專(zhuān)利名稱(chēng)：具有電極的基材、與其結(jié)合的有機(jī)發(fā)光裝置、及其制造技術(shù)
具有電極的基材、與其結(jié)合的有機(jī)發(fā)光裝置、及其制造本發(fā)明的主題是具有電極的基材、與其結(jié)合的有機(jī)發(fā)光裝置、及其制造。已知的有機(jī)發(fā)光系統(tǒng)或OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)包含通過(guò)以導(dǎo)電層的形式在其側(cè) 面包裹的電極提供電流的有機(jī)電致發(fā)光材料或所述材料的堆疊。傳統(tǒng)上，上電極是反射金屬層，例如由鋁制成，而下電極是基于氧化銦的透明層， 通常是公知縮寫(xiě)為ITO的摻雜錫氧化銦，厚度約為100-150nm。然而，對(duì)于大范圍的均勻照 明，必須形成不連續(xù)下電極，典型地形成幾mm2的電極區(qū)，以強(qiáng)烈降低每個(gè)電極區(qū)間的距離， 典型地為約十微米。應(yīng)用由昂貴和復(fù)雜的光刻法和鈍化技術(shù)。此外，文獻(xiàn)US 7172822還提供了一種OLED裝置，其最接近基材的電極包含由填充 有裂紋的掩膜得到的無(wú)規(guī)網(wǎng)狀導(dǎo)體。更特別的是，在玻璃基材和OLED活性層之間，OLED裝 置依次包含-金基下層；-溶膠-凝膠層，其在退火后形成微裂紋掩膜，具有0.4 μ m的厚度；-金基網(wǎng)狀導(dǎo)體，由催化沉積得到，所述網(wǎng)狀導(dǎo)體具有3Ω / 口的薄層電阻，和83% 的透光率；-50nm的聚(3，4-乙撐二氧噻吩)層。所述文獻(xiàn)US 7172822的圖3顯示了硅石溶膠-凝膠掩膜的形態(tài)。其顯示沿優(yōu)選 方向取向的精細(xì)裂紋線的形式，具有彈性材料的破裂現(xiàn)象的分歧特征。所述主裂紋線偶爾 通過(guò)分歧結(jié)合在一起。裂紋線間的域是不均勻的，具有兩個(gè)特征尺寸一個(gè)在0. 8-lmm間平行于裂紋擴(kuò) 展方向，另一個(gè)在100-200 μ m之間垂直與裂紋擴(kuò)展方向。 所述電極具有可接受的導(dǎo)電和透明性，薄層電阻等于3 Ω / □，透光率為82%。然 而，具有所述電極的OLED裝置的可靠性不能保證。而且，電極的制造可以進(jìn)一步改善。為了形成裂紋溶膠-凝膠掩膜，基于水、醇和硅石前體(TEOS)的溶膠被沉積，蒸發(fā) 掉溶劑，在120°C下退火30分鐘。所述通過(guò)溶膠_凝膠掩膜的裂紋制造電極的方法組成了通過(guò)例如消除對(duì)光刻法 (將樹(shù)脂曝光于輻射/光束并顯影)的依靠而制造網(wǎng)狀導(dǎo)體的方法，但是仍可以改進(jìn)，尤其 是為了與工業(yè)需求(可靠性、制造步驟的簡(jiǎn)化和/或減少、降低成本等)兼容。還可以觀察到，用于制造網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的方法不可避免地需要在開(kāi)孔的(化學(xué)或物 理)可修飾的下層的沉積，以或者允許(例如金屬膠體的)有利的附著，或者允許為金屬后 生長(zhǎng)而接枝的催化劑，從而，所述下層起到網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法中的官能作用。而且，由于彈性材料的斷裂機(jī)理，裂紋的輪廓是V形，其包括后掩模法的應(yīng)用，以 使金屬網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從位于V形基礎(chǔ)的膠體顆粒開(kāi)始生長(zhǎng)。本發(fā)明的目標(biāo)是得到用于高性能(高傳導(dǎo)率、適合的透明度)的OLED的電極，其 可靠、耐用、可再生，可以在大面積上生成，所有這些在工業(yè)規(guī)模上并優(yōu)選以較低的成本和 盡可能容易地操作。優(yōu)選的，所述電極還賦予OLED裝置的全部性能(光輸出、照明的均勻 性)的提升，
為此，本發(fā)明的第一目標(biāo)是在一個(gè)主表面上具有復(fù)合電極的基材，其包含_由線形成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，其為由基于金屬和/或金屬氧化物的導(dǎo)電材料制成的層 (單層或多層)，網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)在550nm處具有至少60 %的透光率，甚至至少60 %的綜合透光率 Tl,線間的空間被所謂電絕緣填料的材料填充；_(完全)覆蓋導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的導(dǎo)電涂層，厚度大于等于40nm，與線電連接并與線接觸， 電阻率P 1小于105Ω. cm并大于形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的線的材料的電阻率，涂層形成電極的光滑 外表面；-復(fù)合電極還具有小于等于10Ω/□的薄層電阻。從而，依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極包含掩埋的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其表面被拋光以避免將 電缺陷引入OLED中。依據(jù)其厚度(小于等于線的厚度)，填料顯著降低，甚至消除電極網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的頂部 水平和底部水平間的差別。通過(guò)導(dǎo)電涂層，可以消除由線和/或線間的導(dǎo)電填料的表面的非受控表面微粗糙 度導(dǎo)致的穿刺效應(yīng)產(chǎn)生的短路的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)充分平滑的填料，或可控制粗糙度的填料，可以賦予消除由穿刺效應(yīng)產(chǎn)生的 短路風(fēng)險(xiǎn)。因而，依據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電涂層使得或者使網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和填料平滑，或者至少保持預(yù) 先得到的平滑(例如通過(guò)拋光)成為可能。相反，文獻(xiàn)US 7172822中所述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)體被薄聚合物層覆蓋，其匹配網(wǎng)狀結(jié) 構(gòu)導(dǎo)體和裂紋掩膜間的高度差。通過(guò)所述依據(jù)本發(fā)明的掩埋的和平滑的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)電極的設(shè)計(jì)，從而可以保證OLED 的可靠性和再生性，并延長(zhǎng)其使用壽命。因而，由可以相當(dāng)厚和/或被隔開(kāi)的線的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)制成的電極開(kāi)始，本發(fā)明涉及 控制若干平面上的電極的粗糙度(首先通過(guò)掩埋網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)以抑制不連貫的階梯，而后通過(guò) 使其充分平滑)，確保適于由若干材料(線材料、填料、導(dǎo)電涂料)制成的電極的電性能和透 明性能，或甚至涉及OLED性能的改善。絕緣填料可以是單組份或多組分，單層或多層。漆可以優(yōu)選不同于簡(jiǎn)單鈍化樹(shù)脂。填料有利地可以優(yōu)選具有至少一個(gè)下列功能-為具有開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的掩膜，以形成導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；-具有平滑電極表面的作用，特別是通過(guò)選擇可平面化的或平滑的材料(通過(guò)沉 積方法、其配方、其厚度的明智選擇)；-作為提取OLED發(fā)射的輻射的方式。依據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電涂層，由于其電阻率、其覆蓋的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)以及由于其厚度，賦予 更好的電流分布。導(dǎo)電涂層的電阻率P 1可以小于等于IO3 Ω. cm，甚至小于等于IO2 Ω. cm。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以是線的形式，例如平行線，或可以是封閉圖案的形式(彼此相互連 接的線，定義網(wǎng))，例如幾何(矩形、正方形、多邊形等)封閉圖案以及可選的不規(guī)則形狀和 /或不規(guī)則尺寸的圖案?？梢远xB作為線間的平均距離(特別是相應(yīng)于平均目徑)，A為線的平均寬度，B+A為可選的不規(guī)則網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期。線間的平均距離B越短(稠密網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))，導(dǎo)電涂層的電阻率越高。填料是絕緣 的。特別當(dāng)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是稠密的時(shí)(B典型地小于等于50 μ m)，電阻率Pl小于等于ΙΟ—1 Ω. c。當(dāng)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)不是非常密時(shí)(B典型地大于50 μ m)，電阻率Pl更優(yōu)選小于等于10_2 Ω. cm,或甚至小于等于10_4 Ω · cm。電阻率ρ 1可以至少比P 2大十倍，以降低短路的靈敏性。導(dǎo)電涂層的表面是電極的外表面。導(dǎo)電涂層的表面可以優(yōu)選用于與OLED的有機(jī) 層接觸特別是孔注入層(HIL)和/或孔傳輸層(HTL)。依據(jù)本發(fā)明的電極的表面沒(méi)必要是平面的，通過(guò)涂層平面化。其可以是起伏的。尤其，導(dǎo)電涂層可以首先通過(guò)形成充分展開(kāi)的波動(dòng)使表面平滑。因此，消除銳利的 角、陡峭的裂口是重要的。優(yōu)選的，外側(cè)表面是這樣的，由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期B+A上的外 表面的實(shí)際輪廓起始，并通過(guò)由納米級(jí)別過(guò)濾形成校正的輪廓，消除局部微粗糙度，得到通 過(guò)具有校正(或?qū)嶋H)輪廓的平均平面的校正輪廓的正切形成的角，其在校正輪廓的任何 點(diǎn)上小于等于45°，更優(yōu)選還小于等于30°。對(duì)于所述角的測(cè)量，可以使用原子力顯微鏡。在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平方周期(A+B)2上形 成實(shí)際表面的圖像。因此開(kāi)發(fā)出沿給定軸形成表面的實(shí)際輪廓的所述圖像或所述圖像的一 部分。對(duì)于輪廓的分析長(zhǎng)度A+B是明智的，因?yàn)槠淝宄胤瓷浯植诙鹊妮喞＞W(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的 平均周期B+A典型地是亞毫米的，優(yōu)選10 μ m-500 μ m。通過(guò)(在任何點(diǎn)上)取50-200nm間的數(shù)值范圍上的移動(dòng)平均值校正實(shí)際輪廓，例 如lOOnm，而后，對(duì)于每個(gè)點(diǎn)，確定中間平面和輪廓的切線間的角度。從而，所述納米尺度過(guò) 濾首先用于消除無(wú)規(guī)短尺寸。然而，為了盡可能地防止短路，柔化表面而不限制局部微粗糙度是不夠的。因此，使用殘余輪廓，即實(shí)際輪廓減去校正輪廓。因此，在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期B+A 上，殘余輪廓可以具有小于50nm的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)間的最大高度差(“峰谷”參數(shù))，更優(yōu) 選還小于等于20nm，甚至10nm。在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期B+A上，殘余輪廓還可以具有小于等于50nm的RMS粗糙度 參數(shù)，甚至20nm(另外已知作為Rq)，甚至5nm。RMS代表“均方根”粗糙度。其是測(cè)量粗糙度的均方根偏差值的量度。因此，在具 體條件上，相比于平均(殘余)高度，RMS參數(shù)量化殘余粗糙度(局部微粗糙度)的峰和谷 的平均高度。因此，IOnm的RMS表示雙峰振幅。自然地，角度和殘余微粗糙度的限制條件可以優(yōu)選滿足絕大多數(shù)的電極表面。為 了驗(yàn)證，可以取全部表面上(均勻)延展的不同區(qū)域上的量度。優(yōu)選取電極活性區(qū)域中的所述量度，特定區(qū)域，如電極的邊緣，可以被鈍化，例如 用于連接體系或形成若干發(fā)光區(qū)域。角度測(cè)量還可以用另一種方式，通過(guò)機(jī)械探針系統(tǒng)(例如，使用Veeco銷(xiāo)售的商品 名為DEKTAK的測(cè)量?jī)x器)。導(dǎo)電涂層的外表面還可以具有非常大范圍的波動(dòng)，典型地超過(guò)一或更多毫米。而 且，基材，以及因而外表面，可以是彎曲的。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的透光率依賴(lài)于線間的平均距離B對(duì)線的平均寬度A的比率B/A。
