專利名稱：監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，且特別涉及一種半導(dǎo)體集成電路中監(jiān)控金屬 硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成電路產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，使得研究人員對 現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)的研究越發(fā)深入，出現(xiàn)了各種各樣的工藝方法和設(shè)計方式以滿 足用戶的不同要求。對于半導(dǎo)體集成電路芯片來說，有很多廣泛使用的結(jié)構(gòu)設(shè) 計。金屬硅化物在半導(dǎo)體器件技術(shù)中起著非常重要的作用，被廣泛應(yīng)用于源漏 極和硅柵極與金屬之間的接觸，在半導(dǎo)體集成電路芯片的結(jié)構(gòu)中，金屬硅化物 形成質(zhì)量的好壞對于電路的性能和質(zhì)量有著決定性的影響。
在現(xiàn)有技術(shù)中，雖然金屬硅化物的應(yīng)用非常廣泛，但是卻缺乏一種行之有 效的監(jiān)控和檢測金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)和相應(yīng)方法，這樣就給半導(dǎo)體集成 電路的質(zhì)量帶來了潛在的隱患，同時也影響了集成電路芯片的成品率和使用過 程中的穩(wěn)定性和壽命，因而無法滿足眾多對芯片質(zhì)量和穩(wěn)定性要求較高的場合， 并使得半導(dǎo)體集成電路的使用范圍受到了較大的影響，給人們的工作和生活都 帶來了很大的不便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單、監(jiān)控方便 有效、穩(wěn)定可靠、通用性較強(qiáng)、使用范圍較為廣泛，能夠有效監(jiān)控金屬硅化物 形成質(zhì)量。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，包 括第一類型半導(dǎo)體襯底，該襯底表面具有第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)，該結(jié)構(gòu)還包 括位于第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)上的多晶硅線和金屬硅化物有源區(qū)，其中所述的
3金屬硅化物有源區(qū)設(shè)置于相鄰的兩根多晶硅線之間，該金屬硅化物有源區(qū)中設(shè) 置有連通引出結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述第一類型半導(dǎo)體襯底為P型半導(dǎo)體襯底，所述第二類型半
導(dǎo)體注入?yún)^(qū)為N+半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)。
進(jìn)一步的，所述相鄰兩根多晶硅線之間的距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離，且 各多晶硅線與該金屬硅化物有源區(qū)部分重疊。
進(jìn)一步的，所述連通引出結(jié)構(gòu)設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)的兩端。
進(jìn)一步的，所述連通引出結(jié)構(gòu)為設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)上的通孔和穿 設(shè)于通孔并與所述的第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)相連通的金屬線。
進(jìn)一步的，所述多晶硅線的邊緣與相鄰的金屬硅化物有源區(qū)的邊緣之間的 距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離。
進(jìn)一步的，所述金屬石圭化物有源區(qū)具有橫向有源區(qū)和豎向有源區(qū)，其中橫 向有源區(qū)比豎向有源區(qū)寬。
進(jìn)一步的，所述橫向有源區(qū)設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)，所述連通引出結(jié)構(gòu)為設(shè) 置于該金屬硅化物有源區(qū)上的通孔和穿設(shè)于通孔并與所述的第二類型半導(dǎo)體注 入?yún)^(qū)相連通的金屬線。
采用了本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，由于 其將金屬硅化物有源區(qū)設(shè)置在相鄰的兩根多晶硅線之間，并在該有源區(qū)中設(shè)置 有連通引出結(jié)構(gòu)，從而可以方便的測量有源區(qū)的電阻值，此時如果夾在兩根多 晶硅線之間的金屬硅化物有源區(qū)形成質(zhì)量不好，則測量出的有源區(qū)電阻值就會 相當(dāng)大；同時由于淺溝隔離區(qū)產(chǎn)生的應(yīng)力和兩根多晶硅線產(chǎn)生的應(yīng)力對于金屬 硅化物的形成具有很大的影響，尤其是在有源區(qū)的拐角處區(qū)域，應(yīng)力更加顯著， 因而容易使金屬硅化物穿通N+注入?yún)^(qū)，產(chǎn)生短路現(xiàn)象，而通過本發(fā)明的上述結(jié) 構(gòu)，可以很容易的測量出N+注入?yún)^(qū)和P型襯底之間的漏電流，從而能夠監(jiān)控金 屬硅化物是否已經(jīng)穿通N+注入?yún)^(qū)，進(jìn)而容易控制金屬硅化物有源區(qū)的形成質(zhì)量； 另一方面，上述的結(jié)構(gòu)非常簡單，監(jiān)控方便有效，直接放置于劃片槽中即可實(shí) 現(xiàn)有效監(jiān)測，很容易檢測出目前半導(dǎo)體集成電路中經(jīng)常使用的兩種常見結(jié)構(gòu)中 的金屬硅化物的形成質(zhì)量，大大提高了集成電路芯片的成品率、穩(wěn)定性和壽命， 監(jiān)控檢測過程穩(wěn)定可靠，通用性較強(qiáng)，使用范圍較為廣泛，為現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路工業(yè)的發(fā)展莫定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。


