專利名稱：等離子體cvd用陰電極和等離子體cvd裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高頻電容耦合型等離子體CVD，涉及利用空心陰極放電的等離子體 CVD用陰電極和具有該等離子體CVD用的陰電極的等離子體CVD裝置。
背景技術(shù)：
通過在基板上進(jìn)行成膜而制造薄膜等的成膜裝置是已知的。等離子體CVD裝置作 為這樣的成膜裝置，被應(yīng)用于太陽能電池用薄膜、感光鼓、用于液晶顯示器等的TFT陣列等 各種半導(dǎo)體制造中。目前，已知利用電容耦合型平行平板電極的等離子體CVD裝置。在該利用電容耦 合型平行平板電極的等離子體CVD裝置中，在反應(yīng)容器內(nèi)配置陰極和陽極放電用的平行平 板電極，采用低頻或高頻電源對這些電極提供電力，同時(shí)導(dǎo)入反應(yīng)氣體而產(chǎn)生等離子體，從 而利用該等離子體進(jìn)行成膜。在半導(dǎo)體制造中，期望薄膜的大面積化。例如，在液晶顯示器中使用的液晶面板 中，為了顯示大圖像，期望畫面大型化，在太陽能電池中為了提高發(fā)電能力和生產(chǎn)效率，也 期望大型化。在電容耦合型等離子體CVD裝置中，為了提高成膜效率，提出了利用空心陰極放 電的方案(例如，專利文獻(xiàn)1、2)。圖18是用于說明利用空心陰極放電的現(xiàn)有的電容耦合型等離子體CVD裝置的結(jié) 構(gòu)例的圖。在圖18中示出的等離子體CVD裝置110中，在真空室111內(nèi)對向地配置陰電極 101和陽電極102，在兩電極之間由電源115a提供低頻或高頻交流電。陽電極102可以由 內(nèi)置的加熱器117進(jìn)行加熱，并且配置有處理對象的基板100。真空室111內(nèi)由真空泵113排氣，同時(shí)由反應(yīng)氣體導(dǎo)入管112導(dǎo)入反應(yīng)氣體。陰電極101與將反應(yīng)氣體導(dǎo)入到基板表面上的噴頭型導(dǎo)入口一體化，將陰極板表 面構(gòu)成為由槽連接格子狀排列的長圓筒狀凹部而構(gòu)成的凹凸形狀，在長圓筒狀凹部上制造 小直徑的孔作為反應(yīng)氣體導(dǎo)入口。從反應(yīng)氣體導(dǎo)入管112導(dǎo)入的反應(yīng)氣體通過凹部的孔導(dǎo) 入基板側(cè)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-237459號公報(bào)(0015段)
專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-296526號公報(bào)(0008段)目前提出的空心陰極放電中使用的陰電極通過對構(gòu)成平板陰電極的板材等進(jìn)行 切削等加工而形成孔，由此形成構(gòu)成空心陰電極的凹凸部。在陰電極的凹部的底面上，例如 需要加工多個(gè)0.4mm左右的極細(xì)的反應(yīng)氣體噴孔。此外，反應(yīng)氣體噴孔的噴出方向?yàn)橄鄬?于基板表面垂直的方向。如上所述，目前的陰電極由于構(gòu)成為從在陰極板的凹部底面上形成的多個(gè)極細(xì)的 孔沿相對于基板垂直的方向噴出反應(yīng)氣體，所以從各反應(yīng)氣體噴孔噴出的反應(yīng)氣體的氣體 噴出量不均勻，因此存在所成膜的薄膜的膜厚和/或膜質(zhì)在同一基板表面內(nèi)不均勻的問題。此外，由于所成膜的薄膜膜厚的均勻性與反應(yīng)氣體噴孔有密切的關(guān)系，所以存在 與在陰極板上形成的反應(yīng)氣體噴孔的配置位置、反應(yīng)氣體噴孔的設(shè)置個(gè)數(shù)等反應(yīng)氣體噴孔 的設(shè)定條件相適應(yīng)的氣體流量、各種氣體的流量比、壓力、投入的電力、基板溫度等處理?xiàng)l 件的最優(yōu)范圍窄的問題。例如，存在在基板的處理?xiàng)l件下，難以選擇由在陰極上形成的反應(yīng) 氣體噴孔的設(shè)定條件確定的最優(yōu)壓力范圍內(nèi)的最優(yōu)壓力的問題。