專(zhuān)利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備光電二極管的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的領(lǐng)域中，為了與顯示裝置 周?chē)墓?以下稱為"外光")的強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)而進(jìn)行顯示畫(huà)面亮度的調(diào) 整，提出了在顯示裝置中裝載光傳感器的方法。對(duì)顯示裝置裝載光傳 感器可以通過(guò)在顯示面板上安裝分立部件的光傳感器進(jìn)行。另外，在
液晶顯示裝置的情況下，光傳感器可以利用有源元件(TFT)或周邊電 路的形成工序， 一體化形成于有源矩陣基板。
其中，特別是在便攜式終端裝置用的顯示裝置的領(lǐng)域中，從部件 數(shù)量的削減化以及顯示裝置的小型化的觀點(diǎn)出發(fā)，要求光傳感器一體 化形成于有源矩陣基板。作為一體化形成的光傳感器，例如，已知具 備橫向構(gòu)造的光電二極管(例如，參照日本特開(kāi)2006-3857號(hào)公報(bào))。
這里，參照?qǐng)D6對(duì)現(xiàn)有的光電二極管(光傳感器)進(jìn)行說(shuō)明。圖6 是表示現(xiàn)有的光電二極管的結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖6所示，光電二極管 51是具備橫向構(gòu)造的PIN二極管。圖6的例子中，光電二極管51—體 化形成于構(gòu)成液晶顯示面板的有源矩陣基板。
如圖6所示，光電二極管51具備設(shè)置于作為有源矩陣基板50的 基底基板的玻璃基板52的硅膜60。硅膜60利用作為有源元件發(fā)揮作 用的薄膜晶體管(TFT (Thin Film Transistor))的形成工序，與它同時(shí) 形成。另外，硅膜60沿面方向依次設(shè)置有p型的半導(dǎo)體區(qū)域(p層) 51a、本征半導(dǎo)體區(qū)域(i層)51b、以及n型半導(dǎo)體區(qū)域(n層)51c。 此光電二極管51中，i層51b成為光檢測(cè)區(qū)域。
i層51b，與鄰接的p層51a和n層51c相比，是接近電中性的區(qū) 域，以傳導(dǎo)電子密度和空穴密度相等的方式，利用在有源元件(TFT)、 周邊電路的形成工序中進(jìn)行的離子注入工序而形成。另外，光電二極管51的下層側(cè)，隔著基底涂層54，設(shè)置有對(duì)來(lái)自背光源裝置的照明光 進(jìn)行遮光的遮光膜53。光電二極管51被層間絕緣膜55和56覆蓋。
圖6中，57表示連接于p層51a的配線，58表示連接于n層51c 的配線。另外，59表示平坦化膜，61表示保護(hù)膜。62是液晶層。相對(duì) 基板63僅僅圖示出外形。
如圖6所示的光電二極管51，在p層51a和i層51b之間，以及n 層51c和i層51b之間，形成耗盡層。這樣，對(duì)光電二極管51的兩端 施加逆偏置電壓時(shí)，光入射到i層51b，則各耗盡層的自由電子向n層 51c移動(dòng)，空穴向p層51a移動(dòng)。其結(jié)果，從光電二極管51輸出光電 流。
但是，如圖6所示的光電二極管51，存在容易在光電二極管間引 起輸出特性偏差的問(wèn)題。例如，各顯示裝置分別形成的同一規(guī)格的光 電二極管之間，以及同一有源矩陣基板上形成的多個(gè)同一規(guī)格的光電 二極管之間，存在每個(gè)光電二極管的輸出特性不同的問(wèn)題。如果輸出 特性產(chǎn)生偏差，則通過(guò)光傳感器對(duì)顯示畫(huà)面的亮度調(diào)整、高畫(huà)質(zhì)的圖 像的獲取變得困難。其中，輸出特性是指光電流和逆偏置電壓之間的 關(guān)系，艮口， I-V特性。
作為這種輸出特性偏差的原因，可以列舉各半導(dǎo)體區(qū)域形成時(shí)的 偏差。也就是說(shuō)，半導(dǎo)體區(qū)域的形成是通過(guò)以離子注入將雜質(zhì)打入硅 膜而進(jìn)行，這時(shí)，在打入的雜質(zhì)的量和打入的深度等方面產(chǎn)生偏差。 此偏差，使各半導(dǎo)體區(qū)域中雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度產(chǎn)生偏差，導(dǎo)致各半導(dǎo)體 區(qū)域間的界面中能隙也產(chǎn)生偏差。其結(jié)果，導(dǎo)致光電二極管的輸出特 性產(chǎn)生偏差。另外，離子注入的次數(shù)越多，擴(kuò)散濃度的偏差越大，由 此導(dǎo)致輸出特性的偏差越大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，解決上述問(wèn)題，在具備光電二極管的有源矩 陣基板和顯示裝置中，抑制光電二極管的輸出特性的偏差。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中的有源矩陣基板，是具備n型薄膜 晶體管、p型薄膜晶體管、和光電二極管的有源矩陣基板，其特征在于， 上述n型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、和
6作為漏極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、和作為溝道區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述p型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、和作為溝道區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述光電二極管具備形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域、本征半導(dǎo)體區(qū)域、和n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域在上述光電二極管的硅膜的面方向上以包夾上述本征半導(dǎo)體區(qū)域的方式配置，上述本征半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與上述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的p型半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n型半導(dǎo)體區(qū)域。
