專利名稱：發(fā)光半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種發(fā)光裝置，且特別是有關于一種發(fā)光半導體裝置。
背景技術：
圖1為一種習知發(fā)光二極管的結構示意圖。請參考圖l，發(fā)光二極管100包括一 n型半導體層110、一發(fā)光層120、一 p型半導體層130、多個反射層140以及多個電極150。 發(fā)光層120位于n型半導體層110的部分區(qū)域上，且p型半導體層130位于發(fā)光層120之 上。n型半導體層110可以是多層的n型半導體材料結構，而p型半導體層130亦可以是多 層的p型半導體材料結構。反射層140位于n型半導體層110內(nèi)，如圖l所示。另外，電極 150分別配置于n型半導體層110與p型半導體層130的表面110a及130a上以分別電性 連接n型半導體層110與p型半導體層130。 習知發(fā)光二極管100屬于一種水平式發(fā)光二極管的疊層結構，且發(fā)光二極管100 的n型半導體層110內(nèi)配置有多個反射層140。因此，當發(fā)光二極管100被驅(qū)動時而發(fā)光 時，位于n型半導體層llO內(nèi)的反射層140便適于反射內(nèi)部所產(chǎn)生的光線，藉以提高發(fā)光二 極管100的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種發(fā)光半導體裝置，其包括一發(fā)光結構、一反射結構以及一載體。發(fā) 光結構至少具有一第一型半導體層、一發(fā)光層以及一第二型半導體層。發(fā)光層位于第一型 半導體層與第二型半導體層之間。反射結構具有一第一透明導電層、一第一圖案化反射層、 一第二透明導電層以及一第二圖案化反射層。第一圖案化反射層位于第一透明導電層與第 二透明導電層之間。第一圖案化反射層具有至少一開口以使第一透明導電層與第二透明導 電層實體上連接。第二透明導電層位于第一圖案化反射層與第二圖案化反射層之間。第二 圖案化反射層位于大體上相應于開口的區(qū)域上。發(fā)光結構與載體分別位于反射結構的兩 在本發(fā)明的一實施例中，第一圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層。絕緣
層至少位于金屬層與第一透明導電層之間或金屬層與第二透明導電層之間。 在本發(fā)明的一實施例中，第二圖案化反射層包括一金屬層與至少一絕緣層。絕緣
層位于金屬層與第二透明導電層之間或金屬層與載體之間。 在本發(fā)明的一實施例中，第一圖案化反射層與第二圖案化反射層中至少其一包括 一分布式布 立格反身寸器(distributed Bragg reflector ;DBR)。 在本發(fā)明的一實施例中，第一圖案化反射層與第二圖案化反射層中至少其一的圖 案包含圓形、橢圓形或多邊形、或以上選項的任意組合。 在本發(fā)明的一實施例中，第一型半導體層與第二型半導體層中至少其一的材質(zhì)至
少包括氮(N)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)、及鋅(Zn)其中一種元素。 在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光層包含一多重量子阱發(fā)光層
4(multi-quantumwell ;MQW)、 一單異質(zhì)結構(single heterost潔ture ;SH)、 一雙異 質(zhì)結構(doubleheterost潔ture卿、 一 雙側雙異質(zhì)結構(double-side double heterost潔ture ;DDH)、或上述結構的組合。 在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光半導體裝置還包括一光波長轉(zhuǎn)換層。光波長轉(zhuǎn)換層 位于發(fā)光結構之上。 在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光半導體裝置還包括一結合層。結合層配置于發(fā)光結 構與載體之間，用以結合反射結構與載體。 在本發(fā)明的一實施例中，在發(fā)光結構的至少一出光面上具有多個結構化圖案。
在本發(fā)明的一實施例中，結構化圖案包含規(guī)則圖案、不規(guī)則圖案、及光子晶體結構 中至少其一。 在本發(fā)明的一實施例中，載體包含金屬材質(zhì)、非金屬材質(zhì)、硅或電鍍銅。 在本發(fā)明的一實施例中，第一透明導電層與第二透明導電層至少其一的材質(zhì)包含
銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化
