專(zhuān)利名稱(chēng)：：Mcm封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及多芯片模塊(MCM)集成電路封裝，且更具體地涉及具有改進(jìn)的熱控制的集成無(wú)源器件(IPD)封裝。
背景技術(shù)：
：工業(yè)上降低MCM封裝尺寸的努力持續(xù)取得進(jìn)展。隨著光刻設(shè)計(jì)規(guī)則不斷地顯著縮小，IC芯片面積的縮小已經(jīng)顯著減小。已經(jīng)很難獲得減小MCM封裝厚度的可比較的結(jié)果。IPD封裝通常存在特殊情況。IPD/RF封裝技術(shù)的尺寸減小滯后于ICMCM封裝之后一個(gè)階段。這部分地是由于IPD基板所固有的較大尺寸而導(dǎo)致的。IPD封裝還受到RF和IPD子組件中存在模擬部件以及需要考慮雜散電磁效應(yīng)的影響。由此，如通常在晶體管ICMCM封裝中所做的那樣將IPD與其他電路元件層疊受到了限制。例如，在美國(guó)專(zhuān)利No.5，869，894中描述了包含RF芯片的MCM集成電路封裝。其中所述的MCM結(jié)構(gòu)證明了對(duì)MCM封裝的厚度限制的一個(gè)方面。RF芯片位于相對(duì)較大的IC主芯片和基板之間的升起部分(stand-off)中，其中IC主芯片例如是邏輯芯片的存儲(chǔ)器。RF芯片接合到主芯片，二者被倒裝地接合到基板上。這種配置可以使RF芯片的接地面方便地直接互連到基板上的接地面。為了提供所需的升起部分，使用中間互連基板。然而，以當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看這種封裝整體仍然較大。期望進(jìn)一步減小封裝厚度。當(dāng)層疊到疊層MCM中的RF芯片例如是PF功率放大器芯片時(shí)遇到了特殊的問(wèn)題。這些芯片產(chǎn)生大量熱量，將這些芯片插入有限空間中會(huì)引起熱量管理問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容已經(jīng)研發(fā)了一種改進(jìn)的RF/IPD封裝，其具有顯著減小的厚度并具有改進(jìn)的熱量定制。該改進(jìn)的封裝實(shí)施例一般如下所述。IPD基板貼附到系統(tǒng)基板上。將非常薄的RF芯片安裝到IPD基板和系統(tǒng)基板之間的升起部分中。在RF芯片的頂部和IPD基板的底部之間制造RF互連。非常薄的RF芯片需要用于熱量散發(fā)的非常規(guī)部件。根據(jù)本發(fā)明，在RF芯片和系統(tǒng)基板之間提供散熱器。散熱器還可以用作接地面連接。根據(jù)本發(fā)明專(zhuān)門(mén)安裝到IPD上的非常薄的RF芯片的組合表示一個(gè)子組件。在優(yōu)選實(shí)施例中該子組件是RF/IPD的組合。然而，根據(jù)這些教導(dǎo)可以制造RF/IC、IC/IPD或IC/IC的組合。圖1是常規(guī)配置中疊層MCM的示意圖2是類(lèi)似于圖1的圖，但其示出了本發(fā)明的技術(shù)先進(jìn)性；以及圖3-9示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的組件制造的典型步驟；圖10-13示出了制備系統(tǒng)基板并使用圖9的組件組裝完整的RF/IPD封裝的步驟。具體實(shí)施例方式參考圖1，示出了常規(guī)的疊層MCM，其包括基板ll,利用焊料凸塊13將中間互連基板(IIS)12接合到基板。第一MCMIC芯片14安裝到IIS的頂部并利用焊料凸塊15貼裝。示出了第二MCMIC芯片16占據(jù)第一MCMIC芯片14和基板11之間的空間。IC芯片的底部和基板11之間的空間被稱(chēng)為升起空間并在圖中具有高度s。升起空間的高度很重要。需要足夠的高度以便在該空間沖容納IC芯片。在圖l的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)IIS12建立升起空間。在升起空間中安裝IC部件的典型的疊層MCM封裝具有一個(gè)或多個(gè)IIS元件以8建立升起部分。當(dāng)器件尺寸縮小時(shí)，升起部分減小。這使得用于為封裝提供足夠升起部分的一個(gè)或多個(gè)IIS元件的角色更加重要了，其中所述封裝利用了所述升起部分的空間用于安裝額外的IC元件。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的RF/IPD封裝。