另外，為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中的顯示裝置，是具備有源矩陣基板的顯示裝置，其特征在于上述有源矩陣基板具備n型薄膜晶體管、p型薄膜晶體管、和光電二極管，上述n型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、和作為溝道區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述p型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、和作為溝道區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述光電二極管具備形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域、本征半導(dǎo)體區(qū)域、和n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域在上述光電二極管的硅膜的面方向上以包夾上述本征半導(dǎo)體區(qū)域的方式配置，上述本征半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光電二極管的P型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與上述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相詞的p型半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n型半導(dǎo)體區(qū)域。
并且，為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中的顯示裝置的第一制造方法，其特征在于，包括(a)在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成n型硅膜的工序；(b)除去上述n型硅膜的一部分，形成作為n型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極
管的第三硅膜的工序；(c)對(duì)上述第一硅膜的作為n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d)對(duì)上述第二硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序；和(e)對(duì)上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以使p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比上述(d)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序，在上述(c) 上述(e)的各個(gè)工序中，在上述第二硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分和上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分的上方，設(shè)置有阻止上述p型雜質(zhì)和上述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的掩模。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明中的顯示裝置的第二制造方法，其特征在于，包括(a)在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成p型硅膜的工序；(b)除去上述p型硅膜的一部分，形成作為n型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極管的第三硅膜的工序；(c)對(duì)上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d)對(duì)上述第二
硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入P型雜質(zhì)的工序；和(e)對(duì)上述第二硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以使n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比上述(c)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序，在上述(c) 上述(e)的各個(gè)工序中，在上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分和上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光電二極管的P型半導(dǎo)體區(qū)
8域側(cè)的部分的上方，設(shè)置有阻止上述p型雜質(zhì)和上述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的 掩模。
通過(guò)本發(fā)明，能夠在具備光電二極管的有源矩陣基板和顯示裝置 中，抑制光電二極管的輸出特性的偏差。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示裝置的 結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)略的截面圖。
圖2是表示搭載于本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示 裝置的光電二極管的簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示裝置的 制造工序的截面圖。圖3 (a) 圖3 (c)分別表示一系列主要的制造 工序。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示裝置的 制造工序的截面圖。圖4 (a)和(b)表示圖3 (c)表示的工序結(jié)束
之后進(jìn)行的一系列主要的制造工序。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示裝置的 制造工序的截面圖。圖5 (a)和(c)表示圖4 (b)表示的工序結(jié)束
