專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和側(cè)墻間隔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和側(cè)墻間隔方法。
背景技術(shù)：
隨著先進(jìn)的集成電路器件等比例縮小的持續(xù)發(fā)展，集成電路的特征尺寸(Feature Size)也越來越小。在這個趨勢下，更多的先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備被發(fā)明以滿足日益先進(jìn)的集 成電路生產(chǎn)需求。半導(dǎo)體制造設(shè)備的更新需要大量資金投入，于是，在現(xiàn)有半導(dǎo)體制造設(shè)備的條件 下，利用工藝制程來實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)成為替代采購先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的來實(shí)現(xiàn) 先進(jìn)的集成電路生產(chǎn)的一種方法，例如，248nm波長光源的光刻設(shè)備無法精確圖形化特征尺 寸(Critical Dimension)小于0. 12 μ m的接觸孔圖形，而在實(shí)際動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)或者閃存(FLASH Memory)等產(chǎn)品制造中，接觸孔的尺寸會 小于90nm。在這類產(chǎn)品中，側(cè)墻間隔方法被廣泛應(yīng)用，以限定248nm波長光源的光刻設(shè)備無 法精確圖形化的小于0. 12 μ m的圖形。在US7250371B2的美國專利文獻(xiàn)中可以發(fā)現(xiàn)更多的 側(cè)墻隔離工藝，參考圖1，所述側(cè)墻間隔方法包括步驟S100，提供形成有介質(zhì)層的襯底；步驟S101，在所述介質(zhì)層上形成光刻膠；步驟S102，圖形化所述光刻膠，形成光刻膠開口 ；步驟S103，在所述光刻膠開口側(cè)壁形成聚合物側(cè)墻；步驟S104，以所述形成有聚合物側(cè)墻的光刻膠開口為掩膜，刻蝕所述介質(zhì)層形成 特征尺寸小于0. 12 μ m接觸孔。側(cè)墻間隔方法除了應(yīng)用在輔助光刻膠形成特征尺寸小于0. 12 μ m光刻膠圖形，還 應(yīng)用在其他的半導(dǎo)體工藝中，以離子注入工藝中的側(cè)墻間隔方法為例，參考圖2，具體流程包括步驟S200，提供形成有介質(zhì)層的襯底；步驟S201，在所述介質(zhì)層上形成光刻膠；步驟S202，圖形化光刻膠，定義光刻膠開口，形成光刻膠圖形，以光刻膠圖形為掩 膜，刻蝕形成通孔；步驟S203，在所述通孔側(cè)壁形成側(cè)墻，所述側(cè)墻限定的開口特征尺寸小于 0. 12 μ m。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是聚合物側(cè)墻與通孔側(cè)壁的粘附性差，容易出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種側(cè)墻間隔方法，包括提供形成有介質(zhì)層的襯 底；在所述介質(zhì)層上形成光刻膠層；圖形化光刻膠層，形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形 為掩膜，刻蝕介質(zhì)層形成通孔；在光刻膠圖形開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層；在摻氮的聚合物緩沖層上形成聚合物側(cè)墻，所述形成有聚合物側(cè)墻的通孔開口特征尺 寸小于所述圖形化光刻膠層工藝的最小尺寸。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括襯底；形成在所述襯底上的介質(zhì)層；形成 在所述介質(zhì)層內(nèi)的通孔；形成在所述通孔側(cè)壁的摻氮的聚合物緩沖層；形成在所述摻氮的 聚合物緩沖層上的聚合物側(cè)墻。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)在聚合物側(cè)墻和通孔側(cè)壁之間引入一層 摻氮的聚合物緩沖層，摻氮的聚合物側(cè)墻提高聚合物側(cè)墻與側(cè)壁結(jié)構(gòu)的相似度，從而使得 聚合物側(cè)墻與側(cè)壁有很高的粘附力，避免了聚合物緩沖層與通孔側(cè)壁出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，并且 摻氮的聚合物側(cè)墻、聚合物側(cè)墻能夠采用同一刻蝕設(shè)備完成，在實(shí)際的工藝制備中能夠節(jié) 約工藝步驟，并且本發(fā)明應(yīng)用于刻蝕工藝中，能夠與刻蝕工藝結(jié)合，與刻蝕工藝采用的刻蝕 設(shè)備為同一設(shè)備，進(jìn)一步節(jié)約操作步驟，提高了效率。