如先前所提議的，優(yōu)選實(shí)施例包括RF/IPD組合，該組合被用作IPD/IC和IC/IC更廣泛類(lèi)別的示例。在本文中，術(shù)語(yǔ)"集成器件"用于包括IC器件和IPD器件。如圖所示的，IPD器件24通過(guò)焊料凸塊23直接貼附于系統(tǒng)基板21。IPD器件基板可以是層壓板、陶瓷、硅或其他適當(dāng)材料?；?1可以是單級(jí)或多級(jí)互連基板，例如，單級(jí)或多級(jí)印刷電路板。圖中示出了基板的剖面部分來(lái)表示基板可以是系統(tǒng)基板，并且顯著大于IPD器件以容納多個(gè)IPD和IC器件。RFIC芯片26利用焊料凸塊27被貼附于IPD器件24。雖然附圖中的圖不是按比例的，但應(yīng)當(dāng)意識(shí)到圖2的結(jié)構(gòu)中的升起部分空間很小，如此小以至于不能容納常規(guī)結(jié)構(gòu)的額外芯片。這很大程度上是由于省略了IIS。為了在升起部分空間中安裝IC芯片，IC芯片26非常薄。然而，不以圖1所示的方式在升起部分安裝，其中圖l所示的方式是升起部分S在RFIC芯片16和基板11之間提供了間隙。取代地，在RF芯片26和基板之間提供間隙，IC芯片通過(guò)焊料連接28貼附于基板。在本實(shí)施例中，IC芯片26是RF功率芯片，例如，功率放大器，其產(chǎn)生大量電磁噪聲和熱量。在所示的結(jié)構(gòu)中，焊料連接28用作RF芯片26的散熱器。它還將RF芯片接合到基板上的接地面。在如此處所述的倒裝片結(jié)構(gòu)中，通常使用環(huán)氧填料填充芯片和系統(tǒng)基板之間的間隙，主要用于提升封裝的物理完整性。然而，在圖2所示的結(jié)構(gòu)中，散熱器28提供了相當(dāng)于填料的功能，且不需要額外的填料。但是，在很多情況中，為了整體結(jié)構(gòu)的完整性，還需要額外的填料。由上述內(nèi)容明顯可知，IPD基板應(yīng)當(dāng)顯著大于RFIC芯片以便提供在IPD基板和系統(tǒng)基板之間提供直接互連的空間。圖3-6示出了類(lèi)似于圖2的疊層RF/IPD封裝的制造次序。在該次序中，優(yōu)選實(shí)施例使用倒裝片組裝技術(shù)。分別制備層疊的RF芯片/IPD子組件以及基板，然后將層疊的RF/IPD子組件倒裝接合到基板。可以使用其他適合的選擇。圖3示出了具有RF功率芯片31的IPD器件33，其中RF功率芯片31通過(guò)焊料連接32貼附于IPD器件的表面。部件31和33通常都配置有接合焊盤(pán)和下凸塊金屬。下凸塊金屬(UBM)是公知的。它為焊料互連提供堅(jiān)固的、可浸潤(rùn)的(wettable)、無(wú)腐蝕的界面。為了簡(jiǎn)化起見(jiàn)，在本說(shuō)明中，沒(méi)有示出接合焊盤(pán)和UBM。但是，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在此描述的焊料連接具有可靠的焊料連接所需的常規(guī)部件。如圖所示，散熱層34應(yīng)用在RF芯片的背面。在適當(dāng)情況下，散熱層還可以用作用于倒裝接合的金屬化層。如本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的，散熱金屬應(yīng)當(dāng)直接應(yīng)用到半導(dǎo)體上，并且應(yīng)當(dāng)在應(yīng)用散熱層之前去除在工藝期間已經(jīng)生長(zhǎng)或淀積的任何氧化物或自然形成的氧化物。但是，如果芯片不是RF芯片，或者如果不需要散熱金屬作為接地面接觸，則其他結(jié)構(gòu)也是可以的。例如，在一些情況下芯片的頂層。優(yōu)選的是，將散熱層在晶片階段應(yīng)用到芯片上，其可以在晶片制造次序中的任何常規(guī)時(shí)間處應(yīng)用。用于散熱層的材料可以是任何適當(dāng)?shù)臒醾鲗?dǎo)材料，例如，Au、Au-Sn、Cr/CrCu/Cu、TiPdAu、Al、Ag畫(huà)Sn、Ag-Sn-Cu等等。由于便于直接焊接到基板上的散熱層，因此諸如TiPdAu的焊料浸潤(rùn)性?xún)?yōu)越的金屬是優(yōu)選的。IPD基板的典型厚度(高度)是100-350微米，優(yōu)選小于250微米，更優(yōu)選小于200微米。RF功率芯片31通常為50-300孩i米厚，優(yōu)選小于100微米且最佳的是小于75微米。