專利名稱：液晶顯示器、液晶顯示器基板及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT-LCD (薄膜晶體管液晶顯示器)制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及液晶顯示器、液晶顯示器基板及其形成方法。
背景技術(shù)：
目前，液晶顯示器的液晶單元內(nèi)通常包含上基板和下基板，而其中一個(gè)基板上形成有TFT電路。 現(xiàn)有液晶顯示器基板的形成工藝具體如下如圖1所示，提供包含焊盤區(qū)111、像素單元區(qū)II和短路棒區(qū)域I的襯底100 ;在像素單元區(qū)II的襯底上形成柵極103a，在焊盤區(qū)III和短路棒區(qū)域I的襯底100上形成柵金屬層103b，所述柵極103a和柵金屬層103b由鋁或鋁合金層104和金屬鉬層105層疊而成；在襯底100上形成柵極絕緣層102，且柵極絕緣層102覆蓋柵極103，所述柵極絕緣層102的材料為氮化硅；用物理氣相沉積法依次于柵極絕緣層102上形成非晶硅層106和摻雜n型離子非晶硅層107。 如圖2所示，刻蝕摻雜n型離子非晶硅層107和非晶硅層106，去除像素單元區(qū)II的柵極103對應(yīng)位置以外的所有摻雜n型離子非晶硅層107和非晶硅層106。在柵極絕緣層102及摻雜n型離子非晶硅層107上形成金屬鉬層；刻蝕金屬鉬層，在短路棒區(qū)域I形成源/漏極金屬層109a ;刻蝕金屬鉬層和摻雜n型離子非晶硅層107，在像素單元區(qū)II形成源/漏極109b ;將焊盤區(qū)III上的金屬鉬層完全去除。 如圖3所示，在柵極絕緣層102、源/漏極金屬層109a和源/漏極109b上形成鈍化層IIO，所述鈍化層110的材料為氮化硅。刻蝕鈍化層110及柵極絕緣層102，在短路棒區(qū)域I形成露出柵金屬層103b的第一接觸孔112和露出源/漏極金屬層109a的第二接觸孔114，在焊盤區(qū)III形成露出柵金屬層103b的第三接觸孔113，在像素單元區(qū)II形成露出源極109b的第四接觸孔115。 參考圖4，在鈍化層IIO上形成像素電極層120后，進(jìn)行刻蝕工藝，在短路棒區(qū)域I將柵金屬層103b和源/漏極金屬層109a進(jìn)行連接，保留焊盤區(qū)III的第三接觸孔113內(nèi)壁的像素電極層120，在像素單元區(qū)II形成像素電極。 上述工藝會產(chǎn)生以下缺點(diǎn)1、在TFT-LCD制造工藝上使用由源/漏極金屬層105和鋁釹合金層104層疊作為柵極103a和柵金屬層103b，這是因?yàn)樵?漏極金屬層105能起到金屬緩沖的作用，保證與后續(xù)像素電極層120形成良好的接觸特性，從而避免像素電極層120與鋁釹合金層104直接接觸時(shí)因兩層之間的接觸電阻太大而發(fā)生的燒毀現(xiàn)象。也就是說，現(xiàn)有工藝中，在制作柵極103a和柵金屬層103b時(shí)，需要鍍兩層金屬，即鋁釹合金層104和源/漏極金屬層105，由于要經(jīng)過兩次沉積步驟，會使產(chǎn)能下降33%左右；另外在刻蝕形成柵極103a和柵金屬層103b過程中，鋁釹合金層104和源/漏極金屬層105兩層金屬連接在一起，會由于原電池反應(yīng)產(chǎn)生腐蝕現(xiàn)象從而形成顯示器亮度不均勻造成的水漬痕跡現(xiàn)象。 2、在短路棒區(qū)域I刻蝕鈍化層110及柵極絕緣層102，分別于柵金屬層103b和源/漏極金屬層109a區(qū)形成接觸孔，由于形成接觸孔114只需刻蝕鈍化層110，而形成接觸孔112則需要刻蝕鈍化層110和柵極絕緣層102，并且在焊盤區(qū)III形成接觸孔113也需要刻蝕鈍化層IIO和柵極絕緣層102 ;由于形成接觸孔114與接觸孔112、 113時(shí)，刻蝕膜層厚度不相同，所以會出現(xiàn)在短路棒區(qū)域I的源/漏極金屬層109a被過刻蝕的現(xiàn)象，造成源極或漏極金屬層109a區(qū)域的源/漏極金屬層被過刻后殘留的鉬厚度太薄或者鉬全部刻掉，致使表面狀況(比如粗糙度)惡化或者引發(fā)腐蝕問題，進(jìn)而使器件可靠性變差；而如果刻蝕時(shí)間過長而過刻量較大，還會把柵金屬層103b區(qū)域的源/漏極金屬層過刻蝕掉，可能造成像素電極層120和鋁釹合金層104直接接觸，引起接觸電阻太大會發(fā)生燒毀現(xiàn)象。如果要在源/漏極金屬層109a區(qū)域不出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，那么在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III的柵金屬層103b區(qū)域就會出現(xiàn)欠刻蝕的情況，即柵極絕緣層102產(chǎn)生殘留，從而可能導(dǎo)致柵金屬層103b與后續(xù)的像素電極層120不能正常接觸，發(fā)生信號不正常的現(xiàn)象。