之后進(jìn)行的一系列主要的制造工序。
圖6是表示現(xiàn)有的光電二極管的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有源矩陣基板，其具備n型薄膜晶 體管、p型薄膜晶體管和光電二極管，其特征在于上述n型薄膜晶體 管具備形成有作為源極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的n型 半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述P型薄膜 晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的P型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的p 型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，上述光電二
極管具備形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域、本征半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域 的硅膜，上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域在上述 光電二極管的硅膜的面方向上以包夾上述本征半導(dǎo)體區(qū)域的方式配置，上述本征半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域相
鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與上述n型薄膜晶體管的
溝道區(qū)域的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的p型半導(dǎo)體區(qū)域，在與上述光
電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)
定為與上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n 型半導(dǎo)體區(qū)域。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū) 域側(cè)的部分，以雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度與n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的p型 雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度一致的方式形成。另外，本發(fā)明中，光電二極管的本 征半導(dǎo)體區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度與p型 薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度一致的方式形成。再者， 硅膜原本為p型或者n型，因此，在上述p型薄膜晶體管和n型薄膜 晶體管中的任一個(gè)中，不重新導(dǎo)入雜質(zhì)也能夠形成溝道區(qū)域。
因此，通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，在光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域中，與p 型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的部分以及與n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的部分的任意一 方，都可以不導(dǎo)入雜質(zhì)而形成，以比以往少的次數(shù)注入離子，形成光 電二極管。這樣，通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，能夠使本征半導(dǎo)體區(qū)域中的擴(kuò)散濃
度的偏差比以往的小。其結(jié)果，光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域或者n 型半導(dǎo)體區(qū)域與本征半導(dǎo)體區(qū)域的界面的能隙的偏差比以往變小，能
夠抑制光電二極管的輸出特性的偏差。
另外，具備上述結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板的顯示裝置，也是本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式。
具備上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的第一制造方法，其特征在于，包括(a) 在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成n型硅膜的工序；(b)除去上 述n型硅膜的一部分，形成作為n型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p 型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極管的第三硅膜的工序；(c) 對(duì)上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的 部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的 部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d)對(duì)上述第二硅膜的作為上述p型薄 膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上 述光電二極管的P型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序；和(e)對(duì)上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，和上 述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光 