專利名稱：一種肖特基二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及芯片中的二極管器件，尤其涉及一種肖特基二極管及其制備方法。
背景技術(shù)：
肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢壘進(jìn)行工作的 一種多數(shù)載流子器件，其電流主要取決于多數(shù)載流子的流動，在制備過程中，形成肖
特基結(jié)的區(qū)域需是輕摻雜的阱區(qū)，其摻雜濃度通常低于1E16。
圖1所示為普通肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)肖特基結(jié)直接形成于離子注入形成的摻雜阱區(qū)上時，由于阱區(qū)102摻雜濃度過高，在半導(dǎo)體襯底IOI上形成金屬103-半導(dǎo)體102的歐姆接觸，半導(dǎo)體襯底通過阱區(qū)104引出電極，器件將起到阻抗作用，對二極管性能有較為嚴(yán)重的影響。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向著深亞微米尺度的進(jìn)一步發(fā)展，器件特征尺寸越來越小，小尺寸的輕摻雜阱區(qū)越來越難以實現(xiàn)。由于離子注入實現(xiàn)的輕摻雜區(qū)域厚度通常較大，且輕摻雜區(qū)的電阻率較高，使得所制備的肖特基二極管正向電阻和正向電壓均較高，為了提高肖特基二極管的性能，在美國專利US005148241以及中國專利CN101315952A中都先后提供了肖特基二才及管的結(jié)構(gòu)示例，但是，將肖特基二極管集成在半導(dǎo)體襯底上并排除各種寄生效應(yīng)、保證良好的性能(高擊穿電壓、低正向電壓和低正向電阻)還是非常困難的。因此，從技術(shù)角度出發(fā)來改善襯底結(jié)構(gòu)，引入與半導(dǎo)體襯底上表面隔開一定距離的深阱區(qū)來將肖特基二極管與半導(dǎo)體襯底隔開，從而降低寄生效應(yīng)對器件性能的影響，并控制形成肖特基結(jié)的半導(dǎo)體摻雜阱區(qū)厚度及摻雜濃度，以改善肖特基二極管性能，實現(xiàn)具有高擊穿電壓和低正向電阻及正向電壓的肖特基二極管對于進(jìn)一步改善半導(dǎo)體器件性能具有重要意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決肖特基二極管與半導(dǎo)體襯底間產(chǎn)生的寄生電容、寄生電阻等寄生效應(yīng)以及肖特基二極管正向電阻和正向電壓較高的問題，并實現(xiàn)了用于形成肖特基結(jié)的小尺寸輕摻雜阱區(qū)，進(jìn)一步提高肖特基二極管輸出特性。
為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種基于深阱區(qū)隔離襯底的、采用半導(dǎo)體輕摻雜阱區(qū)與金屬接觸形成肖特基結(jié)的肖特基二極管及其制備方法。
本發(fā)明提供的肖特基二極管，其結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；形成于半導(dǎo)體襯底上表層的第二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)；形成于所述半導(dǎo)體襯底表面、并覆蓋至少一部分第一摻雜區(qū)的、用于形成肖特基結(jié)的金屬電極；以及用于引出半導(dǎo)體襯底電極的第二導(dǎo)電類型第二摻雜區(qū)和用于將肖特基結(jié)與半導(dǎo)體襯底隔離的、相鄰形成于第一#^雜區(qū)大致正下方的第二導(dǎo)電類型
第三摻雜區(qū)。
其中，第一摻雜區(qū)的厚度范圍為0.1pm -0。5pm，摻雜濃度范圍為1E15-1E17，第二摻雜區(qū)的摻雜濃度范圍為1E18-1E20，第三摻雜區(qū)的摻雜濃度范圍為1E17-1E19,且第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于第一摻雜區(qū)的摻雜濃度，并小于第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
根據(jù)本發(fā)明提供的肖特基二極管，第二導(dǎo)電類型第三摻雜區(qū)為深阱區(qū)，在摻雜過程中，離子注入能量較高，為500KeV-2MeV，因此，第三摻雜區(qū)位于半導(dǎo)體襯底中，與半導(dǎo)體襯底上表面隔開距離小于lpm,將肖特基結(jié)與
第一導(dǎo)電類型的襯底隔開，有效降低了寄生電容、寄生電阻等各種寄生效應(yīng)對器件性能的影響。在離子注入摻雜過程中，雜質(zhì)擴(kuò)散在第三摻雜區(qū)大致正上方自對準(zhǔn)的形成第二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)為輕摻雜阱區(qū)，且越靠近第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體村底表面摻雜濃度越低，其厚度與第三摻雜區(qū)和半導(dǎo)體襯底上表面隔開的距離一致，與位于其上的肖特基金屬電極形成金