3、如圖5所示，在短路棒區(qū)域I，刻蝕鈍化層110時(shí)，由于刻蝕液的側(cè)向刻蝕，容易形成倒梯形狀的結(jié)構(gòu)，最后在像素電極層120進(jìn)行覆蓋時(shí)，在臺階處因倒梯形結(jié)構(gòu)容易形成斷層130 (圖5a為在電子掃描顯示微下觀察到的斷層130截面)情況，這將在進(jìn)行顯示性能的測試時(shí)，導(dǎo)致無法正常區(qū)分出是屏內(nèi)的數(shù)據(jù)線斷線問題還是短路棒區(qū)域信號不能正常接入的問題，對于產(chǎn)品的分級和測試人員的工作造成極大的困擾，而且常常導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷誤判，造成不必要的質(zhì)量成本浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種液晶顯示器、液晶顯示器基板及其形成方法，防止
顯示器亮度不均勻造成的水漬痕跡、信號不正?；驘龤КF(xiàn)象的產(chǎn)生以及防止產(chǎn)品缺陷誤判。 為解決上述問題，本發(fā)明一種液晶顯示器基板的形成方法，包括在襯底上的短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)形成柵金屬層，在像素單元區(qū)形成柵極；在襯底上依次形成覆蓋柵金屬層和柵極的柵極絕緣層和非晶硅復(fù)合層；刻蝕短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)的非晶硅復(fù)合層和柵極絕緣層至露出柵金屬層，形成短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔；刻蝕非晶硅復(fù)合層，保留像素單元區(qū)柵極對應(yīng)位置非晶硅復(fù)合層；在柵極絕緣層、非晶硅復(fù)合層上及短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)形成源/漏極金屬層；刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)形成源/漏極和導(dǎo)電溝道，在短路棒區(qū)域使柵極金屬層和源/漏極金屬層電連接。 本發(fā)明還提供一種液晶顯示器基板，包含像素單元區(qū)、焊盤區(qū)和短路棒區(qū)域，所述像素單元區(qū)包括開關(guān)元件和像素電極，所述開關(guān)元件包括柵極、源極和漏極，所述焊盤區(qū)包括焊盤區(qū)接觸孔，所述短路棒區(qū)域包括短路棒區(qū)接觸孔，所述焊盤區(qū)接觸孔和所述短路棒區(qū)接觸孔均位于柵金屬層上，所述短路棒區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有直接和柵金屬層電連接的源/漏極金屬層。 本發(fā)明還提供一種包括上述液晶顯示器基板的液晶顯示器。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、在形成非晶硅復(fù)合層后，直接刻蝕短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)的非晶硅復(fù)合層和柵極絕緣層至露出柵金屬層，形成短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔；形成接觸孔過程中，由于刻蝕膜層的厚度一致，因此不會產(chǎn)生由于形成接觸孔的深度不同，而導(dǎo)致的過刻蝕或刻蝕不足的現(xiàn)象；另外，源/漏極金屬層是在接觸孔形成之后沉積的，因此不會產(chǎn)生由于刻蝕問題而導(dǎo)致的源/漏極金屬層被刻除或厚度刻得過薄，避免了源/漏極金屬層表面狀況(比如粗糙度)惡化或者引發(fā)腐蝕問題，進(jìn)而提高了器件
可靠性。 2、在短路棒區(qū)域由于柵金屬層與源/漏極金屬層直接連接，而不需要以銦錫氧化物為材料的像素電極層去連接，避免了像素電極層和鋁釹合金層直接接觸的可能性，進(jìn)而避免燒毀現(xiàn)象的產(chǎn)生。同時(shí)，由于只需用源/漏極金屬層就可與柵金屬層進(jìn)行連接，減少了靜電或接觸電阻，提高了器件的可靠性。 3、沉積完源/漏極金屬層后，源/漏極金屬層直接及與短路棒區(qū)接觸孔內(nèi)柵金屬