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優(yōu)選的，比率B/A在5-15間，還更優(yōu)選約10，以容易地保留透明度并易于制造。例 如,B 禾口 A 分另Ij等于約 300 μ m 禾口 30 μ m、IOOym 禾口 10μπι、50μπι 禾口 5 μ m、或 20 μ m 禾口 2 μ m。特別的，選擇小于30 μ m的線的平均寬度A，典型地為100rim-30 μ m，優(yōu)選小于等于 10 μ m，甚至5 μ m,以限制其可見(jiàn)性，并大于等于1 μ m以易于制造和容易保留高傳導(dǎo)性和透 明度。優(yōu)選范圍為1-10 μ m。特別的，還可以選擇大于A的線間的平均距離B，5 μ m-300 μ m,甚至是20-100 μ m，
以易于保留透明度。由于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可以是無(wú)規(guī)的和/或線的邊緣可以是傾斜的，因此尺度A和B是平 均尺度。線的平均厚度可以為100nm-5 μ m,還更優(yōu)選0. 5-3 μ m,或甚至0. 5-1. 5 μ m，以容
易地保持透明度和高傳導(dǎo)率。有利地，依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極可以具有-小于等于5Ω / 口的薄層電阻，甚至小于等于1 Ω / □，或甚至0. 5 Ω / □，特別對(duì) 于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的厚度(甚至是總電極厚度)大于等于Iy m，優(yōu)選小于10 μ m，甚至小于等于 5 μ m ；-和/或透光率IY大于等于50 %，更優(yōu)選還大于等于70 %。依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極可以用于底部發(fā)光有機(jī)發(fā)光裝置，或用于底部和頂部發(fā)光 有機(jī)發(fā)光裝置。透光率IY可以例如在具有約90%或更高的IY的基材上測(cè)量，例如鈉鈣硅酸鹽玻
^^ ο依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極可以具有大的面積，例如大于等于0.02m2的面積，甚至大 于等于0. 5m2或Im2。而且，導(dǎo)電材料的沉積，甚至是厚的沉積，可以覆蓋線而不充分地使表面平滑。這 是因?yàn)榛瘜W(xué)汽相沉積(CVD)或物理汽相沉積(PVD)技術(shù)，特別是在真空下的沉積(蒸發(fā)、濺 射)再生或甚至放大初始表面的不規(guī)則性。而后，為了得到平滑的外表面，需要進(jìn)行隨后的 導(dǎo)電材料的表面操作，例如通過(guò)機(jī)械(拋光型)作用。而且，優(yōu)選的，對(duì)于依據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電涂層(甚至也對(duì)于填料)，選擇液體路線沉 積技術(shù)，特別是至少下列技術(shù)之一通過(guò)(平面、旋轉(zhuǎn)等)印刷，特別是通過(guò)柔性版印刷，通 過(guò)蝕刻印刷或通過(guò)噴涂，通過(guò)浸漬涂布，通過(guò)簾式涂布、通過(guò)澆涂、通過(guò)旋涂、通過(guò)刮涂、通 過(guò)環(huán)棒式涂布、通過(guò)涂布、通過(guò)噴墨打印、或通過(guò)絲網(wǎng)印刷術(shù)。沉積還可以通過(guò)溶膠-凝膠 路線得到。特別的，液體薄膜的表面張力傾向于平滑表面不規(guī)則性。在線的頂部，導(dǎo)電涂層的厚度，單獨(dú)或與下層導(dǎo)電層組合，可以為40-1000nm，優(yōu)選 50-500nm。導(dǎo)電涂層可以，例如，包含或由透明傳導(dǎo)性氧化物(TCO)層組成?？梢詢?yōu)選選擇單獨(dú)的錫氧化物SnO2、鋅氧化物ZnO、銦氧化物In2O3以及摻雜氧化 物，甚至是混合二元或三元氧化物，特別是一個(gè)或多個(gè)上述元素的混合二元或三元氧化物。 特別的，優(yōu)選至少一個(gè)下列摻雜或混合氧化物-用至少一種下列元素?fù)诫s或合金化的氧化鋅鋁、鎵、銦、硼、錫(例如Ζη0:Α1、
8ZnO: Ga、ZnO: In、ZnO: B、ZnSnO)；-特別用鋅(IZO)、鎵和鋅(IGZO)或錫(ITO)摻雜或合金化的氧化銦；-用氟或用銻摻雜的氧化錫(SnO2:F、SnO2:Sb)或任選用銻摻雜的鋅合金化的氧化 錫；-用鈮摻雜的氧化鈦(TiO2= Nb)。對(duì)于填料，可以選擇其他氧化物的材料，特別是高指數(shù)氧化物，特別是-氧化鈮(Nb2O5)；-氧化鋯(ZrO2)；-氧化鈦(TiO2)；-氧化鋁(Al2O3)；-氧化鉭(Ta2O5)；-或氮化物，如Si3N4、AlN、GaN、任選地用&、或化學(xué)計(jì)量的碳化硅SiC摻雜。導(dǎo)電涂層可以，例如，包含含有金屬納米顆?；蛲该鱾鲗?dǎo)性氧化物的納米顆粒的 層，如上所述，優(yōu)選10-50nm，以更好地限制和控制沉積的粗糙度，納米顆粒任選和優(yōu)選在粘 合劑中。填料可以，例如，包含或甚至由溶膠-凝膠層組成，特別基于單獨(dú)或混合(非傳導(dǎo) 性)金屬氧化物，如上述那些。然而，得到厚溶膠-凝膠層是困難的，特別是具有超過(guò)200nm的厚度。填料可以，例如，包含或甚至由含有(納米)顆粒或上述(非傳導(dǎo)性)氧化物的層 組成。納米顆粒的優(yōu)選尺寸為10-50nm，以更好地限制和控制沉積的粗糙度，并通過(guò)上面 的導(dǎo)電涂層制備平滑。(納米)顆粒是任選在粘合劑中的(納米)顆粒。粘合劑可以是有機(jī)的，例如丙烯酸、環(huán)氧或聚氨酯樹(shù)脂，或可以通過(guò)溶膠_凝膠路 線(無(wú)機(jī)或混雜有機(jī)/無(wú)機(jī)粘合劑等)生產(chǎn)。納米顆粒可以從溶劑(醇、酮、水、二醇等)中的分散體中沉積。基于可以用于形成導(dǎo)電涂層的顆粒的市售產(chǎn)品為由Sumitomo MetalMining Co. Ltd.銷(xiāo)售的下列產(chǎn)品-在(任選的)樹(shù)脂粘合劑中并用酮溶劑分散的XlOO ，XlOO D ITO顆粒；-在醇溶劑中分散的X500 ITO顆粒；-在醇溶劑中的CKR 金涂布銀顆粒；-CKRF 聚團(tuán)金和銀顆粒。由于在顆粒之間缺乏粘合劑，分散液?jiǎn)为?dú)沒(méi)有非常高的機(jī)械抗性。因此，為了確保 涂層的結(jié)合，優(yōu)選在其分散之前將其混入粘合劑中(粘合劑擴(kuò)散至填充層的全部厚度上)。粘合劑可以是電絕緣或?qū)щ姷?。粘合劑可以是有機(jī)的，例如丙烯酸、環(huán)氧或聚氨酯樹(shù)脂。粘合劑可以通過(guò)溶膠_凝膠路線(無(wú)機(jī)、或混雜有機(jī)/無(wú)機(jī)等)生產(chǎn)。粘合劑可 以基于有機(jī)金屬前體，優(yōu)選與金屬氧化物的納米顆粒相同化學(xué)屬性的有機(jī)金屬前體。涂層期望的電阻率作為配方的函數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
導(dǎo)電涂層(和/或填料)可以主要包含無(wú)機(jī)或混雜有機(jī)/無(wú)機(jī)層，例如特別基于 單獨(dú)或混合的諸如前述的傳導(dǎo)性和/或金屬氧化物的溶膠-凝膠層。溶膠-凝膠甚至具有承受高熱處理的優(yōu)勢(shì)(例如，浸漬涂布型操作)，并具有承受 UV曝光的優(yōu)勢(shì)。為了制造溶膠-凝膠層，優(yōu)選選擇市售的透明傳導(dǎo)性氧化物的前體，特別是有機(jī) 金屬化合物的前體或所述金屬的鹽的前體。因此，作為用于氧化錫沉積的前體的實(shí)例，可以選擇SnCl4、錫酸鈉、SnCl2 (OAc) 2或 Sn(IV)的醇鹽，如Sn(OtBu)4。也可以選擇已知作為錫前體的任何有機(jī)金屬化合物或鹽。對(duì)于氧化銻沉積，可以選擇有機(jī)金屬化合物和鹽，特別是Sb(III)的醇鹽和氯化 物，如 SbCl3 或 SbCl5。例如通過(guò)以適當(dāng)?shù)谋壤旌锨绑w和通過(guò)使用與所述前體兼容的溶劑，得到混合和 /或摻雜氧化物層。例如，銻摻雜氧化錫層可以在尿素和鹽酸的存在下，由氯化錫和氯化銻的水溶液 得到。另一個(gè)生產(chǎn)實(shí)例包含用在水/醇/乙醇胺混合物中的四異丙氧基錫作為前體并添加 氯化銻作為摻雜物。在Ka'iS Daoud 所著，Order No. 58—2003，2003 年 5 月 20 日在 Lyons presented and upheld，題目為“ ^ΑΒΟΚΑΤΙΟΝ ET CARACTERISATION DE FILMSMINCES D，OXYDE D’ INDIUM DOPE A L' ETAIN 0BTENUS PAR VOIE SOL-GEL” [通過(guò)溶膠-凝膠路線得到的 錫摻雜氧化銦的薄膜的生產(chǎn)和特征]的論文中的19-25頁(yè)給出了 ITO層的溶膠-凝膠制造 的實(shí)例。也可以使用Sumitomo Metal Mining Co. Ltd.銷(xiāo)售的商品名為DX-400 的產(chǎn)品。 這是基于錫和銦醇鹽的膏狀物，在有機(jī)溶劑和粘性調(diào)節(jié)劑中。由于成本的原因，復(fù)合電極優(yōu)選具有有限的ITO含量。例如，基于有機(jī)金屬前體的 ITO溶膠-凝膠層具有150nm的最大厚度，甚至是50nm。使用醇鹽型金屬氧化物的前體，例如在有機(jī)溶劑中稀釋?zhuān)鐡]發(fā)性醇。作為揮發(fā) 性醇，可以選擇直鏈或支鏈Cl-ClO或15醇，特別是甲醇、乙醇、己醇、異丙醇、或二醇，特別 是乙二醇，或揮發(fā)性酯，如乙酸乙酯。用于沉積溶膠-凝膠層的組合物也可以有利地包含其他成分，特別是水作為水解 劑，或穩(wěn)定劑，諸如雙丙酮醇、乙酰丙酮、乙酸或甲酰胺。特別的，通常在水溶液中使用金屬鹽型的前體。水的PH可以通過(guò)用酸或堿調(diào)節(jié) (例如鹽酸、醋酸、氫氧化銨、氫氧化鈉)以控制前體的濃度條件。也可以使用穩(wěn)定劑，如雙 丙酮醇、乙酰丙酮、乙酸或甲酰胺。沉積后，通常在20_150°C間進(jìn)行干燥步驟，有利地在100°C的數(shù)量級(jí)的溫度下，而 后在450-600°C的數(shù)量級(jí)的溫度下熱處理幾分鐘至幾小時(shí)，有利地在550°C的數(shù)量級(jí)的溫 度下熱處理30min的數(shù)量級(jí)的周期。導(dǎo)電涂層可以基本上包含或由通過(guò)液體路線沉積的聚合物層組成，適當(dāng)時(shí)，任選 可以形成用于填充層的氧化物(納米)顆粒的粘合劑。例如，其是源于至少一個(gè)下列族的 一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)性聚合物的層-聚噻吩族，如PEDOT(3，4-聚乙二醇噻吩)，PED0T/PSS即與聚苯乙烯磺酸鹽混合