物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物、或其任意可能組合。 在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光半導體裝置還包括一 電流分散層。電流分散層位于 發(fā)光結構的上方。 在本發(fā)明的一實施例中，發(fā)光半導體裝置還包括一電極。電極配置于發(fā)光結構的 上方。 本發(fā)明亦提出一種發(fā)光半導體裝置，其包括一發(fā)光結構、一透明非半導體層、一第 一反射層、以及一第二反射層。 發(fā)光結構至少包含一第一型半導體層、一發(fā)光層以及一第二型半導體層。發(fā)光層
位于第一型半導體層與第二型半導體層之間。透明非半導體層電連接發(fā)光結構及載體，其
中透明非半導體層例如是采用上述的第一透明導電層與第二透明導電層的結構。第一反射
層包含一靠近發(fā)光結構的第一面及一遠離發(fā)光結構的第二面。第二反射層則包含一靠近發(fā)
光結構的第三面及一遠離發(fā)光結構的第四面。第一反射層及第二反射層除了位于發(fā)光結構
及載體之間，且第一面與第三面不位于同一水平面上。 在本發(fā)明的一實施例中，第二面與第四面不位于同一水平面上。 在本發(fā)明的一實施例中，透明非半導體層環(huán)繞第一反射層及第二反射層中至少其 在本發(fā)明的一實施例中，第一反射層及第二反射層中至少其一包含一金屬層及一 絕緣層。 在本發(fā)明的一實施例中，第一反射層及第二圖案化反射層中至少其一包含一金屬 層及一分散式布拉格反射器。 在本發(fā)明的一實施例中，第一反射層及第二圖案化反射層中至少其一具有圖案化 結構。 綜上所述，由于發(fā)光半導體裝置的反射結構具有第一透明導電層與第二透明導電 層，因此，此結構可作為發(fā)光結構與載體之間的電傳導連接層。另外，反射結構的第一圖案 化反射層與第二圖案化導電層用作發(fā)光半導體裝置的光學反射鏡結構。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉多個實施例，并配合所附
5圖式，作詳細說明如下。


圖1為一種習知發(fā)光二極管的結構示意圖； 圖2為依照本發(fā)明一實施例的發(fā)光半導體裝置的結構示意圖； 圖3A為發(fā)光半導體裝置的第一圖案化反射層的俯視示意圖； 圖3B為發(fā)光半導體裝置的第二圖案化反射層的俯視示意圖； 圖4為本發(fā)明另一實施形態(tài)的發(fā)光半導體裝置的剖面示意圖； 圖5A與圖5B分別為圖4所繪示的第一圖案化反射層與第二圖案化反射層的俯視
示意圖； 圖6A 圖6D繪示為本發(fā)明的發(fā)光半導體裝置的流程示意圖。 主要元件符號說明 100 :發(fā)光二極管 110:n型半導體層 110a、130a:表面 120、214、314 :發(fā)光層 130 :p型半導體層 140:反射層 150、260、360 :電極 2Q0、200a、300 :發(fā)光半導體裝置210、310發(fā)光結構212、312第一型半導體層216、316第二型半導體層220、320反射結構222、322第一透明導電層224、324第一圖案化反射層 224a、228a、324a、328a :金屬層 224b、228b、324b、328b :絕緣層 226、326 :第二透明導電層 228、328 :第二圖案化反射層 220a、320a:開口 230 、330 :載體 240 、340 :結合層 250、350 :電流分散層
具體實施例方式
圖2為依照本發(fā)明一實施例的發(fā)光半導體裝置的結構示意圖。發(fā)光半導體裝置 200包括一發(fā)光結構210、一反射結構220以及一載體230。發(fā)光結構210至少具有一第一 型半導體層212、一發(fā)光層214以及一第二型半導體層216，且發(fā)光層214位于第一型半導體層212與第二型半導體層216之間。反射結構220具有一第一透明導電層222、一第一 圖案化反射層224、一第二透明導電層226以及一第二圖案化反射層228。第一圖案化反射 層224位于第一透明導電層222與第二透明導電層226之間，且第一圖案化反射層224具 有至少一開口 220a以使第一透明導電層222與第二透明導電層226實體上連接。第二透 明導電層226位于第一透明導電層222與載體230之間。 于一實施例中，第二透明導電層226可以形成于第一圖案化反射層224與第二圖 案化反射層228之間。第二圖案化反射層228配置于大體上相應于開口 220a的區(qū)域上，其 尺寸可以大于、等于、或小于開口 220a的尺寸。此外，如圖所示，部分的第二圖案化反射層 228是形成于開口 220a之中。然而，第二圖案化反射層228的全體亦可以形成于開口 220a 之外。發(fā)光結構210與載體230分別位于反射結構220的兩側。另外，發(fā)光半導體裝置200 還包括一電極260。電極260位于發(fā)光結構210上方。 在本實施例中，第一型半導體層212與第二型半導體層216的材質(zhì)至少包括氮 (N)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)、及鋅(Zn)其中一種元素，且第一型半導體 層212與第二型半導體層216摻雜有II族或IV族元素。