層連接。因此，在短路棒區(qū)域不會產(chǎn)生源/漏極金屬層與柵金屬層在連接時(shí)產(chǎn)生斷線的現(xiàn)
象。在產(chǎn)品測試過程中，能準(zhǔn)確確定產(chǎn)品的缺陷，提高產(chǎn)品質(zhì)量分析的效率。 進(jìn)一步，柵極采用鋁或鋁合金的單層結(jié)構(gòu)，在刻蝕形成柵極過程中，不會產(chǎn)生兩層
金屬連接導(dǎo)致的原電池反應(yīng)，避免了顯示器亮度不均勻造成的水漬痕跡現(xiàn)象，提高了顯示
器的質(zhì)量。


圖1至圖4是根據(jù)現(xiàn)有工藝形成的液晶顯示器基板示意圖； 圖5是現(xiàn)有工藝形成的液晶顯示器基板中產(chǎn)生斷線的示意圖； 圖5a是圖5中斷層區(qū)域的電鏡圖； 圖6是本發(fā)明形成液晶顯示器基板的流程圖； 圖7至圖13是根據(jù)本發(fā)明方法形成液晶顯示器基板的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明采用單層的鋁或鋁合金作為柵極及柵金屬層材料，減少了沉積步驟，提高了產(chǎn)能，且有效解決了濕法刻蝕形成柵極時(shí)，使用兩層金屬膜會產(chǎn)生原電池反應(yīng)導(dǎo)致腐蝕和顯示器亮度不均勻造成的水漬痕跡現(xiàn)象。 在將源/漏極金屬層與柵金屬層連接后，再沉積鈍化層，在刻蝕過程中只刻鈍化層，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕形成深度不同的接觸孔而造成源/漏極金屬層過刻問題；本發(fā)明連接與柵金屬層連接的源/漏極金屬層表面平整，沒有因刻蝕問題造成的損傷，提高了器件的可靠性。 在短路棒區(qū)域，通過沉積源/漏極金屬層直接與柵金屬層進(jìn)行連接，也就是不會產(chǎn)生由于刻蝕溶液的缺陷產(chǎn)生側(cè)向過刻蝕，使邊緣臺階角度過大，形成倒梯形狀的結(jié)構(gòu)，在像素電極層進(jìn)行覆蓋時(shí)，在臺階處的像素電極層產(chǎn)生斷裂也不會造成信號不能正常接入的情況，提高了連線間的接觸性能。 圖6是本發(fā)明形成液晶顯示器基板的流程圖。如圖6所示，執(zhí)行步驟Sll，在襯底上的短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)形成柵金屬層，在像素單元區(qū)形成柵極；執(zhí)行步驟S12，在襯底上依次形成覆蓋柵金屬層和柵極的柵極絕緣層和非晶硅復(fù)合層；執(zhí)行步驟S13，刻蝕短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)的非晶硅復(fù)合層和柵極絕緣層至露出柵金屬層，形成短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔；執(zhí)行步驟S14，刻蝕非晶硅復(fù)合層，保留像素單元區(qū)柵極對應(yīng)位置非晶硅復(fù)合層；執(zhí)行步驟S15，在柵極絕緣層、非晶硅復(fù)合層上及短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)形成源/漏極金屬層；執(zhí)行步驟S16，刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)形成源/漏極和導(dǎo)電溝道，在短路棒區(qū)域使柵極金屬層和源/漏極金屬層電連接。 形成液晶顯示器基板的步驟還包括在源/漏極金屬層、柵極絕緣層及柵金屬層
上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)
接觸孔內(nèi)的柵金屬層；在源/漏極金屬層、柵金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)
行刻蝕在像素單元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)刻蝕去除全部像素電極層。 形成液晶顯示器基板的步驟還可以是包括在源/漏極金屬層、柵極絕緣層及柵
金屬層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和
焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的柵金屬層；在源/漏極金屬層、柵金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，