此外，由于通過切削等加工形成構(gòu)成空心陰電極的凹凸形狀，所以存在陰電極的 加工困難，制作所需要的費(fèi)用高的問題。 此外，由于在陰極板的底面上形成多個(gè)細(xì)孔，所以存在陰電極的維護(hù)困難的問題。此外，專利文獻(xiàn)1中示出的凹部的孔構(gòu)成為由槽連接。在該結(jié)構(gòu)中，雖然孔內(nèi)部構(gòu) 成產(chǎn)生高密度等離子體的空心陰極放電電極空間，但是即使電子密度足夠，連接各孔的槽 也不能供應(yīng)充足的反應(yīng)氣體，所以不能產(chǎn)生高密度的等離子體。因此，在成膜的均勻性方面 可能會產(chǎn)生問題。此外，空心陰極放電的有效面積窄，存在不能充分提高成膜速度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是解決上述現(xiàn)有技術(shù)的陰電極包含的問題，使陰電極最優(yōu)化，
產(chǎn)生高密度的等離子體。更詳細(xì)地，本發(fā)明的目的是通過使陰電極最優(yōu)化而擴(kuò)大等離子體條件的最優(yōu)范 圍，以及通過擴(kuò)大對放電作出貢獻(xiàn)的電極的有效面積而提高成膜速度。此外，本發(fā)明的目的是構(gòu)成為通過使陰電極最優(yōu)化而使陰極的加工變得容易且價(jià) 廉，以及構(gòu)成為使陰極的維護(hù)變得容易。本發(fā)明構(gòu)成為通過施加高頻而形成高頻電容耦合型等離子體的等離子體CVD用 的陰電極，其中，該陰電極與陽電極對向配置，與陽電極對向的對向面構(gòu)成為凹凸形狀，該 凹凸形狀通過由底面形成的凹部和由從該凹部的底面向陽電極側(cè)突出的多個(gè)突出部形成 的凸部構(gòu)成。凸部的至少任意一個(gè)突出部在側(cè)面上具有至少一個(gè)能夠噴出反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣 體噴孔，該反應(yīng)氣體噴孔的反應(yīng)氣體噴出方向與凹部底面大致平行。通過將陽電極構(gòu)成為凹凸形狀，形成空心陰極，將通過向陰極表面射入離子而釋 放的電子關(guān)閉在由凸部和凹部構(gòu)成的陰電極間，可以形成高密度的電子空間。通過使反應(yīng) 氣體噴出到該高密度電子空間中，而產(chǎn)生高密度的等離子體。此時(shí)，通過使反應(yīng)氣體的噴出 方向構(gòu)成為與陽電極的凹部的底面平行的方向，可以將反應(yīng)氣體均勻地導(dǎo)入高密度電子空 間中。由此，提高高能電子和反應(yīng)氣體的碰撞概率，同時(shí)在凸部的突出部之間均勻地產(chǎn) 生高密度等離子體。構(gòu)成陰電極的凸部的突出部在突出部內(nèi)部具有用于將反應(yīng)氣體提供給反應(yīng)氣體 噴孔的反應(yīng)氣體通路。反應(yīng)氣體通路由沿突出部的軸向設(shè)置的第一通路和從該第一通路分 枝而連接到反應(yīng)氣體噴孔的設(shè)置在與底面大致平行的方向上的第二通路構(gòu)成。反應(yīng)氣體由第一通路沿突出部的軸向?qū)胫螅环种Φ降诙?，從反?yīng)氣體噴孔噴出到由凹凸部形成的空間部分中。反應(yīng)氣體噴孔的噴出方向相對于凹部的底面和基 板表面大致平行。通過使反應(yīng)氣體噴孔的噴出方向相對于凹部的底面和基板表面大致平 行，可以在形成在陰電極間的高密度電子空間內(nèi)使反應(yīng)氣體均勻。陰電極的 突出部鄰接的間隔可以基于電子的平均自由程確定，例如通過確定為電 子的平均自由程的1 1. 5倍左右的距離，配置為不存在等離子體為中空狀態(tài)的空間部 分，可以提高產(chǎn)生高密度等離子體的面積效率。該陰電極間距的數(shù)值例子例如可以是在 0. 5mm 7mm的范圍內(nèi)。陰電極的突出部具有的反應(yīng)氣體噴孔的孔徑可以確定在0. Imm 1.0mm的范圍 內(nèi)，此外，陰電極的突出部距底面的高度可以確定在3mm 15mm的范圍內(nèi)。此外，在陰電極的底面和突出部的側(cè)面上，通過陶瓷噴射處理和/或藥液處理而 將表面形成為梨皮面等微細(xì)的凹凸面，由此可以增大陰電極的電極面積，提高電子的釋放效率。