專利名稱：：光半導(dǎo)體元件用密封劑及光半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光半導(dǎo)體用密封劑，其在透明性、耐熱性、耐光性、密合性方面優(yōu)異，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且可以防止熒光體的沉降。另外，還涉及一種使用該光半導(dǎo)體用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(LED)等光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件由于一旦與大氣直接接觸，就會(huì)因大氣中的水分或浮游的塵埃等使其發(fā)光特性迅速地降低，因此通常來說形成由密封劑密封的結(jié)構(gòu)。作為構(gòu)成此種將發(fā)光元件密封的密封劑的樹脂，使用雙酚型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)式環(huán)氧樹脂等環(huán)氧樹脂，這是因?yàn)槠湔辰恿Ω撸W(xué)的耐久性優(yōu)異(例如參照專利文獻(xiàn)l)。但是，由環(huán)氧系樹脂構(gòu)成的以往的密封劑具有如下的問題，即，對(duì)于密封近年來正在大力地研究的高亮度的光半導(dǎo)體元件來說，很難說具有足夠的耐熱性、耐光性，固化了的密封劑會(huì)發(fā)生著色。針對(duì)于此，例如為了提高環(huán)氧樹脂的耐熱性研究過添加化合物的做法(例如參照專利文獻(xiàn)2)，然而無法獲得足夠的耐熱性。另一方面，已知有如下的方法，即，取代環(huán)氧樹脂，而將對(duì)從藍(lán)色到紫外區(qū)域的短波長的光的透過性高、耐熱性或耐光性優(yōu)異的有機(jī)硅樹脂用于密封LED的發(fā)光元件的密封劑中的方法。但是，有機(jī)硅樹脂系密封劑由于具有表面粘附性，因此容易在發(fā)光面上附著異物，從而有容易損傷發(fā)光面的問題。如果像這樣在發(fā)光面中引起損傷，則會(huì)從該部分起產(chǎn)生裂紋，或因損傷而使亮度明顯地降低。針對(duì)于此，研究過使用提高了交聯(lián)密度的有機(jī)硅樹脂系密封劑的方法。但是，如果提高交聯(lián)密度，則表面粘附性就會(huì)消失，可以防止異物的附著或發(fā)光面的損傷，然而另一方面，機(jī)械的強(qiáng)度或粘接性明顯地降低，4如果反復(fù)進(jìn)行熱循環(huán)，則會(huì)在密封劑中形成裂紋，或引起與外罩材料等的剝離。另外，有機(jī)硅樹脂由于透濕度高，因此如果長時(shí)間使用，就會(huì)有發(fā)光元件的發(fā)光特性降低的情況。此外，有機(jī)硅樹脂由于光的折射率低，因此在將光半導(dǎo)體的發(fā)光元件密封的情況下，會(huì)有無法充分地獲得光的取出效率的問題。針對(duì)這些問題，還研究過通過將有機(jī)硅樹脂和環(huán)氧樹脂并用來彌補(bǔ)各樹脂的缺點(diǎn)的方法，然而現(xiàn)實(shí)狀況是，無法達(dá)成充分的性能。發(fā)光元件的利用密封劑的密封例如是利用如下的方法等進(jìn)行的，艮口，向配置了發(fā)光元件等的模具框架內(nèi)填充密封劑而將發(fā)光元件的周圍用密封劑充滿，其后使密封劑固化。但是，如果是以往的密封劑，則無法穩(wěn)定地正確地控制填充到框架內(nèi)的密封劑的形狀，其結(jié)果是，導(dǎo)致在將發(fā)光元件密封的密封劑的固化物的形狀中產(chǎn)生不均。另外，近年來，研究了光半導(dǎo)體元件在液晶用的背光燈、汽車用的頭燈或一般照明等中的應(yīng)用，此種用途中，通過對(duì)藍(lán)色的發(fā)光元件使用含有黃色的熒光體的密封劑，就可以獲得白色光(例如參照專利文獻(xiàn)3或4)。為了提高彩色再現(xiàn)性，還使用含有黃色的熒光體和紅色的熒光體的密封劑。像這樣通過將發(fā)光元件的光與熒光體的熒光組合來獲得白色光的嘗試正在積極地進(jìn)行之中。但是，在使用配合了熒光體的密封劑的情況下，在利用加熱使密封劑固化時(shí)，密封劑的粘度降低，在密封劑中引起熒光體的沉降，其結(jié)果是，導(dǎo)致產(chǎn)生顏色的不均的問題。顏色的不均特別是在照明用途中會(huì)成為致命的問題。就這一點(diǎn)而言也可以如下考慮，即，例如如果將室溫下的密封劑的粘度設(shè)定得較高，則可以抑制加熱時(shí)的密封劑的粘度的降低，防止熒光體的沉降。但是，如果將室溫下的密封劑的粘度設(shè)定得較高，則由于密封時(shí)的密封劑的流動(dòng)性不足，因此會(huì)產(chǎn)生無法令人滿意地進(jìn)行密封、在密封劑的涂刷量中產(chǎn)生不均、在密封中需要很長時(shí)間等問題。專利文獻(xiàn)h日本特開2003—277473號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開2003—73452號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開2002—314142號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2004—127988號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)狀，目的在于，提供一種光半導(dǎo)體用密封劑，其在透明性、耐熱性、耐光性、密合性方面優(yōu)異，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且可以防止熒光體的沉降。另外，目的還在于，提供一種使用該光半導(dǎo)體用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件。本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體元件用密封劑，其特征在于，含有在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂、與上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)反應(yīng)的熱固化齊U、氧化硅微粒，使用E型粘度計(jì)得到的25。C下5rpm時(shí)的粘度為5001萬mPa*s，通過將使用E型粘度計(jì)得到的25'C下lrpm時(shí)的粘度用10rpm粘度除Orpm時(shí)的粘度/10rpm時(shí)的粘度)算出的觸變值為1.22.5，并且使用平行板型流變儀得到的在自25'C到固化溫度的溫度區(qū)域的Is—'時(shí)的最低粘度為100mPas以上。下面，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳述。本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封的密封劑含有在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂，就會(huì)在透明性、耐熱性、耐光性、密合性等各種性能方面優(yōu)異。本發(fā)明人等進(jìn)行了進(jìn)一步深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封的密封劑滿足特定的粘度特性的情況下，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且即使在配合了熒光體的情況下也不會(huì)在所得的光中產(chǎn)生顏色的不均，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的使用E型粘度計(jì)得到的25'C下5rpm時(shí)的粘度的下限為500mPas，上限為1萬mPas。如果使用E型粘度計(jì)得到的25"C下5rpm時(shí)的粘度小于500mPas，則在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)，無法保持密封劑的形狀，另外，在密封時(shí)會(huì)產(chǎn)生垂液的問題，生產(chǎn)效率變得非常差，材料利用率變差。另外，從25"C到固化溫度的最低粘度容易變?yōu)?00mPa*s以下。如果使用E型粘度計(jì)得到的25。C下5rpm時(shí)的粘度超過1萬mPas，則在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)，粘度過高而難以密封，無法穩(wěn)定地控制密封劑的形狀，在密封劑的形狀中產(chǎn)生不均。使用E型粘度計(jì)得到的25"C下5rpm時(shí)的粘度的優(yōu)選的下限為600mPa，s，優(yōu)選的上限為8000mPa*s，更優(yōu)選的下限為700mPa-s，更優(yōu)選的上限為5000mPas。而且，本說明書中，上述粘度是在25'C下使用E型粘度計(jì)(東機(jī)產(chǎn)業(yè)公司制、TV—22型)測定的值。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的觸變值的下限為1.2，上限為2.5。如果觸變值小于1.2，則在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑進(jìn)行光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件的密封時(shí)，熒光體就會(huì)沉降。如果觸變值超過2.5，則在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)，無法穩(wěn)定地控制密封劑的形狀，在密封劑的形狀中產(chǎn)生不均。觸變值的優(yōu)選的下限為1.25，優(yōu)選的上限為2.3，更優(yōu)選的下限為1.3，更優(yōu)選的上限為2.0。本說明書中，所謂"觸變值"是指將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的使用E型粘度計(jì)得到的25C下lrpm時(shí)的粘度用10rpm粘度除的值(lrpm的粘度/10rpm的粘度)。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的使用平行板型流變儀得到的25°C到固化溫度的溫度區(qū)域的Is—1的最低粘度為100mPa*s以上。如果最低粘度小于100mPa.s，則在利用加熱使光半導(dǎo)體元件用密封劑固化時(shí)，熒光體就會(huì)沉降。如果熒光體沉降，就會(huì)產(chǎn)生顏色的不均。最低粘度的優(yōu)選的下限為150mPas，更優(yōu)選的下限為200mPas。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑由于具有上述粘度特性，因此可以極為穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的涂刷量。另外，由于在利用加熱使本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑固化時(shí)，也可以抑制粘度降低，防止熒光體的沉降，因此不會(huì)有在顏色中產(chǎn)生不均的情況。所以，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑可以適用于光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件的密封中。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑含有在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)鞋樹月旨本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，作為上述有機(jī)硅樹脂，只要是在分子7內(nèi)具有l(wèi)個(gè)以上的含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂，就沒有特別限定，然而例如優(yōu)選含有平均組成式以下述通式(1)表示的樹脂成分。(RiR2R3Si01/2)a(R4R5Si02/2)b(R6Si03/2)c(Si04/2)d(1)上述通式(1)中，a、b、c及d分別滿足a/(a+b+c+d)=00.2、b/(a+b+c+d)=0.31.0、c/(a+b+c+d)=00.5、d/(a+b+c+d)=00.3，WR6的至少1個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)，上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R1W表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。尤其優(yōu)選含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的WW表示甲基或乙基。在表示甲基或乙基的情況下，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的粘度的溫度依賴性變得緩和，不會(huì)有在加熱時(shí)粘度以必需量以上的程度降低的情況。由此，在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將發(fā)光元件密封時(shí)，可以防止熒光體的沉降。其結(jié)果是，不會(huì)有在所得的光中產(chǎn)生顏色的不均的情況。對(duì)于在像這樣含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R'R6表示甲基或乙基的情況下，可以防止本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的伴隨著加熱的粘度的降低的原因，可以認(rèn)為是因?yàn)?，如果是甲基或乙基，則分子間的相互作用就被減少，因此就沒有由溫度上升導(dǎo)致的分子間力的明顯的降低，從而可以減少粘度變化。特別是，如果含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的RiRS為甲基，則可以進(jìn)一步減少粘度變化，因此更為優(yōu)選。通過使上述有機(jī)硅樹脂含有平均組成式以上述通式(1)表示的樹脂成分，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑對(duì)藍(lán)色到紫外區(qū)域的短波長的光的透過性就高，在作為光半導(dǎo)體元件的密封劑使用的情況下，沒有由所密封的發(fā)光元件的發(fā)熱或發(fā)光造成的變色，耐熱性及耐光性優(yōu)異，并且在將發(fā)光二極管等光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)，該光半導(dǎo)體元件與外罩材料等的密合性優(yōu)異。而且，作為上述平均組成式以上述式(1)表示，不僅是指本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑僅含有以上述式(1)表示的樹脂成分的情況，在作為含有各種結(jié)構(gòu)的樹脂成分的混合物的情況下，還指如果取所含有的樹脂成8分的組成的平均則可以用上述式(1)表示的情況。上述通式(1)中，&116的至少1個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)。作為上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出含有縮水甘油基的基團(tuán)、含有環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)、含有氧雜環(huán)丁烷的基團(tuán)等。尤其優(yōu)選含有縮水甘油基的基團(tuán)和/或含有環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)。而且，本說明書中所說的含環(huán)狀醚的基團(tuán)只要是至少在基團(tuán)的一部分中含有環(huán)狀醚基即可，例如是指可以含有烷基、烷基醚基等其他的骨架和環(huán)狀醚基的基團(tuán)。作為上述含有縮水甘油基的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出2，3一環(huán)氧基丙基、3，4一環(huán)氧基丁基、4，5—環(huán)氧基戊基、2—環(huán)氧丙氧基乙基、3—環(huán)氧丙氧基丙基、4一環(huán)氧丙氧基丁基等。作為上述含環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出2—(3，4—環(huán)氧基環(huán)己基)乙基、3—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)丙基等。上述有機(jī)硅樹脂的上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量的優(yōu)選的下限為0.1摩爾％,優(yōu)選的上限為50摩爾％。