對其進(jìn)行刻蝕在像素單元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)保留接觸孔內(nèi)的像素電極層。 形成液晶顯示器基板的步驟還可以是包括在源/漏極金屬層、柵極絕緣層上形
成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸
孔內(nèi)的源/漏極金屬層；在源/漏極金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在
像素單元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)刻蝕去除全部像素電極層。 形成液晶顯示器基板的步驟還可以是包括在源/漏極金屬層、柵極絕緣層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的源/漏極金屬層；在源/漏極金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在像素單元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)保留接觸孔內(nèi)的像素電極層。 基于上述實(shí)施方式形成的液晶顯示器基板，包含像素單元區(qū)、焊盤區(qū)和短路棒區(qū)域，所述像素單元區(qū)包括開關(guān)元件和像素電極，所述開關(guān)元件包括柵極、源極和漏極，所述焊盤區(qū)包括焊盤區(qū)接觸孔，所述短路棒區(qū)域包括短路棒區(qū)接觸孔，所述焊盤區(qū)接觸孔和所述短路棒區(qū)接觸孔均位于柵金屬層上，所述短路棒區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有直接和柵金屬層電連接的源/漏極金屬層。 其中焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的結(jié)構(gòu)可以是直接曝露出柵金屬層。還可以在焊盤區(qū)接觸孔
內(nèi)壁形成有和柵金屬層連接的源/漏極金屬層。還可以在焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有和柵金
屬層連接的源/漏極金屬層，在源漏極金屬層上形成有像素電極層。還可以在焊盤區(qū)接觸
孔內(nèi)壁形成有和柵金屬層連接的像素電極層。 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。 圖7至圖13是采用本發(fā)明方法形成液晶顯示器基板的示意圖。如圖7所示，提供襯底200，所述襯底200包含焊盤區(qū)ni、像素單元區(qū)II和短路棒區(qū)域I，在像素單元區(qū)II的襯底200上形成有柵極204b，在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III的襯底200上形成有柵金屬層204a。 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的主要工藝如下在襯底200上用物理氣相沉積法形成厚度為2000埃 4000埃的鋁釹合金層；然后，在鋁釹合金層上旋涂光刻膠層，在光刻工藝后，在光刻膠層上定義出柵極圖形及柵金屬層圖形；以光刻膠層為掩膜，沿柵極圖形用干法刻蝕法刻蝕鋁釹合金層至部分區(qū)域露出襯底200，在像素單元區(qū)II的襯底200上形成柵極204b，在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III的襯底200上形成柵金屬層204a。
繼續(xù)參考圖7，在襯底200上形成柵極絕緣層202，且柵極絕緣層202覆蓋柵金屬層204a和柵極204b，所述柵極絕緣層202的 料可以為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等無機(jī)材料中的一種或組合或有機(jī)材料，形成工藝可以是物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。
參考圖7，用物理氣相沉積法依次于柵極絕緣層202上形成厚度為1000埃 4000埃的非晶硅層206和厚度為1000埃 4000埃的摻雜n型離子非晶硅層207。