電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以使p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比上 述(d)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序，在上述(c) 上 述(e)的各個(gè)工序中，上述第二硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的溝 道區(qū)域的部分的上方，和上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征 半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分的上 方，設(shè)置有阻止上述p型雜質(zhì)和上述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的掩模。
具備上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置的第二制造方法，其特征在于，包括(a) 在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成p型硅膜的工序；(b)除去上 述p型硅膜的一部分，形成作為ii型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p 型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極管的第三硅膜的工序；(c) 對(duì)上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的 部分，以及上述第三硅膜的作為上述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的 部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d)對(duì)上述第二硅膜的作為上述p型薄 膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及上述第三硅膜的作為上 述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序；和(e) 對(duì)上述第二硅膜的作為上述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，以及 上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即上述 光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以使n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比 上述(c)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序，在上述(c) 上述(e)的各個(gè)工序中，在上述第一硅膜的作為上述n型薄膜晶體管 的溝道區(qū)域的部分和上述第三硅膜的作為上述光電二極管的本征半導(dǎo) 體區(qū)域的部分即上述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分的上方， 設(shè)置有阻止上述p型雜質(zhì)和上述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的掩模。
下面，對(duì)本發(fā)明的更具體的實(shí)施方式，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。 下面，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的有源矩陣基板、具備有源矩 陣基板的顯示裝置、顯示裝置的制造方法，參照?qǐng)D1 圖5進(jìn)行說(shuō)明。 首先，使用圖1和圖2，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯 示裝置的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣 基板以及顯示裝置的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)略的截面圖。圖2是表示搭載于本發(fā)明
ii的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及顯示裝置的光電二極管的簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu) 的示意圖。
如圖1所示，本實(shí)施方式中的顯示裝置是具備本實(shí)施方式中的有
源矩陣基板1的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置還具備液晶層2以及相 對(duì)基板3。液晶層2被夾入有源矩陣基板1和相對(duì)基板3之間。相對(duì)基 板3，具備圖中沒(méi)有表示的相對(duì)電極和彩色濾光片。彩色濾光片具備對(duì) 應(yīng)各像素的多個(gè)著色層。另外，本實(shí)施方式中，顯示裝置也可以是除 了液晶顯示裝置以外的顯示裝置，例如EL顯示裝置等。
本實(shí)施方式中的顯示裝置，此外還具備沒(méi)有圖示的作為照明光源 的背光源和搭載各種IC芯片的電路基板等。本實(shí)施方式中的顯示裝置， 可以作為計(jì)算機(jī)、便攜式終端裝置、電視播放接收裝置、衛(wèi)星導(dǎo)航系 統(tǒng)等各種設(shè)備的顯示裝置加以利用。
另外，如圖1所示，有源矩陣基板1，具備n型薄膜晶體管(n-TFT) 20、 p型薄膜晶體管(p-TFT) 30和光電二極管10。 n-TFT20、 p-TFT30 和光電二極管10在作為有源基板1的基底的玻璃基板4上一體化形成。
本實(shí)施方式中，n-TFT20以矩陣狀配置，作為有源元件行使功能。 p-TFT 30構(gòu)成控制有源元件的周邊電路(例如，柵極驅(qū)動(dòng)器、源極驅(qū) 動(dòng)器等)的一部分。光電二極管10，在本實(shí)施方式中，配置于多個(gè) n-TFT20形成的區(qū)域(顯示區(qū)域)之外，作為環(huán)境光傳感器行使功能。 顯示裝置中，基于光電二極管10的輸出信號(hào)，檢測(cè)顯示裝置周邊的明 亮度，根據(jù)檢測(cè)結(jié)果調(diào)節(jié)背光源的光量。另外，多個(gè)光電二極管10， 在顯示區(qū)域內(nèi)，可以對(duì)一個(gè)或者多個(gè)像素配置。這時(shí)，多個(gè)光電二極 管10作為區(qū)域傳感器行使功能。
