也 可以理解為透明基板上將要設(shè)置柵線圖形的區(qū)域。圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的平面圖，所反映的是一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)。如 圖3所示，本實(shí)施例TFT-IXD陣列基板主要包括柵線1’、數(shù)據(jù)線2’、TFT3’和像素電極4’， 相互垂直的柵線1’和數(shù)據(jù)線2’定義了像素單元，TFT3’和像素電極4’形成在像素單元內(nèi)， 柵線1’用于向TFT3’提供開啟信號(hào)，數(shù)據(jù)線2’用于向像素電極4’提供數(shù)據(jù)信號(hào)。TFT3’ 為有源開關(guān)元件。圖4為圖3中A1-A1向的剖面圖，所反映的是TFT的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，本發(fā)明的 TFT包括透明基板21、第一透明導(dǎo)電部41、第二透明導(dǎo)電部42、源電極26、漏電極27、摻雜 半導(dǎo)體層25、半導(dǎo)體層24、柵絕緣層23以及柵電極22。其中，第一透明導(dǎo)電部41設(shè)置于 源電極區(qū)域260上，且第一透明導(dǎo)電部41不與像素電極4’連接；第一透明導(dǎo)電部41上設(shè) 置有源電極26 ；第二透明導(dǎo)電部42設(shè)置于漏電極區(qū)域270，且第二透明導(dǎo)電部42與像素電 極4’ 一體而成；第二透明導(dǎo)電部42上設(shè)置有漏電極27 ；源電極26和漏電極27上分別設(shè)置有摻雜半導(dǎo)體層25，在源電極26與漏電極27之間具有TFT溝道區(qū)域；摻雜半導(dǎo)體層25 上設(shè)置有半導(dǎo)體層24，半導(dǎo)體層24還設(shè)置在TFT溝道區(qū)域290上，形成TFT溝道29 ；柵絕 緣層23設(shè)置在上述結(jié)構(gòu)圖形上并覆蓋整個(gè)透明基板21 ；柵絕緣層23上設(shè)置有柵電極22， 柵電極22位于TFT溝道區(qū)域的上方，并與柵線1’連接。本發(fā)明上述技術(shù)方案是一種頂柵電極結(jié)構(gòu)，可以采用三次構(gòu)圖工藝制備完成，具 有工藝步驟簡(jiǎn)化、工藝時(shí)間短、生產(chǎn)效率高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。另外，相比現(xiàn)有的三次構(gòu) 圖工藝制造陣列基板的方法，本發(fā)明無需進(jìn)行剝離(lift off)工藝，極大的簡(jiǎn)化了工藝難 度，提高了產(chǎn)品的良品率。圖5-圖18依次說明了本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的制造流程。圖5為在透明基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜后的剖 面圖。如圖5所示，首先采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成 膜方法，在透明基板21 (如玻璃基板或石英基板)上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜100、源漏金屬 薄膜200及摻雜半導(dǎo)體薄膜300。源漏金屬薄膜200可以是鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金 屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜。透明導(dǎo)電薄膜100可以 為 ΙΤ0、ΙΖ0 等。圖6為圖5的結(jié)構(gòu)上涂覆了光刻膠后，對(duì)光刻膠進(jìn)行了曝光及顯影處理后的剖面 圖。如圖6所示，在摻雜半導(dǎo)體薄膜300上涂敷一層光刻膠1000，通過雙調(diào)(dual tone) 掩模板(半調(diào)掩膜板或灰調(diào)掩膜板)對(duì)光刻膠1000進(jìn)行曝光及顯影處理，使得數(shù)據(jù)線區(qū)域 (未圖示)、源電極區(qū)域260及漏電極區(qū)域270的光刻膠1000具有第一厚度H，像素電極區(qū) 域40的光刻膠1000具有第二厚度h，所述第一厚度H大于第二厚度h，其余區(qū)域不存在光 刻膠。圖7為對(duì)圖6的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第一刻蝕工藝后的剖面圖。如圖7所示，通過第一刻 蝕工藝完全刻蝕掉像素電極區(qū)域40、數(shù)據(jù)線區(qū)域、源電極區(qū)域260及漏電極區(qū)域270之外的 其余區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜300、源漏金屬薄膜200和透明導(dǎo)電薄膜100，即刻蝕掉沒有覆 蓋光刻膠1000的其余區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜300、源漏金屬薄膜200和透明導(dǎo)電薄膜100。 具體為，通過SF6、HCl、Cl2, He等氣體對(duì)摻雜半導(dǎo)體薄膜300 (n+a-Si:H)進(jìn)行刻蝕；通過磷 酸和硝酸的混合物制得的刻蝕劑對(duì)源漏金屬薄膜200進(jìn)行刻蝕；通過硫酸或過氧化物等刻 蝕劑對(duì)透明導(dǎo)電薄膜100(ΙΤ0或ΙΖ0)進(jìn)行刻蝕。其中，若采用可進(jìn)行干法刻蝕的Mo或Mo/Al/Mo作為源漏金屬薄膜200時(shí)，摻雜半 導(dǎo)體薄膜300和源漏金屬薄膜200可以進(jìn)行連續(xù)的干法刻蝕，也可以進(jìn)行干法刻蝕接濕法 刻蝕的方案。