專利名稱：全范圍快速熔斷器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及熔斷器技術，更具體地說，涉及一種額定電壓為交流250V，直流170V， 額定電流范圍為50 160A的全范圍快速熔斷器。
背景技術：
熔斷器是一種用于電纜、電線以及設備電路的過載與短路保護裝置。熔斷器的種 類有很多，目前，較為常見的有用于電纜電線保護的全范圍普通熔斷器(gG)、用于半導體 保護的部分范圍快速熔斷器(aR)等，這些熔斷器結構基本相同，一般均包括熔管、觸刀、熔 體和石英砂，觸刀設于熔管兩端，熔體和石英砂設于熔管內。不同的是，請參閱圖l所示，全 范圍普通熔斷器的熔體包括數(shù)個銅片IO，每個銅片IO設有數(shù)列斷口 ll，每列斷口內通孔為 六邊形孔12。請再參閱圖2所示，而局部范圍快速熔斷器的熔體則包括數(shù)個銀片20，每個銀 片20設有數(shù)列斷口 21，每列斷口 21內通孔為為圓孔22。但是，目前市場上用于半導體保 護的全范圍快速熔斷器(gR)較少，特別是額定電壓為交流250V，直流170V，最大額定電流 能夠到達160A的全范圍快速熔斷器到目前為止還沒有。隨著半導體技術的迅速發(fā)展，半導 體設備逐漸趨于小型化，并且對額定電流范圍以及低倍過載電流保護的要求也越來越高， 目前市場上的全范圍快速熔斷器因體積較大、且可到達的最大額定電流較小而導致額定電 流范圍較小，顯然已無法較好的滿足相應半導體電路保護的需求，因此，迫切需要一種新的 全范圍快速熔斷器來滿足上述需求。

發(fā)明內容
針對現(xiàn)有技術存在的上述缺點，本發(fā)明的目的是提供一種全范圍快速熔斷器，該 熔斷器的體積小、額定電流范圍可達50 160A，有利于為半導體電路提供更加全面的保 護。 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案 該全范圍快速熔斷器包括熔管、設于熔管兩端的銅帽和觸刀以及設于熔管內的熔 體和石英砂，熔體包括數(shù)個銀片，每個銀片上設有數(shù)列斷口 ，每列斷口內縱向開有相等數(shù)量 的通孔，所述的每列斷口的兩邊部分別呈半矩形結構，所述的通孔為矩形孔。
所述的銀片一端斷口的內側還縱向焊接有一錫橋。 所述的銀片的數(shù)量為一個或對稱設置的兩個，銀片兩端分別與銅帽內壁相連接。
所述的銀片的厚度范圍為0. 1 0. 18mm。 所述的斷口數(shù)為平行設置的三列，每列斷口的縱向開有一個矩形孔。
所述的斷口邊部與矩形孔之間的距離為0. 5mm。
所述的矩形孔的長為2. 2mm，寬為0. 7mm。所述的兩觸刀之間的總長度為50 52mm，所述的熔管的直徑為18mm。 在上述技術方案中，本發(fā)明的全范圍快速熔斷器包括熔管、設于熔管兩端的銅帽
和觸刀以及設于熔管內的熔體和石英砂，熔體包括數(shù)個銀片，每個銀片上設有數(shù)列斷口 ，每列斷口內縱向開有相等數(shù)量的通孔，每列斷口的兩邊部分別呈半矩形結構，通孔為矩形孔。 兩觸刀之間的總長度為50 52mm，熔管的直徑為18mm。采用該結構的全范圍快速熔斷器 具有體積小、額定電流范圍大的特點，并且通過設置錫橋能夠產生冶金效應，從而降低銀片 的熔點，提高其低倍過載的保護性能，為半導體電路提供更加全面的保護。


圖1是現(xiàn)有技術的一種熔斷器銅片的結構示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術的另一種熔斷器銅片的結構示意圖； 圖3是本實用新型的全范圍快速熔斷器的結構示意圖； 圖4是本實用新型的熔斷器的銀片的結構示意圖； 圖5是采用一個銀片的本實用新型的熔斷器的剖視圖； 圖6是采用兩個銀片的本實用新型的熔斷器的剖視圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例進一步說明本發(fā)明的技術方案。 請參閱圖3、圖4所示，本發(fā)明的全范圍快速熔斷器30包括熔管31、設于熔管31 兩端的銅帽311和觸刀32以及設于熔管31內的熔體、石英砂等，銅帽311分別罩設于熔管 31的兩端，觸刀32分別與兩銅帽311的外側面相連接。熔體包括數(shù)個銀片33，每個銀片33 上平行設有數(shù)列斷口 331，每列斷口 331內的縱向開有相等數(shù)量的通孔。上述每列斷口 331 的兩邊部分別呈半矩形結構，通孔為矩形孔332。銀片33的數(shù)量為一個或對稱設置的兩個， 并且銀片33兩端分別與銅帽311內壁相連接。每個銀片33的具體尺寸如下，銀片33長度 為28mm，厚度范圍取值為0. 1 0. 18mm，并且其斷口 331數(shù)量為三個，每個斷口 331內縱向 開有一個矩形孔332，每個斷口 331的矩形孔332的長為2. 2mm，寬為0. 7mm。并且銀片33 的"頸"的寬度，即斷口 331邊部與矩形孔332之間的距離為0. 5mm。該熔斷器30的體積較 小，其總長度即兩觸刀之間的長度為50 52mm，而熔管31的直徑只有18mm。