此外，如果是鋁電極，則即使進(jìn)行了鋁陽極化(alumite)處理和封孔處理等表面 處理，也可以增大電子釋放有效面積。同時(shí)，這還可以實(shí)現(xiàn)提高對蝕刻氣體的耐受性。在空心陰極放電中，陰極間距是決定其特性的重大因素。本發(fā)明通過在陰電極的 配置中形成多種電極間距，進(jìn)行最密配置，以便能夠較寬地設(shè)定作為處理參數(shù)的壓力、溫 度、氣體種類等最優(yōu)條件的設(shè)定范圍。根據(jù)本發(fā)明的最密配置，在各電極之間可以設(shè)定多個(gè) 距離，并且可以適應(yīng)寬范圍的處理?xiàng)l件。并且，陰電極間的配置距離，在該最密配置中，如上述這樣鄰接的突出部的鄰接距 離為電子的平均自由程的1 1. 5倍左右的距離。作為最密配置，可以是正方形最密排列或六邊形最密排列。在正方形最密排列中， 陰電極的突出部在凹部的底面上排列在正方形的四個(gè)頂點(diǎn)的位置和由四個(gè)頂點(diǎn)包圍的中 心的位置上。此外，在六邊形最密排列中，陰電極的突出部在凹部的底面上排列在正六邊形 的六個(gè)頂點(diǎn)的位置和由六個(gè)頂點(diǎn)包圍的中心的位置上。陰電極的突出部包含形成有反應(yīng)氣體噴孔的突出部和未形成反應(yīng)氣體噴孔的突 出部，這些突出部可以在凹部的底面上以規(guī)定的分布配置。在突出部的配置中，形成有反應(yīng)氣體噴孔的突出部和未形成反應(yīng)氣體噴孔的突出 部的分布比率可以為1 4的比率，可以提供在六邊形最密排列中。此外，陰電極的突出部的形狀例如可以是水平截面為圓形的圓筒狀或水平截面為 多邊形的多棱柱狀等任意形狀。此外，陰電極的突出部可以構(gòu)成為至少具有一個(gè)反應(yīng)氣體噴孔，并且還可以構(gòu)成 為所有的突出部都具有反應(yīng)氣體噴孔。陰電極具有將突出部包圍在內(nèi)側(cè)的外周壁，該外周壁的壁面高度可以設(shè)定為與突 出部的高度大致相等。陰極放電空間除了突出部間形成的空間以外，還可以構(gòu)成為突出部 與外壁外形成的空間。此外，本發(fā)明的陰電極可以通過如下這樣形成由支柱形成突出部，在陰極基板上 形成開口部，并在該開口部中嵌入構(gòu)成突出部的支柱。通過該支柱和陰極基板的結(jié)構(gòu)，可以 省掉微細(xì)加工陰極板所需要的加工的勞力，縮短加工時(shí)間。此外，本發(fā)明的等離子體CVD裝置，是通過施加高頻而形成高頻電容耦合型等離子體的等離子體CVD裝置，可以構(gòu)成為包括具有陰電極和陽電極的真空室，將反應(yīng)氣體供 應(yīng)到在真空室內(nèi)的所述陰電極的上流側(cè)的反應(yīng)氣體供應(yīng)部，將反應(yīng)氣體從真空室內(nèi)排出到 處理室外的排氣部，將真空室內(nèi)的壓力控制在規(guī)定壓力的控制部，對陰電極和陽電極之間 提供電力的電力供應(yīng)部，和在陰電極和陽電極之間配置處理基板的基板保持件等離子體CVD裝置通過采用本發(fā)明的陰電極，可以將由反應(yīng)氣體供應(yīng)部供應(yīng)到陰 電極上流側(cè)的反應(yīng)氣體從陰電極包括的反應(yīng)氣體噴孔噴出到陰電極和陽電極之間。此外，本發(fā)明的等離子體CVD裝置可以制作包含硅半導(dǎo)體薄膜、氮化硅薄膜、氧化 硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳薄膜中的任何一種薄膜的太陽能電池。根據(jù)本發(fā)明，可以使陰電極最優(yōu)化，產(chǎn)生高密度的等離子體。此外，根據(jù)本發(fā)明，可 以通過使陰電極最優(yōu)化而擴(kuò)寬等離子體條件的最優(yōu)范圍，以及可以通過擴(kuò)大對放電作出貢 獻(xiàn)的電極的有效面積而提高成膜速度。通過使陰電極最優(yōu)化，可以使陰極的加工變得容易且使結(jié)構(gòu)價(jià)廉，并且可以構(gòu)成 為使陰極的維護(hù)變得容易。