可以使用現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容制造具有小于IOO微米厚度的IC芯片，在很多情況下為IC芯片減薄技術(shù)。圖4示出了將焊料凸塊43應(yīng)用到基板上的接合焊盤(pán)(未示出)。焊料優(yōu)選是無(wú)鉛合金，例如Aii-Sn或Ag-Sn。為了熱傳導(dǎo)性和高導(dǎo)電10性而進(jìn)行選擇。優(yōu)選為金、銀和銅合金。焊料凸塊43可以用通常術(shù)語(yǔ)接合體來(lái)描述，且接合體的尺寸很大程度上決定IPD基板底表面和系統(tǒng)基板頂表面之間的升起部分。如上所述，接合體形成在接合焊盤(pán)和UBM之上。為了增大升起部分，可以增大接合體之下的接合焊盤(pán)和/或UBM的厚度。為了相同的目的，可以增加導(dǎo)電間隔物。接合體可以采用各種結(jié)構(gòu)。上面已經(jīng)提過(guò)焊料?？梢圆捎媒饘僦驁A柱且可以通過(guò)任何適當(dāng)?shù)姆椒ㄐ纬?。其他可選的(結(jié)構(gòu))在圖5A和5B中示出。在圖5A中，金線接合貼附到IPD表面。IPD表面通常將承栽一系列接合焊盤(pán)(未示出)。在典型的引線接合中，金線的端部通過(guò)電弧焊接貼附于一個(gè)表面。這導(dǎo)致形成金凸塊46。其余的金線示出為47，其從金凸塊46伸出。另一端部通常貼附于另一接合焊盤(pán)。但是，可以切斷引線而留下金凸塊46。以此方式制造的金凸塊可以用于將RF/IPD子組件貼附于系統(tǒng)板。貼附方法可以是熱壓接合或者可以采用金合金焊料。如上所示，對(duì)于接合體的材料和結(jié)構(gòu)存在更廣泛的選擇。圖6-9示出了特別有用的步驟次序。這種次序的一般目的是制造RF芯片和IPD的堅(jiān)固子組件。該子組件對(duì)于系統(tǒng)集成者來(lái)說(shuō)可以作為單元部件制造并出售。圖6示出了沒(méi)有接合體43的圖4的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)覆蓋有聚合物層61。該層可以用作完成的子組件中的填料。優(yōu)選選擇層61的厚度以便使散熱層34的表面保持被露出。層61的材料可以是任何合適的預(yù)聚合物材料。其可以是可光分解(photodefinable)的聚合物，例如光敏聚丙烯酸酯(polyacrylate)或光敏聚酰胺。其可以是各種光致抗蝕劑中的一種。然后將層61通過(guò)光分解被構(gòu)圖以制造圖7所示的結(jié)構(gòu)。在圖7中，用于接合體的位置以63表示?？蛇x地，如果聚合物層61不是可光分解的，則可以通過(guò)激光打孔、通過(guò)光致抗蝕劑和刻蝕、或者通過(guò)任何合適的方法形成開(kāi)口63。圖8示出了用焊料漿65填充的用于接合體的開(kāi)口。圖9示出了回流后的接合體66。圖4-9示出了優(yōu)選實(shí)施例，其中將IPD器件24(圖2)貼附于基板21的焊料部件形成在IPD子組件上。為了這種貼附可以使用各種貼附方法。焊料凸塊可以被配置在基板上?；蛘邔⒑噶鲜┘佑诨搴虸PD子組件。優(yōu)選方法如上所述，其中焊料凸塊被配置在IPD子組件上，在制備時(shí)與施加到基板的焊料漿相結(jié)合以用于最終的組裝。后者在圖10-13中示出。圖IO示出了倒裝接合之前的基板。導(dǎo)電通道(runner)67和68形成IPD的互連。焊盤(pán)69表示基板11上的散熱層。散熱層還可以用作電路的一部分，例如，用于系統(tǒng)板的公共地的接地面連接。優(yōu)選的是散熱層69與接合焊盤(pán)67和68位于相同的層上，但可選結(jié)構(gòu)也是有效的。將這些元件設(shè)置在相同層上方便了所示的倒裝接合結(jié)構(gòu)，其中RF芯片上的散熱層和系統(tǒng)基板上的散熱層之間的接合與IPD基板電連接到系統(tǒng)板同時(shí)完成。如圖所示，散熱層69優(yōu)選與RF芯片的覆蓋區(qū)(footprint)大致具有相同的范圍，以便提供有效的散熱器。在散熱層用作接地面互連的情況下，其可以通過(guò)表面通道與其他電路連接，或者通過(guò)層間栓塞連接到多級(jí)互連基板中的下層處的接地面。圖11和12示出了制備系統(tǒng)基板用于將RF/IPD子組件組裝到系統(tǒng)基板的一個(gè)實(shí)施例。圖11示出了焊料掩模層71，其覆蓋除IPD互連位置73和散熱器貼附位置74之外的系統(tǒng)基板的示出部分的表面。