如圖8所示，在摻雜n型離子非晶硅層207上旋涂光刻膠層209，在像素單元區(qū)II采用半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)光罩300，在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III采用常規(guī)光罩310，經(jīng)過曝光后，在像素單元區(qū)II的有源區(qū)域形成光刻膠未曝光區(qū)，其余區(qū)域形成光刻膠部分曝光區(qū)；在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III的后續(xù)接觸孔位置形成光刻膠完全曝光區(qū)，在接觸孔位置區(qū)域以外形成光刻膠部分曝光區(qū)。 繼續(xù)參考圖8，在經(jīng)過顯影液顯影后，在像素單元區(qū)II的有源區(qū)域的光刻膠基本完全保留厚度，其余區(qū)域的光刻膠部分顯影去除；在焊盤區(qū)III的后續(xù)接觸孔位置的光刻膠完全顯影去除，形成接觸孔圖形開口 ；在短路棒區(qū)域I的后續(xù)接觸孔位置的光刻膠完全顯影去除，露出摻雜n型離子非晶硅層207，形成接觸孔圖形開口 。 如圖9所示，以光刻膠層209為掩膜，沿接觸孔圖形開口刻蝕摻雜n型離子非晶硅層207、非晶硅層206和柵極絕緣層202至露出柵金屬層204a，在短路棒區(qū)域I形成接觸孔210a，在焊盤區(qū)III形成接觸孔210b，所述刻蝕方法為干法刻蝕。 參考圖IO，灰化法去除光刻膠層，由于在像素單元區(qū)II的有源區(qū)域的光刻膠層未被顯影，因此其厚度比其它區(qū)域部分顯影后留下的厚度來得厚，在其它區(qū)域的光刻膠層完全灰化去除后，在有源區(qū)域仍殘留部分光刻膠層209a。 如圖11所示，以殘留光刻膠層209a為掩膜，用干法刻蝕法刻蝕摻雜n型離子非晶硅層207和非晶硅層206，保留像素單元區(qū)II有源區(qū)域的摻雜n型離子非晶硅層207a和非晶硅層206a。 如圖12所示，用濕法刻蝕法剝除殘留光刻膠層。在像素單元區(qū)II的柵極絕緣層202和摻雜n型離子非晶硅層207a上，在短路棒區(qū)域I和焊盤區(qū)III的柵極絕緣層202和接觸孔210a， 210b內(nèi)壁用物理氣相沉積法形成厚度為500埃 2000埃的源/漏極金屬層，所述源/漏極金屬層的材料為金屬鉬。 繼續(xù)參考圖12，在源/漏極金屬層上形成光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝后，在光刻膠層上定義出源/漏極圖形以及在短路棒區(qū)域I定義出柵金屬層與源/漏極金屬層的電連接圖形，在焊盤區(qū)III定義出柵極焊盤圖形。以光刻膠層為掩膜，刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)II形成源/漏極212a，在短路棒區(qū)域I使源/漏極金屬層212b與柵金屬層204a的電連接，在焊盤區(qū)III的接觸孔內(nèi)保留源/漏極金屬層212c。 另一實(shí)施例，在源/漏極金屬層上形成光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝后，在光刻膠層上定義出源/漏極圖形以及在短路棒區(qū)域I定義出柵金屬層與源/漏極金屬層的電連接圖形，曝露出焊盤區(qū)III。以光刻膠層為掩膜，刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)II形成源/漏極212a，在短路棒區(qū)域I使源/漏極金屬層212b與柵金屬層204a的連接，去除焊盤區(qū)III的全部源/漏極金屬層。 參考圖12，在整個(gè)襯底區(qū)域涂覆光刻膠層，采用光刻技術(shù)，在像素單元區(qū)II定義出溝道圖形；以光刻膠層為掩膜，沿溝道圖形刻蝕摻雜n型離子非晶硅層207a和部分非晶硅層206a，在像素單元區(qū)II形成溝道區(qū)域。 如圖13所示，用物理氣相沉積法在像素單元區(qū)II的柵極絕緣層202及源/漏極212a上，在短路棒區(qū)域I的柵極絕緣層202和源/漏極金屬層212b上，在焊盤區(qū)III的柵 極絕緣層202和源/漏極金屬層212c上形成鈍化層214，所述鈍化層214的厚度為1000 埃 6000埃，材料為氮化硅。 另一實(shí)施例，用物理氣相沉積法在像素單元區(qū)II的柵極絕緣層202及源/漏極 212a上，在短路棒區(qū)域I的柵極絕緣層202和源/漏極金屬層212b上，在焊盤區(qū)III的柵 極絕緣層202和柵金屬層204a上形成鈍化層214。 繼續(xù)參考圖13，在像素單元區(qū)II的源極或漏極位置的鈍化層214中形成露出源極 或漏極的接觸孔213。 形成接觸孔213具體工藝為在鈍化層214上旋涂光刻膠層，在曝光工藝中，將光 掩膜版上的接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠層上，以光刻膠層為掩膜，干法刻蝕鈍化層214，在像 素單元區(qū)II的源極或漏極上形成接觸孔213。 