圖1所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的第一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)。
圖2所示為本發(fā)明較佳實(shí)施例的第二種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實(shí)施例并配合所附圖式說明如下。 請參閱圖1所示，其為該半導(dǎo)體集成電絡(luò)中第一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì) 量的結(jié)構(gòu)，包括第一類型半導(dǎo)體襯底即P型半導(dǎo)體襯底1、該襯底表面的第二類 型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)即N+注入?yún)^(qū)2、多晶硅線3和金屬硅化物有源區(qū)4,其中所述 的金屬硅化物有源區(qū)4設(shè)置于相鄰的兩根多晶硅線3之間，該相鄰兩根多晶硅 線3之間的距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離，該最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離為現(xiàn)代半導(dǎo)體 集成電路制造工藝中的公知常識，且各多晶硅線3與該金屬硅化物有源區(qū)4具 有一定部分的重疊；同時，該金屬硅化物有源區(qū)4中設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)，且 該連通引出結(jié)構(gòu)設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)4的兩端，其為設(shè)置于該金屬硅化 物有源區(qū)4上的通孔5和穿設(shè)于通孔5并與所述的N+注入?yún)^(qū)2相連通的金屬線。 在實(shí)際使用當(dāng)中，采用上述的結(jié)構(gòu)，可以方便的測量有源區(qū)4的電阻值，如果 夾在兩根多晶硅線3之間的金屬硅化物有源區(qū)4形成質(zhì)量不好，則測量出的有 源區(qū)4的電阻值就會相當(dāng)大。
再請參閱圖2所示，其為該半導(dǎo)體集成電路中第二種監(jiān)控金屬硅化物形成 質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，包括P型半導(dǎo)體襯底1、該襯底表面的N+注入?yún)^(qū)2、多晶硅線3 和金屬硅化物有源區(qū)4，其中，所述的金屬硅化物有源區(qū)4設(shè)置于相鄰的兩根多 晶硅線3之間，該多晶硅線3的邊緣與相鄰的金屬硅化物有源區(qū)4的邊緣之間 的距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離，該最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離為現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路 制造工藝中的公知常識。所述金屬珪化物有源區(qū)4具有橫向有源區(qū)和豎向有源 區(qū)，其中橫向有源區(qū)比豎向有源區(qū)寬。同時，所述的連通引出結(jié)構(gòu)設(shè)置于該金 屬硅化物有源區(qū)4的橫向有源區(qū)，其為設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)4上的通孔5 和穿設(shè)于通孔5并與所述的N+注入?yún)^(qū)2相連通的金屬線。在實(shí)際使用當(dāng)中，采用上述的結(jié)構(gòu)，由于窄的金屬硅化物有源區(qū)4即豎向有源區(qū)夾在兩根多晶硅線3 之間，其中將橫向有源區(qū)部分做的相對較寬，從而能夠在其上形成通孔5，并通 過穿設(shè)于通孔5中的金屬線將N+注入?yún)^(qū)2引出；此時由于淺溝隔離區(qū)產(chǎn)生的應(yīng) 力和兩根多晶硅線3產(chǎn)生的應(yīng)力對于金屬硅化物的形成具有很大的影響，尤其 是在有源區(qū)4的拐角處區(qū)域，應(yīng)力更加顯著，因而容易使金屬硅化物穿通N+注 入?yún)^(qū)2,產(chǎn)生短;洛現(xiàn)象，而通過上述結(jié)構(gòu)，可以4艮容易的測量出N+注入?yún)^(qū)2和 P型半導(dǎo)體村底1之間的漏電流，從而能夠監(jiān)控金屬硅化物是否已經(jīng)穿通N+注 入?yún)^(qū)2，進(jìn)而容易控制金屬硅化物有源區(qū)4的形成質(zhì)量。