對(duì)n-TFT20、 p-TFT30、光電二極管10的具體結(jié)構(gòu)，進(jìn)行更詳細(xì) 的說(shuō)明。如圖1所示，n-TFT20具備硅膜21。硅膜21在覆蓋玻璃基板 4的絕緣性的基底涂層膜6上形成。硅膜21形成有沿硅膜21的面方向 的作為源極區(qū)域22的n型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域24的n型半導(dǎo) 體區(qū)域和作為溝道區(qū)域23的p型半導(dǎo)體區(qū)域。
p-TFT30具備硅膜31。硅膜31也和硅膜21 —樣，在覆蓋玻璃基 板4的絕緣性的基底涂層膜6上形成。硅膜31形成有沿硅膜31的面 方向的作為源極區(qū)域32的p型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域33的p型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域32的n型半導(dǎo)體區(qū)域。
另外，光電二極管10具備硅膜11。硅膜11也在基底涂層膜6上 形成。但是在與硅膜11重疊的基底涂層膜6的下層，還形成有遮光膜 5。遮光膜5阻止來(lái)自背光源的照明光向光電二極管10入射。
另外，硅膜ll形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域(p層)7、本征半導(dǎo)體區(qū)域 (i層)8和n型半導(dǎo)體區(qū)域(n層)9。 p層7禾Dn層9，在硅膜11的 面方向上以包夾i層8的方式配置。本實(shí)施方式中，光電二極管10和 現(xiàn)有的光電二極管(參照?qǐng)D6)相同，為具備橫向構(gòu)造的PIN二極管。
但是，本實(shí)施方式中，光電二極管IO，在i層8的結(jié)構(gòu)方面，與 現(xiàn)有的光電二極管不同。如圖1和圖2所示，i層8在與p層7相鄰的 位置具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度被設(shè)定為與n-TFT20的溝道區(qū)域25的p 型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的P型半導(dǎo)體區(qū)域8a。另外，i層8在相反側(cè)的 與n層9相鄰的位置具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度被設(shè)定為與p-TFT 30的 溝道區(qū)域33的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n型半導(dǎo)體區(qū)域8b。
本實(shí)施方式中，i層8由p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比p層7低的層和n 型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比n層9低的層形成。因此p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)的 擴(kuò)散濃度，在i層8的整體中不均一。但是，i層8與p層7和n層9 相比整體上接近電中性，在i層8中傳導(dǎo)電子密度和空穴密度相等。因 此，i層8和圖6所示的i層51b —樣能作為光檢測(cè)區(qū)域發(fā)揮作用。
圖1中，25是n-TFT20的柵極電極，35是p-TFT30的柵極電極。 12和13是層間絕緣膜，14是平坦化膜，17是保護(hù)膜。另外，光電二 極管10連接有貫通平坦化膜14、層間絕緣膜13以及層間絕緣膜12 的配線15和16。同樣的，n-TFT連接有配線26和27， p-TFT30連接 有配線36和37。
其次，基于圖3 圖5對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式中的有源矩陣基板以及 顯示裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3 圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中 的有源矩陣基板以及顯示裝置的制造工序的截面圖。圖3 (a) 圖3 (c)分別表示一系列主要的制造工序。圖4 (a)和(b)表示圖3 (c) 表示的工序結(jié)束之后進(jìn)行的一系列主要的制造工序。圖5 (a)和(c) 表示圖4 (b)表示的工序結(jié)束之后進(jìn)行的一系列主要的制造工序。另 外，圖3 圖5中，在圖中左側(cè)表示n-TFT的制造工序，在圖中中央表
13示光電二極管的制造工序，在圖中右側(cè)表示p-TFT的制造工序。
首先，如圖3 (a)所示，在作為有源矩陣基板1的基底基板的玻 璃基板4上形成遮光膜5，然后，以覆蓋包括遮光膜5的玻璃基板4 的一個(gè)主面的方式形成絕緣性的基底涂層膜6。接著，形成硅膜40， 使其覆蓋基底涂層膜6。本實(shí)施方式中，硅膜40的導(dǎo)電型為n型。
具體而言，在玻璃基板4的一個(gè)主面上，通過(guò)CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法、濺射法等，形成氧化硅膜或氮化硅膜 之類(lèi)的絕緣膜，或者以鉭(Ta)、鈦(Ti)、鴇(W)、鉬(Mo)、鋁(Al) 等中至少一種為主要成分的金屬膜。這時(shí)，膜厚可以是例如50nm以上 即可。
接著，通過(guò)光刻法，形成金屬膜的作為遮光膜5的部分開(kāi)口的抗 蝕劑圖案(無(wú)圖示)，將其作為掩模，對(duì)上述絕緣膜或者金屬膜實(shí)施蝕 刻。這樣，得到遮光膜5。另外，本實(shí)施方式也可以不形成遮光膜。
基底涂層膜6的形成，可以通過(guò)利用CVD法形成氧化硅膜、氮化 硅膜而進(jìn)行。例如，在形成氧化硅膜時(shí)，使用SiH4氣體和N20氣體(或 者02氣體)作為原料氣體，實(shí)行CVD法?；淄繉幽?可以是單層， 也可以是多層。基底涂層膜6的厚度設(shè)定為例如100nm 500nm即可。