圖1是現(xiàn)有形成隔離側(cè)墻的一種方法；圖2是現(xiàn)有形成隔離側(cè)墻的另一種方法；圖3是現(xiàn)有方法形成的隔離側(cè)墻與通孔側(cè)壁剝離現(xiàn)象的掃描電鏡圖片；圖4是本發(fā)明形成隔離側(cè)墻的流程示意圖；圖5至圖11是本發(fā)明形成隔離側(cè)墻的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是依照本發(fā)明形成隔離側(cè)墻的具體實(shí)例掃描電鏡圖片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在離子注入工藝中應(yīng)用側(cè)墻間隔的方法，聚合物側(cè)墻與開 口的側(cè)壁會出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，參考圖3，襯底10上依次形成有介質(zhì)層20、光刻膠層30，在介質(zhì) 層20內(nèi)形成有通孔21，在通孔21內(nèi)形成有側(cè)墻22，所述側(cè)墻22與通孔21側(cè)壁出現(xiàn)剝離 現(xiàn)象。經(jīng)過發(fā)明人的大量創(chuàng)造性勞動，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)形成側(cè)墻的材料通常 為包括C、F、0或者H元素中的一種或多種的聚合物材料，形成介質(zhì)層的材料通常選 自SiO2或者摻雜的SiO2，例如USG (Undoped Silicon Glass，沒有摻雜的硅玻璃)、 BPSG(Borophosphosilicate Glass，摻雜硼磷的硅玻璃)、BSG(Borosilicate Glass，摻雜 硼的硅玻璃)、PSG(Ph0Sph0Silitcate Glass，摻雜磷的硅玻璃)等，由于形成側(cè)墻的材料 與介質(zhì)層材料不匹配，側(cè)墻22與通孔21側(cè)壁粘附性差，導(dǎo)致了側(cè)墻22與通孔21側(cè)壁剝離。有鑒于此，經(jīng)過大量的工作，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種側(cè)墻間隔方法，在光刻膠 層開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層，在摻氮的聚合物緩沖層上形成聚合物側(cè) 墻，所述聚合物側(cè)墻形成的開口的特征尺寸小于所述圖形化光刻膠層工藝的最小尺寸。所 述摻氮的聚合物能夠與通孔側(cè)壁很好的粘附，并且所述摻氮的聚合物緩沖層、聚合物側(cè)墻 能夠與刻蝕介質(zhì)層形成通孔工藝在同一刻蝕設(shè)備中完成，節(jié)約了操作步驟，提高了效率。為此，本發(fā)明的發(fā)明人提出了一種側(cè)墻間隔方法的實(shí)施方式，如圖4所示，包括如 下步驟步驟S300，提供形成有介質(zhì)層的襯底；
步驟S301，在所述介質(zhì)層上形成光刻膠層；步驟S302，圖形化光刻膠層，形成光刻膠圖形；步驟S303，以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕介質(zhì)層形成通孔；步驟S304，在光刻膠圖形開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層；步驟S305，在摻氮的聚合物緩沖層上形成聚合物側(cè)墻，所述形成有聚合物側(cè)墻的 通孔開口特征尺寸小于所述圖形化光刻膠層工藝的最小尺寸。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。參考圖5，提供襯底100，所述襯底100可以為多層基片(例如，具有覆蓋電介質(zhì)和 金屬膜的硅襯底)、分級基片、絕緣體上硅基片、外延硅基片、部分處理的基片(包括集成電 路及其他元件的一部分)、圖案化或未被圖案化的塞片。在所述襯底100上形成介質(zhì)層110。所述介質(zhì)層110的材料通常選自 SiO2或者摻雜的SiO2,例如USG(Undoped Silicon Glass,沒有摻雜的硅玻璃)、 BPSG(Borophosphosilicate Glass，摻雜硼磷的硅玻璃)、BSG(BorosilicateGlass，摻雜硼 的硅玻璃)、PSG(Phosphosilitcate Glass，摻雜磷的硅玻璃)等。所述介質(zhì)層110形成工藝可以為現(xiàn)有的沉積工藝，具體工藝可以為等離子體增強(qiáng) 化學(xué)氣相沉積工藝或者亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝。參考圖6，在所述介質(zhì)層110上形成光刻膠層120。所述光刻膠120形成工藝可 以為旋涂工藝，在介質(zhì)層110上旋涂一層光刻膠，烘烤堅(jiān)膜，在介質(zhì)層110上形成光刻膠層 120。參考圖7，圖形化光刻膠層120，形成光刻膠圖形121，所述光刻膠圖形具有在光刻 膠層開口 122。所述圖形化光刻膠層120，形成光刻膠圖形121的工藝可以利用光刻設(shè)備對光刻 膠層120進(jìn)行曝光，顯影，形成光刻膠圖形121。所述光刻膠圖形121開口的所能達(dá)到的尺 寸受光刻設(shè)備的本身光學(xué)波長限制，以245nm波長的光刻設(shè)備為例，曝光的形成的圖形特 征尺寸無法小于0. 12 μ m。參考圖8，以所述光刻膠圖形121為掩膜，刻蝕介質(zhì)層110形成通孔123。所述刻 蝕通孔123可以選用等離子刻蝕工藝。在本實(shí)施例中，所述刻蝕通孔123的設(shè)備可以選用感應(yīng)耦合 (InductivelyCoupled Plasma, ICP)等離子刻蝕設(shè)備。