屬-半導(dǎo)體接觸。需要指出的是，第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)的形成是同步的，在離子注入形成第三摻雜區(qū)的同時，第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)向襯底表面的方向擴(kuò)散并將第 一導(dǎo)電類型的襯底反型形成輕摻雜的第二導(dǎo)電類型第 一摻雜區(qū)，二者在垂直于半導(dǎo)體襯底上表面的方向上大致準(zhǔn)直。
作為較佳技術(shù)方案，第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。作為又一實施例，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。本發(fā)明提供的肖特基二極管的技術(shù)效果是，引入了位于半導(dǎo)體襯底中的深阱區(qū)將肖特基二極管與半導(dǎo)體襯底隔開，大大降〗氐了寄生電容、寄生電阻等寄生效應(yīng)對器件性能的影響，而小尺寸輕摻雜阱區(qū)的實現(xiàn)，有效防止了金屬—半導(dǎo)體間歐姆接觸的形成。肖特基二極管工作時，由于形成肖特基結(jié)的
第一摻雜區(qū)摻雜濃度較低，電阻率相對較高，但其厚度很小，整體而言該區(qū)域具有較d、的阻抗，而與之相鄰的第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)均具有較高的摻雜濃度，即第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)的電阻率較低，因此，當(dāng)通過肖特基金屬電極和第二摻雜區(qū)連接外部電極導(dǎo)通工作時，肖特基二極管具有較低的正向電阻和正向電壓。
本發(fā)明還提供了 一種制備肖特基二極管的方法，其步驟包括
(1)提供第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；(2)構(gòu)圖摻雜形成位于半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型第三摻雜區(qū)，用于
將肖特基結(jié)與半導(dǎo)體襯底隔離，同時通過第三摻雜區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散自
對準(zhǔn)形成位于半導(dǎo)體襯底上表層的、第二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)；(3 )構(gòu)圖摻雜形成位于半導(dǎo)體村底上表層的第二導(dǎo)電類型第二摻雜區(qū)，第二摻雜區(qū)與第 一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)均相鄰接觸，用于引出半導(dǎo)體襯底電才及；
(4)在半導(dǎo)體襯底表面構(gòu)圖形成覆蓋至少一部分第一摻雜區(qū)的肖特基金屬電極。
根據(jù)本發(fā)明提供的肖特基二極管制備方法，其中，第二導(dǎo)電類型的摻雜通過離子注入方法實現(xiàn)。第三摻雜區(qū)為深阱區(qū)，其位于半導(dǎo)體襯底中，與半導(dǎo)體襯底表面隔開距離小于l[im,摻雜濃度為1E17-1E19,離子注入的能量范圍為500KeV-2MeV,需要指出的是，該過程可以與其他位于半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型深摻雜阱區(qū)的形成同時進(jìn)行。在第三摻雜區(qū)離子注入過程中，第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)擴(kuò)散在第三摻雜區(qū)大致正上方自對準(zhǔn)的形成第 一摻雜區(qū)。第一摻雜區(qū)為輕摻雜區(qū)，其厚度范圍為0.1pm-0.5nm，第一摻雜區(qū)的摻雜濃度為1E15-1E17,小于第三摻雜區(qū)的摻雜濃度，且越靠近半導(dǎo)體襯底的上表面摻雜濃度越低，與肖特基金屬電極形成金屬-半導(dǎo)體接觸的肖特基結(jié)。在該過程中，位于半導(dǎo)體襯底中的第三摻雜區(qū)和輕摻雜的第一摻雜區(qū)是同步形成的。當(dāng)其他位于半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)位置采用同一掩膜再次進(jìn)行離子注入摻雜時，將第三摻雜區(qū)域掩膜窗口阻擋，即可在半導(dǎo)體村底上表面保留輕摻雜且摻雜均勻的、第二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)，而不受半導(dǎo)體襯底其他區(qū)域離子注入摻雜的影響。