在此需要說明的是，傳統(tǒng)的快速熔斷器的熔體一般僅采用銀質材料制作，并取變 截面狀，使其狹頸部分取較高的電流密度，以達到快速分斷的效果。而本發(fā)明的全范圍快速 熔斷器30為了更好的降低該銀片33的熔化溫度，提高其低倍過載的保護性能，因此還在每 個銀片33—端斷口 331的內側縱向焊接有一錫橋34，用以產生冶金效應，當銀片33的溫度 上升到錫橋34的熔點時，錫橋34立即發(fā)生熔化，從而可促進銀片33的熔斷，這樣有利于熔 體在較低過載時的快速熔斷，可使電路較低的過載也能得到保護。 另外，由于銀片33的通孔采用了矩形孔332，便于銀片沖孔模的制作，可降低加工 難度以及成本。而且在觸刀32上分別還設有一用于螺栓連接的U型開口，可通過螺栓方便 連接在相應的電路里。 采用該結構制作的熔斷器30，其額定電流范圍較大，最小額定電流可達到50A，而 最大額定電流可達到160A，下面進行具體舉例說明
實施例1 請結合圖4、圖5所示，該熔斷器30熔體采用的銀片33為一個，而銀片的厚度為 0. lmm，其它尺寸參數(shù)不變。經(jīng)過多次反復測試得出，該熔斷器30的額定電壓為直流250V，
4交流170V，額定電流為50A，可適用于額定電壓為直流250V，交流170V，額定電流為50A的
半導體電路保護。
實施例2 請結合圖4、圖5所示，該熔斷器30熔體采用的銀片33為一個，而銀片的厚度為 0. 18mm，其它尺寸參數(shù)不變。經(jīng)過多次反復測試得出，該熔斷器30的額定電壓為直流250V， 交流170V，交流170V，額定電流為80A，從而適用于額定電壓為直流250V，交流170V，額定電 流為80A的半導體電路保護。
實施例3 請再結合圖4、圖6所示，該熔斷器30熔體采用的銀片33為兩個，而銀片的厚度為 0. 18mm，其它尺寸參數(shù)不變。經(jīng)過多次反復測試得出，該熔斷器30的額定電壓為直流250V， 交流170V，額定電流達到160A，從而適用于額定電壓為直流250V，交流170V，額定電流可高 達160A的半導體電路保護。 綜上所述，本發(fā)明的全范圍快速熔斷器30的體積較小而可達到的額定電流范圍 較大，并且還具有熔斷速度快、低倍過載保護性能佳以及結構簡單、制作方便等優(yōu)點，能夠 較好的適用于額定電壓為交流250V，直流170V，額定電流為50 160A的半導體電路，從而 為設備提供更加全面、有效的保護。 本技術領域中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明， 而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質精神范圍內，對以上所述實施例的變 化、變型都將落在本發(fā)明的權利要求書范圍內。
權利要求
一種全范圍快速熔斷器，該熔斷器包括熔管、設于熔管兩端的銅帽和觸刀以及設于熔管內的熔體和石英砂，熔體包括數(shù)個銀片，每個銀片上設有數(shù)列斷口，每列斷口內縱向開有相等數(shù)量的通孔，其特征在于所述的每列斷口的兩邊部分別呈半矩形結構，所述的通孔為矩形孔。
2. 如權利要求1所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于 所述的銀片一端斷口的內側還縱向焊接有一錫橋。
3. 如權利要求1所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于所述的銀片的數(shù)量為一個或對稱設置的兩個，銀片兩端分別與銅帽內壁相連接。
4. 如權利要求1中任一項所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于所述的銀片的厚度范圍為0. 1 0. 18mm。
5. 如權利要求1中任一項所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于所述的斷口數(shù)為平行設置的三列，每列斷口的縱向開有一個矩形孔。
6. 如權利要求1中任一項所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于所述的斷口邊部與矩形孔之間的距離為0. 5mm。
7. 如權利要求1中任一項所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于所述的矩形孔的長為2. 2mm，寬為0. 7mm。
8. 如權利要求1中任一項所述的全范圍快速熔斷器，其特征在于 所述的兩觸刀之間的總長度為50 52mm，所述的熔管的直徑為18mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種全范圍快速熔斷器，該熔斷器包括熔管、設于熔管兩端的銅帽和觸刀以及設于熔管內的熔體和石英砂，熔體包括數(shù)個銀片，每個銀片上設有數(shù)列斷口，每列斷口內縱向開有相等數(shù)量的通孔，每列斷口的兩邊部分別呈半矩形結構，通孔為矩形孔。兩觸刀之間的總長度為50～52mm，熔管的直徑為18mm。采用該結構的全范圍快速熔斷器具有體積小、額定電流范圍大的特點，并且通過設置錫橋能夠產生冶金效應，從而降低銀片的熔點，提高其低倍過載的保護性能，為半導體電路提供更加全面的保護。
文檔編號H01H85/11GK101777466SQ200910045078
公開日2010年7月14日 申請日期2009年1月8日 優(yōu)先權日2009年1月8日
發(fā)明者倪溢雯, 徐鶴, 林海鷗, 沈一鳴 申請人:上海電器陶瓷廠有限公司