專(zhuān)利名稱(chēng)：：導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層及含該過(guò)渡層的相變存儲(chǔ)器單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及相變存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)、制備方法及材料，尤其是指提高相變存儲(chǔ)器工作的熱效率以及降低相變存儲(chǔ)器單元功耗的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層及其實(shí)現(xiàn)方法。本發(fā)明屬于微電子學(xué)納米材料與器件制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
：相變存儲(chǔ)器(PhaseChangeMemory,PCM)是一種新興的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它是以硫系化合物為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用電能(熱量)使材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)化實(shí)現(xiàn)信息的寫(xiě)入和擦除，信息的讀出靠測(cè)量電阻的變化實(shí)現(xiàn)。與目前已有的多種半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)相比，包括常規(guī)的易失性技術(shù)，如靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)等，和非易失性技術(shù)，如鐵電隨枳i存儲(chǔ)器(FeRAM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、閃速存儲(chǔ)器(FLASH)等，具有非易失性、循環(huán)壽命長(zhǎng)(>1013次)、元件尺寸小、功耗低、可多級(jí)存儲(chǔ)、高速讀取、抗輻照、耐高低溫(-55~125°C)、抗振動(dòng)、抗電子干擾和制造工藝簡(jiǎn)單(能和現(xiàn)有的集成電路工藝相匹配)等優(yōu)點(diǎn)。因此不僅將被廣泛應(yīng)用到民用的日常便攜電子產(chǎn)品，而且在航空航天等軍事領(lǐng)域有巨大的潛在應(yīng)用。國(guó)際上已有Ovonyx、Intel、Samsung、Hitachi、STMicroelectronics和BritishAerpspace等大公司在開(kāi)展PCM存儲(chǔ)器的研究，正在進(jìn)行技術(shù)的完善與可制造性等方面的研發(fā)工作。目前最為重要的研究熱點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)相變存儲(chǔ)器操作時(shí)的低壓與低功耗。對(duì)于常用的T型結(jié)構(gòu)相變存儲(chǔ)器單元，研究發(fā)現(xiàn)真正應(yīng)用于硫系材料薄膜層相變的熱量?jī)H僅占到外部供給熱量總額的0.2~1.4%,而60~72°/。的熱量通過(guò)底W電極擴(kuò)散回襯底方向。過(guò)多的熱量經(jīng)由底電極的散失必然導(dǎo)致相變過(guò)程中操作電壓/電流的增加，能耗隨之升高，影響到與CMOS的電壓/電流匹配，而且擴(kuò)散至器件底部的過(guò)多熱量對(duì)于底部的CMOS工作的穩(wěn)定性是潛在的不利因素。此外，含Sb與Te元素的相變材料中，在相變操作的過(guò)程中，長(zhǎng)期反復(fù)的高溫寫(xiě)擦操作會(huì)導(dǎo)致材料內(nèi)部本身的成分偏析，而且Sb或Te向相變材料與介質(zhì)材料的界面處偏析，并與活潑的電極材料反應(yīng)的現(xiàn)象也被證實(shí)是對(duì)器件可靠性的極大威脅。鑒于此，實(shí)有必要提出一種新的技術(shù)方案以解決上述問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層及含該過(guò)渡層的相變存儲(chǔ)器單元，可提高相變存儲(chǔ)器的操作熱效率，并同時(shí)提高器件的操作可靠性，從而達(dá)到延長(zhǎng)器件使用壽命的目的。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，所述相變存儲(chǔ)器包括底電極和硫系化合物薄膜層；所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層位于底電極與硫系化合物薄膜層之間；所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料為具有導(dǎo)電特性的氧化物。其中，所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料的熔點(diǎn)為600~2500°C;熱導(dǎo)率為0.1~120W/mK。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料包括LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03。