10的3，4_聚乙二醇噻吩，和在申請(qǐng)US2004/253439中所述的其他衍生物；-或聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(苯胺)、聚(芴)、聚(3-烷基噻吩)、聚四硫富瓦 烯、聚萘、聚(對(duì)苯硫醚)、和聚(對(duì)苯撐乙烯)。作為聚噻吩，可以選擇，例如，HC Strack銷(xiāo)售的商品名為BAYTRON 的產(chǎn)品，或 Agfa 銷(xiāo)售的商品名為 d，Orgacon 、或 d，Orgacon EL-P3040 的產(chǎn)品。傳導(dǎo)性聚合物是電極的部分，還任選作為孔注射層。優(yōu)選在550nm的透光率大于等于70%的導(dǎo)電涂層和/或填料，更優(yōu)選在550nm還 大于等于80 %，或甚至在全部可見(jiàn)范圍內(nèi)。由前體生產(chǎn)的TCO層比由(納米)顆粒生產(chǎn)的層更平滑。優(yōu)選的，復(fù)合電極，至少，填料和/或?qū)щ娡繉泳哂性贑IELAB圖中絕對(duì)值低于5的 色度坐標(biāo)a*和b*。在本申請(qǐng)中，為了降低制造成本，網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)排列可以直接通過(guò)導(dǎo)電材料的沉積得 到。從而，避免了構(gòu)造后操作，例如干法和/或濕法蝕刻操作，其通常需要平版印刷過(guò) 程(將抗蝕劑在輻射下曝光并顯影)。所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的直接排列可以直接通過(guò)一個(gè)或多個(gè)適合的沉積方法得到，例如用 印臺(tái)、或通過(guò)噴墨打印(具有適合的噴嘴)。而且，導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以直接通過(guò)由在基材上的掩膜中的開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電 沉積(永久掩膜或而后去除掩膜)得到，或甚至也可以通過(guò)在例如通過(guò)由所述掩膜的蝕刻 形成的基材的蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電沉積得到，所述掩膜的蝕刻例如從IOnm開(kāi)始的深度， 優(yōu)選不超過(guò)lOOnm，特別是50nm的數(shù)量級(jí)。這可以支持線的錨定。在玻璃基材的情況下，可以例如使用氟等離子體蝕刻，特別是在真空下，例如通過(guò) CF4或CHF3。在氧化氣氛下，可以控制掩膜的蝕刻率，特別當(dāng)選擇其為有機(jī)的時(shí)。而后，線的排列可以基本上是掩膜中的開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的復(fù)制，或蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 的復(fù)制。優(yōu)選選擇無(wú)需使用退火操作即能穩(wěn)定的掩膜。因此，可以優(yōu)選一個(gè)或多個(gè)可以在常溫下進(jìn)行，和/或是簡(jiǎn)單的(特別是比不可避 免地需要使用催化劑的催化沉積簡(jiǎn)單的)，和/或給出稠密沉積的沉積技術(shù)。也可以選擇非選擇性沉積技術(shù)，沉積既填充了掩膜中或蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的開(kāi)孔部 分，又覆蓋了掩膜或基材的表面。而后可以去除掩膜，或可以拋光表面。特別地可以優(yōu)選通過(guò)液體路線沉積，特別通過(guò)印刷、用導(dǎo)電油墨刮涂、和/或真空 沉積技術(shù)，如濺射，或還更優(yōu)選揮發(fā)。沉積可以任選地用電解在充電完成，使用由Ag、Cu、Au或其他可用的高傳導(dǎo)性金 屬制成的電極。當(dāng)導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)被(部分或全部)以基材的蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)沉積時(shí)，特別是玻璃基 材，為了通過(guò)濕法蝕刻基材(例如用用于玻璃的HF溶液HF)，可以選擇具有開(kāi)孔的適合的網(wǎng) 狀結(jié)構(gòu)的溶膠-凝膠掩膜。有利地，導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，可視為自組織的，可以通過(guò)在基材上的掩膜中的自生開(kāi)孔 的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電材料的沉積得到。
自生開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以例如通過(guò)適合所述目的的材料的連續(xù)沉積的固化得到。 這可以是空隙、或特別是裂縫，如文獻(xiàn)US 7 172 822所述的那些。生產(chǎn)所述自裂紋掩膜所必須的大量技術(shù)步驟的減少有利地影響產(chǎn)量和期望的終 產(chǎn)品的成本。自生開(kāi)孔，以及從而線，可以是無(wú)規(guī)的，非周期或(偽)隨機(jī)分布。在本發(fā)明的第一實(shí)施方案中，掩膜，優(yōu)選具有自生開(kāi)孔，在導(dǎo)電平滑涂層的沉積之 前被去除。在第一無(wú)掩膜構(gòu)造中，導(dǎo)電涂層可以至少部分填充線間的空間，至少線間的上部 (離基材最遠(yuǎn))。其厚度可以特別至少比線的高度大1. 5倍，或甚至兩倍。在所述構(gòu)造中，可以優(yōu)選例如通過(guò)印刷、(特別通過(guò)柔性印刷術(shù))、噴涂或浸漬涂 布沉積的導(dǎo)電涂層，涂層可以以一種或多種途徑沉積。而且，還在有利的不含掩膜的構(gòu)造中，可以提供下列性能-用填料填充線間的空間，優(yōu)選高于線的全高度，所述填料是所謂的高指數(shù)填料， 至少在550nm的折射率大于等于1. 65，優(yōu)選超過(guò)全部可見(jiàn)光范圍，還更優(yōu)選折射率在550nm 為1.65-2，或甚至超過(guò)全部可見(jiàn)光范圍，優(yōu)選線間的距離B小于等于50 μ m，更優(yōu)選還小于 等于30μπι ；-以及線用無(wú)色反射材料(白色金屬)制成，優(yōu)選銀和鋁，或鉬、鉻、鈀和鎳。實(shí)際上，選擇的填料具有至少大于等于活性O(shè)LED系統(tǒng)(典型地具有1. 7-1. 9的數(shù) 量級(jí)的光學(xué)指數(shù))的指數(shù)-0.05。通過(guò)選擇所述指數(shù)，OLED系統(tǒng)的導(dǎo)模的提取，以及通過(guò)足 夠接近在一起的線，在線的邊緣上提取的光散射是有利的。從而提高了 OLED的效率。而且，優(yōu)選填料的吸收不是非常高，特別是具有小于KT2CnT1的可見(jiàn)光范圍的吸 收。作為無(wú)機(jī)高指數(shù)填料，例如可以選擇基于已經(jīng)指出的金屬氧化物的沉積，特別是 基于&02、Ti02、Al203或Ta205。所述氧化物可以在真空下沉積，優(yōu)選通過(guò)液體路線。其可以 是凝膠_溶膠。作為溶膠-凝膠型高指數(shù)填料的實(shí)例，可以提及由金屬前體與穩(wěn)定劑復(fù)合得到的 混雜溶膠_凝膠層制成的填料。例如，由與乙酰丙酮復(fù)合的丙醇鋯或鈦酸四丁酯在醇介質(zhì) 中的溶液得到層。當(dāng)其不能經(jīng)歷高溫?zé)崽幚矶a(chǎn)生相應(yīng)的氧化物時(shí)，所述材料包含與有機(jī) 分子復(fù)合的金屬氧化氫氧化物。可以通過(guò)起始于350°C的熱處理去除有機(jī)官能團(tuán)，得到無(wú)機(jī) 溶膠-凝膠層。作為高指數(shù)無(wú)機(jī)填料，也可以選擇高指數(shù)玻璃粉(鉛玻璃、鉍玻璃等)，例如通過(guò) 絲網(wǎng)印刷術(shù)或噴涂沉積。作為高指數(shù)聚合物，可以提及由下列聚合物制成的聚合物聚(1-萘基甲基丙烯 酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯，聚(2，4，6-三 溴苯基甲基丙烯酸酯)，聚(2，4，6-三溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)， 具有IOmol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯，聚(2，6-二氯苯乙烯)，聚(2-氯苯乙烯)，聚(2-乙 烯基噻吩)，聚(雙(4-碘苯氧基)磷腈)，聚(N-乙烯基鄰苯亞胺)，聚(五溴芐基丙烯酸 酯)，聚(五溴芐基甲基丙烯酸酯)，聚(五溴芐基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘 油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯，聚(五溴苯基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯，聚(五溴苯基丙烯酸酯-共-甲基丙 烯酸縮水甘油酯)，具有50mol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯，聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯)， 聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸縮 水甘油酯，聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有50mol %的甲 基丙烯酸縮水甘油酯，聚(五氯苯基甲基丙烯酸酯)，聚(乙烯基苯基硫醚)，聚(乙烯基苯 基硫醚-共-甲基丙烯酸縮水甘油酯)，具有IOmol %的甲基丙烯酸縮水甘油酯。所述聚合 物例如由Sigma-Aldrich銷(xiāo)售。另一種用于得到高指數(shù)填料的可能性包含選擇具有高指數(shù)顆粒的透明材料，其是 聚合或無(wú)機(jī)的，并且可以選擇已經(jīng)提及的高指數(shù)材料。例如由&02、1102、51102或Al2O3制成 的顆粒。作為無(wú)機(jī)透明材料，可以選擇合適的玻璃。作為溶膠-凝膠型透明材料，可以選擇由四乙氧基硅烷(TEOS)，鈉、鋰或鉀的硅酸 鹽，或由有機(jī)硅烷型前體得到的混雜產(chǎn)生的硅石，其通式為R2nSi (ORl) 4_n其中η是0-2間的整數(shù)，Rl是CxH2x+1型烷基官能，R2是有機(jī)基團(tuán)，包含例如烷基、 環(huán)氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺、苯基或乙烯基官能。所述混雜化合物可以作為混合物 或單獨(dú)使用，在具有適當(dāng)?shù)腜H的水溶液中或水/醇混合物中。作為透明聚合物材料，可以選擇硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯PU、乙烯/醋酸乙烯酯 EVA、聚乙烯醇縮丁醛PVB、聚醋酸乙烯酯PVA、和丙烯酸樹(shù)脂。在一個(gè)有利的不含掩膜概念中，填料時(shí)漫射的，特別基于漫射顆粒?？梢詢?yōu)選具有超過(guò)5%的霧化的漫射填料。漫射顆粒可以在粘合劑中分散，以混合物重量的1-80%的比例。所述漫射顆粒的平均粒徑超過(guò)50nm，和亞微米級(jí)，優(yōu)選100-500nm，或甚至 100-300nm。漫射顆粒的指數(shù)可以有利地大于1. 7，粘合劑的指數(shù)可以優(yōu)選小于1. 6，例如硅石 或混雜有機(jī)硅樹(shù)脂材料。漫射顆?？梢允怯袡C(jī)的，例如由前述高指數(shù)聚合材料制成。優(yōu)選的，所述漫射顆粒 可以是無(wú)機(jī)的，優(yōu)選氮化物、碳化物或氧化物，氧化物選自氧化鋁、氧化鋯、鈦、鈰或至少兩 種所述氧化物的混合物。漫射填料的粘合劑可以優(yōu)選選自基本上無(wú)機(jī)粘合劑，諸如硅酸鉀、硅酸鈉、硅酸 鋰、磷酸鋁、硅石、和玻璃粉。作為混雜有機(jī)/無(wú)機(jī)粘合劑，可以提及由有機(jī)硅烷基粘合劑制成的那些，如前述 透明材料所述的。漫射填料可以通過(guò)任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員已知的層沉積技術(shù)沉積，特別是絲網(wǎng) 印刷術(shù)、涂料的涂布、浸漬涂布、旋涂、濺射、或澆涂。所述漫射填充層使提高OLED的效率成為可能，特別是對(duì)于相當(dāng)大的線間距離， 即，30 μ m和甚至更大，以至100 μ m和更高。漫射填料可以僅僅部分填充空間，特別可以是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)間的較低部分的空間。漫射填料是絕緣的。從而其厚度可以優(yōu)選為傳導(dǎo)性線的高度的20% -100%，有利