如果上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量小于O.l摩爾％，則上述有機(jī)硅樹脂與后述的熱固化劑的反應(yīng)性明顯地降低，從而會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化性變得不充分的情況。如果上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量超過50摩爾％，則不參與上述有機(jī)硅樹脂與熱固化劑的反應(yīng)的含環(huán)狀醚的基團(tuán)增加，從而會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的耐熱性降低的情況。上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量的更優(yōu)選的下限為1摩爾%，更優(yōu)選的上限為40摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選的下限為5摩爾％，進(jìn)一步優(yōu)選的上限為30摩爾％。而且，本說明書中所說的上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量是指，上述有機(jī)硅樹脂成分的平均組合物中所含的上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的量。以上述通式(1)表示的有機(jī)硅樹脂中，上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的WRS表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物。作為上述直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴沒有特別限定，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、環(huán)己基、苯基等。尤其優(yōu)選能夠進(jìn)一步抑制升溫時(shí)的粘度降低的甲基、乙基，更優(yōu)選甲基。在以上述通式(1)表示的有機(jī)硅樹脂中，以(R4R5Si02/2)表示的結(jié)構(gòu)單元(以下也稱作二官能結(jié)構(gòu)單元)包括以下述通式(l一2)表示的結(jié)構(gòu)，即，包括與二官能結(jié)構(gòu)單元中的硅原子結(jié)合的氧原子的l個(gè)構(gòu)成羥基或烷氧基的結(jié)構(gòu)。(R4R5SiX01/2)(1—2)上述通式(l一2)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的垸氧基。另外，在以上述通式(1)表示的有機(jī)硅樹脂中，以(R6Si03/2)表示的結(jié)構(gòu)單元(以下也稱作三官能結(jié)構(gòu)單元)包括以下述通式(l一3)或(1一4)表示的結(jié)構(gòu)，即，包括與三官能結(jié)構(gòu)單元中的硅原子結(jié)合的氧原子的2個(gè)分別構(gòu)成羥基或烷氧基的結(jié)構(gòu)、或與三官能結(jié)構(gòu)單元中的硅原子結(jié)合的氧原子的1個(gè)構(gòu)成羥基或烷氧基的結(jié)構(gòu)。(R6SiX201/2)(1—3)(R6SiX02/2)(1—4)上述通式(l一3)及(l一4)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的烷氧基。另外，在以上述通式(1)表示的有機(jī)硅樹脂中，以(Si04/2)表示的結(jié)構(gòu)單元(以下也稱作四官能結(jié)構(gòu)單元)包括以下述通式(1_5)、(l一6)或(l一7)表示的結(jié)構(gòu)，即，包括與四官能結(jié)構(gòu)單元中的硅原子結(jié)合的氧原子的3個(gè)或2個(gè)分別構(gòu)成羥基或烷氧基的結(jié)構(gòu)、或與四官能結(jié)構(gòu)單元中的硅原子結(jié)合的氧原子的1個(gè)構(gòu)成羥基或烷氧基的結(jié)構(gòu)。(SiX3。1/2)(1—5)(SiX202/2)(1—6)(SiX03/2)(1—7)上述通式(1—5)、(1—6)及(1—7)中，X表示OH或OR，OR表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的烷氧基。上述通式(l一2)(l一7)中，作為直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的烷氧基，沒有特別限定，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。另外，上述通式(1)中，a是滿足a/(a+b+c+d)的下限為0、上限為0.2的關(guān)系的數(shù)值。如果a/(a+b+c+d)超過0.2，則會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的耐熱性變差的情況。更優(yōu)選的上限為0.15，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1。另外，上述通式(1)中，b是滿足b/(a+b+c+d)的下限為0.3、上限為1，0的關(guān)系的數(shù)值。如果b/(a+b+c+d)小于0.3，則本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物就會(huì)變得過硬，從而會(huì)有產(chǎn)生裂紋等的情況。更優(yōu)選的下限為0.4，進(jìn)一步優(yōu)選為0.5。另外，上述通式(1)中，c是滿足c/(a+b+c+d)的下限為0、上限為0.5的關(guān)系的數(shù)值。如果c/(a+b+c+d)超過0.5，則會(huì)有難以維持作為本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的合適的粘度、密合性降低的情況。更優(yōu)選的上限為0.4，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3。另外，上述通式(1)中，d是滿足d/(a+b+c+d)的下限為0、上限為0.3的關(guān)系的數(shù)值。如果d/(a+b+c+d)超過0.3，則會(huì)有難以維持作為本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的合適的粘度、密合性降低的情況。更優(yōu)選的上限為0.2，進(jìn)一步優(yōu)選為O.l。對(duì)于以上述通式(1)表示的有機(jī)硅樹脂，如果以四甲基硅烷(以下稱作TMS)作為基準(zhǔn)進(jìn)行"Si—核磁共振分析(以下稱作NMR)，則雖然根據(jù)取代基的種類不同可以看到若干的變動(dòng)，然而相當(dāng)于上述通式(1)的以(R111211、10！/2)a表示的結(jié)構(gòu)單元的峰會(huì)出現(xiàn)于+100ppm附近，相ii當(dāng)于上述通式(1)的(R4R5Si02/2)b及(1—2)的二官能結(jié)構(gòu)單元的各峰會(huì)出現(xiàn)于一10一30ppm附近，相當(dāng)于上述通式(1)的(R6Si03/2)c、(1一3)及(1_4)的三官能結(jié)構(gòu)單元的各峰會(huì)出現(xiàn)于一50一70ppm附近，相當(dāng)于上述通式(1)的(Si04/2)d、(1—5)、(1—6)及(l一7)的四官能結(jié)構(gòu)單元的各峰會(huì)出現(xiàn)于一90一120ppm附近。所以，通過測定"Si—NMR，比較各個(gè)信號(hào)的峰面積，就可以測定通式(1)的比率。但是，在上述以TMS作為基準(zhǔn)的"Si—NMR測定中分辨不出上述通式(1)的官能結(jié)構(gòu)單元等情況下，通過不僅使用29Si—NMR測定結(jié)果，還根據(jù)需要使用利用^一NMR或^F—NMR等測定的結(jié)果，就可以分辨結(jié)構(gòu)單元的比率。上述有機(jī)硅樹脂優(yōu)選具有R7R8Si02/2的結(jié)構(gòu)單元、R^i03,2的結(jié)構(gòu)單元禾口/或Si04/2的結(jié)構(gòu)單元。通過具有R7RSSi02/2的結(jié)構(gòu)單元、！^Si03/2的結(jié)構(gòu)單元和/或Si04/2的結(jié)構(gòu)單元，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑就會(huì)成為具有更為優(yōu)異的耐熱性的材料，可以防止使用條件下的膜減少等問題。此外，通過使上述有機(jī)硅樹脂具有此種樹脂結(jié)構(gòu)，與氧化硅微粒的相互作用就會(huì)變得更強(qiáng)，可以抑制固化時(shí)的由升溫造成的粘度降低。另外，通過適當(dāng)?shù)鼐哂蠸iO^的結(jié)構(gòu)單元，就很容易將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的粘度調(diào)整為所需的范圍，因而優(yōu)選。而且，在上述有機(jī)硅樹脂僅含有R7R8Si02/2的結(jié)構(gòu)單元時(shí)，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的耐熱性不夠充分，另外，三維的交聯(lián)容易變得不充分，從而會(huì)有在固化后引起膜減少的情況。而且，本說明書中所說的膜減少是指如果暴露于高溫狀態(tài)中則固化物的厚度就會(huì)慢慢地減小的現(xiàn)象。上述^!19的至少1個(gè)是含環(huán)狀醚的基團(tuán)，含環(huán)狀醚的基團(tuán)之外的WW表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。作為此種WR9，例如可以舉出與上述的R"RS相同的例子。此外，在上述R"RSSi02/2的結(jié)構(gòu)單元、R^i03/2的結(jié)構(gòu)單元以及Si04/2的結(jié)構(gòu)單元中，包含與以上述通式(l一2)(l一7)表示的二官能結(jié)構(gòu)單元、三官能結(jié)構(gòu)單元及四官能結(jié)構(gòu)單元相同的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，所謂具有R7R8Si02/2的結(jié)單元、R9Si03/2的結(jié)構(gòu)單元和/或Si04/2的結(jié)構(gòu)單元是指，既可以使用在未固化的狀態(tài)下在1個(gè)分子的骨架中具有RWSiO^的結(jié)構(gòu)單元、WSi03/2的結(jié)構(gòu)單元和/或Si04/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂，也可以使用僅具有R7R8Si02/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂、具有R9Si03/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂和/或具有Si04/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂的混合物。尤其優(yōu)選在樹脂的1個(gè)分子的骨架中具有R〒RSSi02/2的結(jié)構(gòu)單元及R9Si03/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂。作為上述在1個(gè)分子的骨架中具有R^SSiC^2的結(jié)構(gòu)單元和R9Si03/2的結(jié)構(gòu)單元的樹脂，可以使用上述通式(1)中以a=d=0表示的樹脂。該情況下，b/(a+b+c+d)的優(yōu)選的下限為0.5，優(yōu)選的上限為0.95，更優(yōu)選的下限為0.6，更優(yōu)選的上限為0.9(以下也稱作條件(l))。另外，c/(a+b+c+d)的優(yōu)選的下限為0.05，優(yōu)選的上限為0.5，更優(yōu)選的下限為0.1，更優(yōu)選的上限為0.4(以下也稱作條件(2))。上述有機(jī)硅樹脂優(yōu)選含有平均組成式以下述通式(2)、(3)或(4)表示的樹脂成分。而且，所謂上述有機(jī)硅樹脂含有平均組成式以下述通式(2)、(3)或(4)表示的樹脂成分，不僅指本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑作為有機(jī)硅樹脂僅含有以下述通式(2)、(3)或(4)表示的樹脂成分的情況，在作為含有各種結(jié)構(gòu)的樹脂成分的混合物的情況下，還指如果取所含有的樹脂成分的組成的平均則可以用下述通式(2)、(3)或(4)表示的情況。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>通式(2)中，e及f滿足<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>RlGRlS的至少i個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)，上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的r"ru表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>通式(3)中，g、h及i滿足<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>R"R"的至少1個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)，上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R"R^表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。其中，(R13R14Si02/2)與(R15R16Si02/2)是結(jié)構(gòu)不同的單元。(R，8R，9Si02力)j(R2。Si03/2)k(R2，Si03"),(4)通式(4)中，j、k及l(fā)滿足j/(j+k+l)=0.50.95、(k+l)/(j+k+l)=0.050.5，R"R"的至少1個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)，上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R"R"表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。其中，(R20SiO3/2)與(R21Si。3/2)是結(jié)構(gòu)不同的單元。上述通式(2)(4)中，含環(huán)狀醚的基團(tuán)優(yōu)選含有縮水甘油基或環(huán)氧基環(huán)己基的任意一方。上述有機(jī)硅樹脂優(yōu)選在以上述通式(2)(4)表示的結(jié)構(gòu)單元中，在三官能結(jié)構(gòu)單元中具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)。即，優(yōu)選在通式(2)中R12為含環(huán)狀醚的基團(tuán)，在通式(3)中1117為含環(huán)狀醚的基團(tuán)，在通式(4)中R2Q和域R21為含環(huán)狀醚的基團(tuán)。如果含環(huán)狀醚的基團(tuán)包含于三官能結(jié)構(gòu)體中，則含環(huán)狀醚的基團(tuán)就容易向有機(jī)硅樹脂的聚硅氧垸骨架的外側(cè)伸出，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物會(huì)形成充分的三維的交聯(lián)結(jié)構(gòu)而成為耐熱性充分的材料，另外，可以理想地防止在固化膜中產(chǎn)生膜減少的情況。上述有機(jī)硅樹脂優(yōu)選含有0.510摩爾％的垸氧基。通過含有此種烷氧基，耐熱性或耐光性就會(huì)大幅度提高。這可以認(rèn)為是因?yàn)椋ㄟ^在有機(jī)硅樹脂中含有烷氧基，可以使固化速度大幅度提高，因此可以防止固化時(shí)的熱老化。另外，通過像這樣大幅度提高固化速度，在添加固化促進(jìn)劑的情況下，即使用比較少的添加量，也可以獲得足夠的固化性。如果烷氧基的含量小于0.5摩爾。X，則無法充分地獲得固化速度，從而會(huì)有耐熱性變差的情況，如果超過10摩爾％，則有機(jī)硅樹脂或組合物的貯存穩(wěn)定性變差、耐熱性變差。垸氧基的含量的更優(yōu)選的下限為1摩爾%，更優(yōu)選的上限為5摩爾％。而且，本說明書中，上述烷氧基的含量是指上述有機(jī)硅樹脂成分的平均組合物中所含的上述烷氧基的量。上述有機(jī)硅樹脂最好不含有硅烷醇基。硅垸醇基除了會(huì)使聚合物的貯存穩(wěn)定性明顯地惡化以外，還會(huì)使制成樹脂組合物后的貯存穩(wěn)定性也明顯地變差，因此不夠理想。此種硅烷醇基可以通過在真空下加熱來使之減少，硅烷醇基的量可以使用紅外分光法等來測定。