第二導(dǎo)電類型第二摻雜區(qū)的摻雜濃度為1E18-1E20，大于第三摻雜區(qū)的摻雜濃度。第二摻雜區(qū)的半導(dǎo)體摻雜與其他位于襯底上表層的的第二導(dǎo)電類 型摻雜區(qū)域的摻雜同時進(jìn)行，肖特基金屬電極與其他位于半導(dǎo)體襯底上的器 件結(jié)構(gòu)金屬電極的淀積同時完成。
在本發(fā)明提供的方法中，第一導(dǎo)電類型為P型時，第二導(dǎo)電類型為N型； 第一導(dǎo)電類型為N型時，第二導(dǎo)電類型為P型。
本發(fā)明所提供的肖特基二極管制備方法的技術(shù)效果是，同步形成了將肖 特基二極管與半導(dǎo)體襯底隔離的、位于半導(dǎo)體襯底中的深阱區(qū)和與之自對準(zhǔn) 的、與金屬電極接觸形成肖特基結(jié)的小尺寸輕摻雜阱區(qū)，在降低寄生電容、 寄生電阻等寄生效應(yīng)對肖特基二極管$命出性能影響的同時，相比傳統(tǒng)的肖特 基二極管具有更低的正向電壓和正向電阻，有效改善了肖特基二極管的正向 導(dǎo)通性能，并防止了金屬-半導(dǎo)體間歐姆接觸的形成。同時，其摻雜區(qū)域采 用離子注入的方法與襯底上其他器件的制備同時完成，深阱區(qū)與小尺寸輕摻 雜阱區(qū)的制備通過離子注入及雜質(zhì)擴(kuò)散同步完成，制備方法簡單，具有較低 的工藝成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)摻雜提供的基于普通摻雜阱區(qū)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意
圖2為本發(fā)明提供的基于深阱區(qū)隔離襯底的輕摻雜阱區(qū)肖特基二極管結(jié) 構(gòu)示意圖3為本發(fā)明提供的形成如圖2所示肖特基二極管結(jié)構(gòu)的制備方法流程圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖2所示為本發(fā)明提供的肖特基二極管具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖
2所示，肖特基二極管器件形成于半導(dǎo)體襯底201中，該襯底為P型村底， 且具有上表面301。 N型摻雜的第三摻雜區(qū)204位于P型襯底201內(nèi)部，為 深阱區(qū)，與半導(dǎo)體襯底201上表面301隔開距離小于lpm,其摻雜濃度為 1E17-1E19，在N型第三摻雜區(qū)204與P型襯底201表面301之間、位于第 三摻雜區(qū)204大致正上方，存在N型第一摻雜區(qū)202,其厚度為0.1pm-0.5nm， 與N型第三摻雜區(qū)204和P型半導(dǎo)體襯底201的上表面301隔開的距離一致。 N型第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度為1E15-1E17,為輕摻雜阱區(qū)，距離P型半 導(dǎo)體襯底201的上表面越近，其摻雜濃度越低，在離子注入形成第三摻雜區(qū) 204的同時，由雜質(zhì)擴(kuò)散同步形成。在半導(dǎo)體襯底201上表層，還存在與N 型輕摻雜阱區(qū)202及N型深阱區(qū)204均相鄰接觸的N型第二4參雜區(qū)203,用 于引出半導(dǎo)體襯底的連接電極。該肖特基二極管還包括覆蓋至少一部分N型 輕摻雜阱區(qū)202的肖特基電極205,肖特基電極205為金屬電極，與N型輕 摻雜阱區(qū)202形成金屬-半導(dǎo)體接觸的肖特基結(jié)。
在如圖2所示肖特基二才及管的工作過程中，N型深阱區(qū)204將N型肖 特基二極管與P型襯底201隔開，有效降低了寄生電容、寄生電阻等寄生效 應(yīng)對肖特基二極管性能的影響。同時，由于與肖特基電極205接觸的半導(dǎo)體 區(qū)域202為深阱區(qū)204離子注入擴(kuò)散并將P型半導(dǎo)體襯底201反型形成，其 摻雜濃度非常低，有效防止了金屬-半導(dǎo)體間歐姆接觸的形成，而且N型輕 摻雜阱區(qū)202厚度較小，整體阻抗相對較小，此外，與N型輕摻雜阱區(qū)202 相鄰接觸的用于連接外部電極的N型阱區(qū)203和深阱區(qū)204均具有較高的摻
10雜濃度，電阻率較低，因此，該N型肖特基二極管導(dǎo)通工作時，其正向?qū)娮韬苄?，并具有較低的正向?qū)妷?，使得肖特基二極管結(jié)構(gòu)有更優(yōu)的輸出性能。
本實施方式還提供了 一種如圖2所示實施例肖特基二極管器件的制備方法。
圖3所示為本發(fā)明提供的形成如圖2所示實施例肖特基二極管器件的制備方法流程圖。如圖3所示，肖特基二極管的制備方法包括以下步驟步驟Sll，提供半導(dǎo)體襯底。
由于肖特基二極管往往是與其他功能器件一起形成于半導(dǎo)體芯片上的，在該實施例中，半導(dǎo)體襯底上不只是形成肖特基二極管，其也可以是用于形成其他如MOS器件的半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底為P型。
步驟S12，在半導(dǎo)體襯底的第三摻雜區(qū)進(jìn)行N型深離子注入。