13地為線厚度的50% -100%。作為填料，可以選擇熔融玻璃粉或溶膠-凝膠層。許多化學(xué)元素可以作為溶膠_凝膠填充層的基礎(chǔ)。作為基礎(chǔ)組成材料，其可以包 含至少一個(gè)元素Si、Ti、Zr、Sb、Hf、Ta、Mg、Al、Mn、Sn、Zn、Ce的至少一個(gè)化合物。其可以 特別是單一氧化物或至少一個(gè)上述元素的混合氧化物。填料優(yōu)選可以主要基于硅石，特別 為了其與無(wú)機(jī)玻璃的附著以及其與無(wú)機(jī)玻璃的兼容性。硅石層的組分材料的溶膠前體可以是硅烷，特別是四乙氧基硅烷(TEOS)和/或甲 基三乙氧基硅烷(MTEOS)，或鋰、鈉或鉀的硅酸鹽。硅石可以是通過(guò)如上述已經(jīng)提及的通式為R2nSi (ORl)4_n的化合物得到的混雜。優(yōu)選的填料可以優(yōu)選通過(guò)絲網(wǎng)印刷、浸漬涂布或噴涂沉積。傳導(dǎo)性下層涂料可以 優(yōu)選通過(guò)印刷，特別通過(guò)柔性印刷、浸漬涂布或噴涂沉積。而且，如已經(jīng)指出的，可以保留具有自生開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的掩膜，線填充，優(yōu)選完 全地填充掩膜的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的開(kāi)孔，從而填料相應(yīng)于所述掩膜。所述掩膜優(yōu)選是可平面化的，尤其通過(guò)機(jī)械拋光，優(yōu)選下至線的表面水平。而且如 果必要，拋光可以去除掩膜表面上的傳導(dǎo)性材料，導(dǎo)致用于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)體的材料的非選擇 性沉積。由于拋光，任選地可以選擇通過(guò)化學(xué)或物理氣相路線沉積導(dǎo)電涂層。例如，可以選擇溶膠-凝膠掩膜，優(yōu)選基于硅石，厚度可以超過(guò)一微米或更高。這可以特別是由硅酸鉀、硅酸鋰或硅酸鈉得到的無(wú)機(jī)硅石的溶膠-凝膠層。也可以是由通式為R2nSi(0Rl)4_n的前體的濃縮溶膠得到的混雜硅石的溶膠-凝膠 層，其中η是0-2間的整數(shù)，Rl是CxH2x+1型烷基官能，R2是有機(jī)基團(tuán)，優(yōu)選具有烷基、環(huán)氧 基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、胺、苯基或乙烯基官能。所述混雜化合物可以作為混合物或通過(guò)其本身使用，在具有適當(dāng)?shù)膒H的水溶液 中或水/醇混合物中。使用20-60%的A質(zhì)量濃度的前體，優(yōu)選35-55%。通過(guò)控制濃度和 掩膜的干燥條件，可以調(diào)節(jié)B/A的比率。導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以是復(fù)合材料，特別是多層結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以包含或由基于金屬氧化物的層組成，所述金屬氧化物是 便宜和易制的，例如氧化鋅ZnO、或氧化錫SnO2，或混合氧化銦和氧化錫ΙΤ0。所述金屬氧化 物例如通過(guò)真空沉積、磁控濺射、或離子束濺射沉積。導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以基于選自銀、鋁、或甚至鉬、金、銅、鈀、鉻的純金屬材料，或基于 所述材料與至少一個(gè)其他材料的合金或摻雜，所述其他材料為Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、 Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn。導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以包含或由主要為金屬材料(連續(xù)介質(zhì))制成的層和/或基于分 散在基質(zhì)中的金屬顆粒的層組成，所述基質(zhì)可以是導(dǎo)電或非導(dǎo)電的，例如用傳導(dǎo)性顆粒，特 別是銀填充的油墨，如InkTec銷(xiāo)售的產(chǎn)品TEC-PA-030 ，其可以通過(guò)刮涂沉積。如已經(jīng)可見(jiàn)的，沉積，特別是金屬沉積，可以任選的通過(guò)使用由Ag、Cu、Au或另一 個(gè)可用的高傳導(dǎo)性金屬制成的電極進(jìn)行電解液再充電而完成。線可以是多層結(jié)構(gòu)，特別是由前述材料，特別是銀、鋁制成的第一金屬層，任選地 用銅包裹，和用于防止腐蝕(水和/或空氣)的覆蓋層，例如金屬的，由鎳、鉻、鉬或其混
14合物或TCO氧化物制成的，厚度起始于lOnm，典型地為20-30nm，例如上至200nm或甚至 lOOnm。例如，覆蓋層通過(guò)揮發(fā)或?yàn)R射沉積。優(yōu)選的，依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極(線、填料、導(dǎo)電涂層)可以主要是礦物質(zhì)，還更優(yōu) 選基材也是玻璃基材?；目梢允瞧矫婊驈澢?，也可以是硬質(zhì)、軟質(zhì)或半軟質(zhì)的。其主面可以是矩形、正方形或甚至任何其他形狀(圓形、橢圓形、多邊形等)。所述 基材可以是大尺寸的，例如表面積大于0. 02m2或甚至0. 5m2或lm2，并且一個(gè)下電極基本上 占有全部表面積(除了構(gòu)造區(qū)域之外)?；目梢曰旧鲜峭该鞯?，無(wú)機(jī)的，或由諸如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯 PMMA或PET、聚乙烯醇縮丁醛PVB、聚氨酯PU、聚四氟乙烯PTFE等的塑料制成?；膬?yōu)選是玻璃基材，特別是由鈉鈣硅酸鹽玻璃制成的?；目梢杂欣厥窃贠LED輻射的波長(zhǎng)下，吸收系數(shù)小于2. 5m—1的玻璃，優(yōu)選小 于0.7m-1。例如所選的鈉鈣硅酸鹽玻璃具有低于0.05%的Fe III或Fe2O3，特別是產(chǎn)自 Saint-Gobain Glass 的 Diamant 玻璃、產(chǎn)自 Pilkington 的 Optiwhite 玻璃、產(chǎn)自 Schott 的 B270玻璃?？梢赃x擇文獻(xiàn)WO 04/025334中描述的所有超清晰玻璃組合物?；牡暮穸龋貏e是所選的玻璃基材，可以至少為0. 35mm，優(yōu)選至少0. 7mm。基材平板的邊緣也可以是反射的，優(yōu)選具有鏡面，以使導(dǎo)入的放射線最適宜地循 環(huán)，而且邊緣形成與OLED系統(tǒng)相關(guān)的外角大于等于45°但小于90°的主面，優(yōu)選大于等于 80°，以將輻射引導(dǎo)至更寬的提取面積上。從而，平板可以是斜面。而且，文獻(xiàn)US 7 172 822中所述的電極的制造方法不可避免地需要可以在裂紋 上修飾的亞表層的沉積，以允許用于金屬后生長(zhǎng)的催化劑接枝，所述亞表層因而在網(wǎng)狀結(jié) 構(gòu)的生長(zhǎng)過(guò)程中具有官能作用。所述亞表層也可以具有下列缺點(diǎn)之一-對(duì)鈉鈣玻璃基材的低附著力；-在堿性介質(zhì)中的不穩(wěn)定性，通常在基材的洗滌期間使用堿性介質(zhì)；_在高溫?zé)崽幚?高溫回火、退火等)期間的不穩(wěn)定性。因此，依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極優(yōu)選可以直接在基材上，特別是玻璃基材。而且，為了利于電極的能量供給和/或?yàn)榱诵纬啥嘀匕l(fā)光區(qū)域，依據(jù)本發(fā)明的復(fù) 合電極可以是不連續(xù)的，典型地形成至少彼此絕緣的電極區(qū)，優(yōu)選一個(gè)或多個(gè)平行排列的 復(fù)合電極區(qū)。為了達(dá)到所述情況，例如用激光蝕刻復(fù)合電極，產(chǎn)生的開(kāi)孔用鈍化材料填充， 例如聚酰胺。具有如前所述的復(fù)合電極的基材還可以包含直接沉積在外表面上的有機(jī)發(fā)光體系。本發(fā)明還涉及與具有前述復(fù)合電極的基材相關(guān)的有機(jī)發(fā)光裝置，復(fù)合電極形成所 謂的下電極，最接近基材。有機(jī)發(fā)光裝置可以包含-一排復(fù)合(下)電極區(qū)；-至少一個(gè)由有機(jī)電致發(fā)光材料制成的非連續(xù)層，以電致發(fā)光層區(qū)的形式排列在 復(fù)合(下)電極區(qū)上；和
-具有導(dǎo)電層的非連續(xù)上電極，以電極區(qū)的形式排列在電致發(fā)光層區(qū)上。各種類(lèi)型的連接是可以的_所有電致發(fā)光區(qū)的單獨(dú)串聯(lián)；_串聯(lián)和并聯(lián)的組合；-特定對(duì)每一排的串聯(lián)。需要記住的是，在串聯(lián)中，電流由上電極區(qū)向鄰近的下電極區(qū)流動(dòng)。對(duì)于每排的串聯(lián)，電致發(fā)光層區(qū)可以在排列方向上偏離下電極區(qū)，沿給定方向，而 上電極區(qū)可以在排列方向上和在相同方向偏離電致發(fā)光區(qū)。分離的排的電致發(fā)光區(qū)之間的距離可以大于給定排的區(qū)間的距離，優(yōu)選100 μ m 以上，尤其是100 μ m-250 μ m。因而，每排是獨(dú)立的。如果每排中的區(qū)域之一有缺陷，整個(gè)排仍然可以運(yùn)行。相鄰 排是完好的。依據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置可以提供或不提供電線。形成集電器或電流分配器的一部分的兩個(gè)連續(xù)或非連續(xù)電線帶可以分別與復(fù)合 下電極的外圍邊緣和上電極的外圍邊緣電接觸。所述電線帶連接優(yōu)選具有0. 5-10 μ m的厚度和0. 5nm的寬度，可以是各種形式-由下列金屬僅0、六1、0、而之一或諸如臨0、六1而的合金制成的金屬單層-由下列金屬形成的金屬?gòu)?fù)層Mo、Al、Cr、NcUnMoCr/Al/MoCr；-由傳導(dǎo)性琺瑯制成的，例如含銀并經(jīng)絲網(wǎng)印刷的；-由傳導(dǎo)性材料或用傳導(dǎo)性顆粒填充的材料制成并用噴墨印刷沉積的；或-由傳導(dǎo)性聚合物制成的，或者用例如銀的金屬摻雜或者沒(méi)有摻雜。對(duì)于上電極，可以使用薄金屬層，稱(chēng)為T(mén)CC(透明傳導(dǎo)性涂層)，例如由Ag、Al、Pd、 Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au制成，典型地依據(jù)期望的透光率/光反射率具有5-50nm的厚度。上電極可以是導(dǎo)電層，有利地選自金屬氧化物，尤其是下列材料摻雜氧化鋅，尤 其是鋁摻雜氧化鋅ZnO: Al或鎵摻雜氧化鋅ZnO: Ga，或者是摻雜氧化銦，尤其是錫摻雜氧化 銦(ITO)或鋅摻雜氧化銦(IZO)。更通常的，可以使用任何類(lèi)型的透明導(dǎo)電層，例如被稱(chēng)為T(mén)CO(透明傳導(dǎo)性氧化 物)層的層，例如厚度為20-1000nm。OLED裝置可以產(chǎn)生單色光，尤其是藍(lán)光和/或綠光和/或紅光，或可以調(diào)節(jié)以產(chǎn)生 白光。為了產(chǎn)生白光，若干方法是可行的在單層上混合化合物(紅、綠、藍(lán)光發(fā)射)；在 三個(gè)有機(jī)結(jié)構(gòu)(紅、綠、藍(lán)光發(fā)射)或兩個(gè)有機(jī)結(jié)構(gòu)(黃和藍(lán))的電極表面上堆疊；在電極 表面上，三個(gè)相鄰有機(jī)結(jié)構(gòu)(紅、綠、藍(lán)光發(fā)射)的串聯(lián)，一個(gè)有機(jī)結(jié)構(gòu)用一種顏色，并在其 他適合的磷層的表面上。OLED裝置可以包含多重相鄰的有機(jī)發(fā)光體系，每個(gè)發(fā)射白光，或通過(guò)三個(gè)發(fā)射紅、 綠和藍(lán)光的串聯(lián)，所述體系例如串聯(lián)連接。每排可以例如發(fā)射給定的顏色。OLED裝置可以形成多層玻璃單元的一部分，尤其是真空玻璃單元或具有空氣層或 另一種氣體層的玻璃單元。裝置還可以是單片，并包含單片玻璃單元，以更緊湊和/或更