圖12示出了焊料漿75，其施加于包括IPD互連位置75和散熱器貼附位置77的基板表面。在這個(gè)階段中，圖9的RP/IPD子組件可以倒裝放置在圖12的系統(tǒng)基板和回流的焊料上以便有效貼附。圖13中示出了完成的組件。圖13示出了倒裝接合到系統(tǒng)基板11的層疊的RF/IPD子組件。RF芯片31上的散熱層34接合到基板11上的用于散熱的散熱層69。雖然圖13所示的組件具有預(yù)先制造填料的優(yōu)點(diǎn)，但如果需要，也可以提供額外的填料。上面描述了用于倒裝接合的技術(shù)和接合構(gòu)成作為許多選擇的示例?？蛇x地，接合可以包括大焊料凸塊或球的簡(jiǎn)單陣列。例如導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂等可以替代一種或多種接合。在此，接合本身可以指接合體，且在此處描述的實(shí)施例中，接合體具有約等于RFIC芯片厚度(包括RFIC芯片上的散熱層)的厚度。附圖示出了倒裝制造的次序，依據(jù)所述次序，將焊料施加于RF/IPD芯片組件并通過(guò)回流焊料到RF/IPD芯片組件上從而將RF/IPD芯片組件貼附于系統(tǒng)基板?？蛇x地，可以首先將焊料施加于系統(tǒng)基板上的選定位置，并通過(guò)回流焊料到系統(tǒng)基板上從而將RF/IPD芯片組件貼附于系統(tǒng)基板。如剛才所述，可以使用其他組裝方法。例如，雖然在最終的組件中將RF芯片貼附于基板，但可以在開(kāi)始時(shí)就將其貼附于基板，而不是如圖3所示最初焊接到IPD器件。但是，以上詳細(xì)描述的步驟次序是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。如所指出的，這產(chǎn)生了其本身是商業(yè)產(chǎn)品的中間產(chǎn)品。這種組裝次序的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可以在安裝到系統(tǒng)基板上之前完全地測(cè)試RF芯片和IPD的組裝結(jié)合。這不是將RF芯片首先貼附于系統(tǒng)基板的次序的情況。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，很顯然當(dāng)IPD器件接合到系統(tǒng)基板時(shí)，RF芯片和接合層的尺寸，特別是厚度，應(yīng)當(dāng)使RF芯片散熱層的表面幾乎接觸系統(tǒng)板的散熱層。因此，為了實(shí)現(xiàn)那種結(jié)果，焊料連接(圖4中的43)的高度應(yīng)當(dāng)大致與RF芯片的厚度加上散熱層34的厚度相同。同樣出于說(shuō)明本發(fā)明的目的，特別是在RF芯片互連到IPD器件的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本發(fā)明，RF芯片具有其中形成了IC的電路側(cè)和具有散熱層的散熱側(cè)。當(dāng)RF芯片倒裝接合到IPD器件時(shí)，電路側(cè)接合到IPD器件，且散熱層的表面被暴露。IPD器件也"顛倒"(upsidedown)地接合到系統(tǒng)基板，以便當(dāng)IPD器件貼附于系統(tǒng)基板時(shí)RF芯片暴露的散熱層表面鄰近系統(tǒng)基板上的散熱層，從而能夠得到它們之間的直接接合。在所述優(yōu)選實(shí)施例中，安裝在升起部分空間中的IC器件是RF功率IC芯片且RF芯片貼附的基板是IPD基板。可選地，大基板可以是半導(dǎo)體IC芯片，例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器或邏輯芯片。這些IC芯片與其他IC芯片特別是IC功率芯片的組合具有潛在的吸引力。如先前所提及的，所有這些選擇都意在被涵蓋在如下系統(tǒng)中，即，大基板作為集成器件的基板且安裝在升起部分中較小器件是IC芯片。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將出現(xiàn)本發(fā)明的各種其他變形。如所描述和要求的，所有基本上依賴(lài)于已經(jīng)超越現(xiàn)有技術(shù)的上述原理及其等同物的偏離本說(shuō)明書(shū)具體教導(dǎo)的內(nèi)容都被恰當(dāng)?shù)匾暈槁淙朐诒景l(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、一種電子封裝，包括a.