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，上述有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)的優(yōu)選的下限為1000，優(yōu)選的上限為5萬。如果上述有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)小于1000，則熱固化時(shí)揮發(fā)成分變多，作為密封劑使用時(shí)膜減少變多，不夠理想。如果上述有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)超過5萬，則由于粘度調(diào)節(jié)變得困難，因此不夠理想。上述有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)的更優(yōu)選的下限為1500，更優(yōu)選的上限為15000。而且，本說明書中所說的數(shù)均分子量(Mn)是使用凝膠滲透色譜(GPC)以聚苯乙烯作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)求出的值，是指使用Waters公司制的測定裝置(作為柱子使用2根昭和電工公司制ShodexGPCLF—804(長300mm)，測定溫度為40。C，流速為lmL/min，作為溶劑使用四氫呋喃，作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)使用聚苯乙烯)測定的值。作為合成上述有機(jī)硅樹脂的方法沒有特別限定，例如可以舉出(1)利用具有SiH基的有機(jī)硅樹脂、與具有環(huán)狀醚基的乙烯基化合物的氫化硅烷化反應(yīng)來導(dǎo)入取代基的方法；(2)使硅氧垸化合物與具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物縮合反應(yīng)的方法等。上述方法(1)中，所謂氫化硅烷化反應(yīng)是根據(jù)需要在催化劑的存在下使SiH基與乙烯基反應(yīng)的方法。作為上述具有SiH基的有機(jī)硅樹脂，只要使用如下的樹脂即可，艮口，在分子內(nèi)含有SiH基，與上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的乙烯基化合物反應(yīng)后，變?yōu)橐陨鲜龅耐ㄊ?1)表示的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選變?yōu)橐陨鲜鐾ㄊ?2)(4)中的某個(gè)表示的結(jié)構(gòu)。作為上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的乙烯基化合物，只要是在分子內(nèi)具有1個(gè)以上含環(huán)狀醚的基團(tuán)的乙烯基化合物，就沒有特別限定，例如可以舉出乙烯基縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯、環(huán)氧乙烯基環(huán)己垸等含環(huán)氧基的化合物等。15上述方法(2)中，作為硅氧烷化合物，例如可以舉出具有下述通式(5)、(6)、(7)及(8)的硅氧垸單元的垸氧基硅烷或其部分水解物。R22R23R24Si(OR)(5)R25R26Si(OR)2(6)R27Si(OR)3(7)Si(OR)4(8)上述通式(5)(8)中，R"R"表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，OR表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的垸氧基。上述通式(5)(8)中，在R"R"為直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴的情況下，具體來說，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、環(huán)己基、苯基等。另外，上述通式(5)(8)中，對(duì)于以O(shè)R表示的直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的垸氧基，具體來說，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。作為以上述通式(5)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷等。作為以上述通式(6)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅垸、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、異丙基(甲基)二甲氧基硅烷、環(huán)己基(甲基)二甲氧基硅垸、甲基(苯基)二甲氧基硅垸等。作為以上述通式(7)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出甲基三甲氧基硅垸、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅垸等。作為以上述通式(8)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅垸等。作為上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物，例如可以舉出以下述通式(9)、(10)、(11)表示的具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的烷氧基硅烷或其部分水解物。R28R29R30Si(OR)(9)R31R32Si(OR)2(10)R33Si(OR)3(11)上述通式(9)、(10)、(11)中，R28、R29、R"的至少一個(gè)、R"和/或R32、R"為環(huán)狀醚基，含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R28、R29、R30、R31、R32表示碳數(shù)為18的烴或其氟化物，OR表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為l4的垸氧基。通式(9)、(10)、(11)中，作為以R28、R29、R3G的至少一個(gè)、R31和/或R32、R"表示的含環(huán)狀醚的基團(tuán)，沒有特別限定，例如可以舉出含縮水甘油基的基團(tuán)、含環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)、含氧雜環(huán)丁垸的基團(tuán)等。尤其優(yōu)選含縮水甘油基的基團(tuán)和/或含環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)。作為上述含縮水甘油基的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出2，3—環(huán)氧基丙基、3，4一環(huán)氧基丁基、4，5—環(huán)氧基戊基、2—環(huán)氧丙氧基乙基、3—環(huán)氧丙氧基丙基、4一環(huán)氧丙氧基丁基等。作為上述含環(huán)氧基環(huán)己基的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出2—(3，4—環(huán)氧基環(huán)己基)乙基、3—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)丙基等。上述通式(9)、(10)中，對(duì)于含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的R28、R29、R3°、R31、R32，具體來說，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、環(huán)己基、苯基等。另外，上述通式(9)、(10)、(11)中，對(duì)于以O(shè)R表示的直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為14的烷氧基，具體來說，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。作為以上述通式(9)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出3—環(huán)氧丙氧基丙基(二甲基)甲基甲氧基硅垸、2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)17乙基(二甲基)甲氧基硅烷等。作為以上述通式(10)表示的化合物，例如可以舉出3—環(huán)氧丙氧基丙基(甲基)二甲氧基硅烷、3—環(huán)氧丙氧基丙基(甲基)二乙氧基硅烷、3—環(huán)氧丙氧基丙基(甲基)二丁氧基硅垸、2，3—環(huán)氧基丙基(甲基)二甲氧基硅烷、2—(3，4—環(huán)氧基環(huán)己基)乙基(甲基)二甲氧基硅烷、2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基(甲基)二乙氧基硅烷等。作為以上述通式(11)表示的化合物，具體來說，例如可以舉出3—環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3—環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、2—G，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、2—(3，4—環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三乙氧基硅垸等。上述方法(2)中，作為使上述硅氧烷化合物與具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物縮合反應(yīng)的具體的方法，例如可以舉出使上述硅氧烷化合物與具有環(huán)狀醚基的化合物在水及酸性或堿性催化劑的存在下反應(yīng)而合成有機(jī)硅樹脂的方法。作為上述水的配合量，只要是可以將上述硅氧烷化合物和上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物中的與硅原子結(jié)合的垸氧基水解的量，就沒有特別限定，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。上述酸性催化劑是用于使上述硅氧垸化合物與上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物反應(yīng)的催化劑，例如可以舉出無機(jī)酸、有機(jī)酸、它們的酸酐或衍生物等。作為上述無機(jī)酸，例如可以舉出磷酸、硼酸、碳酸等。作為上述有機(jī)酸，例如可以舉出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、富馬酸、馬來酸、油酸等。上述堿性催化劑是用于使上述硅氧垸化合物與上述具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的硅氧烷化合物反應(yīng)的催化劑，例如可以舉出堿金屬的氫氧化物、堿金屬的醇鹽、堿金屬的硅烷醇化合物等。作為上述堿金屬的氫氧化物，例如可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銫等。作為上述堿金屬的醇鹽，例如可以舉出叔丁醇鈉、叔丁醇鉀、叔丁醇銫等。作為上述堿金屬的硅烷醇化合物，例如可以舉出硅垸醇化鈉化合物、硅烷醇化鉀化合物、硅垸醇化銫化合物等。尤其優(yōu)選鉀系催化劑及銫系催化劑。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用熱構(gòu)成組合物優(yōu)選含有在分子內(nèi)具有1個(gè)以上含有縮水甘油基的基團(tuán)的2官能有機(jī)硅樹脂。通過配合此種2官能有機(jī)硅樹脂，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的抗裂紋性明顯地提高。這可以推測是因?yàn)?，在上述固化物中，在分子?nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂的因含環(huán)狀醚的基團(tuán)的反應(yīng)而產(chǎn)生的交聯(lián)點(diǎn)的間隙中，混入與上述有機(jī)硅樹脂相比骨架更為柔軟的上述2官能有機(jī)硅樹脂。本說明書中，所謂含有縮水甘油基的基團(tuán)是指，只要是至少在基團(tuán)的一部分中含有縮水甘油基即可，例如是指可以含有烷基、烷基醚基等其他的骨架和縮水甘油基的基團(tuán)。作為上述含有縮水甘油基的基團(tuán)沒有特別限定，例如可以舉出2，3一環(huán)氧基丙基、3，4一環(huán)氧基丁基、4，5—環(huán)氧基戊基、2—環(huán)氧丙氧基乙基、3—環(huán)氧丙氧基丙基、4—環(huán)氧丙氧基丁基等。作為此種在分子內(nèi)具有1個(gè)以上含有縮水甘油基的基團(tuán)的2官能有機(jī)硅樹脂，沒有特別限定，然而優(yōu)選含有平均組成式以下述通式(12)或(13)表示的樹脂成分。通過使上述2官能有機(jī)硅樹脂含有以下述通式(12)或(13)表示的樹脂成分，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物就會(huì)具有適度的柔軟性，成為抗裂紋性極為優(yōu)異的材料。而且，所謂上述2官能有機(jī)硅樹脂的平均組成式以下述通式(12)或(13)表示，不僅指本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑作為2官能有機(jī)硅樹脂僅含有以下述通式(12)或(13)表示的樹脂成分的情況，在作為含有各種結(jié)構(gòu)的樹脂成分的混合物的情況下，還指如果取所含有的樹脂成分的組成的平均則可以用下述通式(12)或(13)表示的情況。此外，還包含平均組成式在下述通式(12)或(13)中以(1—2)表示的結(jié)構(gòu)。(R34R35Si02/2)m(R36R37Si02/2)n(12)19通式(12)中，R"和/或R"是含有縮水甘油基的基團(tuán)，R34、R"表示碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。另外，在僅R"或R"的任意一方為含有縮水甘油基的基團(tuán)的情況下，另一方表示碳數(shù)為18的烴或其氟化物。另夕卜，m/(m+n)的優(yōu)選的下限為0.6，優(yōu)選的上限為0.95，更優(yōu)選的下限為0.7，更優(yōu)選的上限為0.9，n/(m+n)的優(yōu)選的下限為0.05，優(yōu)選的上限為0.4，更優(yōu)選的下限為O.l，更優(yōu)選的上限為0.3。(R38R39SiO2/2)。(R40R41SiO2/2)。(R42R43Si02/2)。(13)通式(13)中，r42和/或R43是含縮水甘油基的基団，r38、r39、r4q、R"表示碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。另外，在僅R"或R"的任意一方為含有縮水甘油基的基團(tuán)的情況下，另一方表示碳數(shù)為18的烴或其氟化物。另外，o+p/(o+p+q)的優(yōu)選的下限為0.6，優(yōu)選的上限為0.95，更優(yōu)選的下限為0.7，更優(yōu)選的上限為0.9，q/(o+p+q)的優(yōu)選的下限為0.05，優(yōu)選的上限為0.4，更優(yōu)選的下限為0.1，更優(yōu)選的上限為0.3。其中，(R38R39Si02/2)與(R40R41SiO2/2)是結(jié)構(gòu)不同的單元。上述2官能有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)的優(yōu)選的下限為1500，優(yōu)選的上限為5萬。如果上述2官能有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)小于1500，則會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的抗裂紋性變得不充分的情況，如果超過5萬，則會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的粘度調(diào)節(jié)變得困難的情況。上述2官能有機(jī)硅樹脂的數(shù)均分子量(Mn)的更優(yōu)選的下限為2000，更優(yōu)選的上限為2萬。作為此種2官能有機(jī)硅樹脂的合成方法沒有特別限定，例如可以舉出與上述的合成有機(jī)硅樹脂的方法相同的方法。即，可以舉出利用具有SiH基的有機(jī)硅樹脂(b)、與具有含有縮水甘油基的基團(tuán)的乙烯基化合物的氫化硅烷化反應(yīng)來導(dǎo)入取代基的方法(方法(3));使烷氧基硅垸化合物與具有含縮水甘油基醚的基團(tuán)的烷氧基硅烷化合物縮合反應(yīng)的方法(方法(4))等。在利用上述方法(3)來合成2官能有機(jī)硅樹脂的情況下，作為上述具有SiH基的有機(jī)硅樹脂(b)，例如可以舉出如下的樹脂，g卩，在分子內(nèi)具有SiH基，在與具有上述含縮水甘油基的基團(tuán)的乙烯基化合物反應(yīng)后，成為以上述的通式(12)或(13)表示的結(jié)構(gòu)。