技術(shù)編號：6929849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及芯片中的二極管器件，尤其涉及。背景技術(shù)肖特基二極管是利用金屬和半導(dǎo)體之間接觸勢壘進行工作的 一種多數(shù)載流子器件，其電流主要取決于多數(shù)載流子的流動，在制備過程中，形成肖特基結(jié)的區(qū)域需是輕摻雜的阱區(qū)，其摻雜濃度通常低于1E16。圖1所示為普通肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)肖特基結(jié)直接形成于離子注入形成的摻雜阱區(qū)上時，由于阱區(qū)102摻雜濃度過高，在半導(dǎo)體襯底IOI上形成金屬103-半導(dǎo)體102的歐姆接觸，半導(dǎo)體襯底通過阱區(qū)104引出電極，器...
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