具體工藝參數(shù)為刻蝕設(shè)備的腔體 壓力為10毫托至50毫托，頂部射頻功率為200瓦至500瓦，底部射頻功率為150瓦至300 瓦，C4F8流量為每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(SCCM)至每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CO流量為每分 鐘100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，Ar流量為每分鐘300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每 分鐘600標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，O2流量為每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。所 述C4F8和Ar作用為刻蝕劑，O2用于去除刻蝕過程中產(chǎn)生的多余的聚合物，CO作用為提高 所述刻蝕工藝的選擇比。所述刻蝕通孔123工藝還可以選用電容耦合等離子(Capacitor Coupled Plasma, CCP)刻蝕設(shè)備等?？涛g介質(zhì)層110直至暴露出襯底100，形成通孔123。參考圖9，在光刻膠層開口 122側(cè)壁和通孔123側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層薄膜 124。所述摻氮的聚合物緩沖層薄膜124用于使得后續(xù)形成的聚合物側(cè)墻與通孔123側(cè)壁更好的粘附。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的聚合物側(cè)墻的由C、F、0和H元素組成，其中質(zhì)量比C 元素含量為20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H元素含 量為20% 35%，所述聚合物側(cè)墻還包含0% 10%的雜質(zhì)，所述雜質(zhì)包含Cl元素、Si元 素或者Br元素的一種或多種的，而側(cè)壁的材料通常為二氧化硅，聚合物側(cè)墻與側(cè)壁結(jié)構(gòu)的 相似度很低，所以聚合物側(cè)墻與側(cè)壁的粘附力也比較差。經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在 聚合物側(cè)墻和二氧化硅的側(cè)壁之間形成一層摻氮聚合物緩沖層，所述摻氮聚合物緩沖層的 厚度為3納米至10納米，所述摻氮的聚合物緩沖層的成分質(zhì)量比為N元素含量為5% 20%，C元素含量為20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H 元素含量為20 % 35 %，雜質(zhì)元素含量為0 % 10 %，摻氮的聚合物緩沖層具有多孔結(jié)構(gòu)， 與側(cè)壁的結(jié)構(gòu)相似度高，與側(cè)壁的粘附力高，并且摻氮的聚合物緩沖層與聚合物側(cè)墻的粘 附力也很高，在側(cè)壁和側(cè)墻之間引入摻氮的聚合物緩沖層，從而使得聚合物側(cè)墻與側(cè)壁有 很高的粘附力。在光刻膠層開口 122側(cè)壁和通孔123側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層薄膜124工 藝可以在等離子刻蝕設(shè)備中形成，為了節(jié)約工藝步驟，所述在光刻膠層開口 122側(cè)壁和通 孔123側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層薄膜124工藝可以與刻蝕介質(zhì)層110的工藝同一刻蝕 設(shè)備。在本實(shí)施例中，形成摻氮的聚合物緩沖層薄膜124工藝在感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備 中進(jìn)行，具體工藝參數(shù)包括刻蝕設(shè)備的腔體壓力為300毫托至500毫托，頂部射頻功率為 600瓦至1000瓦，底部射頻功率為150瓦至300瓦，N2流量為每分鐘70標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每 分鐘120標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CH2F2流量為每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米， CH3F流量為每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，直至形成3納米至10納米 的摻氮聚合物緩沖層薄膜124，所述CH2F2和CH3F為刻蝕劑，N2為形成摻氮的聚合物薄膜提 供氮元素。在形成摻氮的聚合物緩沖層薄膜124之前，通常會執(zhí)行清潔步驟，以去除刻蝕介 質(zhì)層步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物和顆粒。為節(jié)約工藝步驟，所述清潔工藝在本實(shí)施例中同樣在感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備中 進(jìn)行，具體工藝參數(shù)包括刻蝕設(shè)備的腔體壓力為20毫托至60毫托，頂部射頻功率為300 瓦至600瓦，底部射頻功率為100瓦至300瓦，Ar流量為每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘 200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，O2流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。