在利用上述方法(4)來合成上述2官能有機(jī)硅樹脂的情況下，作為上述烷氧基硅烷化合物沒有特別限定，例如可以舉出與上述通式(6)的化合物相同的化合物。另外，作為上述具有含縮水甘油基的基團(tuán)的烷氧基硅烷化合物，例如可以舉出與上述的通式(10)的化合物相同的化合物。作為使上述烷氧基硅烷化合物與具有含縮水甘油基的烷氧基硅垸化合物縮合反應(yīng)的具體的方法，例如可以舉出與上述的合成有機(jī)硅樹脂時(shí)的使烷氧基硅烷化合物與具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的烷氧基硅烷化合物反應(yīng)的情況相同的方法。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，作為上述2官能有機(jī)硅樹脂相對(duì)于上述的有機(jī)硅樹脂的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份，優(yōu)選的下限為IO重量份，優(yōu)選的上限為120重量份。如果上述2官能有機(jī)硅樹脂的配合量小于10重量份，則會(huì)有無法充分地發(fā)揮本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的抗裂紋性的情況，如果超過120重量份，則本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的耐熱性差，會(huì)有該固化物在熱環(huán)境下容易黃變的情況。上述2官能有機(jī)硅樹脂的配合量的更優(yōu)選的下限為15重量份，更優(yōu)選的上限為100重量份。而且，本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂及2官能有機(jī)硅樹脂的總量，在將全部樹脂成分設(shè)為IOO重量份的情況下，優(yōu)選的下限為90重量份。上述有機(jī)硅樹脂及2官能有機(jī)硅樹脂的總量的更優(yōu)選的下限為95重量份，進(jìn)一步優(yōu)選的下限為97重量份，特別優(yōu)選的下限為99重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中，除了上述的樹脂以外，也可以在不妨礙本發(fā)明的效果的范圍中還含有能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的固化性化合物。作為此種化合物，例如可以舉出具有氨基、氨基甲酸酯基、酰亞胺基、羥基、羧基、環(huán)氧基的化合物。尤其優(yōu)選環(huán)氧基化合物。作為環(huán)氧基化合物沒有特別限定，可以使用以往公知的各種環(huán)氧基化合物。作為上述能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的其他的固化性化合物的配合量，沒有特別限定，然而優(yōu)選的上限為，相對(duì)于上述的有機(jī)硅樹脂的總量100重量份為10重量份。更優(yōu)選的上限為5重量份，進(jìn)一步優(yōu)選的上限為3重量份，特別優(yōu)選的上限為1重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑含有與上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)反應(yīng)的熱固化劑(以下也簡稱為熱固化劑)。作為上述熱固化劑，只要是可以與上述有機(jī)硅樹脂的含環(huán)狀醚的基團(tuán)反應(yīng)的材料，就沒有特別限定，例如可以舉出乙二胺、三乙二胺、1，6_己二胺、二聚酸改性乙二胺、N—乙基氨基哌啶、異佛爾酮二胺等脂肪族胺類；間苯二胺、對(duì)苯二胺、3，3'—二氨基二苯基砜、4，4'一二氨基二苯基砜、4，4'一二氨基二苯基甲烷、4，4'—二氨基二苯基醚等芳香族胺類；巰基丙酸酯、環(huán)氧樹脂的末端巰基化合物等硫醇類；雙酚A、雙酚F、雙酚AD、雙酚S、四甲基雙酚A、四甲基雙酚F、四甲基雙酚AD、四甲基雙酚S、四溴雙酚A、四氯雙酚A、四氟雙酚A、雙酚、二羥基萘、1，1，l一三(4一羥基苯基)甲烷、4，4一(l一(4一(l一(4一羥基苯基)一l一甲基乙基)苯基)亞乙基)雙酚、線性酚醛樹脂、甲酚線性酚醛樹脂、雙酚A線性酚醛樹脂、溴化線性酚醛樹脂、溴化雙酚A線性酚醛樹脂等酚醛樹脂類；將這些酚醛樹脂類的芳香環(huán)氫化了的多元醇類；聚壬二酸酐、甲基四氫化苯二甲酸酐、四氫化苯二甲酸酐、甲基六氫化苯二甲酸酐、六氫化苯二甲酸酐、5—降冰片烯—2，3—二羧酸酐、降冰片烷一2，3—二羧酸酐、甲基一5—降冰片烯一2，3—二羧酸酐、甲基一降冰片烷一2，3—二羧酸酐、環(huán)己烷一1，2，3—三羧酸一1，2酐、環(huán)己垸一1，2，4一三羧酸—1，2酐等脂環(huán)式酸酐類；3—甲基戊二酸酐等具有可以分支的碳數(shù)為18的垸基的3—烷基戊二酸酐、2—乙基一3—丙基戊二酸酐等具有可以分支的碳數(shù)為18的垸基的2，3—二烷基戊二酸酐、2，4一二乙基戊二酸酐、2，4—二甲基戊二酸酐等具有可以分支的碳數(shù)為18的烷基的2，4一二烷基戊二酸酐等烷基取代戊二酸酐類；苯二甲酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐等芳香族酸酐類；2—甲基咪唑、2—乙基一4一甲基咪唑、2—苯基咪唑等咪唑類及其鹽類；上述脂肪族胺類、芳香族胺類、禾口/或利用咪唑類與環(huán)氧樹脂的反應(yīng)得到的胺加成化合物類；己二酸二酰肼等22肼類；二甲基芐基胺、1，8—二氮雜雙[5.4.0]十一烯一7等叔胺類；三苯基膦等有機(jī)膦類；雙氰胺等。這些熱固化劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。而且，在含有以上述通式(12)或(13)表示的樹脂成分等上述二官能有機(jī)硅樹脂的情況下，上述熱固化劑也可以與該二官能有機(jī)硅樹脂的含有縮水甘油基的基團(tuán)反應(yīng)。尤其優(yōu)選脂環(huán)式酸酐類、垸基取代戊二酸酐類、芳香族酸酐類等酸酐，更優(yōu)選脂環(huán)式酸酐類、垸基取代戊二酸酐類，特別優(yōu)選甲基六氫化苯二甲酸酐、六氫化苯二甲酸酐、降冰片烯一2，3—二羧酸酐、甲基一降冰片烯一2,3—二羧酸酐、環(huán)己垸一1，2，3—三羧酸一1，2酐、環(huán)己烷一l，2，4一三羧酸一1，2酐、2，4一二乙基戊二酸酐。作為上述熱固化劑的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為1重量份，優(yōu)選的上限為200重量份。如果在該范圍中，則本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的交聯(lián)反應(yīng)就會(huì)充分地進(jìn)行，成為耐熱性及耐光性優(yōu)異，并且透濕度充分低的材料。更優(yōu)選的下限為5重量份，更優(yōu)選的上限為120重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑含有氧化硅微粒。通過含有上述氧化硅微粒，就可以不損害本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的透明性、耐熱性、耐光性地將粘度特性設(shè)為上述的范圍。具體來說，可以通過考慮本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑中所含的上述有機(jī)硅樹脂的結(jié)構(gòu)、氧化硅微粒的比表面積或表面狀態(tài)等，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整氧化硅微粒的配合量，來實(shí)現(xiàn)上述粘度特性。上述氧化硅微粒的一次粒子徑的優(yōu)選的下限為5nm，優(yōu)選的上限為200nm。如果上述氧化硅微粒的一次粒子徑小于5nm，則氧化硅微粒的分散性降低，從而會(huì)有所得的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的透明性差的情況。如果上述氧化硅微粒的一次粒子徑超過200nm，則容易產(chǎn)生由氧化硅微粒引起的光散射，從而會(huì)有所得的光半導(dǎo)體用密封劑的固化物的透明性降低、無法獲得25。C的粘度的上升效果、無法抑制溫度上升中的粘度的降低的情況。上述氧化硅微粒的一次粒子徑的更優(yōu)選的下限為8nm，更優(yōu)選的上限為150nm。而且，本說明書中所說的上述氧化硅微粒的一次粒子徑，在上述氧化硅微粒為球形的情況下是指氧化硅微粒的直徑的平均值，在為非球形的情況下是指氧化硅微粒的長徑的平均值。上述氧化硅微粒的BET比表面積的優(yōu)選的下限為30m2/g，優(yōu)選的上限為400mVg。如果上述氧化硅微粒的BET比表面積小于30m々g，則會(huì)有25°C的粘度及觸變值脫離上述的范圍、無法抑制溫度上升中的粘度的降低、透明性變差的情況。如果上述氧化硅微粒的BET比表面積超過400m2/g，則會(huì)產(chǎn)生氧化硅微粒的凝聚，會(huì)有分散性惡化的情況，并有透明性變差的情況。作為上述氧化硅微粒沒有特別限定，例如可以舉出熱解法二氧化硅、熔融二氧化硅等利用干式法制造的二氧化硅；膠態(tài)二氧化硅、溶膠凝膠二氧化硅、沉淀二氧化硅等利用濕式法制造的二氧化硅等。尤其優(yōu)選使用揮發(fā)成分少、可以獲得高透明性的熱解法二氧化硅。作為上述熱解法二氧化硅的氧化硅微粒，例如可以舉出Aerosil50(比表面積為50m2/g)、Aerosil卯(比表面積為90m2/g)、Aerosil130(比表面積為130m2/g)、Aerosil200(比表面積為200m2/g)、Aerosil300(比表面積為300mVg)、Aerosil380(比表面積為380m2/g)(都是日本Aerosil公司制)等。上述氧化硅微粒優(yōu)選利用有機(jī)硅系化合物進(jìn)行表面處理。通過將氧化硅微粒的表面像這樣進(jìn)行表面處理，就會(huì)形成分散性非常優(yōu)異的材料，也不會(huì)有損害透明性的情況，另外可以進(jìn)一步抑制由溫度上升造成的粘度的降低。作為上述有機(jī)硅系化合物沒有特別限定，例如可以舉出具有垸基的硅烷系化合物、二甲基硅氧烷等具有硅氧烷骨架的硅系化合物、具有氨基的硅系化合物、具有(甲基)丙烯酸基的硅系化合物、具有環(huán)氧基的硅系化合物等。尤其優(yōu)選具有三甲基甲硅垸基的有機(jī)硅系化合物、或具有聚二甲基硅氧垸基的有機(jī)硅系化合物。而且，本說明書中所說的上述(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或甲基丙烯酸。作為用具有三甲基甲硅烷基的有機(jī)硅系化合物來進(jìn)行表面處理的方24法沒有特別限定，然而例如可以通過使用六甲基二硅氮烷、三甲基甲硅烷基氯化物、三甲基甲氧基硅烷等進(jìn)行表面處理來獲得。作為用此種具有三甲基甲硅烷基的有機(jī)硅系化合物進(jìn)行了表面處理的氧化硅微粒的市售品，可以舉出RX200(比表面積為140m2/g)、R8200(比表面積為140m2/g)(都是日本Aerosil公司制)等。作為用具有聚二甲基硅氧烷基的有機(jī)硅系化合物來進(jìn)行表面處理的方法沒有特別限定，然而例如可以通過使用在聚二甲基硅氧烷的末端具有硅烷醇基的化合物、環(huán)狀硅氧烷等進(jìn)行表面處理來獲得。作為用此種具有聚二甲基硅氧烷基的有機(jī)硅系化合物進(jìn)行了表面處理的氧化硅微粒的市售品，可以舉出RY200(比表面積為120m2/g)(日本Aerosil公司制)等。作為用上述有機(jī)硅系化合物來處理上述氧化硅微粒的表面的方法沒有特別限定，例如可以舉出直接處理法、積分混合法(integralblendmethod)等，其中直接處理法包括向亨舍爾混合機(jī)、V型混合機(jī)等能夠高速攪拌的混合機(jī)中添加氧化硅微粒，一邊攪拌一邊將有機(jī)硅系化合物直接或作為醇水溶液、有機(jī)溶劑溶液或者水溶液來添加的干式法；向氧化硅微粒的料漿中添加有機(jī)硅系化合物的料漿法；以及在氧化硅微粒的干燥工序后噴霧附加有機(jī)硅系化合物的噴霧法等，積分混合法是在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的制備時(shí)，在氧化硅微粒與后述的有機(jī)硅樹脂等基質(zhì)樹脂混合時(shí)直接添加有機(jī)硅系化合物的方法。作為上述氧化硅微粒的含量，相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂IOO重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂的情況下，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為3重量份，優(yōu)選的上限為40重量份。如果上述氧化硅微粒的含量小于3重量份，則會(huì)有難以將本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的粘度設(shè)為上述范圍的情況。如果上述氧化硅微粒的含量超過40重量份，則無法將本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑的粘度值或觸變值設(shè)為上述的范圍、透明性降低。上述氧化硅微粒的含量的更優(yōu)選的下限為5重量份，更優(yōu)選的上限為35重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選含有熒光體。上述熒光體只要是可以通過吸收使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑密封的發(fā)光元件發(fā)出25的光而產(chǎn)生熒光來最終獲得所需的顏色的光的材料，就沒有特別限定，可以適當(dāng)?shù)剡x擇使用至少1種熒光體。即，上述熒光體被發(fā)光元件發(fā)出的光激發(fā)而發(fā)出熒光，可以利用發(fā)光元件發(fā)出的光與熒光體發(fā)出的熒光的組合，獲得所需的顏色的光。作為上述發(fā)光元件與熒光體的組合沒有特別限定，然而例如在作為發(fā)光元件使用紫外線LED芯片而以最終獲得白色光作為目的的情況下，優(yōu)選組合使用藍(lán)色熒光體、紅色熒光體及綠色熒光體，在作為發(fā)光元件使用藍(lán)色LED芯片而以最終獲得白色光作為目的的情況下，優(yōu)選組合使用綠色熒光體及紅色熒光體，或使用黃色熒光體。作為上述藍(lán)色熒光體，只要是吸收紫外線而發(fā)出藍(lán)色的熒光的熒光體，就沒有特別限定，例如可以舉出(Sr、Ca、Ba、Mg),。(P〇4)6C12:Eu、(Ba、Sr)MgAli。0,7:Eu、(Sr、Ba)3MgSi208:Eu等。作為上述紅色熒光體沒有特別限定，例如可以舉出(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)2SI5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y202S:Eu、La202S:Eu、LiW208:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(P04)8C12:(Eu、Mn)、Ba3MgSi208:(Eu、Mn)等。作為上述綠色熒光體沒有特別限定，例如可以舉出Y3(A1、Ga)5012:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3012:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl10O17(Eu、Mn)、SrAl204:Eu等。作為上述黃色熒光體沒有特別限定，例如可以舉出、Y3A15012:Ce、(Y、Gd)3Al5012:Ce、Tb3Al5012:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2Si〇4:Eu等。作為上述熒光體，除此以外，還可以作為有機(jī)熒光體舉出茈系化合物等。上述熒光體優(yōu)選被納米粒子化。通過被納米粒子化，就可以減少光的散射。上述熒光體的一次粒子徑的優(yōu)選的下限為O.lum，優(yōu)選的上限為10026um。如果上述熒光體的一次粒子徑小于0.1um，則會(huì)有向密封劑中的分散性降低的情況。如果上述熒光體的一次粒子徑超過100um，則會(huì)有從所得的光半導(dǎo)體元件(組件)中向外發(fā)出的光的量明顯地減少的情況。而且，本說明書中所說的上述熒光體的一次粒子徑，在上述熒光體為球形的情況下是指熒光體的直徑的平均值，在為非球形的情況下是指熒光體的長徑的平均值。作為上述熒光體的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述密封樹脂組合物IOO重量份，優(yōu)選的下限為0.1重量份，優(yōu)選的上限為40重量份。如果上述熒光體的配合量小于0.1重量份，則會(huì)有無法獲得所需的顏色的光的情況。如果上述熒光體的配合量超過40重量份，則會(huì)有從所得的光半導(dǎo)體元件(組件)中向外發(fā)出的光的量明顯地減少的情況。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選含有分散劑。通過含有上述分散劑，上述熒光體及氧化硅微粒的分散性提高，可以獲得透明性更高的光半導(dǎo)體元件用密封劑。