舉例來說，第一型半導體層212與 第二型半導體層216例如是采用GaN、AlGaN、 InGaN、 AlInGaN至少其中之一的材料，并摻雜 以II族或IV族的元素以形成的，然而，上述僅為舉例說明，非用以限定本發(fā)明。換言之，層 212、216亦可以是使用其他適當?shù)牟馁|(zhì)。另外，發(fā)光層214的結構可以為一多重量子阱結 構(multi-quant咖well ;MQW)、單異質(zhì)結構(single heterost潔ture ;SH)、雙異質(zhì)結構 (double heterostructure ;DH)、雙側雙異質(zhì)結構(double-sidedouble heterostructure ; DDH)、上述結構的組合、或是其他適當?shù)牟牧辖Y構，然以上僅為舉例說明，本發(fā)明并非限于 此。 在本實施例中，第一圖案化反射層224包括一金屬層224a與至少一絕緣層224b。 絕緣層224b可以形成于金屬層224a與第一透明導電層222之間、金屬層224a與第二透明 導電層226之間、金屬層224a與載體230之間、或以上選項的任意組合。換言之，絕緣層 224b可以形成于金屬層224a的一個或多個表面之上。圖2繪示絕緣層224b位于金屬層 224a與第一透明導電層222之間。 另外，金屬層224a的材質(zhì)例如是使用反射性金屬，例如金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、 鎳、或上述材料的合金、疊層、或其組合。此外，絕緣層224b的材質(zhì)可以是使用無機材質(zhì) (如氧化硅(silicon oxide ;Si0x)、氮化硅(nitride oxide ;SiNx)、氮氧化硅(silicon nitride oxide ;SixN0y)、碳化硅(SiCx)、氧化鉿(hafnium oxide ;Hf02)、氧化鋁(alumina ; A1203)、或其它合適材料、或上述的組合)、有機材質(zhì)(如光致抗蝕劑(photoresist ;PR)、 苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutane， BCB)、環(huán)烯類(cycloolefin)、聚酰亞胺類(polyimide)、 聚酰胺類(polyamide)、聚酯類(polyester)、聚醇類(polyalcohols)、聚環(huán)氧乙烷類 (polyethylene)、聚苯類(polyphenylene)、樹月旨類(resin)、聚醚類(polyether)、聚酮類 (polyketone)、或其它合適材料、或上述的組合)、或上述的組合。本實施例的絕緣層224b 以氧化鋁作為例，但不限于此。 在本實施例中，第二圖案化反射層228包括一金屬層228a與至少一絕緣層228b。 絕緣層228b可以形成于金屬層228a與第二透明導電層226之間、金屬層228a與載體230 之間、或其二 的組合。換言之，絕緣層228b可以形成于金屬層228a的一個或多個表面之上。圖2繪示絕緣層228b位于金屬層228a與第二透明導電層226之間，且絕緣層228b位 于靠近第一透明導電層222的方向。然而，在其他實施例中，絕緣層228b也可以是位于金 屬層228a的其他面向，圖2所繪示僅為舉例說明，非用以限定本發(fā)明。另外，金屬層228a 與絕緣層228b的材料例如是采用上述的金屬層224a、絕緣層224a的材料，相同之處不再贅 述。 在另一實施例中，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228除了采用上述 的型態(tài)外，亦可以分別包含一分散式布拉格反射器(distributedBragg reflector)。于再 一實施例中，第一圖案化反射層224中的絕緣層224b與第二圖案化反射層228中的絕緣層 228b可以分別以絕緣材料形成為分散式布拉格反射器，用來反射發(fā)光半導體裝置200被驅(qū) 動時所產(chǎn)生的內(nèi)部光線，使得光線得以被有效地反射而出射出發(fā)光半導體裝置200的外表 面，進而提升發(fā)光半導體裝置200的出光效益。 此外，上述的第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的圖案可以為圓形、 橢圓形、多邊形或是其他幾何圖案。在本實施例中，圖案包含圓形。圖3A與圖3B為圖2所 繪示的發(fā)光半導體裝置的俯視透視圖，其中圖3A為發(fā)光半導體裝置的第一圖案化反射層 的俯視示意圖；圖3B為發(fā)光半導體裝置的第二圖案化反射層的仰視示意圖。然而，在其他 實施形態(tài)中，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的圖案可以視使用者的需求 而設計，非限于圖3A與圖3B所繪示。 