綜上所述，采用了上述的半導(dǎo)體集成電路中監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié) 構(gòu)，由于將金屬硅化物有源區(qū)4設(shè)置在相部的兩根多晶硅線3之間，并在該有 源區(qū)4中設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)，從而可以方便的測量有源區(qū)4的電阻值，如果 夾在兩根多晶硅線3之間的金屬硅化物有源區(qū)4形成質(zhì)量不好，則測量出的有 源區(qū)4電阻值就會相當(dāng)大；同時由于淺溝隔離區(qū)產(chǎn)生的應(yīng)力和兩根多晶硅線3 產(chǎn)生的應(yīng)力對于金屬硅化物的形成具有很大的影響，尤其是在有源區(qū)4的拐角 處區(qū)域，應(yīng)力更加顯著，因而容易使金屬硅化物穿通N+注入?yún)^(qū)2,產(chǎn)生短路現(xiàn) 象，而通過上述結(jié)構(gòu)，可以很容易的測量出N+注入?yún)^(qū)2和P型半導(dǎo)體襯底1之 間的漏電流，能夠監(jiān)控金屬硅化物是否已經(jīng)穿通N+注入?yún)^(qū)2,從而容易控制金 屬硅化物有源區(qū)4的形成質(zhì)量；而且本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)非常簡單，監(jiān)控方便有 效，直接放置于劃片槽中即可實(shí)現(xiàn)有效監(jiān)測，很容易檢測出目前半導(dǎo)體集成電 路中經(jīng)常使用的兩種常見結(jié)構(gòu)中的金屬硅化物的形成質(zhì)量，大大提高了集成電 路芯片的成品率、穩(wěn)定性和壽命，監(jiān)控檢測過程穩(wěn)定可靠，通用性較強(qiáng)，使用 范圍較為廣泛，為現(xiàn)代超大規(guī)^莫集成電路工業(yè)的發(fā)展莫定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，包括第一類型半導(dǎo)體襯底，該襯底表面具有第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)，其特征在于該結(jié)構(gòu)還包括位于第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)上的多晶硅線和金屬硅化物有源區(qū)，其中所述的金屬硅化物有源區(qū)設(shè)置于相鄰的兩根多晶硅線之間，該金屬硅化物有源區(qū)中設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一類型半導(dǎo)體襯底為P型半導(dǎo)體襯底，所述第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)為N+半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述相鄰兩根多晶硅線之間的距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的距離，且各多晶硅線與該金屬硅化物有源區(qū)部分重疊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連通引出結(jié)構(gòu)設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)的兩端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連通引出結(jié)構(gòu)為設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)上的通孔和穿設(shè)于通孔并與所述的第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)相連通的金屬線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多晶硅線的邊緣與相鄰的金屬硅化物有源區(qū)的邊緣之間的距離為最小設(shè)計準(zhǔn)則的3巨離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬硅化物有源區(qū)具有橫向有源區(qū)和豎向有源區(qū)，其中橫向有源區(qū)比豎向有源區(qū)寬。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述橫向有源區(qū)設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)，所述連通引出結(jié)構(gòu)為設(shè)置于該金屬硅化物有源區(qū)上的通孔和穿設(shè)于通孔并與所述的第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)相連通的金屬線。
全文摘要
本發(fā)明提出一種監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，包括第一類型半導(dǎo)體襯底，該襯底表面具有第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)，該結(jié)構(gòu)還包括位于第二類型半導(dǎo)體注入?yún)^(qū)上的多晶硅線和金屬硅化物有源區(qū)，其中所述的金屬硅化物有源區(qū)設(shè)置于相鄰的兩根多晶硅線之間，該金屬硅化物有源區(qū)中設(shè)置有連通引出結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出的監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單、監(jiān)控方便有效、穩(wěn)定可靠、通用性較強(qiáng)、使用范圍較為廣泛，能夠有效監(jiān)控金屬硅化物形成質(zhì)量。
文檔編號H01L23/544GK101465339SQ200910044890
公開日2009年6月24日 申請日期2009年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月5日
發(fā)明者劍 胡 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司