圖1是用于說明空心陰電極的陰電極和陽電極的位置關(guān)系和供電的簡要圖。圖2是示出配置多個(gè)空心陰電極的例子的圖。圖3是示出配置多個(gè)空心陰電極的例子的圖。圖4是示出環(huán)境溫度為373K、673K和773Κ下的氮?dú)?N2)的壓力(Pa)和平均自 由程(MFP)的關(guān)系的圖。圖5是示出環(huán)境溫度為673Κ的氮?dú)獾膲毫完庪姌O間距的圖。圖6是示出環(huán)境溫度為673Κ下的SiH4、NH3> N2各氣體的壓力(Pa)和平均自由程 (MFP)的關(guān)系的圖。圖7是用于簡要說明本發(fā)明的等離子體CVD裝置的圖。圖8是用于簡要說明本發(fā)明的等離子體CVD裝置的陰電極部分的說明圖。圖9是用于說明本發(fā)明的陰電極的俯視圖和截面圖。圖10是用于說明本發(fā)明的陰電極的立體圖。圖11是示出由外壁部包圍本發(fā)明的陰電極的狀態(tài)的圖。圖12是用于說明六邊形最密排列和正方形最密排列的圖。圖13是用于說明在所有的各突出部(陰極支柱)上設(shè)置反應(yīng)氣體噴孔的結(jié)構(gòu)例 的圖。圖14是用于說明在所有的各突出部(陰極支柱)上設(shè)置反應(yīng)氣體噴孔的結(jié)構(gòu)例 的圖。圖15是用于說明在所有的各突出部(陰極支柱)上設(shè)置反應(yīng)氣體噴孔的結(jié)構(gòu)例 的圖。圖16是用于說明以規(guī)定的分布混合具有反應(yīng)氣體噴孔的突出部和不具有反應(yīng)氣 體噴孔的突出部的結(jié)構(gòu)例的圖。圖17是用于說明本發(fā)明的陰電極的突出部(陰極支柱)的形狀例的圖。圖18是用于說明利用空心陰極放電的現(xiàn)有的電容耦合型等離子體CVD裝置的結(jié)構(gòu)例的圖。符號說明1陰電極IA凸部IB凹部Ia突出部Ib嵌入部Ic陰極支柱Id孔Ie氣體通路If開口部Ig底面Ih陰極基板Ii外壁部Ij壁面Ik開口部2陽電極10等離子體CVD裝置11真空室12氣體供應(yīng)部13 排氣部14 壓力控制部14a 閥控制部14b排氣速度控制閥15 電力供應(yīng)部15a 電源15b 匹配器16 基板保持器17 加熱器20 反應(yīng)氣體21 陰極位降(陰極降下)22 負(fù)輝光23 正電柱(陽光柱)24 中空部分100 基板101 陰電極102 陽電極110 裝置111真空室
112反應(yīng)氣體導(dǎo)入管113真空泵115a電源117加熱器MFP平均自由程ne電子密度Sl最短距離S2最長距離T板厚Te電子溫度Ad 德拜長度Ae 平均自由程Ag 平均自由程
具體實(shí)施例方式下面，參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。首先，采用圖1 圖7說明空心陰電極的結(jié)構(gòu)和動作。圖1是用于說明空心陰電 極的陰電極和陽電極的位置關(guān)系和供電的簡要圖。在空心陰電極中，在陰電極1和陽電極2之間連接有電源15a，從而施加低頻或高 頻交流電。陰電極1的電極表面通過離子照射而釋放電子。空心陰電極通過將該釋放出的 電子關(guān)閉在陰電極1之間，而形成高密度電子空間。通過在該高密度電子空間內(nèi)導(dǎo)入反應(yīng) 氣體20而產(chǎn)生高密度等離子體。在陰電極1和陽電極2之間，形成從陰電極1側(cè)起電場強(qiáng)度直線降低的陰極位降 21、電場強(qiáng)度為零的負(fù)輝光22、離子和電子的密度相等由此整體在外部不表現(xiàn)電荷的均勻 發(fā)光的正電柱23。正電柱23是等離子體狀態(tài)。在空心陰電極中，通過使陰電極1相對向， 在兩個(gè)陰電極1上分別形成陰極位降21和負(fù)輝光22。電子的封閉是通過在陰電極1的側(cè)面產(chǎn)生的陰極位降21，使電子不會入射到陰電 極1的表面而被德拜遮斷，在陰電極1的側(cè)面上重復(fù)被稱為鐘擺(Pendulum)效應(yīng)的推斥、 反沖而形成高密度電子空間。與反應(yīng)氣體的氣體分子碰撞的電子大多是彈性散射電子，維持高能量。