16殼。OLED體系可以與另一個(gè)平面基材粘合，或優(yōu)選層壓，被稱(chēng)為覆蓋層，優(yōu)選是透明 的，如玻璃，使用層壓夾層，尤其是超清晰夾層。層壓玻璃單元通常包含兩個(gè)硬質(zhì)基材，在其之間放置熱塑性聚合物片或所述片的 重疊。本發(fā)明還包括所謂的“不對(duì)稱(chēng)”層壓玻璃單元，特別使用玻璃型硬質(zhì)載體基材和作為 覆蓋基材的一個(gè)或多個(gè)保護(hù)聚合物片。本發(fā)明還包括具有至少一個(gè)基于彈性體型的單側(cè)或雙側(cè)附著聚合物的夾層片的 層壓玻璃單元(即，不需要傳統(tǒng)條件的層壓操作，即，需要通常在壓力下加熱以軟化熱塑夾 層片并使其粘合的層壓)。在所述構(gòu)造中，用于在載體基材上固定覆蓋物的方式可以是層壓夾層，尤其是熱 塑性片，例如聚氨酯(Pu)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或乙烯/醋酸乙烯酯(EVA)，或熱固性單 組份或多組分樹(shù)脂(環(huán)氧、PU)或可紫外固化單組份或多組分樹(shù)脂(環(huán)氧、丙烯酸樹(shù)脂)。 優(yōu)選片基本上具有與覆蓋物和基材相同的尺寸。層壓夾層可以防止覆蓋物彎曲，尤其是對(duì)于大型裝置，例如面積超過(guò)0. 5m2。特別的，EVA提供許多優(yōu)勢(shì)-其含有很少或不含以體積計(jì)的水；-其不必需要高壓加工。熱塑性層壓夾層可以優(yōu)選為由鑄造樹(shù)脂制成的覆蓋物，因?yàn)槠浼锤菀讓?shí)施，又 便宜，并可以更加密封。夾層任選包括在其內(nèi)表面中設(shè)定的導(dǎo)電線圈的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，面向上電極，和/或在 覆蓋物的內(nèi)表面上的導(dǎo)電層或?qū)щ妿?。OLED體系可以優(yōu)選位于雙玻璃單元的內(nèi)側(cè)，尤其具有惰性氣體(例如氬)層。而且，在具有依據(jù)本發(fā)明的電極的基材相對(duì)的表面上或在其他基材上添加具有給 定的官能性的涂層是有利的。這可以是防霧涂層(使用親水層)，防污層(包含TiO2的光 催化涂層，至少部分以銳鈦礦的形式結(jié)晶)，或諸如Si3N4/Si02/Si3N4/Si02型的防反射復(fù)層， 或諸如氧化鈦(TiO2)層的UV過(guò)濾器。其也可以是一個(gè)或多個(gè)磷層，鏡面層或至少一個(gè)散 射光提取層。本發(fā)明還涉及各種可以放置所述OLED裝置的應(yīng)用，所述裝置形成一個(gè)或多個(gè)發(fā) 光表面，其是透明和/或反射性的(鏡面功能)，既可以置于室外也可以置于室內(nèi)應(yīng)用中。所述裝置可以形成，(可選的或組合的)，照明、裝飾、建筑等系統(tǒng)中，或指示顯示 板——例如制圖、標(biāo)示或文字與數(shù)字指示類(lèi)型，尤其是緊急出口面板。OLED裝置可以排列以形成均勻發(fā)光，尤其是均勻照明，或產(chǎn)生不同的光區(qū)，具有相 同或不同的強(qiáng)度。相反，可以開(kāi)發(fā)差異照明。有機(jī)發(fā)光體系(OLED)產(chǎn)生直射光區(qū)，通過(guò)由基材的厚 度的總反射導(dǎo)致的OLED發(fā)光的提取得到另一個(gè)發(fā)光區(qū)，選擇所述基材由玻璃制成。為了形成所述其他發(fā)光區(qū)，提取區(qū)可以鄰接OLED系統(tǒng)或在基材的另一側(cè)上。提取 區(qū)(zone)或區(qū)(zones)可以起例如增加由直射光區(qū)提供的照明的作用，尤其是用于建筑照 明，或者顯示發(fā)光面板。提取區(qū)(zone)或區(qū)(zones)優(yōu)選以一個(gè)或多個(gè)，尤其是均一的，光 帶的形式，其優(yōu)選位于一個(gè)表面的邊緣。所述帶可以例如形成高亮結(jié)構(gòu)。
通過(guò)至少一個(gè)下列位于提取區(qū)的方式完成提取漫射層，優(yōu)選基于無(wú)機(jī)顆粒和優(yōu) 選用無(wú)機(jī)粘合劑；由漫射制成的基材，尤其是有織紋或粗糙的基材。兩個(gè)主面可以每個(gè)具有一個(gè)直射光區(qū)。當(dāng)選擇透明的OLED系統(tǒng)的電極和有機(jī)結(jié)構(gòu)時(shí)，可以特別地生產(chǎn)照明窗。從而對(duì)室 內(nèi)照明的改善不會(huì)對(duì)透光率產(chǎn)生損害。還通過(guò)限制光反射，尤其是在照明窗的外側(cè)，也可以 控制反射水平，例如從而有效地達(dá)到建筑物立面的防耀眼標(biāo)準(zhǔn)。更廣泛的，裝置，尤其是部分或完全透明裝置，可以_用于建筑物，如外部發(fā)光玻璃，內(nèi)部發(fā)光隔離物或發(fā)光玻璃門(mén)(或門(mén)的一部分)， 尤其是滑動(dòng)門(mén)；-用于運(yùn)輸工具，如發(fā)光頂、發(fā)光側(cè)窗(或窗的部分)、陸上、水上或空中交通工具 的內(nèi)發(fā)光隔離(小轎車(chē)、卡車(chē)、火車(chē)、飛機(jī)、輪船等)；-用于城市或?qū)I(yè)設(shè)備，如公交車(chē)候車(chē)廳面板、顯示計(jì)數(shù)器墻、珠寶展示或商店櫥 窗、溫室墻壁、或發(fā)光瓷磚；_用于室內(nèi)家具、擱板或櫥柜元件、櫥柜立面、發(fā)光瓷磚、天花板、發(fā)光電冰箱擱板、 水族箱壁；_用于電子設(shè)備的背光，尤其是顯示屏，任選的雙屏，如電視或計(jì)算機(jī)屏，觸摸屏。例如，可以涉及雙側(cè)屏具有不同尺寸的背光，小屏優(yōu)選與Fresnel棱鏡相關(guān)以聚 光。為了形成照明鏡面，電極之一可以是反射的，或鏡面可以位于OLED系統(tǒng)的對(duì)面， 如果在直射光區(qū)的僅僅一側(cè)上的優(yōu)先照明是期望的。其還可以是鏡面。發(fā)光面板可以用于照明浴室壁或廚房操作面，或可以是天花板。依據(jù)使用的有機(jī)材料，OLED通常分為兩個(gè)寬泛的族。如果由小分子形成電致發(fā)光層，裝置被稱(chēng)為SM-OLED(小分子有機(jī)發(fā)光二極管)。 所述薄層的有機(jī)電致發(fā)光材料包括揮發(fā)性分子，例如復(fù)合AlQ3(三(8-羥基喹啉)鋁)、 DPVBi (4,4' -(二苯乙烯)聯(lián)苯)、DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亞甲基-2-甲 基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)。發(fā)光層還可以是例如用fac-三(2-苯基吡啶) 銥[Ir(ppy)3]摻雜的4，4'，4〃 -三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)層。通常，SM-OLED的結(jié)果包括HIL (孔注射層)、HTL (孔傳輸層)、發(fā)光層和ETL (電子 傳輸層)的堆疊。孔注射層的實(shí)例是酞菁銅(CuPC)，而孔傳輸層的實(shí)例可以是N，N'-雙 (萘-1-基)-N，N'-雙(苯基)對(duì)二氨基聯(lián)苯(α-ΝΡΒ)。電子傳輸層可以包含三-(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)或紅菲咯啉(BPhen)。上電極可以是Mg/Al或LiF/Al層。有機(jī)發(fā)光堆疊的實(shí)例是例如在文獻(xiàn)US 6645645中描述的。如果有機(jī)電致發(fā)光層是聚合物，裝置被稱(chēng)為PLED (聚合物發(fā)光二極管)。薄層有機(jī)電致發(fā)光材料包含CES聚合物(PLWD)，如代表聚(對(duì)苯撐乙烯)的PPV、 PPP (聚(對(duì)苯乙烯))、D0-PPP (聚(2-癸氧基-1，4-亞苯基))、MEH-PPV (聚[2-(2'-乙基 己氧基)-5_甲氧基-1，4-苯撐乙烯])、CN-PPV(聚[2，5-雙(己氧基)-1，4-亞苯基-(1-氰 乙烯)])或PDAF(聚二烷基芴)，聚合物層還與促進(jìn)孔注射層(HIL)結(jié)合，所述促進(jìn)孔注射層包含例如PEDT/PSS (聚(3，4-乙烯-二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))。PLED的一個(gè)實(shí)例包含下列堆疊-用聚(苯乙烯磺酸酯)摻雜的聚(2，4_乙烯二氧噻吩)(PED0T:PSS)的層，厚度 為50nm ；和-苯基聚(對(duì)苯撐乙烯)Ph-PPV層，厚度為50nm。上電極可以是Ca層。本發(fā)明還涉及在如前所述的載體基材上制造復(fù)合電極的方法，在第一構(gòu)造中包含 如下步驟-直接形成導(dǎo)體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)排列的第一步，包含至少一個(gè)如下沉積-通過(guò)印臺(tái)或通過(guò)傳導(dǎo)性油墨噴射打印在基材上沉積網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料；-在基材的蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上沉積，優(yōu)選玻璃基材；-包含通過(guò)液體路線沉積導(dǎo)電涂層(不同于或非源自于導(dǎo)電填料)的第二步。或者，在第二構(gòu)造中，包含下列步驟-直接形成導(dǎo)體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)排列的第一步，包括在優(yōu)選的玻璃基材上通過(guò)一層沉 積導(dǎo)電材料，被稱(chēng)為掩膜，具有自組織為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的開(kāi)孔，直到一部分開(kāi)孔的深度已被填 充；_任選地，在第一步前，通過(guò)掩膜的開(kāi)孔蝕刻基材，從而在基材上部分(或完全)錨 定網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；-去除掩膜；-包含通過(guò)液體路線沉積導(dǎo)電涂層的第二步。如已經(jīng)指明的，在掩膜中和/或在蝕刻的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料的沉 積優(yōu)選可以通過(guò)簡(jiǎn)單的非選擇性沉積實(shí)施，優(yōu)選通過(guò)真空沉積，特別是通過(guò)揮發(fā)，或通過(guò)液 體路線，特別通過(guò)用傳導(dǎo)性油墨刮涂、通過(guò)浸漬涂布、或通過(guò)(平面或旋轉(zhuǎn))印刷。所述沉 積任選地通過(guò)用諸如金、銀或銅的金屬進(jìn)行電解在充電而完成。在第二構(gòu)造中，依據(jù)本發(fā)明的方法包含形成掩膜的第一步，包含-在被稱(chēng)為掩膜層的層的(裸露或涂布)基材上沉積；-掩膜層的固化(如果層是液體，即為干燥)，直到得到形成所述掩膜的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 開(kāi)孔。掩膜層有利地可以是分散在溶劑中的穩(wěn)定膠體顆粒的溶液，尤其是基于丙烯酸共 聚物的膠體的水溶液?？梢缘玫叫纬裳谀さ幕旧现边呴_(kāi)孔的二維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其在至少一個(gè)方向上具有 開(kāi)孔的隨機(jī)、非周期性網(wǎng)眼。所述開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)基本上比裂紋的硅石溶膠_凝膠掩膜具有更多的交互連接。 通過(guò)所述依據(jù)本發(fā)明的方法，從而形成可以在全部表面上分布的開(kāi)孔的網(wǎng)孔，其使得到各 向同性成為可能。因而，掩膜至少在一個(gè)方向，或甚至在兩個(gè)(所有)方向上具有隨機(jī)、非周期結(jié)構(gòu)。由于所述特別方法，可以以較低的成本得到包含適合的性能尺寸的隨機(jī)(形狀和 /或尺寸)、非周期單元的掩膜-網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的(平均)寬度A為微米尺度，或甚至納米級(jí)，特別是在幾百納米到幾十微米，尤其是200nm-50 μ m ；-單元的(平均)尺寸B為毫米級(jí)或甚至亞毫米級(jí)，尤其是5-500μ m，或甚至 100-250 μm。-Β/Α的比率可調(diào)，特別的，作為顆粒屬性的函數(shù)，尤其是7-20或甚至40 ；-在掩膜的給定區(qū)域，或甚至在絕大部分或全部表面上，開(kāi)孔的最大寬度與開(kāi)孔的 最小寬度之間的差別小于4，或甚至小于等于2 ；-在掩膜的給定區(qū)域，或甚至在絕大部分或全部表面上，最大網(wǎng)孔(單元)尺度與 最小網(wǎng)孔尺度間的差別小于4，或甚至小于等于2 ；-在掩膜的給定區(qū)域，或甚至在絕大部分或全部表面上，開(kāi)孔網(wǎng)孔(非開(kāi)口或“盲” 空隙)的量低于5%，或甚至小于等于2%，因而具有有限的或甚至幾乎為零的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)破 裂，其任意地通過(guò)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的蝕刻被降低并抑制。-對(duì)于給定的網(wǎng)孔，絕大多數(shù)或甚至全部的給定區(qū)域中或全部表面上的網(wǎng)孔，網(wǎng)孔 的最大尺度和最小尺度之間的差別小于2，以強(qiáng)化各向同性；和_對(duì)于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的絕大多數(shù)或甚至全部片段，邊緣為恒定間距的、平行的，特別是 10 μ m級(jí)(例如用200倍的光學(xué)顯微鏡觀察)。寬度A例如可以為1-20 μ m，或甚至1-10 μ m，而B(niǎo)可以是50-200 μ m。這使得隨后生產(chǎn)由平均線寬確定的柵格成為可能，所述平均線寬基本上與開(kāi)孔和 線間的(平均)間距一致，所述平均間距基本上與(網(wǎng)孔的)孔間的間距一致。特別的，線的 尺寸可以優(yōu)選為幾十微米到幾百納米之間。