作為上述分散劑，例如可以舉出聚環(huán)氧烷烴系表面活性劑、聚(甲基)丙烯酸酯系表面活性劑、氟系表面活性劑、硅酮系表面活性劑等。作為上述分散劑的含量，相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為0.01重量份，優(yōu)選的上限為5重量份。如果上述分散劑的含量小于0.01重量份，則基本上無法獲得配合上述分散劑的效果，如果超過5重量份，則會(huì)有本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的固化物的硬度脫離上述的范圍的情況。上述分散劑的含量的更優(yōu)選的下限為0.05重量份，更優(yōu)選的上限為3重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選含有固化促進(jìn)劑。通過含有上述固化促進(jìn)劑，就可以使本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑在加熱后快速地固化，可以有效地防止在本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑中上述熒光體發(fā)生沉降。作為上述固化促進(jìn)劑沒有特別限定，例如可以舉出咪唑類、叔胺類及其鹽類、膦類、鱗鹽類、氨基三唑類、金屬催化劑類等。作為上述咪唑類，例如可以舉出2—甲基咪唑、2—乙基一4一甲基咪唑等。作為上述叔胺類，例如可以舉出1，8—二氮雜雙環(huán)(5，4，0)H^—烯_7等。作為上述膦類，例如可以舉出三苯基膦等。作為上述轔鹽類，例如可以舉出三苯基溴化轔等。作為上述金屬催化劑，例如可以舉出辛酸錫、二月桂酸二丁基錫等錫系金屬催化劑；辛酸鋅等鋅系金屬催化劑；鋁、鉻、鈷、鋯等的乙酰丙酮化物等。這些固化促進(jìn)劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。從耐熱性優(yōu)異、固化速度快的觀點(diǎn)出發(fā)，尤其優(yōu)選使用銨鹽或轔鹽類等陽離子與陰離子的平衡離子型的固化促進(jìn)劑。作為上述固化促進(jìn)劑，也優(yōu)選具有以下述通式(14)表示的結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑。對(duì)于含有具有此種特定的結(jié)構(gòu)的硼酸鹽系的固化促進(jìn)劑的本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑，使之固化而得的固化物除了具有優(yōu)異的透明性、耐光性以外，耐熱性也極為優(yōu)異，在作為LED等光半導(dǎo)體元件的密封劑使用時(shí)，在使用條件下基本上沒有產(chǎn)生黃變的情況。這可以認(rèn)為是由以下所舉出的理由造成的。即可以推定是因?yàn)?，如果作為像以往的環(huán)氧基系密封劑中所用的那樣的固化促進(jìn)劑，含有以Br—之類的鹵素作為陰離子的材料，則可以認(rèn)為，由于該陰離子與具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂的環(huán)狀醚基反應(yīng)，因此僅剩下平衡陽離子，因由該平衡陽離子的反應(yīng)而生成黃變物質(zhì)，耐熱性惡化。與之不同，對(duì)于具有以下述通式(14)表示的結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑，可以認(rèn)為，由于具有以[BI^VWY表示的結(jié)構(gòu)(以下也簡稱為硼酸鹽)的陰離子體積大，因此與上述有機(jī)硅樹脂的含環(huán)狀醚的基團(tuán)的反應(yīng)性比較低，如上所述的黃變物質(zhì)的生成變得非常少。X+[BR44r45r46r47]-(14)通式(14)中，R"R"表示氟基、可以被取代的烷基、可以被取代的鏈烯基、可以被取代的芳垸基、可以被取代的芳基、可以被取代的脂環(huán)基，它們既可以相同，也可以不同。另外，X+表示作為中心元素具有N、S或P的陽離子。作為上述可以被取代的烷基，優(yōu)選碳數(shù)為120的取代或未取代的直鏈或支鏈烷基，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、戊基、己基、庚基、辛基、3—甲氧基丙基、4一氯丁基、2—二乙基氨基乙基等。作為上述可以被取代的鏈烯基，優(yōu)選取代或未取代的碳數(shù)為212的鏈烯基，例如可以舉出乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、十二烯基、異戊二烯基等。作為上述可以被取代的芳基，例如可以舉出苯基、甲苯基、二甲苯基、4一乙基苯基、4一丁基苯基、4一叔丁基苯基、4一甲氧基苯基、4一二乙基氨基苯基、2—甲基苯基、2—甲氧基苯基、萘基、4一甲基萘基等。作為上述可以被取代的芳烷基，例如可以舉出芐基、苯乙基、苯丙基(propiophenyl)、a—萘基甲基、P—萘基甲基、對(duì)甲氧基芐基等。作為上述可以被取代的脂環(huán)基，例如可以舉出環(huán)己基、4一甲基環(huán)己基、環(huán)戊基、環(huán)庚基等。作為上述硼酸鹽沒有特別限定，例如可以舉出四氟硼酸鹽、四苯基硼酸鹽、四乙基硼酸鹽、四丁基硼酸鹽、四(4一甲基苯基)硼酸鹽、四(4一叔丁基苯基)硼酸鹽、四(4一氟苯基)硼酸鹽、四(4一甲氧基苯基)硼酸鹽、四(2，3，4，5，6—五氟苯基)硼酸鹽、四[3，5—雙(三氟甲基)苯基]硼酸鹽、正丁基三苯基硼酸鹽、正丁基三一4一叔丁基苯基硼酸鹽、正丁基萘基硼酸鹽等。尤其是，在上述硼酸鹽的R"R"當(dāng)中的3個(gè)為上述的可以被取代的芳基、1個(gè)為上述的可以被取代的烷基時(shí)，由于可以認(rèn)為，烷基作為自由基脫離，將成為黃變物質(zhì)生成的原因的自由基種捕獲，因此優(yōu)選。作為此種硼酸鹽，具體來說，例如可以舉出正丁基三苯基硼酸鹽、正丁基三一4一叔丁基苯基硼酸鹽、正丁基一三萘基硼酸鹽等。上述通式(14)中的X+表示作為中心元素具有N、S或P的陽離子。作為此種陽離子，例如可以舉出銨陽離子、轔陽離子、锍陽離子、咪唑鐺陽離子、吡啶鎗陽離子、吡咯鐵陽離子、哌啶鑰陽離子、1，5—二氮雜雙環(huán)[4，3，O]壬烯一5的季氮陽離子、6—二丁基氨基一1，8—二氮雜雙環(huán)[5，4，O]十一烯一7的季氮陽離子、6—(2—羥基丙基)一l，8—二氮雜雙環(huán)[5，4，0]十一烯一7的季氮陽離子等。作為上述銨陽離子，例如可以舉出四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四正丙基銨陽離子、四正丁基銨陽離子、四正戊基銨陽離子、四正辛基銨陽離子、四正十二烷基銨陽離子、四正十四垸基銨陽離子、四正十八烷基銨陽離子、四一2—羥基乙基銨陽離子、四一3—羥基丙基銨陽離子、四一2—氰基乙基銨陽離子、三乙基辛基銨陽離子、三正丁基甲基銨陽離子、三正丁基辛基銨陽離子、三正丁基十二烷基銨陽離子、三正十六烷基銨陽離子、三一2—羥基乙基辛基銨陽離子、三一2—羥基乙基十二烷基銨陽離子、三一2—羥基乙基十六垸基銨陽離子、三一3—羥基乙基辛基銨陽離子、三一3—羥基乙基十二烷基銨陽離子、三一3—羥基乙基十六烷基癸基銨陽離子、三一2—氰基乙基辛基銨陽離子、三一2—氰基乙基十二垸基銨陽離子、三一2—氰基乙基十六垸基癸基銨陽離子、烯丙基三乙基銨陽離子、烯丙基三正丙基銨陽離子、烯丙基三正丁基銨陽離子、烯丙基三正辛基銨陽離子、三甲基[3—(三乙氧基甲硅烷基)丙基]銨陽離子、環(huán)己基三甲基銨陽離子、四苯基銨陽離子、芐基三甲基銨陽離子、芐基三乙基銨陽離子、節(jié)基三正丁基銨陽離子、3—(三氟甲基)苯基三甲基銨陽離子、苯基三甲基銨陽離子、節(jié)基三苯基銨陽離子等。作為上述鱗陽離子，例如可以舉出四甲基鱗陽離子、四乙基鱗陽離子、四正丙基轔陽離子、四正丁基轔陽離子、四正戊基鱗陽離子、四正辛基轔陽離子、四正十二烷基鱗陽離子、四正十四烷基鱗陽離子、四正十八烷基鱗陽離子、四—2—羥基乙基鱗陽離子、四一3—羥基丙基鱗陽離子、四一2—氰基乙基轔陽離子、三乙基辛基鱗陽離子、三正丁基甲基轔陽離子、三正丁基辛基鱗陽離子、三正丁基十二烷基鱗陽離子、三正十六烷基鱗陽離子、三—2—羥基乙基辛基鱗陽離子、三一2—羥基乙基十二烷基轔陽離子、三一2—羥基乙基十六烷基轔陽離子、三一3—羥基乙基辛基鱗陽離子、三一3—羥基乙基十二烷基轔陽離子、三一3—羥基乙基十六垸基轔陽離子、三一2—氰基乙基辛基鱗陽離子、三一2—氰基乙基十二垸基轔陽離子、三—2—氰基乙基十六垸基鱗陽離子、烯丙基三乙基轔陽離子、烯丙基三正丙基鱗陽離子、烯丙基三正丁基鱗陽離子、烯丙基三正辛基轔陽離子、30四苯基鱗陽離子、芐基三甲基鱗陽離子、節(jié)基三乙基鱗陽離子、節(jié)基三正丁基轔陽離子、3—(三氟甲基)苯基三甲基轔陽離子、苯基三甲基鱗陽離子、芐基三苯基鱗陽離子等。作為上述锍陽離子，例如可以舉出三苯基锍陽離子、三甲基銃陽離子、二甲基苯基锍陽離子等。作為上述咪唑鐵陽離子、例如可以舉出1，3—二甲基咪唑鑰陽離子、l一乙基一3—甲基咪唑鐺陽離子、l一丙基一3—甲基咪唑鐺陽離子、1—丁基一3—甲基咪唑錄陽離子、l一乙基一3—己基咪唑鎗陽離子、l一辛基一3—甲基咪唑鐺陽離子、1—癸基一3—甲基咪唑鑰陽離子、l一十二垸基一3—甲基咪唑鎿陽離子、1—十六烷基一3—甲基咪唑鐺陽離子、l一十二烷基一3—甲基咪唑鐺陽離子、l一乙烯基一3—甲基咪唑鎗陽離子、l一乙基一2，3—二甲基咪唑鑰陽離子、l一丙基一2，3—二甲基咪唑鑰陽離子、l一丁基一2，3—二甲基咪唑錄陽離子、l一己基一2，3—二甲基咪唑鎗陽離子、1—甲基一3—(3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8—十三氟辛基)咪唑鐺陽離子、1—丁基一3—(3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8—十三氟辛基)咪唑鐺陽離子、l一甲基一3一烯丙基咪唑鐡陽離子、l一乙基一3—烯丙基咪唑錄陽離子、l一丙基一3一烯丙基咪唑錄陽離子、l一丁基一3—烯丙基咪唑鐺陽離子、l一戊基一3一烯丙基咪唑錄陽離子、l一甲基一3—烯丙基咪唑鐵陽離子、l一己基吡啶錄陽離子、l一庚基一3—烯丙基咪唑鎗陽離子、1—辛基一3—烯丙基咪唑鎗陽離子、l一烯丙基一3—烯丙基咪唑鐵陽離子等。作為上述吡啶鎗陽離子，例如可以舉出l一丁基吡啶鎗陽離子、l一己基吡啶錄陽離子、l一丁基一4一甲基吡啶鐺陽離子、l一乙基一3—甲基吡啶鎗陽離子、l一乙基一3—(羥基甲基)吡啶錄陽離子、l一丙基一3—甲基吡啶錄陽離子、l一丁基一3—甲基吡啶鐵陽離子等吡啶鑰陽離子等。作為上述吡咯鐺陽離子，例如可以舉出l一丁基一l一甲基吡咯鎿陽離子等。作為上述哌啶鎗陽離子，例如可以舉出l一甲基一l一丙基哌啶鐵陽離子等。上述通式(14)中的X+尤其優(yōu)選具有以下述通式(15)表示的陽離子結(jié)構(gòu)。如果使用具有此種陽離子結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑，則會(huì)形成耐熱性更為優(yōu)異的材料。這可以認(rèn)為是因?yàn)椋词龟栯x子在固化中產(chǎn)生了熱分解，由于所產(chǎn)生的胺或膦等的堿性比較低，因此在固化反應(yīng)中成為著色原因的物質(zhì)的生成受到了抑制。Y+(R48)n(15)通式(15)中，Y+表示N、S或P，n為3或4，多個(gè)R化表示可以被取代的烷基、可以被取代的鏈烯基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的雜環(huán)基、可以被取代的脂環(huán)基、可以被取代的甲硅垸基，它們既可以相同，也可以不同。作為上述可以被取代的烷基，優(yōu)選碳數(shù)為120的取代或未取代的直鏈或支鏈烷基，例如可以舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、戊基、己基、庚基、辛基、3—甲氧基丙基、4一氯丁基、2—二乙基氨基乙基等。作為上述可以被取代的鏈烯基，優(yōu)選取代或未取代的碳數(shù)為212的鏈烯基，例如可以舉出乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、十二烯基、異戊二烯基等。作為上述可以被取代的芳基，例如可以舉出苯基、甲苯基、二甲苯基、4一乙基苯基、4一丁基苯基、4一叔丁基苯基、4一甲氧基苯基、4一二乙基氨基苯基、2—甲基苯基、2—甲氧基苯基、萘基、4一甲基萘基等。作為上述可以被取代的芳烷基，例如可以舉出芐基、苯乙基、苯丙基、a—萘基甲基、P—萘基甲基、對(duì)甲氧基芐基等。作為上述可以被取代的雜環(huán)基，例如可以舉出吡啶基、喹啉基、甲基吡啶基、吲哚基等。作為上述可以被取代的脂環(huán)基，例如可以舉出環(huán)己基、4一甲基環(huán)己基、環(huán)戊基、環(huán)庚基等。作為上述可以被取代的雜環(huán)基，例如可以舉出3—(三乙氧基甲硅烷基)丙基等。作為以上述通式(15)表示的陽離子結(jié)構(gòu)的具體例沒有特別限定，例如可以舉出銨陽離子、轔陽離子、锍陽離子等。32作為上述銨陽離子，例如可以舉出四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四正丙基銨陽離子、四正丁基銨陽離子、四正戊基銨陽離子、四正辛基銨陽離子、四正十二烷基銨陽離子、四正十四垸基銨陽離子、四正十八烷基銨陽離子、四一2—羥基乙基銨陽離子、四一3—羥基丙基銨陽離子、四一2—氰基乙基銨陽離子、三乙基辛基銨陽離子、三正丁基甲基銨陽離子、三正丁基辛基銨陽離子、三正丁基十二垸基銨陽離子、三正十六烷基銨陽離子、三一2—羥基乙基辛基銨陽離子、三一2—羥基乙基十二垸基銨陽離子、三一2—羥基乙基十六垸基銨陽離子、三一3—羥基乙基辛基銨陽離子、三一3—羥基乙基十二烷基銨陽離子、三一3—羥基乙基十六烷基癸基銨陽離子、三一2—氰基乙基辛基銨陽離子、三一2—氰基乙基十二烷基銨陽離子、三一2—氰基乙基十六烷基癸基銨陽離子、烯丙基三乙基銨陽離子、烯丙基三正丙基銨陽離子、烯丙基三正丁基銨陽離子、烯丙基三正辛基銨陽離子、三甲基[3—(三乙氧基甲硅烷基)丙基]銨陽離子、環(huán)己基三甲基銨陽離子、四苯基銨陽離子、芐基三甲基銨陽離子、節(jié)基三乙基銨陽離子、芐基三正丁基銨陽離子、3—(三氟甲基)苯基三甲基銨陽離子、苯基三甲基銨陽離子、節(jié)基三苯基銨陽離子等銨陽離子。作為上述鱗陽離子，例如可以舉出四甲基轔陽離子、四乙基轔陽離子、四正丙基轔陽離子、四正丁基鱗陽離子、四正戊基鱗陽離子、四正辛基鱗陽離子、四正十二烷基鱗陽離子、四正十四垸基鱗陽離子、四正十八垸基轔陽離子、四一2—羥基乙基鱗陽離子、四一3—羥基丙基鱗陽離子、四一2—氰基乙基轔陽離子、三乙基辛基鱗陽離子、三正丁基甲基轔陽離子、三正丁基辛基鱗陽離子、三正丁基十二烷基鱗陽離子、三正十六垸基鱗陽離子、三一2—羥基乙基辛基鱗陽離子、三一2—羥基乙基十二烷基鱗陽離子、三一2—羥基乙基十六烷基鱗陽離子、三一3—羥基乙基辛基轔陽離子、三一3—羥基乙基十二烷基鱗陽離子、三一3—羥基乙基十六烷基鱗陽離子、三一2—氰基乙基辛基鱗陽離子、三一2—氰基乙基十二烷基鱗陽離子、三一2—氰基乙基十六烷基轔陽離子、烯丙基三乙基轔陽離子、烯丙基三正丙基鱗陽離子、烯丙基三正丁基轔陽離子、烯丙基三正辛基轔陽離子、四苯基轔陽離子、節(jié)基三甲基鱗陽離子、節(jié)基三乙基鱗陽離子、芐基三正丁基鱗陽離子、3—(三氟甲基)苯基三甲基鱗陽離子、苯基三甲基鱗陽離子、芐基三苯基鱗陽離子等。作為上述锍陽離子，例如可以舉出三苯基锍陽離子、三甲基锍陽離子、二甲基苯基锍陽離子等。在具有以上述通式(14)表示的結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑中，作為上述的硼酸鹽與陽離子的特別優(yōu)選的組合，例如可以舉出四乙基銨正丁基三苯基硼酸鹽、四乙基銨正丁基三一4—叔丁基苯基硼酸鹽、四乙基銨正丁基三萘基硼酸鹽、四正丁基銨正丁基三苯基硼酸鹽、四正丁基銨正丁基三一4一叔丁基苯基硼酸鹽、四正丁基銨正丁基三萘基硼酸鹽、四乙基鱗正丁基三苯基硼酸鹽、四乙基鱗正丁基三一4一叔丁基苯基硼酸鹽、四乙基轔正丁基三萘基硼酸鹽、四正丁基鱗正丁基三苯基硼酸鹽、四正丁基轔正丁基三一4一丁基苯基硼酸鹽、四正丁基鱗正丁基三萘基硼酸鹽等。作為上述固化促進(jìn)劑的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為0.01重量份，優(yōu)選的上限為5重量份。由于如果上述固化促進(jìn)劑的配合量小于0.01重量份，則無法獲得添加上述固化促進(jìn)劑的效果，如果超過5重量份，則固化物的著色或耐熱性、耐光性的降低就會(huì)變得明顯，因此不夠理想。上述固化促進(jìn)劑的更優(yōu)選的下限為0.05重量份，更優(yōu)選的上限為1.5重量份。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選含有防氧化劑。作為上述防氧化劑，例如優(yōu)選使用碘系防氧化劑、受阻胺系防氧化劑、磷系防氧化劑、酚系防氧化劑等。尤其優(yōu)選使用具有選自亞磷酸酯(phosphite)、亞膦酸酯(phosphonite)、單烷氧基膦酯(phosphinite)骨架及次膦酸酯(phosphinate)骨架中的至少1種骨架的磷系化合物(以下也簡稱為磷系化合物)、作為至少在第二位具有烷基的取代苯酚衍生物的酚系化合物(以下也簡稱為酚系化合物)。通過作為防氧化劑，含有上述磷系化合物、酚系化合物，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑就不會(huì)有在使用環(huán)境下在固化物中產(chǎn)生黃變的情況，成為耐熱性優(yōu)異的材料。