系統(tǒng)基板，具有系統(tǒng)基板互連位置陣列和散熱層，b.集成器件基板，具有i.適于互連到IC芯片的集成器件互連位置的第一陣列，ii.集成器件基板上互連位置的第二陣列，其位于集成器件基板的與集成器件互連位置的所述第一陣列相同的一側(cè)上，互連位置的所述第二陣列適于與所述系統(tǒng)基板互連位置互連，c.IC芯片，包括芯片的IC電路側(cè)和芯片的散熱側(cè)，并具有IC芯片的IC電路側(cè)上的IC芯片互連位置陣列以及IC芯片的散熱側(cè)上的散熱層，通過(guò)接合到集成器件互連位置的第一陣列的IC芯片互連位置陣列，將所述IC芯片倒裝接合到集成器件基板上，本發(fā)明特征在于，集成器件基板通過(guò)接合到系統(tǒng)基板互連位置的互連位置的第二陣列直接貼附于系統(tǒng)基板，且IC芯片上的散熱層和系統(tǒng)基板上的散熱層接合在一起。2、根據(jù)權(quán)利要求1的電子封裝，其中集成器件包括IPD基板且IC芯片是RFIC芯片。3、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中IPD互連位置的第二陣列通過(guò)具有厚度^的焊接體接合到系統(tǒng)基板互連位置。4、根據(jù)權(quán)利要求3的電子封裝，其中RF芯片具有厚度t2，且t2約等于ti。5、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中RF芯片的厚度小于300微米。6、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中RF芯片的厚度小于100微米。7、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中IPD基板的厚度小于350微米。8、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中IPD基板的厚度小于250微米。9、根據(jù)權(quán)利要求2的電子封裝，其中IPD基板通過(guò)接合體直接貼附于系統(tǒng)基板，該接合體是從由金球、無(wú)鉛焊料和導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的組中選出的。10、根據(jù)權(quán)利要求9的電子封裝，其中接合體是從由金合金和銀合金構(gòu)成的組中選出的無(wú)鉛焊料。11、一種制造電子封裝的方法，包括如下步驟a.將IC芯片倒裝接合到集成器件基板，b.將集成器件基板接合到系統(tǒng)基板，c.在IC芯片和系統(tǒng)基板之間形成散熱器。12、根據(jù)權(quán)利要求ll的方法，其中集成器件包括IPD基板且IC芯片是RFIC芯片。13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中IPD基板通過(guò)接合體接合到系統(tǒng)基板，該接合體是從由金球、無(wú)鉛焊料和導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的組中選出的，所述接合體具有厚度^。14、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中RF芯片具有厚度t2，且t2約等于tla15、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中IPD基板具有第一側(cè)，RF芯片接合到所述第一側(cè)，且其中IPD基板通過(guò)位于所述第一側(cè)上的焊料體接合到系統(tǒng)基板。16、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，包括如下步驟，在RF芯片上形成第一散熱層、在系統(tǒng)基板上形成第二散熱層、以及將第一散熱層與第二散熱層接合在一起。17、根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中第一散熱層通過(guò)焊料接合到第二散熱層。18、根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中接合體是無(wú)鉛焊料，且無(wú)鉛焊料包括金或銀合金。19、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中RF芯片具有小于IOO微米的厚度。