B/A的比率可以在7-20間選擇，或甚至30-40。由開(kāi)孔限定的網(wǎng)孔是不同形狀的，典型的具有三、四或五條邊，例如主要有四條 邊，和/或不同尺寸，隨機(jī)和非周期分布的。對(duì)于絕大多數(shù)或全部網(wǎng)孔，一個(gè)網(wǎng)孔的兩個(gè)相鄰邊間的角度可以為60° -110°， 尤其是80° -100°。在一個(gè)構(gòu)造中，用(任選大約平行的)開(kāi)孔和(任選大約垂直于平行網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的) 開(kāi)孔的二級(jí)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)得到主網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其位置和距離是隨機(jī)的。二級(jí)開(kāi)孔的寬度例如小于 主開(kāi)孔。干燥導(dǎo)致掩膜層的收縮以及在層內(nèi)的張力導(dǎo)致的表面上的納米顆粒的摩擦，通過(guò) 放松形成孔。與硅石凝膠-溶膠不同，溶液是天然穩(wěn)定的，具有已經(jīng)形成的納米顆粒，優(yōu)選不含 (或含有可以忽略的量的)聚合物前體類(lèi)型的活性元素。在一個(gè)步驟中，干燥導(dǎo)致溶劑的消除和孔的形成。干燥后，得到納米顆粒簇，簇具有不定的尺寸，并通過(guò)本身不定尺寸的孔分離。為了在全部深度上得到孔，必須_選擇有限尺寸的顆粒(納米顆粒)，以促進(jìn)其分散，優(yōu)選特征(平均)尺寸為 10-300nm，或甚至 50_150nm ；和_(尤其通過(guò)用表面電荷處理，例如用表面活性劑，通過(guò)控制pH)穩(wěn)定化溶劑中的 顆粒，以防止其聚團(tuán)、沉淀和/或由于重力而沉降。另外，調(diào)節(jié)顆粒的濃度，優(yōu)選為5wt%，或甚至IOwt% -60wt%，更優(yōu)選20%-40%o 避免添加粘合劑。
溶劑優(yōu)選為水基的，或甚至完全是水的。在第一實(shí)施方案中，膠體溶液包含聚合納米顆粒(并優(yōu)選具有水基，或甚至完全 是水的，溶劑)。例如，選擇丙烯酸共聚物、苯乙烯、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或 其混合物。在第二實(shí)施方案中，溶液包含無(wú)機(jī)納米顆粒，優(yōu)選硅石、氧化鋁、或氧化鐵。由于顆粒具有給定的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg，沉積和干燥可以優(yōu)選在低于所述溫度Tg的 溫度下實(shí)施，以更好地控制柵格掩膜的形態(tài)學(xué)。本方法的沉積和干燥步驟尤其可以(基本上)在常溫下進(jìn)行，典型地在20-25°C 下。不需要退火。給定的顆粒的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg和干燥溫度間的差別優(yōu)選大于10°C，或甚至20°C。本方法的沉積和干燥步驟可以基本上在大氣壓力下進(jìn)行，而不是例如在真空下干
O可以修改干燥參數(shù)(控制參數(shù))，尤其是濕度和干燥速率，以調(diào)節(jié)B、A、和/或B/A 的比率。 濕度越高(所有其他條件均相同)，A越低。溫度越高(所有其他條件均相同)，B越高。通過(guò)修改選自壓實(shí)膠體和基材表面間的摩擦系數(shù)、納米顆粒的尺寸、揮發(fā)速率、起 始顆粒濃度、溶劑屬性和依賴(lài)于沉積技術(shù)的厚度的控制參數(shù)，可以調(diào)節(jié)B/A速率。掩膜的邊緣基本上是直線的，即沿相對(duì)于表面80-100°的中間平面，或甚至 85-95°。由于直線邊緣的原因，沉積層中斷(沿邊緣沒(méi)有或很少沉積)，因而可以去除涂布 的掩膜而不損害柵格網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。由于簡(jiǎn)單性，用于柵格材料的沉積的定向技術(shù)可以是有利 的。沉積可以既穿過(guò)空隙又在掩膜上進(jìn)行?？梢栽谶M(jìn)行第一沉積步驟之前清潔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)開(kāi)孔，優(yōu)選用大氣壓力等離子源。用于膠體基掩膜層的沉積的表面是成膜表面，特別是如果溶劑是水的話，為親水 表面。這是基材的表面玻璃、塑料(例如聚碳酸酯)，或任選地官能添加亞層親水層(硅 石層，例如在塑料上)和/或堿金屬阻擋層和/或促進(jìn)柵格材料的附著力的層，和/或(透 明)導(dǎo)電層。所述亞層不必是用于柵格材料的電解沉積的生長(zhǎng)層。在掩膜層之間，可以有若干亞層。因而，依據(jù)本發(fā)明的基材可以包含壓層(尤其是基礎(chǔ)層，最接近基材)，其是連續(xù) 的，并可以阻擋堿金屬。其保護(hù)柵格材料不受任何污染(可以導(dǎo)致諸如剝離的機(jī)械缺陷的污染)，在導(dǎo)電 沉積的情況下(特別是形成電極)，另外保護(hù)其電導(dǎo)率。依據(jù)不同的技術(shù)，基礎(chǔ)層是耐用、快速和易于沉積的。其可以例如通過(guò)高溫分解技 術(shù)沉積，尤其以氣相(通常表示為“化學(xué)汽相沉積”，縮寫(xiě)為CVD的技術(shù))。所述技術(shù)對(duì)于本 發(fā)明是有利的，因?yàn)槌练e參數(shù)的適當(dāng)調(diào)整可以得到用于增強(qiáng)阻擋的非常稠密的層?；A(chǔ)層可以任選用鋁和/或硼摻雜以使其在真空下的沉積更加穩(wěn)定?；A(chǔ)層(單 層或多層，任選被摻雜)可以具有10-150nm的厚度，更優(yōu)選15-50nm。
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基礎(chǔ)層可以優(yōu)選-基于氧化硅、碳氧化硅，通式為SiOC的層；-基于氮化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅，通式為SiNOC的層，尤其是SiN，特別是
Si3N40最特別的，可以優(yōu)選(主要)由摻雜或未摻雜氮化硅Si3N4制成的基礎(chǔ)層。非?？?速地沉積氮化硅，形成對(duì)堿金屬的卓越阻擋。作為促進(jìn)金屬柵格材料(銀、金)的附著力的層，尤其是在玻璃上的附著力，可以 選擇基于NiCr、Ti、Nb、Al的層，單獨(dú)或混合的、摻雜或未摻雜金屬氧化物(ΙΤ0等)，例如厚 度小于等于5nm。當(dāng)基材是疏水性時(shí)，可以添加親水層，如硅石層。還在第二構(gòu)造中，在第二沉積步驟前，提供去除步驟，優(yōu)選通過(guò)液體路線，例如通 過(guò)選擇性化學(xué)溶解掩膜(在水、醇、酮或酸或堿溶液中)，任選當(dāng)加熱和/或借助超聲時(shí)，直 到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。再次在第二構(gòu)造中，在第二沉積步驟前，可以提供掩膜去除步驟，例如通過(guò)選擇化 學(xué)溶解掩膜(在水、醇或酸或堿溶液中)，直到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在第一構(gòu)造或第二構(gòu)造中(在除去掩膜直到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)后)，可以 提供更薄的填料沉積。所述涂料可以任選還是漫射的、高指數(shù)的，并由已經(jīng)描述的材料制成，特別是其可 以是溶膠-凝膠層。依據(jù)所選的材料和配方，沉積可以例如通過(guò)印刷、絲網(wǎng)印刷、用油墨刮涂、浸漬涂 布或噴涂實(shí)施。在第一構(gòu)造或第二構(gòu)造中(在除去掩膜直到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)后)，可選 的，可以提供用可平面化填料填充線和覆蓋導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的步驟，任選熱處理，而后通過(guò)機(jī) 械拋光步驟直到在第二步前得到導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和基本上等高的填充層，并具有充分平滑的 表面。所述可平面化填充層可以被絲網(wǎng)印刷，例如用玻璃粉，或可以是溶膠_凝膠層，優(yōu) 選透明的，例如已經(jīng)描述的無(wú)機(jī)或混雜硅石層。所述填充層是絕緣的；當(dāng)然平面化必須能使線的表面處于與上層導(dǎo)電涂層電接 觸。熱處理例如用于熔融玻璃粉，或在溶膠_凝膠層的情況下用于去除溶劑和/或使 層稠密。當(dāng)然，若干熱處理是可以的。由于拋光，第二沉積步驟甚至可以是汽相沉積步驟，特別是通過(guò)濺射簡(jiǎn)單傳導(dǎo)性 金屬氧化物，其摻雜和/或混合氧化物，如已經(jīng)描述的那些。在第二構(gòu)造中，使用保留和可拋光掩膜，如已經(jīng)描述的混雜溶膠-凝膠掩膜，可以 進(jìn)行機(jī)械拋光步驟直到在第二步前得到導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和基本上等高的填充層，并具分平滑 的表面。而且，由于拋光，第二沉積步驟甚至可以是汽相沉積步驟，特別是通過(guò)濺射簡(jiǎn)單傳 導(dǎo)性金屬氧化物，其摻雜和/或混合氧化物，如已經(jīng)描述的那些。優(yōu)選復(fù)合電極，至少是導(dǎo)電涂層，是耐下列OLED制造步驟的
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-200°C 下耐 Ih-耐pH13(清潔溶液)-耐pHl.5-2 (特別是在OLED堆疊前，當(dāng)沉積用于導(dǎo)電涂層的PEDOT時(shí))-耐剝離性(膠帶測(cè)試)現(xiàn)在將通過(guò)非限制性實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地描述-

圖1是第一有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖，其包含依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案 的復(fù)合下電極；-圖2說(shuō)明了圖1的裝置中使用的電極的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的示意性頂視圖；-圖3是第二有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖，其包含依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案 的復(fù)合下電極；-圖4是第三有機(jī)發(fā)光裝置的示意性截面圖，其包含依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案 的復(fù)合下電極；為了明確，必須提及所示目標(biāo)的不同元素未按比例繪制。有機(jī)發(fā)光裝置實(shí)施例1有意高度示意性的圖1顯示了有機(jī)發(fā)光裝置100的截面圖(從基材發(fā)射或“底部 發(fā)射”)。所述裝置100包含透明的鈉鈣硅酸鹽玻璃的平面基材1，例如是矩形的，厚度為 0. 7mm，具有第一和第二主面11、12。第一主面11包含-復(fù)合下電極2，隨后詳細(xì)解釋?zhuān)?有機(jī)發(fā)光系統(tǒng)3，例如具有下列結(jié)構(gòu)的SM-OLED- α -NPD 層；-1^^+11~( 7)3層；-BPhen 層；-LiF 層；-反射上電極4，特別是金屬性的，特別是基于銀或鋁。更特別的，復(fù)合下電極2首先包含1 μ m厚的非周期網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)體21，由無(wú)規(guī)銀基 線形成，平均寬度A約為3 μ m,彼此間的間隔約為30 μ m的平均距離B，B/A的比率為10。以所述方式，通過(guò)B/A和厚度的明智選擇，所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)21的低薄層電阻特別地 約為0.6 Ω/口。所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)21的透光率I；約為70%，和線是肉眼不可見(jiàn)的。任選地，可以在金屬線上沉積用于防腐蝕的覆蓋層，所述覆蓋層由鎳或鉻制成，厚 度約為lOnm，從而形成復(fù)合線。在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)21的線間使用由粒徑小于50nm的TiO2納米顆粒形成的高指數(shù)填充 層23。