硅膜40的形成，可以通過(guò)形成非晶硅、低溫多晶硅、連續(xù)晶界結(jié) 晶硅的膜40而進(jìn)行。從電子的移動(dòng)度高的角度，硅膜40優(yōu)選連續(xù)晶 界結(jié)晶硅的薄膜。此時(shí)，硅膜40具體通過(guò)以下方式形成。
首先，在基底涂層膜6上，依次形成氧化硅膜和非晶硅膜。接著， 在非晶硅膜的表層形成作為促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑的鎳薄膜。接著，實(shí) 施固相生長(zhǎng)退火，進(jìn)行鎳薄膜和非晶硅膜的反應(yīng)，在這些界面形成結(jié) 晶硅膜。之后，通過(guò)蝕刻等除去未反應(yīng)的鎳膜和硅化鎳的層。在剩下 的硅膜上進(jìn)行激光退火，繼續(xù)結(jié)晶化，完成連續(xù)晶界結(jié)晶硅的薄膜。 硅膜40在通過(guò)連續(xù)晶界結(jié)晶硅形成的情況下，其導(dǎo)電型為n型。
其次，如圖3 (b)所示，除去n型硅膜40的一部分，形成構(gòu)成光 電二極管1的硅膜11、構(gòu)成n-TFT20的硅膜21、構(gòu)成p-TFT的硅膜 31。具體而言，在硅膜40上，形成抗蝕劑圖案(無(wú)圖示)。抗蝕劑圖 案中，形成與光電二極管IO、 n-TFT20和p-TFT30各自的形成區(qū)域重 疊的部分開(kāi)口的開(kāi)口部。然后，以此抗蝕劑圖案作為掩模，實(shí)施蝕刻。其次，如圖3 (c)所示，形成覆蓋硅膜ll、硅膜21和硅膜31的 層間絕緣層12。層間絕緣層12的形成，也和基底涂層膜6—樣，可以 通過(guò)利用CVD法形成氧化硅膜、氮化硅膜而進(jìn)行。另外，層間絕緣膜 12可以是單層，也可以是多層。層間絕緣膜12的厚度，設(shè)定為例如 10nm 120nm即可。另夕卜，層間絕緣膜12的與硅膜21和硅膜31重疊 的部分，作為柵極絕緣膜發(fā)揮作用。
接著，形成層間絕緣膜12之后，為了形成p型半導(dǎo)體區(qū)域，使用 硼(B)、銦(In)等p型雜質(zhì)進(jìn)行離子注入。這時(shí)的離子注入，使在n 型的各硅膜中形成低的p型半導(dǎo)體區(qū)域。
具體而言，在層間絕緣膜12上，形成抗蝕劑圖案41。抗蝕劑圖案 41中，設(shè)置有開(kāi)口部41a 41c。開(kāi)口部41a設(shè)置于硅膜21的作為溝道 區(qū)域23的部分的上方。開(kāi)口部41b設(shè)置于硅膜11的作為p層7的部 分、以及i層8的p層7側(cè)的部分(作為p型半導(dǎo)體區(qū)域8a的部分) 的上方。開(kāi)口部41c設(shè)置于硅膜31的作為源極區(qū)域44和漏極區(qū)域44 的部分的上方。
當(dāng)以該狀態(tài)進(jìn)行離子注入時(shí)，通過(guò)抗蝕劑圖案41的開(kāi)口部41a 41c，導(dǎo)入p型雜質(zhì)。其結(jié)果，在硅膜21形成n-TFT20的溝道區(qū)域23。 另外，硅膜ll的一半成為擴(kuò)散濃度低的p型半導(dǎo)體區(qū)域42，剩下的一 半不導(dǎo)入p型雜質(zhì)，這一半成為擴(kuò)散濃度低的n型半導(dǎo)體區(qū)域43。
另外，硅膜31中，在預(yù)定形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，形成 擴(kuò)散濃度低的兩個(gè)p型半導(dǎo)體區(qū)域44。而且，在通過(guò)這些p型半導(dǎo)體 區(qū)域44包夾形成的區(qū)域，不導(dǎo)入p型雜質(zhì)，該包夾區(qū)域成為p-TFT30 的溝道區(qū)域33。
這時(shí)，離子注入優(yōu)選以導(dǎo)入的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度為1.5xlO，個(gè) /cm勺 3xl0"[個(gè)/cm勺的方式進(jìn)行。例如，注入能量設(shè)定為10[KeV] 80[KeV]、劑量設(shè)定為5xl014[ion] 2xl016[ion]。另外，這時(shí)的離子注 入可以分多次進(jìn)行。離子注入完成后，除去抗蝕劑圖案41。
其次，如圖4 (a)所示，在硅膜21的上層的與溝道區(qū)域23重疊 的位置形成柵極電極25，在硅膜31的上層的與溝道區(qū)域33重疊的位 置形成柵極電極35。
具體而言，首先，以覆蓋層間絕緣膜12的方式，成膜以鉭(Ta)、
15鈦(Ti)、鎢(W)、鉬(Mo)、鋁(Al)等中的至少一種作為主要成分 的金屬膜。金屬膜的形成，例如可以通過(guò)濺射法、真空蒸鍍法等進(jìn)行。 接著，通過(guò)光刻法，形成在作為柵極電極25的部分和作為柵極電極35 的部分開(kāi)口的抗蝕劑圖案，將其作為掩模，對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻。從而 得到柵極電極25和柵極電極35。
接著，如圖4 (b)所示，再使用硼(B)、銦(In)等p型雜質(zhì)進(jìn) 行離子注入。此工序，是為了在如圖3 (a)所示的工序中形成的p型 半導(dǎo)體區(qū)域中，對(duì)p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度不足的部分，導(dǎo)入新的p型雜 質(zhì)而進(jìn)行。
具體而言，形成抗蝕劑圖案45。抗蝕劑圖案45設(shè)置有開(kāi)口部45a 和開(kāi)口部45b。開(kāi)口部45a設(shè)置于光電二極管10的作為p層7的部分 的上方。開(kāi)口部45b設(shè)置于p-TFT的作為源極區(qū)域32和漏極區(qū)域34 的部分的上方。
以該狀態(tài)進(jìn)行離子注入時(shí)，通過(guò)開(kāi)口部45a和45b，導(dǎo)入p型雜質(zhì)。 其結(jié)果，形成光電二極管10的p層7、 p-TFT 30的源極區(qū)域32以及漏 極區(qū)域34。本實(shí)施方式中，光電二極管10的p層7、 p-TFT30的源極 區(qū)域32以及漏極區(qū)域34的形成工序，是組合圖3 (c)所示的工序和 圖4 (b)所示的工序的工序。另外，p-TFT30的溝道區(qū)域33，沒(méi)有被 抗蝕劑圖案45所覆蓋，位于其上方的柵極電極35，對(duì)溝道區(qū)域33作
為掩模發(fā)揮作用。