20、制造RF/IPD封裝的方法，包括如下步驟a.形成系統(tǒng)基板，其具有系統(tǒng)基板互連位置陣列和散熱層，b.形成集成無(wú)源器件(IPD)基板，具有i.適于互連到RF芯片的IPD互連位置的第一陣列，ii.位于IPD基板上的IPD互連位置的第二陣列，其位于互連基板的與基板互連位置的所述第一陣列相同的一側(cè)上，所述IPD互連位置的所述第二陣列適于與所述系統(tǒng)基板互連位置互連，c.將RF芯片倒裝接合到IPD基板，所述RF芯片具有芯片的RF電路側(cè)和芯片的散熱側(cè)，并具有RF芯片的RF電路側(cè)上的RF芯片互連位置陣列和RF芯片的散熱側(cè)上的散熱層，通過(guò)接合到IPD互連位置的第一陣列的RF芯片互連位置陣列將所述RF芯片倒裝接合到IPD基板，d.通過(guò)接合到系統(tǒng)基板互連位置陣列的IPD基板上的IPD互連位置的第二陣列，將IPD基板直接接合到系統(tǒng)基板，以及e.將RF芯片上的散熱層和系統(tǒng)基板上的散熱層接合在一起。21、一種RF/IPD封裝子組件，包括a.IPD基板，具有i.適于互連到RF芯片的IPD互連位置的第一陣列，ii.位于IPD基板上的IPD互連位置的第二陣列，其位于互連基板的與基板互連位置的所述第一陣列相同的一側(cè)上，IPD互連位置的所述笫二陣列適于與所述系統(tǒng)基板互連，iii.貼附于IPD互連位置的第二陣列的接合體陣列，所述接合體陣列具有厚度tl,b.具有厚度t2的RF芯片，其中^和t2大致相等，RF芯片包括芯片的RF電路側(cè)和芯片的散熱側(cè)，并具有RF芯片的RF電路側(cè)上的RF芯片互連位置陣列和RF芯片的散熱側(cè)上的散熱層，通過(guò)接合到IPD互連位置的第一陣列的RF芯片互連位置陣列將所述RF芯片倒裝接合到IPD基板。O22、根據(jù)權(quán)利要求21的RF/IPD封裝子組件，其中接合體是從由金球、無(wú)鉛焊料和導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的組中選出的。23、根據(jù)權(quán)利要求22的RF/IPD封裝子組件，其中接合體是從由金合金和銀合金構(gòu)成的組中選出的無(wú)鉛焊料。24、制造RF/IPD封裝子組件的方法，包括如下步驟a.形成集成無(wú)源器件(IPD)基板，其具有i.適于互連到RF芯片的IPD互連位置的第一陣列，ii.位于IPD基板上的IPD互連位置的第二陣列，其位于互連基板的與基板互連位置的所述第一陣列相同的一側(cè)上，IPD互連位置的所述第二陣列適于與系統(tǒng)基板互連，iii.貼附于IPD互連位置的第二陣列的接合體陣列，所述接合體陣列具有厚度tnb.將RF芯片倒裝接合到IPD基板，RF芯片具有厚度t2，其中^和t2大致相等，RF芯片具有芯片的電路側(cè)和芯片的散熱側(cè)，并具有RF芯片的RF電路側(cè)上的RF芯片互連位置陣列和RF芯片的散熱側(cè)上的散熱層，通過(guò)接合到IPD互連位置的第一陣列的RF芯片互連位置陣列將RF芯片倒裝接合到IPD基板。25、根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中通過(guò)執(zhí)行步驟a.i、a.ii和b.來(lái)形成IPD基板，且隨后執(zhí)行步驟a.iii,且通過(guò)如下方法執(zhí)行步驟a.iii:c.以暴露RF芯片的表面的厚度在IPD基板上施加聚合物層，d.在聚合物層中形成開(kāi)口，以及e.在開(kāi)口中進(jìn)行步驟a.iii。全文摘要本發(fā)明涉及多芯片模塊MCM封裝。描述了一種具有改進(jìn)的熱管理的RF/IPD封裝。IPD基板通過(guò)安裝于IPD基板和系統(tǒng)基板之間的升起部分中的薄RF芯片貼附于系統(tǒng)基板上。在RF芯片的頂部和IPD基板的底部制造RF互連。通過(guò)將RF芯片上的散熱層接合到系統(tǒng)基板上的散熱層提供散熱。散熱層還用作接地面連接。利用此方法可以制造其他類(lèi)型集成器件的組合。文檔編號(hào)H01L23/36GK101599486SQ200910003600公開(kāi)日2009年12月9日申請(qǐng)日期2009年1月20日優(yōu)先權(quán)日2008年1月22日發(fā)明者Y·德加尼,孫昆泉,孫立國(guó),查利·春雷·高,宇范申請(qǐng)人:賽騎有限公司