指數(shù)約為1.8。所述層23可以用溶劑沉積，而后揮發(fā)。所述層23改善了有機(jī)層中 的導(dǎo)模的提取。由通過(guò)液體路線沉積的PED0T/PSS制成的導(dǎo)電涂層22的電阻率P 1為ΙΟ—1 Ω . cm 的數(shù)量級(jí)，厚度為IOOnm的數(shù)量級(jí)，其填充保留的空間并使電極2平滑。通過(guò)在提供了自組織孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的掩膜上揮發(fā)銀制造導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)21。而后去除掩膜。在圖2中顯示了具有線210的導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)21的無(wú)規(guī)排列。對(duì)于電極2、4的電源，在有機(jī)層3沉積之前，復(fù)合電極2的孔在縱向邊緣附近形 成，優(yōu)選在其全部長(zhǎng)度上。所述孔例如用激光制成，約150 μ m寬。而后通過(guò)丙烯酸型絕緣 樹(shù)脂5鈍化所述蝕刻區(qū)域。在電連接區(qū)域，在此假設(shè)在縱向邊緣附近，優(yōu)選添加傳統(tǒng)的母線6，例如通過(guò)在電 極2、4上絲網(wǎng)印刷銀。裝置100在可以較大的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生均勻照明。如果期望產(chǎn)生多重照明區(qū)域，在蝕 刻連接系統(tǒng)期間，進(jìn)行其他適合的激光蝕刻，例如150 μ m寬，而后鈍化。實(shí)施例2圖3顯示有機(jī)發(fā)光裝置3200的截面圖，其包含復(fù)合電極2”。以下僅僅對(duì)裝置100 的修改進(jìn)行詳細(xì)解釋。在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)210的線間插入由熔融玻璃粉制成的填充層230。通過(guò)機(jī)械拋光使通過(guò)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)210的線和熔融玻璃粉230形成的表面平滑，例如 用氧化鋁、或氧化鈰等拋光。作為變體，玻璃粉可以是高指數(shù)玻璃料。為了制造復(fù)合電極210，在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)210的線間并超過(guò)線沉積玻璃粉，以在線上形 成覆蓋層。退火后，將表面削刮至線的水平上?？蛇x的，作為填充層，可以選擇溶膠-凝膠層，例如由包含MTEOS (甲基三乙氧基硅 烷)的溶膠得到的混雜硅石層。前體在水/乙醇介質(zhì)中水解，用鹽酸酸化水至PH = 2。每 摩爾MTEOS添加3摩爾水和3摩爾乙醇。優(yōu)選通過(guò)浸漬涂布或噴涂沉積配方。沉積的配方 在100°C下干燥，而后在450°C下熱處理一小時(shí)。優(yōu)選可以選擇沉積配方作為覆蓋層，在任 選的干燥和退火后，通過(guò)削刮表面直到顯露出線而拋光溶膠凝膠層。所述溶膠_凝膠層可以是高指數(shù)層，例如用&02填充的層。由于填充層230是絕緣的，因此選擇具有非常低電阻率的導(dǎo)電涂層220。導(dǎo)電涂層 220保持平滑并能分配電流。由于拋光，可以選擇通過(guò)汽相沉積法沉積導(dǎo)電涂層220。例如，可以選擇通過(guò)濺射 沉積ΙΤ0，以得到10_4Q.cm數(shù)量級(jí)的電阻率P 1，厚度不低于40nm。也可以形成電阻率為 10_2-10_3 Ω . cm數(shù)量級(jí)的電阻率P 1的ITO溶膠-凝膠層，厚度約為70nm?？蛇x的，導(dǎo)電涂層可以是通過(guò)液體路線沉積的PED0T/PSS。在有機(jī)發(fā)光裝置400的變體中，由于保留含有自組織孔，典型地為裂紋的網(wǎng)狀結(jié) 構(gòu)的掩膜，因此不適用拋光的玻璃粉，用所述掩膜制造電極的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其可以是固體拋光 的單片掩膜，例如混雜溶膠-凝膠層。優(yōu)選選擇由包含摩爾比等于1的TEOS(三乙氧基硅 烷)和MTEOS的溶膠得到的硅石層。前體在水/乙醇介質(zhì)中水解，用鹽酸酸化水至pH = 2。 前體的質(zhì)量濃度為45%。優(yōu)選通過(guò)浸漬涂布或噴涂沉積配方。在沉積配方后，立即進(jìn)行高 溫?zé)崽幚?，例如?50°C下熱處理一小時(shí)，以形成裂紋。為了制造平滑復(fù)合電極，通過(guò)液體路線沉積例如銀的傳導(dǎo)性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)材料，例如 通過(guò)用油墨刮涂直到掩膜的部分高度被填充。而后通過(guò)拋光削刮掩膜的表面直到達(dá)到線。實(shí)施例3圖4顯示有機(jī)發(fā)光裝置300的截面圖，其包含復(fù)合電極20’。以下僅詳細(xì)描述了相 對(duì)于裝置100的修改。
導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)210’是玻璃1的邊緣網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)110，厚度為一微米。使用玻璃上的裂紋溶膠_凝膠掩膜，例如基于雜化或非雜化硅石?；挠肏F溶液濕法蝕刻。沉積網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材料，同時(shí)保持溶膠_凝膠掩膜，沉積通過(guò)裂縫實(shí)施。優(yōu)選的，選 擇真空沉積，例如通過(guò)揮發(fā)沉積銀，或通過(guò)濺射沉積ITO或ΙΖ0?？梢赃x擇液體路線，例如使 用銀油墨的刮刀。沉積的厚度可以控制，優(yōu)選完全填充蝕刻區(qū)域。如果在沉積網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)材料之前除去掩膜，那么玻璃被拋光以去除其自由表面上的 導(dǎo)電沉積。導(dǎo)電涂層220，可以例如是通過(guò)液體路線沉積的PED0T/PSS，厚度為50nm以上。注意確保用于連接的縱向蝕刻51比蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)110深。在所有實(shí)施例中，涂層的外部表面是這樣的，由B+A網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期上的外 部表面的實(shí)際輪廓開(kāi)始，通過(guò)由納濾形成校正的輪廓，以去除局部微粗糙度，在校正輪廓的 每個(gè)點(diǎn)上得到的是通過(guò)具有小于等于45°的校正輪廓的平均平面的校正輪廓的切線形成 的角度。起始于由實(shí)際輪廓和校正輪廓間的差別形成的殘留輪廓，在校正輪廓的每個(gè)點(diǎn)上 得到的殘留輪廓的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)間的高度的最大差在B+A網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周期上至少 小于50nmo制造復(fù)合電極以下給出的是在優(yōu)選實(shí)施方案中用具有自生開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的掩膜制造復(fù)合電 極的實(shí)施例。a)制造具有自生開(kāi)孔的掩膜首先，生產(chǎn)具有自生開(kāi)孔的掩膜。為此，通過(guò)液體路線沉積在水中穩(wěn)定的濃度 為40wt%的基于丙烯酸共聚物的膠體顆粒的簡(jiǎn)單乳液。所述膠體顆粒的特征尺度為 80-100nm，是DSM銷(xiāo)售的商品名為Neocryl XK 52的產(chǎn)品。而后將所謂的與膠體顆粒結(jié)合的掩膜層干燥以揮發(fā)溶劑。所述干燥可以通過(guò)任何 適合的方法實(shí)施(熱風(fēng)干燥等)。在所述干燥步驟期間，系統(tǒng)經(jīng)歷自排列，并描述依據(jù)由形態(tài)的平均寬度，以下稱(chēng)為 Al，和形態(tài)間的平均距離，以下稱(chēng)為Bi，表示的結(jié)構(gòu)的形態(tài)。因而所述穩(wěn)定的掩膜由比率 B1/A1確定。無(wú)需借助退火得到穩(wěn)定的掩膜。B1/A1的比率可以通過(guò)例如調(diào)節(jié)壓縮膠體和基材表面間的摩擦系數(shù)，或納米顆粒 的尺寸，或揮發(fā)速率，或顆粒的起始濃度，或溶劑的屬性，或厚度，依據(jù)沉積技術(shù)修改。為了舉例說(shuō)明這些不同選項(xiàng)，以下給出了兩種膠體溶液濃度(Ctl和0. 5XC0)和不 同厚度的實(shí)驗(yàn)計(jì)劃，通過(guò)調(diào)節(jié)樣品上升速度沉積。通過(guò)浸漬涂布沉積溶液。應(yīng)當(dāng)指出，Bi/ Al的比率可以通過(guò)改變濃度而改變。結(jié)果見(jiàn)下表 還用濃度Ctl = 40%的膠體溶液用不同厚度的拉膜沉積。所述實(shí)驗(yàn)顯示，可以通過(guò) 調(diào)節(jié)膠體層的起始厚度改變形態(tài)的尺寸Al和形態(tài)間的距離Bi。結(jié)果見(jiàn)下表 b)清洗掩膜作為清潔位于裂紋的底部的有機(jī)顆粒的來(lái)源的等離子源的應(yīng)用隨后使得改善涂 覆的導(dǎo)電材料對(duì)電極的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的附著力成為可能。為了給出示例性實(shí)施方案，借助于大氣壓力等離子源的清潔，用基于氧/氦混合 物的轉(zhuǎn)移弧等離子體，使改善沉積在空隙底部的材料的附著力和改善空隙的擴(kuò)展成為可 能?？梢允褂糜蒘urfx銷(xiāo)售的商標(biāo)為“AT0MFL0W”的等離子源。c)導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的制造使用所述掩膜生產(chǎn)依據(jù)本發(fā)明的復(fù)合電極的導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。為此，通過(guò)掩膜沉積 一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料，直到一部分空隙被填充。作為金屬，優(yōu)選可以選擇銀或鋁。作為傳導(dǎo)性氧化物，優(yōu)選可以選擇ITO、IZO或 IGZO0傳導(dǎo)性線的平均寬度A約等于任一。傳導(dǎo)性線間的平均距離B約等于Bi。d)掩膜的去除為了從掩膜上顯露出網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，實(shí)施“剝離(life-off) ”操作。將膠體掩膜浸漬在 含有水和丙酮的溶液中(依據(jù)膠體顆粒的屬性選擇清洗液)，而后清洗以去除全部膠體涂 布的部分。e)填充和覆蓋網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)用給定的材料完全填充傳導(dǎo)性線間的空間，優(yōu)選促進(jìn)OLED (高指數(shù)、漫射等)層中 的導(dǎo)模的提取并是導(dǎo)電的，用導(dǎo)電涂層覆蓋網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和填充材料，所述涂層完全平滑并具 有分布電流或保持垂直傳導(dǎo)性的電學(xué)作用。
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特別的，可以用一個(gè)或與實(shí)施例1中相同的具有適合電阻率的輕微導(dǎo)電材料填充 和平滑線間的空間。無(wú)需說(shuō)明，本發(fā)明以相同的方式應(yīng)用于除了實(shí)施例中所述的有機(jī)發(fā)光系統(tǒng)，并用 于塑料基材上。
權(quán)利要求
在一個(gè)主面(11)上具有復(fù)合電極(2 20’)的基材(1)，其包含 導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(21 210’)，其是由基于金屬和/或金屬氧化物的導(dǎo)電材料制成的線形成的層，在550nm的透光率至少為60％，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的線間的空間用被稱(chēng)為電絕緣填料的材料填充； 覆蓋導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電涂層(22 220’)，與線電連接，與線接觸，厚度大于等于40nm，電阻率ρ1小于105Ω.cm并大于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電阻率，所述涂層形成電極的平滑外表面； 復(fù)合電極還具有小于等于10Ω/□的薄層電阻。
