專利名稱：：通過電鍍和電鍍組成物制造銠接觸結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：4^>開涉及制造一種冶金接觸結(jié)構(gòu)，具體地，銠結(jié)構(gòu)。本公開在填充高縱橫比的亞孩i米結(jié)構(gòu)時(shí)尤為重要。
背景技術(shù)：
：常規(guī)接觸插塞是通過CVD(化學(xué)氣相沉積)鴒(W)而制成，以形成與前段裝置(FEOL)的接觸。CVD(化學(xué)氣相沉積)W方法為保形方法，其易于在插塞中產(chǎn)生中心空隙和裂縫。因?yàn)榻佑|特征尺寸縮小以及接觸縱橫比增加，使得通過CVDW方法來填充結(jié)構(gòu)變得越來越具有挑戰(zhàn)性，且增加寄生電阻。此外，由于CVDW的高電阻率和Ti/TiN^J"里疊層的高阻抗，接觸特征尺寸縮小造成整個(gè)CVDW插塞結(jié)構(gòu)的寄生電阻顯著增加。因?yàn)殡S著空隙和裂縫而增加的接觸電阻，CVDW方法所導(dǎo)致的差的結(jié)構(gòu)填充會(huì)使得整個(gè)芯片的性能明顯降低。電鍍已經(jīng)引起VLSI制造的極大興趣，這是因?yàn)榘l(fā)現(xiàn)銅鑲嵌工藝具有超填充亞微米尺寸特征的能力。例如，參見D.Edelstein，etal.，IEEE1997，Intl.ElectronDevicesMeetingDigest,773(1997);P.C.Andricasosetal"IBM,J.Res.Develop"42，567(1998)以及美國專利6,709562Bl,在此引入其公開內(nèi)容作為參考。已有許多研究致力于通過電沉積超填充其它材料的系統(tǒng)。然而，除了Cu以外，只有Ag和Au已報(bào)導(dǎo)具有一些超填充能力。這些信息可參見T.P.Moffatetal"Electrochem.Solid-statelett,4(4)，C26(2001)、T.P.Moffat,etal"丄Electrochem.Soc"149，C432(2002)以及D.Joselletal"Electrochem.Solid誦StateLett.,8(3)，C54(2005)。銠(Rh)是鉑族金屬之一。其為具有優(yōu)良抗腐蝕性的貴重且稀有的金屬。電鍍的銠已因其高反射外觀而用于珠寶應(yīng)用。由于其低的且可靠的接觸電阻，其已被用來制造電接觸。Rh也是一種公知的用于氣體轉(zhuǎn)換的催化劑。參見D.Pletcher，etal"J.ElectroanalyticalChem.，421，p137(1997)、D.Pletcher,etal"J.ElectroanalyticalChem.，421,p145(1997)以及R.T.S.Oliverira，etal"J.ElectroanalyticalChem.，569,p233(2004)。銠在Si中具有可忽略的擴(kuò)散速率(C.S.Peterson,etal.，J.Appl.Phys.，53(7)，p4866(1982))，與Cu相比，其可提供作為CVD鴒(W)的替代金屬而作為VLSI中的接觸插塞的極大優(yōu)點(diǎn)(A.Topol.etal.，VLSIconferenceproceeding(2005))。目前CVDW的電阻率被報(bào)導(dǎo)在接觸插塞中為約20孩史歐姆-cm。如上所述，由于在保形填充期間空隙的形成，對32nm節(jié)點(diǎn)及超過32nm節(jié)點(diǎn)的接觸過孔的填充成為CVD鵠工藝的極大挑戰(zhàn)。也可以參見圖2。