在該步驟中，通過離子注入形成N型第三摻雜區(qū)204,其位于半導(dǎo)體襯底201中，為深阱區(qū)，與半導(dǎo)體襯底201的上表面301隔開距離約lpm。第三摻雜區(qū)204的離子注入能量為500KeV-2MeV，摻雜濃度為1E17-1E19。在離子注入過程中，雜質(zhì)擴(kuò)散在第三摻雜區(qū)204與半導(dǎo)體襯底201表面301之間形成位于第三摻雜區(qū)204大致正上方的、輕摻雜的N型第一摻雜區(qū)202，其厚度為0.1^im-0.5|am。第一摻雜區(qū)202的摻雜濃度為1E15-1E17,小于第三摻雜區(qū)204的摻雜濃度。
需要指出的是，第一摻雜區(qū)202與第三摻雜區(qū)204的形成是同步的。第三摻雜區(qū)204的離子注入過程可以與半導(dǎo)體襯底上其他區(qū)域形成深阱區(qū)的N型離子注入同時進(jìn)行，在定義半導(dǎo)體襯底其他區(qū)域形成N型深阱區(qū)區(qū)域時，可以同時定義N型第三摻雜區(qū)域204的圖形及面積大小，在對半導(dǎo)體襯底上其他區(qū)域N型深阱區(qū)的離子注入摻雜時，同步進(jìn)行N型第三摻雜區(qū)204的N 型離子注入，在該過程中，高濃度的N型雜質(zhì)向半導(dǎo)體襯底201的上表面 301方向擴(kuò)散并將P型的半導(dǎo)體襯底201反型，形成輕摻雜的第一摻雜區(qū) 202,且越靠近P型半導(dǎo)體襯底201的上表面，其摻雜濃度越低。而當(dāng)半導(dǎo) 體襯底上其他區(qū)域的深阱區(qū)位置采用同一掩膜再次進(jìn)行離子注入摻雜時，將 第三摻雜區(qū)204位置的掩膜窗口阻擋即可在半導(dǎo)體襯底表面保留輕摻雜的第 二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)202，而不受半導(dǎo)體襯底其他區(qū)域離子注入摻雜的影 響。
該步驟中形成的N型第三摻雜區(qū)204位于半導(dǎo)體襯底中，為深阱區(qū)，將 肖特基二極管器件區(qū)域與半導(dǎo)體襯底201隔開，P爭低了寄生電容、寄生電阻 等各種寄生效應(yīng)對器件性能的影響。
步驟S13,在半導(dǎo)體襯底的第二摻雜區(qū)進(jìn)行N型半導(dǎo)體摻雜。 在該步驟中，在半導(dǎo)體襯底201上表層形成與N型第一輕摻雜區(qū)202和 第三摻雜區(qū)204相鄰接觸的N型第二摻雜區(qū)203，第二摻雜區(qū)203的摻雜濃 度為1E18-1E20,大于第三摻雜區(qū)204的摻雜濃度，用于引出半導(dǎo)體襯底的 外部電極。離子注入進(jìn)行第二摻雜區(qū)203的N型摻雜過程可以與半導(dǎo)體襯底 201其他區(qū)域形成MOS器件的N型離子注入同時進(jìn)行。在定義半導(dǎo)體襯底 201其他區(qū)域MOS器件形成N型摻雜阱區(qū)時，可以同時定義N型第二摻雜 區(qū)域203的圖形及面積大小，在對其他區(qū)域N型摻雜阱區(qū)的離子注入摻雜時， 同步進(jìn)行N型第二摻雜區(qū)203的N型離子注入，
步驟S14，在半導(dǎo)體襯底表面淀積形成肖特基金屬電極。 在該步驟中所淀積的肖特基金屬電極覆蓋至少一部分N型第一輕摻雜 區(qū)202，并與處于該位置的N型輕摻雜阱區(qū)202形成金屬-半導(dǎo)體接觸的肖特基結(jié)。
作為較佳實施例，本具體實施方式
所提供的為N型肖特基二極管結(jié)構(gòu)及制備方法。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實施例，如P型肖特基二極管等。應(yīng)當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明不限于在說明書中所述的具體實施例。
1權(quán)利要求
1.一種肖特基二極管，包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底上表層的第二導(dǎo)電類型第一摻雜區(qū)；形成于所述半導(dǎo)體襯底表面、并覆蓋至少一部分所述第一摻雜區(qū)的、用于形成肖特基結(jié)的金屬電極；以及用于引出半導(dǎo)體襯底電極的第二導(dǎo)電類型第二摻雜區(qū)；其特征在于，還包括用于將肖特基結(jié)與所述半導(dǎo)體襯底隔離的、相鄰形成于所述第一摻雜區(qū)大致正下方的第二導(dǎo)電類型第三摻雜區(qū)，且所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度，并小于所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型 第 一摻雜區(qū)通過所述第三摻雜區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散自對準(zhǔn)同步形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型 第二摻雜區(qū)與所述第 一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)均相鄰接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型 為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型 為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