為了提高發(fā)光半導體裝置的出光效益，發(fā)光結構210的至少一出光面210a上具有 多個結構化圖案(未繪示)。詳細來說，結構化圖案可以是規(guī)則圖案、不規(guī)則圖案或采用光 子晶體結構，或是其他適當?shù)膱D案，如此一來，在發(fā)光半導體裝置200內(nèi)的光線便可透過結 構化圖案，而更容易射出發(fā)光結構210，進而更為提升發(fā)光半導體裝置200的出光效益。于 一實施例中，結構化圖案可以形成于第一型半導體層212、發(fā)光層214、及第二型半導體層 216的至少一個表面上。在另一實施例中，結構化圖案也可以是形成于其他膜層上(例如以 下將提到的電流分散層)。換言之，結構化圖案可依據(jù)使用者的設計需求而定，上述僅為舉 例說明，非限于此。 在本實施例中，載體230可以是采用金屬材質(zhì)、非金屬材質(zhì)、或其組合。非金屬材 質(zhì)如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(A1N)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、玻 璃、陶瓷、復合材料、藍寶石、及塑膠等。金屬材質(zhì)如金屬塊材、電鍍金屬、合金、及疊層等。金 屬與非金屬材料的組合如金屬基復合材料。若采用非電良導體作為載體230的材質(zhì)，更可 于載體230的內(nèi)部、外部、或其二者上形成導電通道，如通孔及延伸線，以使電流可以通過 此非電良導體。本實施例以硅材質(zhì)為例，但不限于此。在其他實施例中，載體230亦可以為 電鍍銅，如此一來，將可取代結合層240(以下會提及)的使用。于另一實施例中，載體230 中包含有電路或電子元件，例如封裝基座、印刷電路板、軟性電路板、及集成電路。再者，載 體230可以于發(fā)光半導體裝置或下游產(chǎn)品工藝中任一適當步驟中與發(fā)光結構210相結合。 以上僅為舉例說明，非限于此。換言之，載體230可根據(jù)使用者的需求而定。
在本實施例中，上述的第一透明導電層222與第二透明導電層226的材質(zhì)可以分 別是銦錫氧化物(indium tin oxide ;IT0)、銦鋅氧化物(indium zincoxide ;IZ0)、銦錫鋅 氧化物(indium tin zinc oxide ;ITZO)、氧化鉿(hafniumoxide ;Hf02)、氧化鋅(ZnO)、鋁 錫氧化物(aluminum tin oxide ;AT0)、鋁鋅氧化物(aluminum zinc oxide ;AZO)、鎘錫氧化物(cadmium tin oxide ;CT0)或鎘鋅氧化物(cadmium zinc oxide ;CZ0)。本實施例以銦 錫氧化物作為實施范例，但不限于此。 另外，發(fā)光半導體裝置200還可以包括一電流分散層250。電流分散層250配置 于發(fā)光結構210的上方，如圖2所示。 一般來說，電流分散層250主要是用以將注入發(fā)光結 構210的電流分散。而電流分散層250的材質(zhì)可以采用如第一透明導電層222所描述的材 料，在此不再贅述。 在本實施例中，發(fā)光半導體裝置200還可以包括一光波長轉(zhuǎn)換層(未繪示)。光 波長轉(zhuǎn)換層位于發(fā)光結構210之上。光波長轉(zhuǎn)換層主要是用來轉(zhuǎn)換發(fā)光結構210所發(fā)出光 線的波長，例如將短波長大體上轉(zhuǎn)換為長波長、或?qū)㈤L波長大體上轉(zhuǎn)換為短波長。舉例來 說，光波長轉(zhuǎn)換層是一種可被發(fā)光結構210所發(fā)出光線激發(fā)的熒光物質(zhì)。換言之，適當?shù)卣{(diào) 整或挑選光波長轉(zhuǎn)換層的材料，可使發(fā)光半導體裝置200所發(fā)出的光線具有色彩選擇性， 例如是紅光、藍光、綠光、白光、或是其他可見或不可見波段的光線。 在本實施例中，發(fā)光半導體裝置200還包括一結合層240。結合層240配置于反 射結構220與載體230之間，如圖2所繪示。詳細來說，結合層240主要是用來結合反射結 構220與載體230，其中根據(jù)結合的方式，結合層240的材質(zhì)可以為氧化物、氮化物、或金屬。 此外，反射結構220與載體230亦可不藉由他種材質(zhì)而于適當?shù)臏囟扰c壓力的下直接接合。
在一實施例中，根據(jù)第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228的配置變化， 亦可以形成如圖4所繪示的發(fā)光半導體裝置200a，其中圖4為本發(fā)明另一實施形態(tài)的發(fā)光 半導體裝置的剖面示意圖。比較圖2與圖4，發(fā)光半導體裝置200a與發(fā)光半導體裝置200 結構相似，相同構件標示相同符號，惟二者不同處在于，第一圖案化反射層224與第二圖案 化反射層228所形成的圖案化不同。舉例來說，第一圖案化反射層224與第二圖案化反射 層228配置于發(fā)光半導體裝置200a內(nèi)的形式，分別是如圖5A與圖5B所繪示的剖視圖，其 中第一圖案化反射層224可以是圓形，也可以是采用前述曾提及的形狀，而第二圖案化反 射層228的圖案則是大體上相對應于第一圖案化反射層224的圖形，其中在俯視平面上，第 一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228之間具有一間隙(未標示)，但不限于此。另 外，圖5A與圖5B僅是繪示第一圖案化反射層224與第二圖案化反射層228可能的圖案，在 其他實施例中，視使用者的需求，二者亦可以是采用其他形狀的設計，在此不再贅述。