再參考圖13，對鈍化層214進(jìn)行清洗，以去除其上面的雜質(zhì)；然后，用物理氣相沉 積法在鈍化層214及接觸孔213內(nèi)壁形成像素電極層，所述像素電極層的材料為銦錫氧化 物。 如圖13所示，于像素電極層上旋涂光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝，在像素單元區(qū) II定義像素電極圖形，在焊盤區(qū)III露出焊盤接觸孔；以光刻膠層為掩膜，沿像素電極圖形 刻蝕像素電極層至露出鈍化層214，即去除像素電極圖形和焊盤區(qū)接觸孔以外的像素電極 層，在像素單元區(qū)II形成像素電極216a，在焊盤區(qū)III的接觸孔內(nèi)保留像素電極層216b。
另一實(shí)施例，于像素電極層上旋涂光刻膠層，經(jīng)過曝光顯影工藝，在像素單元區(qū) II定義像素電極圖形；以光刻膠層為掩膜，沿像素電極圖形刻蝕像素電極層至露出鈍化層 214，即去除像素電極圖形以外的像素電極層，在像素單元區(qū)II形成像素電極216a。
參考圖13，基于上述實(shí)施例形成的液晶顯示器基板包含焊盤區(qū)ni、像素單元區(qū) II和短路棒區(qū)域I。 其中，所述短路棒區(qū)域I包括位于襯底200上的柵金屬層204a、覆蓋所述柵金屬層 204a的柵極絕緣層202、貫穿柵極絕緣層202且露出柵金屬層204a的接觸孔210a、位于接 觸孔210a內(nèi)壁和柵極絕緣層202的源/漏極金屬層212b以及覆蓋所述源/漏極金屬層和 柵極絕緣層202的鈍化層214。 具體地，所述源/漏極金屬層212b與柵金屬層204a電連接。 所述像素單元區(qū)II包括位于襯底200上的柵極204b、覆蓋所述柵極204b的柵極 絕緣層202、位于柵極絕緣層202上且與柵極204b位置對應(yīng)的非晶硅層206a、位于非晶硅 層206a上的摻雜n型離子非晶硅層207a、位于摻雜n型離子非晶硅層207a及柵極絕緣層 202上的源/漏極212a、位于所述源/漏極212a和柵極絕緣層202上的鈍化層214、貫穿鈍 化層214且與源極或漏極連通的接觸孔213、位于鈍化層214上及接觸孔213內(nèi)壁的像素電 極216a。其中，所述非晶硅層206a及其上的摻雜n型離子非晶硅層207a形成非晶硅復(fù)合 層。 所述焊盤區(qū)III包括位于襯底200上的柵金屬層204a、覆蓋所述柵金屬層204a 的柵極絕緣層202、貫穿柵極絕緣層202且露出柵金屬層204a的接觸孔210b、位于接觸孔 210b內(nèi)壁和部分柵極絕緣層202上的源/漏極金屬層212c、位于源/漏極金屬層212c所 在區(qū)域以外的鈍化層214、以及覆蓋源/漏極金屬層212c的像素電極層216b。
其中，所述柵金屬層204a和柵極204b的材料可以為鋁或鋁合金，其厚度可以為 2000 ±矣 4000埃。 所述源/漏極金屬層的材料可以是鉬，厚度可以為500埃 2000埃。
本發(fā)明中所述像素電極的材料均可以為銦錫氧化物。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種液晶顯示器基板的形成方法，包括在襯底上的短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)形成柵金屬層，在像素單元區(qū)形成柵極；在襯底上依次形成覆蓋柵金屬層和柵極的柵極絕緣層和非晶硅復(fù)合層；刻蝕短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)的非晶硅復(fù)合層和柵極絕緣層至露出柵金屬層，形成短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔；刻蝕非晶硅復(fù)合層，保留像素單元區(qū)柵極對應(yīng)位置非晶硅復(fù)合層；在柵極絕緣層、非晶硅復(fù)合層上及短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)形成源/漏極金屬層；刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)形成源/漏極和導(dǎo)電溝道，在短路棒區(qū)域使柵極金屬層和源/漏極金屬層電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述刻蝕源/漏極金屬 層，包括刻蝕去除所述焊盤區(qū)的所有源/漏極金屬層。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述刻蝕源/漏極金 屬層，包括保留所述焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的源/漏極金屬層。
4. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，刻蝕源/漏極金屬層 后還包括步驟在源/漏極金屬層、柵極絕緣層及柵金屬層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的 柵金屬層；在源/漏極金屬層、柵金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在像素單 元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)刻蝕去除全部像素電極層。
5. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，刻蝕源/漏極金屬層 后還包括步驟在源/漏極金屬層、柵極絕緣層及柵金屬層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的 柵金屬層；在源/漏極金屬層、柵金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在像素單 元區(qū)形成像素電極，在焊盤區(qū)保留接觸孔內(nèi)的像素電極層。
6. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，刻蝕源/漏極金屬層 后還包括步驟在源/漏極金屬層、柵極絕緣層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的 源/漏極金屬層；在源/漏極金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在像素單元區(qū)形成像 素電極，在焊盤區(qū)刻蝕去除全部像素電極層。
7. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，刻蝕源/漏極金屬層 后還包括步驟在源/漏極金屬層、柵極絕緣層上形成鈍化層；刻蝕像素區(qū)域和焊盤區(qū)的鈍化層，露出像素單元區(qū)的源極或漏極和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)的源/漏極金屬層；在源/漏極金屬層和鈍化層上形成像素電極層后，對其進(jìn)行刻蝕在像素單元區(qū)形成像 素電極，在焊盤區(qū)保留接觸孔內(nèi)的像素電極層。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述源/ 漏極金屬層的材料為鉬。
9. 如權(quán)利要求8所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述源/漏極金屬層的 厚度為500埃 2000埃。
10. 如權(quán)利要求9所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，形成源/漏極金屬層 的方法為物理氣相沉積法。
11. 如權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述像 素電極層的材料為銦錫氧化物。
12. 如權(quán)利要求1所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述柵極和柵極金屬 層為單層結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求IO所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述柵極和柵金屬 層的材料為鋁或鋁合金。
14. 如權(quán)利要求11所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述柵極和柵金屬 層的厚度為2000埃 4000埃。
15. 如權(quán)利要求1所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述非晶硅復(fù)合層由 非晶硅層和摻雜n型離子非晶硅層層疊而成。