直至去 除副產(chǎn)物和顆粒。參考圖10，在含氮的聚合物緩沖層薄膜124上形成聚合物層125。在本實(shí)施例中， 形成聚合物層125工藝在感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備中進(jìn)行，具體工藝參數(shù)包括刻蝕設(shè)備 的腔體壓力為200毫托至400毫托，頂部射頻功率為1000瓦至1300瓦，底部射頻功率為150 瓦至300瓦，C4F6流量為每分鐘60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，C3F8流量為 每分鐘8標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘15標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CH2F2流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至 每分鐘50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CO流量為每分鐘200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。參考圖11，回刻蝕含氮的聚合物緩沖層薄膜124和聚合物層125，在光刻膠層開口 122側(cè)壁和通孔123側(cè)壁形成含氮的聚合物緩沖層134，在含氮的聚合物緩沖層上形成聚合 物側(cè)墻135。
所述回刻蝕工藝在感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備中進(jìn)行，具體工藝參數(shù)包括刻蝕設(shè) 備的腔體壓力為30毫托至60毫托，頂部射頻功率為1200瓦至1800瓦，底部射頻功率為 500瓦至1000瓦，N2流量為每分鐘20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘60標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，He流量為 每分鐘80標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘120標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CO流量為每分鐘100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米 至每分鐘150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，刻蝕含氮的聚合物緩沖層薄膜124和聚合物層125，在光刻膠 層開口 122側(cè)壁和通孔123側(cè)壁形成含氮的聚合物緩沖層134，在含氮的聚合物緩沖層上形 成聚合物側(cè)墻135，所述N2和He為刻蝕劑，CO作用為提高所述刻蝕工藝的選擇比。依照上述的側(cè)墻間隔工藝步驟，形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括襯底100 ；形成在所述 襯底上的介質(zhì)層110 ；形成在所述介質(zhì)層110內(nèi)的通孔123 ；形成在所述通孔123側(cè)壁的摻 氮的聚合物緩沖層134 ；形成在所述摻氮的聚合物緩沖層134上的聚合物側(cè)墻135。以上述的工藝步驟，在具體的實(shí)施例中，形成有摻氮的聚合物緩沖層134、聚合物 側(cè)墻135的通孔，所述形成有摻氮的聚合物緩沖層134、聚合物側(cè)墻135的通孔的特征尺寸 為45nm，參見圖12，在該實(shí)施例中，所述聚合物側(cè)墻135通過摻氮的聚合物緩沖層134與通 孔123側(cè)壁沒有剝離現(xiàn)象出現(xiàn)。本發(fā)明通過在通孔123側(cè)壁與聚合物側(cè)墻135加入一層含氮的聚合物緩沖層134， 含氮的聚合物側(cè)墻提高聚合物側(cè)墻與側(cè)壁結(jié)構(gòu)的相似度，從而使得聚合物側(cè)墻與側(cè)壁有很 高的粘附力，避免了聚合物緩沖層134與通孔123側(cè)壁出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，并且含氮的聚合物側(cè) 墻134、聚合物側(cè)墻135能夠采用同一刻蝕設(shè)備完成，在實(shí)際的工藝制備中能夠節(jié)約工藝步 驟，并且本發(fā)明應(yīng)用于刻蝕工藝中，能夠與刻蝕工藝結(jié)合，與刻蝕工藝采用的刻蝕設(shè)備為同 一設(shè)備，進(jìn)一步節(jié)約工藝步驟。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種側(cè)墻間隔方法，其特征在于，包括提供形成有介質(zhì)層的襯底；在所述介質(zhì)層上形成光刻膠層；圖形化光刻膠層，形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕介質(zhì)層形成通孔；在光刻膠圖形開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層；在摻氮的聚合物緩沖層上形成聚合物側(cè)墻，所述形成有聚合物側(cè)墻的通孔開口特征尺寸小于所述圖形化光刻膠層工藝的最小尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述圖形化光刻膠層的設(shè)備為大 于或等于248nm波長光源的光刻設(shè)備。