所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的厚度為2~10nm。一種相變存儲(chǔ)器單元，包括底電極和硫系化合物薄膜層，還包括位于底電極與硫系化合物薄膜層之間的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料包括LaNiOs、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03,優(yōu)選為L(zhǎng)aNiO"厚度為2~10nm。其中，所述底電極為W電極。一種相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，包括如下步驟(1)使用丙酮與酒精溶液，在超聲波作用下清洗襯底，然后在襯底上制備導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其厚度為2~10nm;(2)在步驟(1)制備的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層上依次制備硫系化合物薄膜層與TiN薄膜；(3)使用微納加工技術(shù)，形成由TiN薄膜、硫系化合物薄膜層、導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層組成的柱狀結(jié)構(gòu)；(4)再在步驟(3)所得結(jié)構(gòu)上制備一層Si02覆蓋層，使用微納加工技術(shù)，在Si02覆蓋層內(nèi)制備出柱狀孔洞；(5)再在步驟(4)所得結(jié)構(gòu)上制備Al電極層，使Al進(jìn)入Si02覆蓋層內(nèi)的柱狀孔洞與TiN接觸，使用微納加工技術(shù)刻蝕Al電極層，引出上、下電極。其中，所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層、硫系化合物薄膜層、TiN薄膜、Si02覆蓋層和Al電極層的制備方法包括濺射法、蒸發(fā)法、原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法、金屬有機(jī)物熱分解法和激光輔助沉積法。所述的微納加工技術(shù)包括紫外曝光、顯影、剝離法及反應(yīng)離子刻蝕。所述的襯底包括單晶Si片、在單晶Si片上覆蓋的下電極層、在下電極層上覆蓋的Si02絕熱介質(zhì)層；所述Si02絕熱介質(zhì)層中存在孔洞；孔洞中包含與下電極層相通的柱狀W電極，W電極頂部與Si02絕熱介質(zhì)層頂部平齊。所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料包括LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、Ca線(xiàn)其中之一，或摻Nb的SrTi03。所述的硫系化合物薄膜層即相變材料薄膜層，其材料包括SVTe3、GeiSb;Te7、Ge!Sb2Te4或Ge2Sb2Te5中的一種，或其通過(guò)摻雜N、0、Si、Sn、Ag或In中一種或兩種元素改性后得到的化合物。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明提出的相變存儲(chǔ)器熱效率的提高在于使用導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層插入相變材料與底W電極之間，減少熱量向底W電極的擴(kuò)散，并將熱量保持在相變材料內(nèi)部，從而達(dá)到降低能耗，提高熱效率的目的，此導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層在室溫至相變材料熔點(diǎn)之上的溫度區(qū)間內(nèi)都具有穩(wěn)定的物理特性(電阻率、薄膜厚度、薄膜粗糙度、熱導(dǎo)率、以及比熱等)，尤其具有良好的熱穩(wěn)定性，與相變材料、底w電極以及四周的介質(zhì)材料有良好的粘附性。本發(fā)明提出的提高器件的操作可靠性在于，導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層材料能有效抑制相變材料中的Sb與Te兩種元素向底W電極方向的擴(kuò)散，而且過(guò)渡層材料不會(huì)與底W電極以及相變材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而保證了器件循環(huán)使用時(shí)操作的一致性，提高了器件的可靠性和壽命。圖1~7是本發(fā)明相變存儲(chǔ)器單元制備過(guò)程示意圖，其中圖1為在村底上制備導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層示意圖2為在導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層上制備硫系化合物薄膜層與TiN薄膜示意圖3為形成TiN/硫系化合物/導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層柱狀結(jié)構(gòu)示意圖4為覆蓋Si02覆蓋層示意圖5為在Si02覆蓋層內(nèi)制備出柱狀孔洞示意圖6為在Si02覆蓋層上制備Al電極層示意圖7為形成A1上下電極示意圖。