這種刻蝕方法可根據(jù)源漏金屬薄膜的種類進(jìn)行改變。圖8為對(duì)圖7中的光刻膠進(jìn)行了灰化工藝之后的剖面圖。如圖8所示，通過光刻 膠的灰化工藝去除了第二厚度h程度的光刻膠1000，暴露出像素電極區(qū)域40的摻雜半導(dǎo)體 薄膜300，其余的光刻膠1000也相應(yīng)地變薄了第二厚度h程度。圖9為對(duì)圖8的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第二刻蝕工藝后的剖面圖。如圖9所示，通過第二刻 蝕工藝完全刻蝕掉像素電極區(qū)域40的摻雜半導(dǎo)體薄膜300、源漏金屬薄膜200，形成了第一 透明導(dǎo)電部41、第二透明導(dǎo)電部42，像素電極4’、源電極26、漏電極27以及摻雜半導(dǎo)體層 25。圖10為圖9的結(jié)構(gòu)上剝離掉了剩余光刻膠后的剖面圖。
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至此，通過圖5至圖10完成了第一構(gòu)圖工藝。圖11為在圖10的結(jié)構(gòu)上沉積了半導(dǎo)體薄膜后的剖面圖。通?？梢圆捎肞ECVD或 其它成膜方法，沉積一層半導(dǎo)體薄膜400。本次沉積后，在數(shù)據(jù)線區(qū)域、源電極區(qū)域260和漏 電極區(qū)域270半導(dǎo)體薄膜400沉積在摻雜半導(dǎo)體層25上，在像素電極區(qū)域40半導(dǎo)體薄膜 400沉積在像素電極40上，在其它區(qū)域(包括TFT溝道區(qū)域290)，半導(dǎo)體薄膜400沉積在 透明基板21上。圖12為在圖11的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠后的剖面圖。先在半導(dǎo)體薄膜400上涂覆光 刻膠2000，然后通過普通掩膜板，對(duì)光刻膠2000進(jìn)行曝光及顯影處理，使得光刻膠2000覆 蓋在半導(dǎo)體區(qū)域240上，其它區(qū)域無剩余光刻膠。如圖12所示，半導(dǎo)體區(qū)域240包括TFT 溝道區(qū)域290及全部或部分的源電極區(qū)域260和漏電極區(qū)域270。圖13為對(duì)圖12的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖。如圖13所示，通過刻蝕劑刻蝕 掉沒有光刻膠覆蓋的半導(dǎo)體薄膜400，形成了半導(dǎo)體層24的圖形。圖U中，半導(dǎo)體層24形 成在TFT溝道區(qū)域290及部分的源電極區(qū)域260和漏電極區(qū)域270上。位于TFT溝道區(qū)域 290上的半導(dǎo)體層24形成了 TFT溝道29。然后，剝離掉了圖12中所示的剩余的光刻膠。至此，通過圖11至圖13完成了第二構(gòu)圖工藝。圖14為在圖13的結(jié)構(gòu)上沉積絕緣薄膜后的剖面圖。如圖14所示，在整個(gè)透明基 板21采用PECVD或其它成膜方法沉積一層絕緣薄膜，形成柵絕緣層23。絕緣薄膜可以采用 SiNx、SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或上述材料多層沉積形成的多層薄膜。圖15為在圖14的結(jié)構(gòu)上沉積柵金屬薄膜后的剖面圖。如圖15所示，可以采用磁 控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，沉積一層?xùn)沤饘俦∧?00，柵金屬薄膜500可以是鉬、鋁、 鋁釹合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層沉積形成的多層薄膜。圖16為圖15的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠后的剖面圖。如圖16所示，先在柵金屬薄膜500 上涂覆光刻膠3000，然后通過普通掩膜板，對(duì)光刻膠3000進(jìn)行曝光及顯影處理，使得光刻 膠3000覆蓋在柵線區(qū)域(未圖示)以及柵電極區(qū)域220，其它區(qū)域無剩余光刻膠。柵電極 區(qū)域220包括全部TFT溝道區(qū)域290以及全部或部分的源電極區(qū)域260和漏電極區(qū)域270。圖17為對(duì)圖16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕工藝后的剖面圖。如圖17所示，通過刻蝕劑刻蝕 掉沒有光刻膠3000覆蓋的柵金屬薄膜500，形成了柵電極22及柵線的圖形。圖18為剝離掉圖17中的光刻膠后的剖面圖。至此，通過圖14至圖18完成了第三構(gòu)圖工藝，得到了本發(fā)明的TFT-IXD陣列基 板。本發(fā)明由于先沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜后，進(jìn)行光刻 膠的灰化工藝，相比現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行光刻膠灰化工藝后沉積透明導(dǎo)電層相比，避免了灰化 工藝對(duì)透明導(dǎo)電層的污染，提高了產(chǎn)品的良品率。