由于這些 電子在陰電極的電極側(cè)面之間反沖并散射，所以當(dāng)宏觀觀察時(shí)，形成在面內(nèi)均勻的高電子 密度空間。等離子體的產(chǎn)生由反應(yīng)氣體和封閉的高能電子的碰撞而維持。因此，由電子被封 閉的空間和反應(yīng)氣體的噴出位置之間的位置關(guān)系確定高密度等離子體產(chǎn)生的區(qū)域。在圖1中，陰極位降21中的“Ad”是德拜長度，由于該德拜長度λ d，電子被回彈而不能浸入內(nèi)側(cè)(陰電極側(cè))。此外，圖1中的“b”是電子的平均自由程(mean free pass)， “C”示出鄰接的負(fù)輝光22間的距離。鄰接的陰電極1之間的距離由“a+λ d”表示，在德拜長度λ d與a相比非常小的 情況下，以“a”表示。并且，“a”是電子的平均自由程(mean fre印ass) b的2倍與c的和(2b+c)。從陰電極1釋放的電子在電子的平均自由程(mean free pass) b附近與反應(yīng)氣體 碰撞，使氣體分子離子化而產(chǎn)生等離子體。由于等離子體貼附在陰電極1的電極表面上產(chǎn) 生，所以在負(fù)輝光22之間的距離c長的情況下，該部分構(gòu)成沒有等離子體的中空部分24。在此，德拜長度Ad、電子溫度Te和電子密度ne的關(guān)系由下式(1)表示。λ d = 7. 4*103* V (Te/ne) (1)表1示出采用上述式(1)計(jì)算的一般高密度輝光放電等離子體的電子溫度Te和 電子密度ne的例子。表權(quán)利要求
一種等離子體CVD用陰電極，其是通過施加高頻而形成高頻電容耦合型等離子體的電極，其特征在于，該陰電極與陽電極對向配置，該陰電極與陽電極對向的對向面具有凹凸形狀，該凹凸形狀通過由底面形成的凹部和由從該凹部的底面向陽電極側(cè)突出的多個(gè)突出部形成的凸部構(gòu)成，所述凸部的至少任意一個(gè)突出部在側(cè)面具有至少一個(gè)能夠噴出反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體噴孔，所述反應(yīng)氣體噴孔的反應(yīng)氣體噴出方向與凹部底面大致平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰電極的突出部在突出部的內(nèi)部具有用于將反應(yīng)氣體提供給反應(yīng)氣體噴孔的反 應(yīng)氣體通路，所述反應(yīng)氣體通路由沿突出部的軸向設(shè)置的第一通路、和設(shè)置在與底面大致平行的方 向上的從所述第一通路分枝而連接到所述反應(yīng)氣體噴孔的第二通路構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰電極的突出部的 鄰接間隔在0. 5mm 7mm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰電極的突出部具 有的反應(yīng)氣體噴孔的孔徑在0. Imm 1. Omm的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰電極的突出部距 底面的高度在3mm 15mm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰電極的底部和突 出部的側(cè)面是微細(xì)的凹凸面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰 電極的突出部在凹部的底面上以正方形的四個(gè)頂點(diǎn)的位置和由四個(gè)頂點(diǎn)包圍的中心的位 置構(gòu)成的正方形最密排列進(jìn)行排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰 電極的突出部在凹部的底面上以正六邊形的六個(gè)頂點(diǎn)的位置和由六個(gè)頂點(diǎn)包圍的中心的 位置構(gòu)成的六邊形最密排列進(jìn)行排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述陰 