這時(shí)，離子注入優(yōu)選以注入后的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度為1.5xlO，個(gè) /cm勺 3xlO"[個(gè)/cmS]程度增加的方式進(jìn)行。例如，注入能量設(shè)定為 10[KeV] 80[KeV]、劑量設(shè)定為5xlO"[ion] 2xl016[ion]。離子注入 完成后，除去抗蝕劑圖案45。這時(shí)的離子注入也可以分多次進(jìn)行。
接著，如圖5 (a)所示，使用磷(P)、砷(As)等n型雜質(zhì)，進(jìn) 行離子注入。此離子注入，是為了在n-TFT20形成源極區(qū)域22和漏極 區(qū)域24，在光電二極管10形成n層9而進(jìn)行。
具體而言，在層間絕緣層12上，形成抗蝕劑圖案46。抗蝕劑圖案 46設(shè)置有開(kāi)口部46a和開(kāi)口部46b。開(kāi)口部46a設(shè)置于n-TFT20的作 為源極區(qū)域22和漏極區(qū)域24的部分的上方。開(kāi)口部46b設(shè)置于光電 二極管10的作為n層9的部分的上方。以該狀態(tài)進(jìn)行離子注入時(shí)，通過(guò)開(kāi)口部46a和46b，導(dǎo)入n型雜質(zhì)。 其結(jié)果，完成光電二極管10的n層9、 n-TFT的源極區(qū)域22以及漏極 區(qū)域24。另外，n-TFT20的溝道區(qū)域23，沒(méi)有被抗蝕劑圖案46所覆 蓋，位于其上方的柵極電極25，對(duì)溝道區(qū)域23作為掩模發(fā)揮作用。
這時(shí)，離子注入優(yōu)選以注入后的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度為1.5><102()[個(gè) /(^13] 3><1021[個(gè)/0113]程度增加的方式進(jìn)行。例如，注入能量設(shè)定為 10[KeV] 100[KeV]、劑量設(shè)定為5xl04[ion] lxl016[ion]。離子注入 完成后，除去抗蝕劑圖案46。這時(shí)的離子注入也可以分多次進(jìn)行。
其次，如圖5 (b)所示，在層間絕緣膜12的上面以覆蓋柵極電極 25和35的方式形成別的層間絕緣膜13，另外，其上面形成平坦化膜 14。接著，形成貫通平坦化膜14、層間絕緣膜13、和層間絕緣膜12 的貫通孔，通過(guò)利用導(dǎo)電性材料將其填充，形成配線15、 16、 26、 27、 36和37。之后，形成覆蓋這些配線和平坦化膜14的保護(hù)膜17，得到 有源矩陣基板l。然后，在其上面以包夾液晶層2的方式，重疊相對(duì)基 板3，完成液晶顯示裝置(參照?qǐng)Dl)。
但是，在圖3 (c)、圖4 (b)以及圖5 (a)所示的各離子注入工 序中，光電二極管10的i層8的作為n型半導(dǎo)體區(qū)域8b的部分和p-TFT 的作為溝道區(qū)域33的部分的上方，設(shè)置有阻止p型和n型雜質(zhì)導(dǎo)入的 掩模。本實(shí)施方式中，不進(jìn)行對(duì)這些部分導(dǎo)入新的雜質(zhì)，這些部分以 比別的部分少的離子注入次數(shù)形成。
另外，硅膜的導(dǎo)電型，在形成時(shí)(參照?qǐng)D3 (a))為n型。光電二 極管10的n型半導(dǎo)體區(qū)域8b中的雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度，和p-TFT的溝道 區(qū)域33的雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度，從硅膜40的形成時(shí)起沒(méi)有發(fā)生變化，二
者被設(shè)定為同一濃度。
艮口，本實(shí)施方式中，光電二極管10的i層8的與n層9相鄰的部 分(n型半導(dǎo)體區(qū)域8b)，可以不導(dǎo)入新的雜質(zhì)而形成，在i層8的與 n層9相鄰的部分(8b)，與以往相比能夠抑制擴(kuò)散濃度的偏差。進(jìn)而， 其結(jié)果，在i層8和n層9的界面中，能隙的偏差比以往的小，因此能 夠抑制光電二極管10的輸出特性的偏差。
另外，在上述實(shí)施方式中，以硅膜40的形成時(shí)的導(dǎo)電型為n型為 例進(jìn)行列舉，但是本發(fā)明不受此例的限定。本發(fā)明，形成時(shí)硅膜40的導(dǎo)電型也可以是p型。在這種情況下，i層8的與p層7相鄰的部分(p 型半導(dǎo)體區(qū)域8a)，和n-TFT20的溝道區(qū)域23，可以不導(dǎo)入新的雜質(zhì) 而形成。而且，在這種情況下，在i層8的與p層7相鄰的部分(8a)， 與以往相比能夠抑制擴(kuò)散濃度的偏差，因此i層8和p層7的界面的能 隙的偏差比以往的小。因此，在這種情況下也能夠抑制光電二極管10 的輸出特性的偏差。 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明作為搭載光電二極管作為光傳感器的有源矩陣基板和顯示 裝置，具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其具備n型薄膜晶體管、p型薄膜晶體管和光電二極管，其特征在于所述n型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述p型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述光電二極管具備形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域、本征半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域在所述光電二極管的硅膜的面方向上以包夾所述本征半導(dǎo)體區(qū)域的方式配置，所述本征半導(dǎo)體區(qū)域，在與所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與所述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的p型半導(dǎo)體區(qū)域，在與所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與所述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n型半導(dǎo)體區(qū)域。