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依 然可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種TFT LCD陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括柵電極區(qū)域、數(shù)據(jù)線區(qū)域、半導(dǎo)體層區(qū)域，源電極區(qū)域、漏電極區(qū)域、柵線區(qū)域及像素電極區(qū)域，其特征在于，包括步驟1在透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過第一構(gòu)圖工藝形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；步驟2沉積半導(dǎo)體薄膜，通過第二構(gòu)圖工藝形成包括TFT溝道和半導(dǎo)體層的圖形；步驟3沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜，通過第三構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟1具體包括提供透明基板；在所述透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜； 在摻雜半導(dǎo)體薄膜上涂敷光刻膠；通過雙調(diào)掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光及顯影處理，使得所述數(shù)據(jù)線區(qū)域、源電極區(qū) 域及漏電極區(qū)域的光刻膠具有第一厚度，所述像素電極區(qū)域的光刻膠具有第二厚度，所述 第一厚度大于第二厚度，其余區(qū)域不存在光刻膠；通過第一刻蝕工藝完全刻蝕掉所述其余區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜和透明 導(dǎo)電薄膜；通過灰化工藝去除第二厚度的光刻膠，暴露出所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜； 通過第二刻蝕工藝完全刻蝕掉所述像素電極區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體薄膜、源漏金屬薄膜； 剝離剩余光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟2具體包括沉積半導(dǎo)體薄膜；在所述半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠；通過掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，僅在所述半導(dǎo)體層區(qū)域保留光刻膠； 通過第三刻蝕工藝刻蝕掉暴露出的半導(dǎo)體薄膜； 剝離剩余光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟3具體包括沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜； 在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；通過掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，僅在所述柵電極區(qū)域和柵線區(qū)域上保留光 刻膠；通過第四刻蝕工藝刻蝕掉暴露出的柵金屬薄膜； 剝離剩余光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣薄膜為 SiNx、SiOx或SiOxNy的單層薄膜，或這些材料多層沉積形成的多層薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金屬薄 膜或柵金屬薄膜為鉬、鋁、鋁釹合金、鎢、鉻、銅形成的單層薄膜，或?yàn)橐陨辖饘俣鄬映练e形成的多層薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過磷酸和硝酸 的混合物制得的刻蝕劑對(duì)源漏金屬薄膜進(jìn)行刻蝕；
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，通過硫酸或過氧 化物對(duì)透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金屬薄 膜為Mo或Mo/Al/Mo時(shí)，對(duì)所述摻雜半導(dǎo)體薄膜和所述源漏金屬薄膜連續(xù)進(jìn)行兩次干法刻 蝕。
10.一種通過如權(quán)利要求1-9中任一所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法得到的 TFT-LCD陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。該制造方法包括在透明基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜、源漏金屬薄膜及摻雜半導(dǎo)體薄膜，通過第一構(gòu)圖工藝形成包括摻雜半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形；沉積半導(dǎo)體薄膜，通過第二構(gòu)圖工藝形成包括TFT溝道和半導(dǎo)體層的圖形；沉積絕緣薄膜和柵金屬薄膜，通過第三構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖形。本發(fā)明通過三次構(gòu)圖工藝制造了頂柵極結(jié)構(gòu)的TFT-LCD陣列基板，相比現(xiàn)有的三次構(gòu)圖工藝制造陣列基板的方法，本發(fā)明無需進(jìn)行離地剝離工藝，極大的簡(jiǎn)化了工藝難度，提高了產(chǎn)品的良品率。
文檔編號(hào)H01L21/311GK101894807SQ20091008550
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者劉圣烈, 宋泳錫, 崔承鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司