16. 如權(quán)利要求1所述液晶顯示器基板的形成方法，其特征在于，所述形成短路棒區(qū)接 觸孔和焊盤區(qū)接觸孔之前還包括步驟在非晶硅復(fù)合層上形成光刻膠層；在像素單元區(qū)采用半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)光罩，對光刻膠層進(jìn)行曝光，經(jīng)過顯影后，形成與柵極位 置對應(yīng)的島狀圖形；在短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)采用常規(guī)光罩，對光刻膠層進(jìn)行曝光顯影后，形 成接觸孔圖形。
17. —種液晶顯示器基板，包含像素單元區(qū)、焊盤區(qū)和短路棒區(qū)域，所述像素單元區(qū)包 括開關(guān)元件和像素電極，所述開關(guān)元件包括柵極、源極和漏極，所述焊盤區(qū)包括焊盤區(qū)接觸 孔，所述短路棒區(qū)域包括短路棒區(qū)接觸孔，所述焊盤區(qū)接觸孔和所述短路棒區(qū)接觸孔均位 于柵金屬層上，其特征在于，所述短路棒區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有直接和柵金屬層電連接的源/ 漏極金屬層。
18. 如權(quán)利要求17所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述焊盤區(qū)接觸孔曝露出柵金屬層。
19. 如權(quán)利要求17所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有 和柵金屬層連接的源/漏極金屬層。
20. 如權(quán)利要求19所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有 和柵金屬層連接的源/漏極金屬層，在源漏極金屬層上形成有像素電極層。
21. 如權(quán)利要求17所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)壁形成有 和柵金屬層連接的像素電極層。
22. 如權(quán)利要求21所述液晶顯示器基板，其特征在于，其特征在于，所述源/漏極金屬層的材料為鉬。
23. 如權(quán)利要求22所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述源/漏極金屬層的厚度為 500埃 2000埃。
24. 如權(quán)利要求17所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述柵極和柵極金屬層為單層 結(jié)構(gòu)。
25. 如權(quán)利要求24所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述柵極和柵金屬層材料為鋁 或鋁合金。
26. 如權(quán)利要求24所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述柵極和柵金屬層的厚度為 2000 ±矣 4000埃。
27. 如權(quán)利要求20所述液晶顯示器基板，其特征在于，所述像素電極層的材料為銦錫 氧化物。
28. —種包括權(quán)利要求17至27中任一項(xiàng)所述液晶顯示器基板的液晶顯示器。
全文摘要
一種液晶顯示器、液晶顯示器基板及其形成方法。其中液晶顯示器基板的形成方法，包括在襯底上的短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)形成柵金屬層，在像素單元區(qū)形成柵極；在襯底上依次形成覆蓋柵金屬層和柵極的柵極絕緣層和非晶硅復(fù)合層；刻蝕短路棒區(qū)域和焊盤區(qū)的非晶硅復(fù)合層和柵極絕緣層至露出柵金屬層，形成短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔；刻蝕非晶硅復(fù)合層，保留像素單元區(qū)柵極對應(yīng)位置非晶硅復(fù)合層；在柵極絕緣層、非晶硅復(fù)合層上及短路棒區(qū)接觸孔和焊盤區(qū)接觸孔內(nèi)形成源/漏極金屬層；刻蝕源/漏極金屬層，在像素單元區(qū)形成源/漏極和導(dǎo)電溝道，在短路棒區(qū)域使柵極金屬層和源/漏極金屬層電連接。本發(fā)明提高了器件的可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量分析的效率。
文檔編號H01L21/768GK101770982SQ20091004497
公開日2010年7月7日 申請日期2009年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月4日
發(fā)明者張容, 張根夏 申請人:上海天馬微電子有限公司