2.依據(jù)前一權(quán)利要求的基材(1)，其特征在于，外表面是這樣的，由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的平均周 期B+A上的外表面的實(shí)際輪廓起始，并通過(guò)由納米級(jí)別的過(guò)濾形成校正的輪廓，消除局部 微粗糙度，得到通過(guò)校正輪廓的平均平面與校正輪廓正切形成的角，其在校正輪廓的任何 點(diǎn)上小于等于45°，并且在于，起始于由實(shí)際輪廓和校正輪廓間的差別形成的殘留輪廓，在 校正輪廓的每個(gè)點(diǎn)上得到的殘留輪廓的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)間的高度的最大差在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的 平均周期B+A上小于50nm。
3.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，線間的平均距離B與線的平均寬度 A之間的B/A比率為5-15，優(yōu)選線的平均寬度A為ΙΟΟηπΗΒΟμπι，和/或線間的平均距離B ^J 5 μ m-30 μ m。
4.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，導(dǎo)電涂層(22、22’)包含基于金屬 的層，特別是基于由下列材料之一制成的納米顆粒的層Ag、Al、Cu、Au、Pd、Pt、Cr，或者在 于，導(dǎo)電涂層(22、22’)包含任選摻雜和/或混合的層，特別是溶膠層，其主要基于單獨(dú)的氧 化錫、氧化鋅或氧化銦；并優(yōu)選至少一種下列摻雜或混合氧化物-用至少一種下列元素?fù)诫s或合金化的氧化鋅鋁、鎵、銦、硼、錫-用鋅、鎵和鋅、錫摻雜或合金化的氧化銦；-用氟或用銻摻雜的氧化錫或用任選用銻摻雜的鋅合金化的氧化錫；-用鈮摻雜的氧化鈦，
5.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，導(dǎo)電涂層(22’)包含基本上聚合 物層，或包含源自以下組中的至少一種的一種或多種聚合物聚(乙炔)、特別是基于聚(3， 4-乙烯二氧噻吩)的層的聚(噻吩)、聚(吡咯)、聚(苯胺)、聚(芴)、聚(3-烷基噻吩)、 聚四硫富瓦烯、聚萘、聚(對(duì)苯硫醚)和聚(對(duì)苯撐乙烯)。
6.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，填料是絕緣的，電阻率Pl小于等 于 ICT1 Ω . cm。
7.依據(jù)權(quán)利要求1-6的任一的基材(1)，其特征在于，所謂的高指數(shù)填料(23)的折射 率在550m下大于等于1. 65，線間的距離B優(yōu)選小于等于50 μ m,線優(yōu)選基于金屬，特別基于 銀或鋁。
8.依據(jù)權(quán)利要求1-6的任一的基材(1)，其特征在于，填料是漫射的(23’)。
9.依據(jù)權(quán)利要求1-8之一的基材(1)，其特征在于，導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(210’)至少部分地 在優(yōu)選玻璃基材的蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(110)中。
10.依據(jù)權(quán)利要求1-9之一的基材(1)，其特征在于，填料是具有自生開(kāi)孔的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 的掩膜，尤其用硅石制成，任選混雜硅石、溶膠_凝膠，線填充了掩膜的開(kāi)孔，線和/或掩膜的平面優(yōu)選是平滑的。
11.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(21-210’)包含基 于純金屬材料的層，所述金屬材料選自銀、鋁、銅、鈀、鉻、鉬或金，或基于用至少一個(gè)其他材 料合金化或摻雜的所述材料，所述其他材料選自Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、 Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn。
12.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，所述基材是玻璃基材。
13.依據(jù)前述權(quán)利要求之一的基材(1)，其特征在于，其包含直接沉積在電極(2-20’) 的外表面上的有機(jī)發(fā)光系統(tǒng)(3)。
14.結(jié)合依據(jù)前述權(quán)利要求的任一的基材(1)的有機(jī)發(fā)光裝置(100-300)，復(fù)合電極 (2-20’ )形成所謂的下電極，即最接近基材的電極。
15.依據(jù)前一權(quán)利要求的有機(jī)發(fā)光裝置(100-500)，其特征在于，其形成一個(gè)或多個(gè)透 明和/或反射發(fā)光表面，尤其是照明、裝飾或建筑系統(tǒng)，或指示顯示板，例如制圖、標(biāo)示或文 字與數(shù)字指示類(lèi)型，系統(tǒng)產(chǎn)生均一光或差別發(fā)光區(qū)域，尤其是通過(guò)玻璃基材中的導(dǎo)入光提 取產(chǎn)生的差別。
16.依據(jù)裝置權(quán)利要求之一的有機(jī)發(fā)光裝置(100-500)，其特征在于，其_用于建筑物，如外部發(fā)光玻璃，內(nèi)部發(fā)光隔離物或發(fā)光玻璃門(mén)(或門(mén)的一部分)，尤其 是滑動(dòng)門(mén)；-用于運(yùn)輸工具，如發(fā)光頂、發(fā)光側(cè)窗(或窗的部分)、陸上、水上或空中交通工具的內(nèi) 發(fā)光隔離；-用于城市或?qū)I(yè)設(shè)備，如公交車(chē)候車(chē)廳面板、顯示計(jì)數(shù)器墻、珠寶展示或商店櫥窗、溫 室墻壁、或發(fā)光瓷磚；-用于室內(nèi)家具、擱板或櫥柜元件、櫥柜立面、發(fā)光瓷磚、天花板、發(fā)光電冰箱擱板、水族 箱壁；_用于電子設(shè)備的背光，尤其是顯示屏，任選的雙屏，如電視或計(jì)算機(jī)屏，觸摸屏；或-發(fā)光鏡，尤其是用于浴室墻壁或廚房臺(tái)面，或用于天花板。
17.制造依據(jù)前述基材權(quán)利要求之一的基材(1)上的復(fù)合電極的方法，其特征在于，其 包含如下步驟-直接形成導(dǎo)體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)排列的第一步，包含至少一個(gè)如下沉積-通過(guò)印臺(tái)沉積網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料；-通過(guò)傳導(dǎo)性噴墨印刷在基材上沉積；-在基材的蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(110)中沉積，優(yōu)選玻璃基材；-包含通過(guò)液體路線沉積導(dǎo)電涂層(220’ )的第二步。
18.制造依據(jù)前述基材權(quán)利要求之一的基材上的復(fù)合電極(2-20)的方法，其特征在 于，其包含如下步驟_直接形成導(dǎo)體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)排列的第一步，包括在基材上通過(guò)稱(chēng)為掩膜的一層沉積網(wǎng) 狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料，所述掩膜具有自組裝為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的開(kāi)孔，直到一部分開(kāi)孔的深度已被 填充；-包含通過(guò)液體路線沉積導(dǎo)電涂層的第二步。
19.制造依據(jù)權(quán)利要求17和18任一的復(fù)合電極(2-20)的方法，其特征在于，在掩膜上或蝕刻網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上沉積網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料包含非選擇性沉積，優(yōu)選真空沉積，特別是通 過(guò)揮發(fā)，或通過(guò)液體路線沉積，特別通過(guò)印刷、用傳導(dǎo)性油墨刮涂、浸漬涂布、噴涂，沉積任 選通過(guò)使用諸如金、銀、銅的金屬進(jìn)行電解液再充電而完成。
20.制造依據(jù)權(quán)利要求18和19任一的復(fù)合電極(2-20)的方法，其特征在于，其包含形 成掩膜的步驟，包括-在被稱(chēng)為掩膜層的基材上沉積；-掩膜層的固化，直到得到形成所述掩膜的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)開(kāi)孔。
21.制造依據(jù)前一權(quán)利要求的復(fù)合電極(2-20)的方法，其特征在于，掩膜層是膠體顆 粒溶液，特別是基于丙烯酸共聚物的膠體的水溶液，所述顆粒在溶劑中穩(wěn)定和分散。
22.制造依據(jù)權(quán)利要求17-21之一的復(fù)合電極(2-20)的方法，其特征在于，在所述第二 步之前，還包括-優(yōu)選通過(guò)液體路線，用至少一種下列導(dǎo)電填料填充線間的空間的步驟所述高指數(shù) 材料或所述漫射材料；-如果適當(dāng)?shù)脑?，在填充前，去除任選存在的掩膜，直到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的步馬聚ο
23.制造依據(jù)權(quán)利要求17-21之一的復(fù)合電極(20)的方法，其特征在于，在所述第二步 之前，還包括-優(yōu)選通過(guò)液體路線，尤其通過(guò)絲網(wǎng)印刷、浸漬涂布或噴涂，用可平面化填料填充線間 的空間并覆蓋線的步驟； -任選的熱處理步驟；-隨后的機(jī)械拋光步驟，以得到導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和相同高度的填料，尤其是熔融玻璃粉或 溶膠_凝膠，并具有充分平滑的表面；和-如果適當(dāng)?shù)脑挘谔畛淝?，去除任選存在的掩膜，直到顯露出所述導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的步馬聚ο
24.制造依據(jù)權(quán)利要求23的復(fù)合電極(20)的方法，其特征在于，用沉積傳導(dǎo)性金屬氧 化物的汽相沉積步驟代替第二沉積步驟。
25.制造依據(jù)權(quán)利要求19的復(fù)合電極的方法，其特征在于，掩膜，尤其是溶膠-凝膠層， 可以被拋光，所述方法包括在第二沉積步驟之前的機(jī)械拋光步驟，以得到導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)和 相同高度的掩膜并具有充分的平滑表面，并且第二沉積步驟任選用沉積傳導(dǎo)性金屬氧化物 的汽相沉積步驟代替。
全文摘要
本發(fā)明的主題是在主面(11)上具有復(fù)合電極(2)的基材(1)，其中包含導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(21)，其是由基于金屬和/或金屬氧化物的導(dǎo)電材料制成的線形成的層，在550nm的透光率至少為60％，用被稱(chēng)為導(dǎo)電填料的材料填充網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的線間的空間。其還包含覆蓋導(dǎo)電網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電涂層(22)，其可以與填料相同或不同，與線電連接，厚度大于等于40nm，電阻率ρ1小于105Ω.cm并大于網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電阻率，涂層形成電極的平滑外表面。復(fù)合電極還具有小于等于10Ω/□的平面電阻率。本發(fā)明的另一個(gè)主題是其制造和與所述電極結(jié)合的有機(jī)發(fā)光裝置(100)。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101926018SQ200880125354
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者D·茹斯, S·恰庫(kù)羅夫, S·貝松 申請(qǐng)人:法國(guó)圣-戈班玻璃公司