上述磷系化合物沒有特別限定，例如可以舉出AdekastabPEP—4C、AdekastabPEP—8、AdekastabPEP—24G、AdekastabPEP—36、AdekastabHP—10、Adekastab2112、Adekastab260、Adekastab522A、Adekastab1178、Adekastab1500、AdekastabC、Adekastab135A、Adekastab3010、AdekastabTPP(以上都是ADEKA公司制)SandstabP—EPQ、HOSTANOXPAR24(以上都是Clariant公司制)JP—312L、JP—318—0、JPM—308、JPM—313、JPP—613M、JPP—31、JPP—2000PT、JPH—3800(以上都是城北化學(xué)工業(yè)公司制)等。作為上述磷系化合物的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為O.Ol重量份，優(yōu)選的上限為2.0重量份。由于如果上述磷系化合物的配合量小于O.Ol重量份，則會(huì)有無法獲得添加上述磷系化合物的效果的情況，如果超過2.0重量份，則耐光性的降低就會(huì)變得明顯，因此不夠理想。上述磷系化合物的更優(yōu)選的下限為0.05重量份，更優(yōu)選的上限為l.O重量份。而且，在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用熱固化性組合物中，上述的磷系化合物既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。上述酚系化合物優(yōu)選為至少在第二位具有垸基的取代酚衍生物。如果上述酚系化合物在第二位不具有烷基，則無法看到使在高溫環(huán)境時(shí)產(chǎn)生的自由基穩(wěn)定化的功能。而且，本說明書中上述取代酚衍生物的烷基等取代基的位置編號(hào)是指以與OH基結(jié)合的碳作為第一位順時(shí)針或逆時(shí)針地以第二、第三、第四、第五、第六排號(hào)時(shí)的編號(hào)。所以，不一定與IUPAC的命名法一致。另外，上述酚系化合物優(yōu)選為在第六位不具有烷基的取代酚衍生物。通過含有此種取代酚衍生物，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的耐熱性就會(huì)進(jìn)一步提高。這可以認(rèn)為是因?yàn)?，上述在第六位不具有垸基的取代酚衍生物是相?duì)于OH基僅在一方的鄰位具有烷基的結(jié)構(gòu)，可以去除OH基周邊的立體障礙，因此容易形成上述磷系化合物的毗連磷原子的氧原子與酚系化合物的OH基的氫鍵。其結(jié)果是，上述磷系化合物與酚系化合物的相互作用變大，使上述黃變起源物質(zhì)穩(wěn)定化或分解的功能提高。作為上述在第六位不具有烷基的取代酚衍生物沒有特別限定，例如可以舉出2—叔丁基一4一甲基苯酚、2，4一二叔丁基苯酚、2，4—二叔戊基苯酚、4，4'一硫代雙(3—甲基一6—叔丁基苯酚)、4，4'一亞丁基雙(335一甲基一6—叔丁基苯酚)、雙[3，3—雙(4'一羥基一3'—叔丁基苯基)一丁烯酸]一二醇酯等。上述酚系化合物優(yōu)選在第四位具有含季碳的基團(tuán)。通過含有此種酚系化合物，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的耐熱性就會(huì)進(jìn)一步提高。這可以認(rèn)為是因?yàn)?，在第四位不具有季碳的苯酚系化合物在?yán)酷的條件下的使用中因分子內(nèi)反應(yīng)或分子間反應(yīng)而生成具有醌骨架的黃變起源物質(zhì)，有可能產(chǎn)生黃變，然而上述在第四位具有含有季碳的基團(tuán)的苯酚系化合物可以防止上述黃變起源物質(zhì)的生成。作為上述在第四位具有含有季碳的基團(tuán)的酚系化合物沒有特別限定，例如可以舉出2，4一二叔丁基苯酚、2，4一二叔戊基苯酚、2—[1一(2—羥基—3，5—二叔戊基苯基)乙基]一4，6—二叔戊基苯基丙烯酸酯、雙[3，3—雙(4'—羥基—3'—叔丁基苯基)一丁烯酸]一二醇酯等。上述的酚系化合物當(dāng)中，特別優(yōu)選使用雙[3，3—雙(4，一羥基一3'—叔丁基苯基)一丁烯酸]一二醇酯、2—[1一(2—羥基一3，5—二叔戊基苯基)乙基]—4，6—二叔戊基苯基丙烯酸酯。上述酚系化合物也可以使用市售品。作為市售的酚系化合物沒有特別限定，例如可以舉出IRGANOX1010、IRGANOX1035、IRGANOX1076、IRGANOXU35、IRGANOX245、IRGANOX259、IRGANOX295(以上都是CibaSpecialtyChemicals公司帝U)、AdekastabAO—30、AdekastabAO一40、AdekastabAO—50、AdekastabAO—60、AdekastabAO—70、AdekastabAO—80、AdekastabAO—90、AdekastabAO—330(以上都是ADEKA公司帝U)、SumilizerGA—80、SumilizerMDP—S、SumilizerBBM—S、SumilizerGM、SumilizerGS(F)、SumilizerGP(以上都是住友化學(xué)工業(yè)公司制)、HOSTANOXOIO、H0STAN0X016、H0STAN0X014、H0STAN0X03(以上都是Clariant公司制)、AntageBHT、AntageW—300、AntageW—400、AntageW500(以上都是川口化學(xué)工業(yè)公司制)、SEENOX224M、SEENOX326M(以上都是Shipro化成公司制)等。作為上述酚系化合物的配合量沒有特別限定，然而相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為0.01重量份，優(yōu)選的上限為2.0重量份。由于如果上述酚系化合物的配合量小于O.Ol重量份，則會(huì)有無法獲得添加上述酚系化合物的效果的情況，如果超過2.0重量份，則耐光性的降低就會(huì)變得明顯，因此不夠理想。上述酚系化合物的更優(yōu)選的下限為0.05重量份，更優(yōu)選的上限為l.O重量份。而且，在本發(fā)明的光半導(dǎo)體用熱固化性組合物中，上述的酚系化合物既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。在本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑含有上述磷系化合物和酚系化合物的情況下，作為上述磷系化合物與酚系化合物的配合比沒有特別限定，然而"磷系化合物/酚系化合物"(重量比)的優(yōu)選的下限為O.l，優(yōu)選的上限為20。如果"磷系化合物/酚系化合物"(重量比)小于0.1，則會(huì)有無法獲得添加磷系化合物的效果的情況，如果超過20，則會(huì)有無法獲得添加苯酚系化合物的效果的情況。"磷系化合物/酚系化合物"(重量比)的更優(yōu)選的下限為0.5，更優(yōu)選的上限為10。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑為了賦予粘接性，也可以含有偶聯(lián)作為上述偶聯(lián)劑沒有特別限定，例如可以舉出乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅焼、3—環(huán)氧丙氧基三甲氧基硅烷、Y—甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、Y—氨基丙基三甲氧基硅烷、N—苯基一3—氨基丙基三甲氧基硅烷等硅垸偶聯(lián)劑等。這些偶聯(lián)劑既可以單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。作為上述偶聯(lián)劑的配合量，相對(duì)于上述有機(jī)硅樹脂100重量份(在含有上述2官能有機(jī)硅樹脂時(shí)，是上述有機(jī)硅樹脂與2官能有機(jī)硅樹脂的總量)，優(yōu)選的下限為0.1重量份，優(yōu)選的上限為5重量份。如果上述偶聯(lián)劑的配合量小于0.1重量份，則會(huì)有無法充分地發(fā)揮偶聯(lián)劑的配合效果的情況，如果超過5重量份，則多余的偶聯(lián)劑揮發(fā)，在使本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑固化時(shí)，會(huì)有引起膜減少等的情況。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑根據(jù)需要，也可以配合消泡劑、著色劑、改性劑、調(diào)平劑、光擴(kuò)散劑、熱傳導(dǎo)性填充劑、阻燃劑等添加劑。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的固化溫度沒有特別限定，然而作為優(yōu)選的固化溫度為8(TC18CTC。如果固化溫度低于8(TC，則會(huì)有固化不能進(jìn)行的情況，如果高于18(TC，則會(huì)有引起組件的熱老化的情況，因此不夠理想。更優(yōu)選為10(TC15(TC。對(duì)于固化沒有特別限定，然而優(yōu)選使用分步老化方式。分步老化方式是暫時(shí)地在低溫下使之臨時(shí)固化、其后在高溫下使之固化的方法，由于可以抑制密封劑的固化收縮，因此優(yōu)選。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選固化了的固化物的耐光性試驗(yàn)后的光線透過率的降低率小于10%。如果固化物的耐光性試驗(yàn)后的光線透過率的降低率為10%以上，則會(huì)有使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件的光學(xué)特性變得不充分的情況。而且，上述所謂耐光性試驗(yàn)是如下的試驗(yàn)，即，在高壓水銀燈上安裝去除波長340nm以下的光的濾光器，對(duì)使本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑固化后的厚2mm的固化物以100mW/cm^照射24小時(shí)，上述耐光試驗(yàn)后的光線透過率是使用上述耐光性試驗(yàn)后的上述固化物，使用日立制作所公司制"U—4000"測定波長400nm的光的透過率的值。本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑優(yōu)選固化了的固化物的耐熱性試驗(yàn)后的光線透過率的降低率小于10%。如果固化物的耐熱性試驗(yàn)后的光線透過率的降低率為10%以上，則會(huì)有使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件的光學(xué)特性變得不充分的情況。而且，上述所謂耐熱性試驗(yàn)是如下的試驗(yàn)，§卩，將使本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑固化后的厚2mm的固化物在15(TC的烤爐中放置500小時(shí)，上述耐熱性試驗(yàn)后的光線透過率是使用上述耐熱性試驗(yàn)后的上述固化物，使用日立制作所公司制"U—4000"測定波長400nm的光的透過率的值。作為本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的制造方法沒有特別限定，例如可以舉出如下的方法等，g卩，使用均質(zhì)機(jī)(homodisper)、高速攪拌機(jī)(homomixer)、萬能攪拌機(jī)、行星式攪拌機(jī)、捏合機(jī)、三輥攪拌機(jī)、珠磨機(jī)等混合機(jī)，在常溫或加溫下，將上述的有機(jī)硅樹脂、熱固化劑、氧化硅微粒及根據(jù)需要使用的上述固化促進(jìn)劑、防氧化劑等的各規(guī)定量混合。通過使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將發(fā)光元件密封，就可以制造光半導(dǎo)體元件。使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑制成的光半導(dǎo)體元38件也是本發(fā)明之一。作為上述發(fā)光元件沒有特別限定，例如在上述光半導(dǎo)體元件為發(fā)光二極管的情況下，例如可以舉出在基板上層疊半導(dǎo)體材料而形成的元件。該情況下，作為半導(dǎo)體材料，例如可以舉出GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGalnP、GaN、固、A1N、InGaAlN、SiC等。作為上述基板，例如可以舉出藍(lán)寶石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、GaN單晶等。另外，根據(jù)需要也可以在基板與半導(dǎo)體材料之間形成緩沖層。作為上述緩沖層，例如可以舉出GaN、A1N等。作為向上述基板上層疊半導(dǎo)體材料的方法沒有特別限定，例如可以舉出MOCVD法、HDVPE法、液相生長法等。作為上述發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，例如可以舉出具有MIS結(jié)、PN結(jié)、PIN結(jié)的同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)等另外，無論是設(shè)為單一還是多重量子阱結(jié)構(gòu)都可以。在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將上述發(fā)光元件密封時(shí)，可以在不妨礙本發(fā)明的效果的范圍中，并用其他的密封劑。該情況下，既可以在用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將上述發(fā)光元件密封后，將其周圍用上述其他的密封劑密封，也可以在將上述發(fā)光元件用上述其他的密封劑密封后，將其周圍用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑密封。作為上述其他的密封劑沒有特別限定，例如可以舉出環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、丙烯酸樹脂、脲樹脂、酰亞胺樹脂、玻璃等。另外，如果含有表面改性劑，則也可以涂布液體而在表面設(shè)置保護(hù)層。作為用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑將發(fā)光元件密封的方法沒有特別限定，例如可以舉出向注塑?？蚣苤蓄A(yù)先注入本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑，向其中浸漬固定有發(fā)光元件的引線框等后使之固化的方法；向插入了發(fā)光元件的模具框架中注入本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑而固化的方法等。作為注入本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的方法，例如可以舉出利用分配器的注入、連續(xù)自動(dòng)送進(jìn)成形、注射成形等。此外，作為其他的密封方法，可以舉出將本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑向發(fā)光元件上滴下，借助孔版印刷、絲網(wǎng)印刷或掩模涂布而使之固化的方法；向在底部配置了39發(fā)光元件的杯子等中利用分配器等注入本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑，使之固化的方法等。由于無論是上述哪種方法，本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑都具有上述范圍的粘度，因此可以極為穩(wěn)定地控制將發(fā)光元件密封了的本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑的形狀。圖1及圖2是示意性地表示使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑及光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料制成的光半導(dǎo)體元件(即本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件)的一例的剖面圖，圖3是示意性地表示使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑及光半導(dǎo)體元件用底部填充材料制成的光半導(dǎo)體元件(即本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件)的一例的剖面圖。圖1所示的光半導(dǎo)體元件將發(fā)光元件11夾隔著本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料10設(shè)置于散熱板16上，將發(fā)光元件11與從外罩材料的上面穿過側(cè)面地向底面延長的2根引線電極14用金屬絲13分別電連接。