6. —種如權(quán)利要求1所述肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1)提供第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；(2 )構(gòu)圖摻雜形成位于所述半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型第三摻雜區(qū)，用于將肖特基結(jié)與半導(dǎo)體襯底隔離，同時通過第三摻雜區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò) 散自對準(zhǔn)同步形成位于半導(dǎo)體襯底上表層的、第二導(dǎo)電類型第一摻 雜區(qū)，所述第 一摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃 度；(3 )構(gòu)圖摻雜形成位于所述半導(dǎo)體襯底上表層的第二導(dǎo)電類型第二摻雜 區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述第一摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)均相鄰接 觸，用于引出半導(dǎo)體襯底電極，所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度； (4 )在所述半導(dǎo)體襯底表面構(gòu)圖形成覆蓋至少一部分所述第一摻雜區(qū)的 肖特基金屬電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)的摻雜為第二導(dǎo)電類型的深離子注入，其離子注入能量范圍為 500KeV畫2MeV。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)大致正上方，并與所述第三摻雜區(qū)相鄰接 觸。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第二摻雜區(qū)的形成，與其他位于半導(dǎo)體襯底上表層的第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū) 的形成同時進(jìn)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第 三摻雜區(qū)的形成，與其他位于半導(dǎo)體襯底中的第二導(dǎo)電類型4參雜區(qū)的形 成同時進(jìn)行。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述肖特基金屬電極可先于所述第二摻雜區(qū)構(gòu)圖形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。
全文摘要
一種肖特基二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的肖特基二極管包括肖特基金屬電極和第二導(dǎo)電類型深阱區(qū)擴(kuò)散形成的第二導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)，二者形成金屬-半導(dǎo)體接觸的肖特基結(jié)。該發(fā)明的肖特基二極管相比傳統(tǒng)技術(shù)，結(jié)構(gòu)更為簡單，能有效降低器件的正向電壓和正向阻抗，且具有將肖特基二極管結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底隔離的第二導(dǎo)電類型深阱區(qū)，降低了寄生電容、寄生電阻等寄生效應(yīng)對器件性能的影響；同時，其輕摻雜阱區(qū)采用深離子注入擴(kuò)散的方法與深阱區(qū)同步實現(xiàn)，輕摻雜阱區(qū)厚度較小且越靠近半導(dǎo)體襯底表面摻雜濃度越低，制備簡單，與常規(guī)方法比較，不需要任何多余的步驟，不增加肖特基二極管的工藝成本。
文檔編號H01L29/66GK101656272SQ20091005519
公開日2010年2月24日 申請日期2009年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月22日
發(fā)明者周建華, 張擁華, 彭樹根, 坡 黎 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司