圖中標(biāo)注說(shuō)明1單晶Si片基底2下電極Ti/TiN/Al層3W電極4Si02絕熱介質(zhì)層5導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層6硫系化合物薄膜層7TiN薄膜8Si02覆蓋層9Al電極層具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施步驟，為了示出的方便，附圖并未按照比例繪制。實(shí)施例一一種相變存儲(chǔ)器單元，包括底電極和硫系化合物薄膜層，還包括位于底電極與硫系化合物薄膜層之間的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層。其中，所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層材料的熔點(diǎn)為600oC~2500oC;熱導(dǎo)率為0.1~120W/mK。導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料應(yīng)具有較高的熱穩(wěn)定性，在硫系化合物熔點(diǎn)(如Ge2SVre5的熔點(diǎn)6Q(TC)之上溫度情況下依然保持其熱穩(wěn)定性，即要求此種過(guò)渡層材料具有大于硫系化合物的熔點(diǎn)。且在室溫至硫系化合物的熔點(diǎn)之間的溫度區(qū)間內(nèi)，此種材料的薄膜其基本性質(zhì)即物理性質(zhì)(電阻率、薄膜厚度、薄膜粗糙度、熱導(dǎo)率、以及比熱等)沒(méi)有劇烈的變化。也即此種材料在疏系化合物的熔點(diǎn)以上的溫度條件下能不與硫系化合物內(nèi)任一元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，具有阻止硫系化合物內(nèi)元素向介質(zhì)材料擴(kuò)散的能力。并且此種材料應(yīng)具有比底電極低的熱導(dǎo)率(如比底電極W(174W/mK)低)或接近晶態(tài)相變材料的熱導(dǎo)率(如接近晶態(tài)Ge2Sb2Tes的熱導(dǎo)率-0.28W/mK),可將熱量保持在相變材料內(nèi)部，從而達(dá)到降低能耗，提高熱效率的目的。容。另外，導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料還應(yīng)能使用濺射法、蒸發(fā)法、原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法、金屬有機(jī)物熱分解法或激光輔助沉積法中任意一種制備。所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料可以包括LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03,優(yōu)選為L(zhǎng)aNi03，其厚度為2~10nm,具體視制備條件而定。參看圖1~7,所述相變存儲(chǔ)器單元的制備方法包括如下步驟(1)依次使用丙酮與酒精溶液，在超聲波作用下清洗村底各3分鐘；之后烘烤襯底20分鐘，烘烤溫度為12(TC;然后在襯底上，如圖1所示，使用磁控濺射的方法沉積導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層5,其厚度為2~10nm,優(yōu)選為5nm，賊射時(shí)本底真空為4xiO—6Torr，濺射時(shí)工作氣壓為0.18Pa，制備的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層5的材料為L(zhǎng)aNi03,其熔點(diǎn)為2150°C;熱導(dǎo)率為lOW/mK;所述的襯底包括單晶Si片1、在單晶Si片1上覆蓋的下電極層2和在下電極層2上覆蓋的Si02絕熱介質(zhì)層4;所述Si02絕熱介質(zhì)層4中存在孔洞；孔洞中包含與下電極層2相通的柱狀W電極3，W電極3頂部與SiOz絕熱介質(zhì)層4頂部平齊。(2)如圖2所示，在導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層5上使用A茲控賊射的方法先后分別沉積硫系化合物薄膜層6與TiN薄膜7，厚度分別為200nm和20nm;本實(shí)施例中所述硫系化合物薄膜層6的材料即相變材料為Ge2SWTes或其通過(guò)摻雜N、0、Si、Sn、Ag或In中一種或兩種元素改性后得到的化合物；濺射時(shí)本底真空為4xl(T6Torr，賊射時(shí)工作氣壓分別為0.16Pa與0.40Pa，'踐射功率分別為200W與400W;(3)如圖3所示，使用紫外曝光等光刻工藝，刻出邊長(zhǎng)為35um的正方形，使用反應(yīng)離子刻蝕的方法刻蝕TiN薄膜7、硫系化合物薄膜層6以及導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層5，形成由TiN薄膜7、硫系化合物薄膜層6、導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層5組成的TiN/硫系化合物/導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層柱狀結(jié)構(gòu)，其截面為邊長(zhǎng)35wm的正方形，此步同時(shí)已將與襯底底電極相連的W電極3上部的薄膜層都刻蝕掉；(4)如圖4所示，再在步驟(3)所得結(jié)構(gòu)上使用超高真空電子束蒸發(fā)