發(fā)明內(nèi)容本公開涉及提供一種銠接觸，其如果不是整體上則至少基本上無空隙和/或無裂縫。具體而言，本發(fā)明的方面涉及一種制造銠接觸的方法，所述銠接觸基本上無內(nèi)部裂縫或空隙。^^開的方法包括獲得其上具有介電層的襯底，其中所述介電層具有凹槽(cavity)，所述銠接觸將沉積在所述凹槽中；在所述凹槽中和所述介電層上沉積籽晶層(seedlayer);以及通過包括銠鹽、酸和應(yīng)力減輕劑(stressreducer)的浴液進(jìn)行電鍍而沉積銠；然后可選地對該結(jié)構(gòu)進(jìn)4于退火。4^>開還涉及通過上面公開的方法而獲得的結(jié)構(gòu)。本^^開還涉及銠接觸結(jié)構(gòu)，其包括其上具有介電層的襯底，其中所述介電層中具有凹槽，且其中凹槽被基本上無內(nèi)部裂縫或空隙的電鍍銠所填充。6對于本領(lǐng)域技術(shù)人員，通過下列詳細(xì)說明，本公開的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，其中，僅通過最佳實(shí)施方式的示例而僅在優(yōu)選實(shí)施例中示出和描述詳細(xì)說明。應(yīng)意識(shí)到，本/>開可有其它且不同的實(shí)施例，且其多個(gè)細(xì)節(jié)可以各種顯而易見的方面來加以修改而不脫離^/>開的精神。因此，該詳細(xì)說明本質(zhì)上被視為示例性的而非限制性的。圖1A-1C示例根據(jù)^^開由電鍍的銠所填充的過孔。圖2為才艮據(jù)現(xiàn)有技術(shù)方法由CVD鴒接觸所填充的過孔的SEM截面圖。圖3示例不同銠鍍敷浴的i-v曲線圖。圖4為才艮據(jù)本公開由電鍍的銠所填充的過孔的SEM截面圖。圖5示例在溫度上升(ramping)期間原位(in-situ)電鍍的銠的表面電阻的圖。圖6示例電流波形。圖7示例在晶片與陽極之間具有遮蔽物(shield)的,裝置。圖8示例在圖7中所使用的遮蔽物。圖9為在樣品遮蔽物上的孔隙度(porosity)的實(shí)例。圖10為根據(jù)扣&開用電鍍的銠填充的在300mm晶片上的過孔的SEM截面圖像。具體實(shí)施例方式為了便于理解本公開，參照圖1A-1C，其中圖1A-1C示意性示例根據(jù)^^>開的一種方法序列的各階段的結(jié)構(gòu)。圖1A示出絕緣體或電介質(zhì)1，其被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底(未示出)上。半導(dǎo)體襯底的非限制性實(shí)例為硅、碳化硅、鍺、m-V族半導(dǎo)體(例如GaAs及GaSb)。介電層1的實(shí)例為二氧化硅(Si02)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼摻雜的PSG(BDPSG)或原珪酸四乙酯(TEOS)，且更典型的是具有小于3.9的介電常數(shù)的低k電介質(zhì)，如SILK(可從DowChemical得到)、SiCH(可從AMAT得到，商標(biāo)為BLOK)、SiCOH(可從Novellus得到，商標(biāo)為Coral、從AMAT得到，商標(biāo)為BlackDiamond、以及從ASM得到，商標(biāo)為Aiiora)、SiCHN(從IBM得到，商標(biāo)為NBlok)、CVD碳捧雜的氧化物、多孔CVD碳摻雜的氧化物、多孔及非多孔有機(jī)硅酸鹽、多孔及非多孔有機(jī)旋涂聚合物。粘合層(未示出)可選地沉積在位于介電層1中的過孔的底壁和/或側(cè)壁上以及介電層1的頂表面上。典型的粘合層為鈦、鉭及其氮化物。如果需要，可使用具有不同粘合層的多個(gè)層。當(dāng)采用粘合層時(shí)，粘合層典型地為約20埃至約200埃，且更典型地為約20埃至約60埃?？