3.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述刻蝕介質(zhì)層形成通孔工藝、在 光刻膠圖形開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層工藝和在摻氮的聚合物緩沖層 上形成聚合物側(cè)墻工藝為在同一刻蝕設(shè)備中完成。
4.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述摻氮的聚合物緩沖層的厚度 為3納米至10納米，所述摻氮的聚合物緩沖層的成分質(zhì)量比為N元素含量為5% 20%， C元素含量為20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H元素 含量為20% 35%，雜質(zhì)元素含量為0% 10%。
5.如權(quán)利要求4所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述雜質(zhì)元素包含Cl元素、Si元 素或者Br元素的一種或多種。
6.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述聚合物側(cè)墻C元素含量為 20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H元素含量為20% 35%，雜質(zhì)元素含量為0% 10%。
7.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻間隔方法，其特征在于，所述形成摻氮的聚合物緩沖層的 工藝參數(shù)為刻蝕設(shè)備的腔體壓力為300毫托至500毫托，頂部射頻功率為600瓦至1000 瓦，底部射頻功率為150瓦至300瓦，N2流量為每分鐘70標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘120標(biāo)準(zhǔn) 立方厘米，CH2F2流量為每分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米，CH3F流量為每 分鐘10標(biāo)準(zhǔn)立方厘米至每分鐘30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米。
8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括 襯底；形成在所述襯底上的介質(zhì)層；形成在所述介質(zhì)層內(nèi)的通孔；其特征在于，還包括形成在所述通孔側(cè)壁的摻氮的聚合物緩沖層； 形成在所述摻氮的聚合物緩沖層上的聚合物側(cè)墻。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻氮的聚合物緩沖層的厚度為3 納米至10納米，所述摻氮的聚合物緩沖層的成分質(zhì)量比為N元素含量為5% 20%，C元 素含量為20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H元素含量 為20% 35%，雜質(zhì)元素含量為0% 10%。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雜質(zhì)元素包含Cl元素、Si元素或者Br元素的一種或多種。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聚合物側(cè)墻的成分質(zhì)量比為C 元素含量為20% 40%，F(xiàn)元素含量為15% 40%，0元素含量為15% 40%，H元素含 量為20% 35%，雜質(zhì)元素含量為0% 10%。
全文摘要
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和側(cè)墻間隔方法，其中側(cè)墻間隔方法包括提供形成有介質(zhì)層的襯底；在所述介質(zhì)層上形成光刻膠層；圖形化光刻膠層，形成光刻膠圖形；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕介質(zhì)層形成通孔；在光刻膠圖形開口側(cè)壁和通孔側(cè)壁形成摻氮的聚合物緩沖層；在摻氮的聚合物緩沖層上形成聚合物側(cè)墻，所述形成有聚合物側(cè)墻的通孔開口特征尺寸小于所述圖形化光刻膠層工藝的最小尺寸。本發(fā)明能夠避免在聚合物緩沖層與通孔側(cè)壁出現(xiàn)剝離現(xiàn)象，節(jié)約了操作步驟，提高了效率。
文檔編號H01L21/312GK101930918SQ20091005349
公開日2010年12月29日 申請日期2009年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月19日
發(fā)明者羅飛, 鄒立 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司