的方法沉積一層Si02薄膜，厚度為200nm，即形成Si02覆蓋層8;(5)如圖5所示，使用紫外曝光在Si02覆蓋層上光刻出邊長(zhǎng)l2nm的正方形，此正方形中心位置與步驟(3)中光刻出的正方形中心位置重合，使用反應(yīng)離子刻蝕的方法在Si02覆蓋層8內(nèi)刻蝕出柱狀孔洞，刻蝕深度以達(dá)到TiN薄膜7頂部為止，注意不能過(guò)渡刻蝕，否這將使TiN薄膜7或其下部硫系化合物層6被過(guò)刻蝕而減薄或致使表面粗糙化，此步同時(shí)已將與襯底底電極相連的W電極3上部Si02覆蓋層8刻蝕掉；(6)如圖6所示，然后再在其上使用超高真空電子束蒸發(fā)的方法沉積Al電極層9,厚度為300nm，使Al進(jìn)入Si02覆蓋層8內(nèi)柱狀孔洞與TiN完好接觸；(7)最后，使用紫外曝光在A(yíng)1電極層上光刻出邊長(zhǎng)3050um的正方形，此正方形中心位置與步驟(5)中光刻出的正方形中心位置重合，于12(TC烘烤20分鐘，然后采用65。C水浴的磷酸介質(zhì)作用下濕法刻蝕Al電極層9,同時(shí)引出了上、下電極，此即完成了相變存儲(chǔ)器單元的制備，如圖7所示。另夕卜，還可以對(duì)過(guò)渡層以及硫系化合物在特定條件下進(jìn)行熱處理，可改善薄膜界面，釋放熱應(yīng)力，進(jìn)一步降低元素互擴(kuò)散的可能，減小硫系化合物薄膜相變過(guò)程中體積變化的影響，從而可確保器件在循環(huán)使用過(guò)程中操作的一致性，提高器件工作的可靠性，進(jìn)而提高其使用壽命。實(shí)施例二與實(shí)施例一采用相同的技術(shù)方案，不同之處在于將步驟(1)中制備的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料換為L(zhǎng)aSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03等材料，或摻Nb的SrTi03,亦可達(dá)到相同的技術(shù)效果。這些導(dǎo)電氧化物材料的熔點(diǎn)為600°C~2500°C;熱導(dǎo)率為0.l~120W/mK。其中，這些材料及其制備方法均為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，本發(fā)明的創(chuàng)新點(diǎn)并不是這些材料本身，故在此不再贅述。實(shí)施例三與實(shí)施例一釆用相同的技術(shù)方案，不同之處在于將步驟(2)中所述的硫系化合物薄膜層的材料替換為Sb2Te3、Ge^b;Te7或Ge,Sb2Te4中的一種，或其通過(guò)4參雜N、0、Si、Sn、Ag或In中一種或兩種元素改性后得到的化合物。對(duì)上述實(shí)施例中的相變存儲(chǔ)器單元使用探針或?qū)Ь€(xiàn)引出電極，加載上電信號(hào)，便可以測(cè)試單元的各種性能了。測(cè)試結(jié)果如下<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>從實(shí)施例中可明顯看出，本發(fā)明主要集中于在傳統(tǒng)PCM結(jié)構(gòu)中，于相變硫系化合物與底W電極之間植入一層5nm厚的特定導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層。導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層與上下薄膜層都有很好的黏附力，沒(méi)有熱擴(kuò)散現(xiàn)象發(fā)生，且具有比底加熱W電極低的熱導(dǎo)率，從而有效地抑制熱量通過(guò)底加熱W電極大量散失，具有提高器件熱效應(yīng)，降低功耗的顯著作用。本發(fā)明中涉及的其他工藝條件為常規(guī)工藝條件，屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員熟悉的范疇，在此不再贅述。上述實(shí)施例僅用以說(shuō)明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案。任何不脫離本發(fā)明精神和范圍的技術(shù)方案均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專(zhuān)利申請(qǐng)范圍當(dāng)中。權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，應(yīng)用于相變存儲(chǔ)器，所述相變存儲(chǔ)器包括底電極和硫系化合物薄膜層，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層位于底電極與硫系化合物薄膜層之間；所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料為具有導(dǎo)電特性的氧化物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料的熔點(diǎn)為600~2500°C。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料的熱導(dǎo)率為0.1~120W/mK。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材泮+包4舌LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的厚度為2~lOnm。