此外，發(fā)光元件ll、本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料IO及金屬絲B被用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑12密封。圖2表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料因含有上述的包含選自金、銀及銅中的至少一種的粒子而具有高導(dǎo)電性的情況下的光半導(dǎo)體元件。圖2中所示的光半導(dǎo)體元件將發(fā)光元件21夾隔著本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料20設(shè)置，從外罩材料25的上面穿過側(cè)面向底面延長的2根引線電極24當(dāng)中的一方的引線電極24的末端形成于本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料20與外罩材料25之間，經(jīng)由本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料20與發(fā)光元件21電連接，另一方的引線電極24由金屬絲23與發(fā)光元件21電連接。此外，發(fā)光元件21、本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料20及金屬絲23被用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑22密封。圖3所示的光半導(dǎo)體元件將發(fā)光元件31夾隔著焊盤33設(shè)置，在發(fā)光元件31與外罩材料35之間形成本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用底部填充材料30。從外罩材料35的上面穿過側(cè)面向底面延長的2根引線電極34分別將一方的末端形成于焊盤33與外罩材料35之間而與發(fā)光元件31電連接。此外，發(fā)光元件31及光半導(dǎo)體元件用底部填充材料30被用本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件用密封劑密封。圖3所示的本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件中，光半導(dǎo)體元件用底部填充材料30是通過在將發(fā)光元件31與引線電極34用焊盤33連接后，從橫向的間隙向形成于發(fā)光元件31的下面的空間中填充而形成^對(duì)于本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件，具體來說，例如可以舉出發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、光耦合器等。此種本發(fā)明的光半導(dǎo)體元件例如可以適用于液晶顯示器等的背光燈、照明、各種傳感器、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)等的光源、車輛用計(jì)測器光源、信號(hào)燈、顯示燈、顯示裝置、面狀發(fā)光體的光源、顯示器、裝飾、各種燈、開關(guān)元件等中。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種光半導(dǎo)體用密封劑，其在透明性、耐熱性、密合性方面優(yōu)異，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且可以防止熒光體的沉降。另外，可以提供一種使用該光半導(dǎo)體用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件。圖1是示意性地表示使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑及光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料制成的光半導(dǎo)體元件的一例的剖面圖。圖2是示意性地表示使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑及光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料制成的光半導(dǎo)體元件的一例的剖面圖。圖3是示意性地表示使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體用密封劑及光半導(dǎo)體元件用底部填充材料制成的光半導(dǎo)體元件的一例的剖面圖。其中，10、20光半導(dǎo)體元件用芯片焊接材料，11、21、31發(fā)光元件，12、22、32光半導(dǎo)體用密封劑，13、23金屬絲，14、24、34引線電極，15、25、35外罩材料，16散熱板，30光半導(dǎo)體用底部填充材料，33焊盤具體實(shí)施方式下面將舉出實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，然而本發(fā)明并不僅限定于這些實(shí)施例。(合成例1)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅烷(750g)、3—環(huán)氧丙氧基丙基(甲基)二甲氧基硅烷U50g)，在50。C下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(1.9g)/水(250g)，滴加結(jié)束后在50。C下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(2.1g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己烷/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物A。聚合物A的分子量為Mn=11000，Mw=25000，根據(jù)"Si—NMR，為(Me2Si02/2)o.90(GEpMeSi02/2)0.10，3—環(huán)氧丙氧基丙基含量(GEp)為14摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量為760g/eq.。而且，分子量是向聚合物A(10mg)中加入四氫呋喃(lmL)而攪拌至溶解，使用2根Waters公司制的測定裝置(作為柱子使用2根昭和電工公司制ShodexGPCLF—804(長300mm)，測定溫度為40°C，流速lmL/min，作為溶劑使用四氫呋喃，作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)使用聚苯乙烯)，利用GPC測定進(jìn)行測定的。另外環(huán)氧基當(dāng)量是依照J(rèn)ISK—7236求出的。(合成例2)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅烷(440g)、2—G，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸(160g)，在5(TC下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(1.2g)/水(170g)，滴加結(jié)束后在5(TC下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(1.3g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己垸/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物B。聚合物B的分子量為Mn-2300，Mw^4800'根據(jù)29Si—NMR，為(Me2Si02/2)0.84(EpSi03/2)0.16，2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基含量(Ep)為22摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量而且，聚合物B的分子量及環(huán)氧基當(dāng)量是與合成例1相同地求出的。(合成例3)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅垸(350g)、三甲氧基甲基硅烷(125g)、2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷(125g)，在5(TC下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(1.2g)/水(190g)，滴加結(jié)束后在5(TC下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(1.3g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己垸/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物C。聚合物C的分子量為Mn=2900，Mw=4600，根據(jù)29Si—NMR，為(Me2Si02/2)o.65(MeSi03/2)0.22(EpSi03/2)0.13，2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基含量(Ep)為19摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量為660g/eq.。而且，聚合物C的分子量及環(huán)氧基當(dāng)量是與合成例1相同地求出的。(合成例4)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅垸(230g)、環(huán)己基(甲基)二甲氧基硅烷(llOg)、2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷(llOg)，在5(TC下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(0.6g)/水(114g)，滴加結(jié)束后在5(TC下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(0.7g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己烷/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物D。聚合物D的分子量為Mn-2000，Mw=4600，根據(jù)29Si—NMR，為(Me2Si02/2)0.65(MeCHSi02/2)0.20(EpSi03/2)0.15(CH表示環(huán)己基)，2—(3，4—環(huán)氧基環(huán)己基)乙基含量(Ep)為19摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量為690g/eq.。而且，聚合物D的分子量及環(huán)氧基當(dāng)量是與合成例1相同地求出的。(合成例5)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅烷(400g)、三甲氧基甲基硅烷(50g)、四甲氧基硅垸(50g)、343一環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(lOOg)，在5(TC下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(1.3g)/水(180g)，滴加結(jié)束后在5(TC下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(1.4g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己烷/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物E。聚合物E的分子量為Mn=2600，Mw=3600，根據(jù)29Si—NMR，為(Me2Si02/2)0.73(MeSi03/2)0.09(Si04/2)0.08，3—環(huán)氧丙氧基丙基含量(GEp)為14摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量為760g/eq.。而且，聚合物E的分子量及環(huán)氧基當(dāng)量是與合成例1相同地求出的。(合成例6)向2000mL的帶有溫度計(jì)、滴液裝置的可分離燒瓶中，加入二甲基二甲氧基硅烷(365g)、2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷(165g)、三甲基甲氧基硅垸(70g)，在5(TC下攪拌。向其中慢慢地滴加氫氧化鉀(L2g)/水(160g)，滴加結(jié)束后在50。C下攪拌6小時(shí)。向其中加入乙酸(1.3g)，在減壓下除去揮發(fā)成分，過濾乙酸鉀而得到聚合物。將所得的聚合物使用己烷/水進(jìn)行清洗，在減壓下除去揮發(fā)成分，得到聚合物F。聚合物F的分子量為Mn=2000，Mw=3500，根據(jù)29Si—NMR，為(Me3Si01/2)o.i2(Me2Si02/2)0.71(EpSi03/2)0.17，2—(3，4一環(huán)氧基環(huán)己基)乙基含量(Ep)為23摩爾％，環(huán)氧基當(dāng)量為560g/eq,。而且，聚合物F的分子量及環(huán)氧基當(dāng)量是與合成例1相同地求出的。(實(shí)施例1)加入聚合物AOOOg)RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m"g]、日本Aerosil公司制、30g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例2)加入聚合物B(100g)RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微44粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例3)加入聚合物B(100g)RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSIL200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為200m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例4)加入聚合物B(100g)RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILRY200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為120m2/g]、日本Aerosil公司制、lOg)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例5)加入聚合物B(100g)RikasidMH—700G(酸酐、新曰本理化公司制、25g)、1，5—二氮雜雙環(huán)[4，3，0]壬烯一5的四苯基硼酸鹽(DBN—K、固化促進(jìn)劑、北興化學(xué)公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化齊!j、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例6)加入聚合物B(100g)RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、四正丁基銨正丁基三苯基硼酸鹽(P3B、固化促進(jìn)劑、昭和電工公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O,lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例7)加入聚合物A(20g)、聚合物B(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司帝ij、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化齊U、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例8)加入聚合物A(40g)、聚合物B(60g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司帝lj、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、0.1g)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140mVg]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例9)加入聚合物A(20g)、聚合物B(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化齊!j、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILRY200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為120m2/g]、日本Aerosil公司制、7g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例10)加入聚合物A(20g)、聚合物C(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、0.1g)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例11)加入聚合物A(20g)、聚合物D(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、0.1g)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為'140m2/g]、日本Aerosil公司制、20g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例12)加入聚合物E(lOOg)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、15g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例13)加入聚合物A(20g)、聚合物E(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140mVg]、日本Aerosil公司制、15g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例14)加入聚合物F(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、25g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(實(shí)施例15)加入聚合物A(20g)、聚合物F(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、0.1g)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、25g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例1)加入聚合物A(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例2)加入聚合物A(20g)、聚合物B(80g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg),混合47后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例3)加入聚合物A(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、10g),混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例4)加入聚合物E(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司帝U、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、25g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例5)加入聚合物B(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILRY200(氧化硅微粒[三甲基甲硅垸基處理、比表面積為120m2/g]、日本Aerosil公司制、10g)，AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]日本Aerosil公司制、10g)混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例6)加入聚合物E(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、20g)、U—CATSA102(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司帝ij、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅烷基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、3g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(比較例7)加入聚合物B(100g)、RikasidMH—700G(酸酐、新日本理化公司制、25g)、三環(huán)己基膦(固化促進(jìn)劑、SANAPRO公司制、0.5g)、SandstabP—EPQ(防氧化劑、Clariant公司制、O.lg)、AEROSILR8200(氧化硅微粒[三甲基甲硅垸基處理、比表面積為140m2/g]、日本Aerosil公司制、10g)，混合后，進(jìn)行脫泡，得到密封劑。(評(píng)價(jià))對(duì)實(shí)施例及比較例中制作的密封劑及其固化物進(jìn)行了以下的評(píng)價(jià)。固化物是將實(shí)施例及比較例中制作的密封劑填充到模具中，以10(TCX3小時(shí)、130。CX3小時(shí)固化，制成了厚lmm的固化物。將結(jié)果表示于表13中。(1)25。C的粘度的測定對(duì)實(shí)施例及比較例中得到的密封劑，使用E型粘度計(jì)(東機(jī)產(chǎn)業(yè)公司制、TV—22型)，測定了25。C的5rpm的粘度(mPas)。(2)25"C的觸變值的測定對(duì)實(shí)施例及比較例中得到的密封劑，使用E型粘度計(jì)(東機(jī)產(chǎn)業(yè)公司制、TV—22型)測定25。C的lrpm的粘度、10rpm的粘度，通過將lrpm的粘度的值用10rpm的粘度的值除(lrpm的粘度/10rpm的粘度)，算出觸變值。(3)升溫時(shí)的最低粘度的測定對(duì)實(shí)施例及比較例中得到的密封劑，使用平行板型流變儀(REOLOGICA公司制、DAR—2000)，測定了從25。C到密封劑的固化溫度的溫度區(qū)域的Is—1的最低粘度(mPas)。升溫速度是從25。C到固化溫度以2(TC/分鐘使溫度上升，其后測定至在固化溫度下引起明顯的粘度上升。(4)熒光體的沉降性向?qū)嵤├?、比較例中得到的密封劑IOO重量份中，加入YAG/Ce熒光體粉末[￥3八15012:Ce、平均粒徑為2.5Pm、最大粒徑為35um、比重為4.7]4重量份，進(jìn)行攪拌、脫泡。將該加入熒光體的密封劑加入透明的玻璃溶液中，以100。CX3小時(shí)、13(TCX3小時(shí)進(jìn)行固化。固化后，利用目視觀察了固化物中的熒光體。將沒有熒光體的沉降的情況評(píng)價(jià)為"◎"，將有輕微的熒光體的沉降的情況評(píng)價(jià)為"〇"，將有熒光體的沉降的情況評(píng)價(jià)為"△"，將熒光體的沉降明顯的情況評(píng)價(jià)為"X"。(5)密封劑的涂刷量49在帶有引線電極的外罩材料(PPA)上，利用芯片焊接材料安裝主發(fā)光峰為460nm的發(fā)光元件，向?qū)l(fā)光元件與引線電極用金屬絲電連接的光半導(dǎo)體元件中，使用分配器填充實(shí)施例及比較例中制作的密封劑，直至外罩材料被密封劑完全地填充，利用顯微鏡觀察其涂刷量。對(duì)樣品數(shù)20個(gè)進(jìn)行觀察，將沒有密封劑的涂刷量的不均的情況評(píng)價(jià)為"◎"，將有輕微的密封劑的涂刷量的不均的情況評(píng)價(jià)為"〇"，將有密封劑的涂刷量的不均的情況評(píng)價(jià)為"△"，將密封劑的涂刷量的不均明顯的情況評(píng)價(jià)為"X"。(6)密封劑形狀在帶有引線電極的外罩材料(PPA)上，利用芯片焊接材料安裝主發(fā)光峰為460nm的發(fā)光元件，向?qū)l(fā)光元件與引線電極用金屬絲電連接的光半導(dǎo)體元件中，使用分配器填充實(shí)施例及比較例中制作的密封劑，直至外罩材料被密封劑完全地填充，利用顯微鏡觀察其形狀。將基本上沒有形狀的不均的情況評(píng)價(jià)為""，將有少量形狀的不均的情況評(píng)價(jià)為"△"，將形狀的不均很多的情況評(píng)價(jià)為"X"。(7)顏色不均在帶有引線電極的外罩材料(PPA)上，利用芯片焊接材料安裝主發(fā)光峰為460nm的發(fā)光元件，在將發(fā)光元件與引線電極用金屬絲電連接時(shí)，使用分配器填充實(shí)施例及比較例中制作的密封劑，直至外罩材料被密封劑完全地填充，選擇在填充量方面沒有不均的光半導(dǎo)體元件的樣品，以100"CX3小時(shí)、130°CX3小時(shí)進(jìn)行固化。以20mA使該發(fā)光元件IO個(gè)同時(shí)發(fā)光，穿過乳白色的基板，利用目視觀察所得的光半導(dǎo)體元件(組件)。將在光半導(dǎo)體元件之間沒有顏色的不均的情況評(píng)價(jià)為"◎"，將在光半導(dǎo)體元件之間有輕微的顏色的不均的情況評(píng)價(jià)為"〇"，將在光半導(dǎo)體元件之間有顏色的不均的情況評(píng)價(jià)為"△"，將在光半導(dǎo)體元件之間顏色的不均明顯的情況評(píng)價(jià)為"X"。(8)初期光線透過率使用厚lmm的固化物，利用日立制作所公司制U—4000，對(duì)400nm的光線透過率進(jìn)行了測定。(9)耐光性試驗(yàn)后的光線透過率在高壓水銀燈上安裝去除波長340nm以下的光的濾光器，對(duì)厚lmm50的固化物以100mW/ci^照射24小時(shí)，利用日立制作所公司制U—4000，對(duì)400nm的光線透過率進(jìn)行了測定。將從初期算起的光線透過率的降低率小于5%的情況評(píng)價(jià)為"◎"，將小于10%的情況評(píng)價(jià)為"〇"，將10小于40%的情況評(píng)價(jià)為"△"，將40以上的情況評(píng)價(jià)為"X"。(10)耐熱性試驗(yàn)后的光線透過率將厚lmm的固化物在15(TC的烤爐中放置500及2000小時(shí)，利用日立制作所公司制U—4000，對(duì)400nm的光線透過率進(jìn)行了測定。將從初期算起的光線透過率的降低率小于5%的情況評(píng)價(jià)為"◎"，將小于10%的情況評(píng)價(jià)為"〇"，將10小于40%的情況評(píng)價(jià)為"△"，將40以上的情況評(píng)價(jià)為"X"。<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>工業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種光半導(dǎo)體用密封劑，其在透明性、耐熱性、密合性方面優(yōu)異，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且可以防止熒光體的沉降。另外，可以提供一種使用該光半導(dǎo)體用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件。權(quán)利要求1.一種光半導(dǎo)體元件用密封劑，其特征在于，含有在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂、與所述含環(huán)狀醚的基團(tuán)反應(yīng)的熱固化劑以及氧化硅微粒，使用E型粘度計(jì)得到的25℃下5rpm時(shí)的粘度為500～1萬mPa·s，通過將使用E型粘度計(jì)得到的25℃下1rpm時(shí)的粘度用10rpm粘度除(1rpm時(shí)的粘度/10rpm時(shí)的粘度)而算出的觸變值為1.2～2.5，并且使用平行板型流變儀得到的在自25℃到固化溫度的溫度區(qū)域的1s-1時(shí)的最低粘度為100mPa·s以上。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光半導(dǎo)體用熱固化性組合物，其特征在于，在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂含有以下述通式(1)表示平均組成式的樹脂成分，并且所述含環(huán)狀醚的基團(tuán)的含量為0.150摩爾％，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>通式(1)中，a、b、c及d分別滿足<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>R1116的至少1個(gè)表示含環(huán)狀醚的基團(tuán)，所述含環(huán)狀醚的基團(tuán)以外的RiW表示直鏈狀或支鏈狀的碳數(shù)為18的烴或其氟化物，它們既可以相同，也可以不同。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，熱固化劑為酸酐化合物。4.根據(jù)權(quán)利要求l、2或3所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，氧化硅微粒的表面被具有三甲基甲硅烷基的有機(jī)硅系化合物或具有聚二甲基硅氧烷基的有機(jī)硅系化合物進(jìn)行過表面處理。5.根據(jù)權(quán)利要求l、2、3或4所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，氧化硅微粒的BET比表面積為30400m2/g。6.根據(jù)權(quán)利要求l、2、3、4或5所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，還含有熒光體。7.根據(jù)權(quán)利要求l、2、3、4、5或6所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，還含有具有下述通式(14)所示結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑，X+[BR44R45R46R47r(14)通式(14)中，R"R"表示氟基、可以被取代的烷基、可以被取代的鏈烯基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的脂環(huán)基，它們既可以相同，也可以不同，另外，X+表示作為中心元素具有N、S或P的陽離子。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，具有通式(14)所示結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑的通式(14)中的X+具有下述通式(15)所示的結(jié)構(gòu)；Y+(R48)n(15)通式(15)中，Y+表示N、S或P，n為3或4，多個(gè)R"表示可以被取代的烷基、可以被取代的鏈烯基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的雜環(huán)基、可以被取代的脂環(huán)基、可以被取代的甲硅烷基，它們既可以相同，也可以不同。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光半導(dǎo)體用密封劑，其特征在于，具有通式(14)所示結(jié)構(gòu)的固化促進(jìn)劑的通式(14)中的R"R"當(dāng)中，3個(gè)是可以被取代的芳基，l個(gè)是可以被取代的烷基。10.—種光半導(dǎo)體元件，其特征在于，其是使用權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的光半導(dǎo)體元件用密封劑而成的。全文摘要本發(fā)明的目的在于，提供一種光半導(dǎo)體用密封劑，其在透明性、耐熱性、耐光性、密合性方面優(yōu)異，可以穩(wěn)定地控制將光半導(dǎo)體元件的發(fā)光元件密封時(shí)的密封劑的形狀，并且可以防止熒光體的沉降。另外，目的還在于，提供一種使用該光半導(dǎo)體用密封劑制成的光半導(dǎo)體元件。本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體元件用密封劑，其含有在分子內(nèi)具有含環(huán)狀醚的基團(tuán)的有機(jī)硅樹脂、與上述含環(huán)狀醚的基團(tuán)反應(yīng)的熱固化劑、氧化硅微粒，使用E型粘度計(jì)得到的25℃的5rpm的粘度為500～1萬mpa·s，通過將使用E型粘度計(jì)得到的25℃的1rpm的粘度用10rpm粘度除(1rpm的粘度/10rpm的粘度)算出的觸變值為1.2～2.5，并且使用平行板型流變儀得到的25℃到固化溫度的溫度區(qū)域的1s^-1的最低粘度為100mPa·s以上。文檔編號(hào)H01L33/00GK101679613SQ20088002000公開日2010年3月24日申請日期2008年6月13日優(yōu)先權(quán)日2007年6月15日發(fā)明者渡邊貴志,西村貴史,谷川滿申請人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社