另外，圖6A 圖6D繪示為本發(fā)明的發(fā)光半導體裝置的流程示意圖。請先參考圖 6A，首先提供一發(fā)光結構310，其中此發(fā)光結構310至少具有一第一型半導體層312、一發(fā)光 層314以及一第二型半導體層316，且發(fā)光層314位于第一型半導體層312與第二型半導體 層316之間。詳細來說，形成發(fā)光結構310的方式例如是采用高溫外延的技術，依序于成長 基板(未顯示)上形成第一型半導體層312、發(fā)光層314與第二型半導體層316，其中第一 型半導體層312、發(fā)光層314與第二型半導體層316的材料例如為上述的第一型半導體層 212、發(fā)光層214與第二型半導體層216所描述的材料，在此不再贅述。全部或部分的成長 基板可以在進行后續(xù)工藝步驟前或后移除。 接著，請參考圖6B，于第一型半導體層312或第二型半導體層316的表面上形成一 反射結構320，其中反射結構320具有一第一透明導電層322、一第一圖案化反射層324、一 第二透明導電層326以及一第二圖案化反射層328。詳細來說，形成反射結構320的方式 例如是先全面性地形成一透明導電材料層于第一型半導體層312或第二型半導體層316的
9表面上以形成上述的第一透明導電層322的結構。然后，在第一透明導電層322上形成一 第一圖案化反射層324，其中形成第一圖案化反射層324的方式例如是采用微影蝕刻工藝 (Photolithogr即hy and Etching Process ;PEP)來進行圖案化工藝。而后，再全面性地形 成另一透明導電材料層于第一圖案化反射層324以形成上述的第二透明導電層326。接著， 于第二透明導電層326上形成一第二圖案化反射層328，其中形成第二圖案化反射層328的 方式同于形成第一圖案化反射層324的方式。至此，大致完成反射結構320形成于發(fā)光結 構310上的制作步驟。 于完成上述步驟后，接著，將一載體330與上述的反射結構320結合，其中載體330 與發(fā)光結構310分別位于反射結構320的兩側，如圖6C所繪示。其中，上述結合的方式，可 以是采用涂膠的方式以結合載體330與反射結構320，或是采用金屬鍵結的方式亦可，本實 施例以結合層340為金屬鍵結層的方式作為實施范例，但不限于此。 再來，形成一電極360于發(fā)光結構310的上方，如圖6D所繪示。另外，為了提高發(fā)
光半導體裝置的發(fā)光效率，也可以在形成電極360的前，先形成一電流分散層350于發(fā)光結
構310上，如圖6D所繪示。至此大致完成一種發(fā)光半導體裝置300的制作步驟。 雖然本發(fā)明已以多個實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術
領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此
本發(fā)明的保護范圍當視權利要求所界定者為準。
10
權利要求
一種發(fā)光半導體裝置，包括發(fā)光結構，至少具有第一型半導體層、發(fā)光層以及第二型半導體層，且該發(fā)光層位于該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；反射結構，至少具有第一透明導電層、第一圖案化反射層、第二透明導電層以及第二圖案化反射層，其中該第一圖案化反射層位于該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，且該第一圖案化反射層具有至少一開口以使該第一透明導電層與該第二透明導電層實體上連接，該第二透明導電層位于該第一圖案化反射層與該第二圖案化反射層之間，且該第二圖案化反射層位于大體上相應于該開口的區(qū)域上；以及載體，其中該發(fā)光結構與該載體分別位于該反射結構的兩側。
2. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層包括金屬層與至少 一絕緣層，其中該絕緣層至少位于該金屬層與該第一透明導電層之間或該金屬層與該第二 透明導電層之間。
3. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第二圖案化反射層包括金屬層與至少 一絕緣層，其中該絕緣層至少位于該金屬層與該第二透明導電層之間或該金屬層與該載體 之間。
4. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層與該第二圖案化反 射層中至少其一包含分布式布拉格反射器。
5. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第一圖案化反射層與該第二圖案化反 射層中至少其一的圖案包含圓形、橢圓形、多邊形、或以上選項的任意組合。
6. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第一型半導體層與該第二型半導體層 中至少其一的材質(zhì)至少包括氮、鎵、銦、鋁、磷、砷、及鋅其中一種元素。
7. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該發(fā)光層包含多重量子阱結構、單異質(zhì) 結構、雙異質(zhì)結構、雙側雙異質(zhì)結構、或上述結構的組合。
8. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，還包括光波長轉(zhuǎn)換層，位于該發(fā)光結構之上。
9. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，還包括結合層，配置于該發(fā)光結構與該載體 之間，用以結合該反射結構與該載體。
10. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中在該發(fā)光結構的至少一出光面上具有 結構化圖案。
11. 如權利要求10所述的發(fā)光半導體裝置，其中該些結構化圖案包含規(guī)則圖案、不規(guī) 則圖案、及光子晶體結構中至少其一。
12. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該載體包含金屬材質(zhì)、非金屬材質(zhì)、硅 或電鍍銅。
13. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，其中該第一透明導電層與該第二透明導電 層至少其一的材質(zhì)包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、 鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物、或其任意可能組合。
14. 如權利要求1所述的發(fā)光半導體裝置，還包括電流分散層，位于該發(fā)光結構的上方。
15. 如權利要求l所述的發(fā)光半導體裝置，還包括電極，該電極位于該發(fā)光結構的上方。
16. —種發(fā)光半導體裝置，包括發(fā)光結構，至少包含第一型半導體層、發(fā)光層以及第二型半導體層，且該發(fā)光層位于該 第一型半導體層與該第二型半導體層之間； 載體；透明非半導體層，電連接該發(fā)光結構及該載體；第一反射層，包含靠近該發(fā)光結構的第一面及遠離該發(fā)光結構的第二面；及 第二反射層，包含靠近該發(fā)光結構的第三面及遠離該發(fā)光結構的第四面； 其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案化反射層位于該發(fā)光結構及該載體之間，且 該第一面與該第三面不位于同一水平面上。
17. 如權利要求16所述的發(fā)光半導體裝置，其中，該第二面與該第四面不位于同一水 平面上。
18. 如權利要求16所述的發(fā)光半導體裝置，其中，該透明非半導體層環(huán)繞該第一圖案 化反射層及該第二圖案化反射層中至少其一 。
19. 如權利要求16所述的發(fā)光半導體裝置，其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案 化反射層中至少其一包含金屬層及絕緣層。
20. 如權利要求16所述的發(fā)光半導體裝置，其中，該第一圖案化反射層及該第二圖案 化反射層中至少其一包含金屬層及分散式布拉格反射器。
全文摘要
一種發(fā)光半導體裝置，包括發(fā)光結構、反射結構、以及載體。發(fā)光結構具有第一型半導體層、發(fā)光層以及第二型半導體層。發(fā)光層位于第一型半導體層與第二型半導體層之間。反射結構具有第一透明導電層、第一圖案化反射層、第二透明導電層以及第二圖案化反射層。第一圖案化反射層位于第一透明導電層與第二透明導電層之間。第一圖案化反射層具有開口以使第一透明導電層與第二透明導電層實體上連接。第二透明導電層位于第一圖案化反射層與第二圖案化反射層之間。第二圖案化反射層位于相對于開口的區(qū)域上。發(fā)光結構與載體位于反射結構的兩側。
文檔編號H01L33/00GK101777607SQ20091000165
公開日2010年7月14日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權日2009年1月9日
發(fā)明者三曉蕙, 呂志強, 彭韋智, 王健源, 謝明勛, 陳威佑 申請人:晶元光電股份有限公司