6.—種相變存儲(chǔ)器單元，包括底電極和硫系化合物薄膜層，其特征在于還包括位于底電極與硫系化合物薄膜層之間的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層；所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料包括LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03,所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的厚度為2~10nm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相變存儲(chǔ)器單元，其特征在于所述底電極為W電極。8.—種相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于，包括如下步驟(1)使用丙酮與酒精溶液，在超聲波作用下清洗襯底，然后在村底上制備導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其厚度為210nm;(2)在步驟(1)制備的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層上依次制備硫系化合物薄膜層與TiN薄膜；(3)使用微納加工技術(shù)，形成由TiN薄膜、硫系化合物薄膜層、導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層組成的柱狀結(jié)構(gòu)；(4)再在步驟(3)所得結(jié)構(gòu)上制備一層Si02覆蓋層，使用微納加工技術(shù)，在Si02覆蓋層內(nèi)制備出柱狀孔洞至TiN薄膜；(5)再在步驟(4)所得結(jié)構(gòu)上制備Al電極層，使Al進(jìn)入Si02覆蓋層內(nèi)的柱狀孔洞與TiN薄膜接觸，使用微納加工技術(shù)刻蝕Al電極層，引出上、下電極。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層、硫系化合物薄膜層、TiN薄膜、Si02覆蓋層和Al電極層的制備方法包括濺射法、蒸發(fā)法、原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法、金屬有機(jī)物熱分解法和激光輔助沉積法。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于所述的微納加工技術(shù)包括紫外曝光、顯影、剝離法及反應(yīng)離子刻蝕。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于所述的襯底包括單晶Si片、在單晶Si片上覆蓋的下電極層、在下電極層上覆蓋的Si02絕熱介質(zhì)層；所述Si02絕熱介質(zhì)層中存在孔洞；孔洞中包含與下電極層相通的柱狀W電極，W電極頂部與Si02絕熱介質(zhì)層頂部平齊。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層的材料包括LaNi03、LaSrCo03、LaSrMn03、SrRu03、CaRu03其中之一，或摻Nb的SrTi03。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器單元的制備方法，其特征在于所述的硫系化合物薄膜層的材料包括Sb2Te3、GeiSb4Te7、Ge,Sb/Te4或Ge2Sb2Te5中的一種，或其通過(guò)摻雜N、0、Si、Sn、Ag或In中一種或兩種元素改性后得到的化合物。全文摘要本發(fā)明提供一種導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層及含該過(guò)渡層的相變存儲(chǔ)器單元，該相變存儲(chǔ)器單元包括位于底電極與硫系化合物薄膜層之間的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層，其厚度控制在2～10nm。所述導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層具有良好的熱穩(wěn)定性；與介質(zhì)材料、硫系化合物、W電極都有良好的粘附性；具有較低的熱導(dǎo)率，能有效改善器件的熱效率；具有較好的導(dǎo)電特性可以避免引入較大的電容。通過(guò)植入新型的導(dǎo)電氧化物過(guò)渡層材料，可有效的提高器件的加熱效率，從而降低操作的電壓，并且能有效抑制相變材料中的Sb與Te兩種元素向底W電極方向的擴(kuò)散，且過(guò)渡層不會(huì)與底W電極以及相變材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而保證了器件循環(huán)使用時(shí)操作的一致性，提高了器件壽命。文檔編號(hào)H01L45/00GK101615655SQ200910055148公開(kāi)日2009年12月30日申請(qǐng)日期2009年7月21日優(yōu)先權(quán)日2009年7月21日發(fā)明者波劉,吳良才,宋三年,宋志棠,封松林申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所