電極的突出部在凹部的底面上以規(guī)定的分布配置有形成有所述反應(yīng)氣體噴孔的突出部和 未形成有所述反應(yīng)氣體噴孔的突出部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，在所述陰電極的突出 部中，形成有所述反應(yīng)氣體噴孔的突出部和未形成有所述反應(yīng)氣體噴孔的突出部的比例為 1 4，在凹部的底面上，所述陰電極的突出部以正六邊形的六個(gè)頂點(diǎn)的位置和由六個(gè)頂點(diǎn)包 圍的中心的位置構(gòu)成的六邊形最密排列進(jìn)行排列。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述 陰電極的突出部是水平截面為圓形的圓筒狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述 陰電極的突出部是水平截面為多邊形的多棱柱狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述 陰電極的突出部至少具有一個(gè)所述反應(yīng)氣體噴孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述 陰電極具有將所述突出部包圍在內(nèi)側(cè)的外周壁，所述外周壁的壁面高度與突出部的高度大致相等。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任意一項(xiàng)所述的等離子體CVD用陰電極，其特征在于，所述 陰電極通過將構(gòu)成突出部的支柱嵌入在構(gòu)成底面的陰極基板上設(shè)置的開口部中而形成。
16.一種等離子體CVD裝置，其是通過施加高頻而形成高頻電容耦合型等離子體的等 離子體CVD裝置，包括具有陰電極和陽電極的真空室，將反應(yīng)氣體提供到所述真空室內(nèi)的所述陰電極的上流側(cè)的反應(yīng)氣體供應(yīng)部，將反應(yīng)氣體從所述真空室內(nèi)排出到處理室外的排氣部，將所述真空室內(nèi)的壓力控制在規(guī)定壓力的控制部，對所述陰電極和所述陽電極之間提供電力的電力供應(yīng)部，以及在所述陰電極和所述陽電極之間配置處理基板的基板保持件；其特征在于，所述陰電極是根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的陰電極， 將由所述反應(yīng)氣體供應(yīng)部提供到陰電極上流側(cè)的反應(yīng)氣體從陰電極具有的反應(yīng)氣體 噴孔噴出到陰電極和陽電極之間。
17.一種太陽能電池，包含采用根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體CVD裝置成膜的硅半導(dǎo)體薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳薄膜中的任意一種薄膜。
全文摘要
在通過施加高頻而形成高頻電容耦合型等離子體的等離子體CVD用陰電極的結(jié)構(gòu)中，該陰電極與陽電極對向配置，同時(shí)與陽電極對向的對向面構(gòu)成為凹凸形狀，該凹凸形狀通過由底面構(gòu)成的凹部和由從該凹部的底面向陽電極側(cè)突出的多個(gè)突出部形成的凸部構(gòu)成。凸部的至少任意一個(gè)的突出部在側(cè)面至少具有一個(gè)能夠噴出反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體噴孔，該反應(yīng)氣體噴孔的反應(yīng)氣體噴出方向與凹部底面大致平行。通過使陰電極最優(yōu)化而產(chǎn)生高密度的等離子體。
文檔編號H01L21/205GK101971292SQ20088012791
公開日2011年2月9日 申請日期2008年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月8日
發(fā)明者鈴木正康 申請人:株式會社島津制作所