2. —種顯示裝置，其具備有源矩陣基板，其特征在于所述有源矩陣基板具備n型薄膜晶體管、p型薄膜晶體管和光電二極管，所述n型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述p型薄膜晶體管具備形成有作為源極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域、作為漏極區(qū)域的p型半導(dǎo)體區(qū)域和作為溝道區(qū)域的n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述光電二極管具備形成有P型半導(dǎo)體區(qū)域、本征半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域的硅膜，所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域在所述光電二極管的硅膜的面方向上以包夾所述本征半導(dǎo)體區(qū)域的方式配置，所述本征半導(dǎo)體區(qū)域，在與所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與所述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的p型半導(dǎo)體區(qū)域，在與所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度設(shè)定為與所述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相同的n型半導(dǎo)體區(qū)域。
3. —種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括-(a) 在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成n型硅膜的工序；(b) 除去所述n型硅膜的一部分，形成作為n型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極管的第三硅膜的工序；(c) 對(duì)所述第一硅膜的作為所述n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d) 對(duì)所述第二硅膜的作為所述p型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序；和(e) 對(duì)所述第一硅膜的作為所述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以P型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比所述(d)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序，在所述(c) 所述(e)的各個(gè)工序中，在所述第二硅膜的作為所述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分和所述第三硅膜的作為所述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分的上方，設(shè)置有阻止所述p型雜質(zhì)和所述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的掩模。
4. 一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括(a) 在構(gòu)成有源矩陣基板的基底基板上形成p型硅膜的工序；(b) 除去所述p型硅膜的一部分，形成作為n型薄膜晶體管的第一硅膜、作為p型薄膜晶體管的第二硅膜、和作為光電二極管的第三硅膜的工序；(c) 對(duì)所述第一硅膜的作為所述n型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序；(d) 對(duì)所述第二硅膜的作為所述p型薄膜晶體管的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域的部分，導(dǎo)入p型雜質(zhì)的工序；和(e) 對(duì)所述第二硅膜的作為所述p型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分，以及所述第三硅膜的作為所述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即所述光電二極管的n型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分，以n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度比所述(c)工序時(shí)更低的方式，導(dǎo)入n型雜質(zhì)的工序，在所述(c) 所述(e)的各個(gè)工序中，在所述第一硅膜的作為所述n型薄膜晶體管的溝道區(qū)域的部分和所述第三硅膜的作為所述光電二極管的本征半導(dǎo)體區(qū)域的部分即所述光電二極管的p型半導(dǎo)體區(qū)域側(cè)的部分的上方，設(shè)置有阻止所述p型雜質(zhì)和所述n型雜質(zhì)導(dǎo)入的掩模。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明提供能夠抑制光電二極管的輸出特性的偏差的有源矩陣基板和使用這種有源矩陣基板的顯示裝置。使用具備n-TFT(20)和p-TFT(30)和光電二極管(10)的有源矩陣基板(1)。光電二極管(10)具備p層(7)、i層(8)、n層(9)。i層(8)在與p層(7)相鄰的位置，具備p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度以與n-TFT(20)的溝道區(qū)域(23)的p型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相等的方式設(shè)定的p型半導(dǎo)體區(qū)域(8a)，在與n層(9)相鄰的位置，具備n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度以與p-TFT(30)的溝道區(qū)域(33)的n型雜質(zhì)的擴(kuò)散濃度相等的方式設(shè)定的n型半導(dǎo)體區(qū)域(8b)。
文檔編號(hào)H01L31/10GK101681955SQ20088002010
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日
發(fā)明者B·J·哈德文, 加藤浩巳 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社