赏ㄟ^CVD(化學(xué)氣相沉積)、ALD(原子層沉積)、或諸如物理氣相沉積(PVD)或電離物理氣相沉積(IPVD)的濺射來沉積粘合層。沉積的一個(gè)實(shí)例為采用HCM(中空陰極磁控管)磁控濺射系統(tǒng)，例如可從AppliedMaterials得到，商標(biāo)為"Endura"。導(dǎo)電籽晶層2位于粘合層(如果存在)的表面上或過孔側(cè)壁上以及電介質(zhì)的頂表面上。典型的籽晶層為釕、鉑、銅、鴒、鈷、硫化物以及硅。4工且&，"5T;s;斗人V4^4士Jr、，，-^fo目乂士吹乂jc'ia▲tnr、mh;*jfcz>曰—e必,rjtiq/a^^M^j<i^^:a"，入zi、〃"'卜、。r廣^yjzv/^j^ujailyxy》j。'"^^rj日曰/k"^^T型地為約0.006nm至約0.25nm厚。接下來，根據(jù)本公開通過電鍍來沉積銠膜，以填充凹槽(例如過孔或帶(bar))。參見圖la及l(fā)b。當(dāng)填充高縱沖黃比的過孔或帶時(shí)，本發(fā)明尤其具有優(yōu)勢?？v4黃比典型地在約2至約10之間，且更典型地在約4與約10之間。過孔或帶的關(guān)鍵尺寸(CD)典型地為約30nm至約250nm，更典型地為約40nm至約100nm。本/>開對于填充具有小到約40納米的CD尺寸的亞^t米過孔或帶尤其具有優(yōu)勢。為了實(shí)現(xiàn)無空隙及無裂縫的導(dǎo)體，使用包括銠鹽、酸及應(yīng)力減輕劑的組合物來電鍍銠。銠鹽典型地為硫酸銠、磷酸銠或氯化銠，更典型地為硫酸銠。銠鹽在浴液中的含量典型地為約1至約100克/升，更典型地為約1至約10克/升，具體實(shí)例為5克/升。浴液還包括酸，例如硫酸、鹽酸和磷酸，且其含量典型地提供約0.1至約3的pH值，更典型地提供約0.5至約1的pH值。應(yīng)力減輕劑典型地以足以在電鍍條件下提供無空隙和/或無裂縫的導(dǎo)體的含量而存在。如果需要，可以采用不同應(yīng)力減輕劑的混合物。應(yīng)力減輕劑的一個(gè)實(shí)例為卣化物，如美國專利/>開2004/247920中所公開的，例如氯化物，具體來說為I及II族氯化物，AlCl3及CrCl3。當(dāng)采用這樣的卣化物時(shí)，其以典型地在電鍍浴液中約20ppm至約5000ppm的含量而存在?？梢圆捎玫膽?yīng)力減輕劑的另一個(gè)實(shí)例為硫酸銠基溶液，如Abys等人的美國專利6,241,870中所公開的。該專利采用硫酸銠分子的*物，其具有最小的金屬對金屬鍵合，且此絡(luò)合物的形成是主要經(jīng)由橋接的雙配位基硫酸(sufphato)基團(tuán)。另一類應(yīng)力減輕劑為磺酸，例如芳族磺酸，一個(gè)實(shí)例為苯酚磺酸，如Kreuter的美國專利4,402,802所公開的。當(dāng)采用這樣的磺酸時(shí)，其通常以約0.1至約5克/升的含量而存在。另一種應(yīng)力減輕劑為^J^磺酸，如美國專利3,671,408和3,892,638所公開的。當(dāng)采用這樣的M磺酸時(shí)，其典型地以約30至約100克/升的含量而存在。Browning等人的美國專利3,729,396中公開了另一種應(yīng)力減輕劑，其為例如由磷酸鋁所提供的鋁離子與二羧酸或聚羧酸(例如壬二酸或庚二酸)的組合物。當(dāng)采用這樣的組合物時(shí)，鋁離子典型地以每升約0.05至約5克的含量而存在，且二羧酸或聚羧酸典型地以每升約1至約25克的含量而存在。另一類應(yīng)力減輕劑為醇，如Gabe的美國專利公開2005/0155866所公開的。典型的醇包括烷基、烯基、炔基、芳族和非芳族環(huán)狀醇。當(dāng)采用這樣的醇時(shí)，其典型地以每升約0.001克至每升約100克的含量而被使用，更典型地以每升約0.01克至每升約20克的含量而被使用。9可以使用陽極(例如Pt或其它貴金屬)和陰極來實(shí)施電鍍，其中陰極為將用導(dǎo)電籽晶層鍍敷的晶片襯底。如上面所討論的籽晶層可以是任何導(dǎo)電材料。所使用的典型銠鍍敷化學(xué)試劑來自Enthone-EMI，其由三種成分組成包含5g/i的Rh金屬濃度的主鹽(mainsait)的Rhodex100;RhodexIOO應(yīng)力減輕劑，使用10體積％;以及3體積％的H2S04。根據(jù)本公開可以使用的其它商業(yè)可得的電鍍浴液包括但不限于RhodexbrightRhodium、Technic-Rhodium、TechnicRhodiumS-less。典型地采用約1至約100毫安/cm2、更典型地約1至約50毫安/cm2、甚至更典型地約2至約10毫安/112的電流來實(shí)施電鍍。電鍍也可以在約10。C至約80。C的溫度下實(shí)施。^^開發(fā)現(xiàn)當(dāng)在相對大及阻抗強(qiáng)的襯底或晶片，例如至少200mm、更典型地約200mm至約500mm、甚至更典型地約200mm至約300mm的晶片上電鍍時(shí)的特定重要性。當(dāng)在大且阻抗強(qiáng)的襯底(例如200mm和300mm晶片)上電鍍Rh時(shí)，要形成均勻沉積物典型地需要特別的方法和工具。當(dāng)嘗試使用恒定電流密度波形時(shí)，從晶片的邊緣(電接觸制造處)至晶片的中心的電阻足夠大，以使沉積只能發(fā)生在晶片邊緣的薄環(huán)上。首先用小電流鍍敷窄環(huán)，然后電流上升以使電鍍朝向晶片中心延伸，之后電流保持在恒定值，以鍍敷整個(gè)厚度。通過將電流從晶片邊緣轉(zhuǎn)走且轉(zhuǎn)到取樣電極上，晶片"取樣"可以用來獲得更均勻的沉積。但是此方法的程度不是受限于取樣的尺寸而使電流轉(zhuǎn)移的深度受限，就是受限于取樣夠大但之后沉積比中心沉積薄的邊緣會(huì)太寬，以致犧牲晶片邊緣上的大面積。在晶片(陰極)與陽極之間的擴(kuò)散體(diffuser)或陶乾插塞或其它阻抗結(jié)構(gòu)為工具配置中的組件，用以使最終在大面積內(nèi)均勻沉積。在陽極與陰極之間具有陶資插塞的鍍敷工具上鍍敷300mm的晶片。隨著插塞的電阻增加，沉積的厚度均勻性得以改善。使用圖6所示的電流波形來沉積具有60nmx290nm過孔圖形的300mm晶片。過孔被Rh超填充，而從晶片中心到晶片邊緣無空隙或裂縫。利用在晶片與陽極之間具有擴(kuò)散體或遮蔽物的鍍敷裝置來對200mm芯片進(jìn)行沉積。通過遮蔽物的相對孔隙度來控制均勻度。圖8示出遮蔽物孔隙度的一個(gè)實(shí)例，以實(shí)現(xiàn)在整個(gè)晶片內(nèi)的均勻沉積。具體而言，圖7示出200mm鍍敷裝置，其在芯片與陽極之間具有遮蔽物。遮蔽物的相對孔隙度控制沉積的均勻度。使用類似于圖6的電流波形來鍍敷具有225nmx540nm過孔圖形的200mm晶片。過孔^L超填充，而且從晶片中心到晶片邊緣無空隙及裂縫。圖9示例200mm晶片的遮蔽物的孔隙度的一個(gè)實(shí)例。為獲得孔隙度密度，孔的尺寸變化使用從D=0.01cm-2.0cm的孔直徑。4吏用孔分布密度獲得孔隙度密度，且使用相同直徑但密度不同的孔，以獲得孔隙度。當(dāng)在大村底上鍍敷時(shí)，典型地使用電流波形。初始電流密度典型地為約0.1毫安/cm2至約5毫安/cm2，且典型地實(shí)施約1至約20秒，更典型地約1至約10秒。然后典型地在約5至約120秒內(nèi)，更典型地在約5至約60秒內(nèi)，一個(gè)實(shí)例為15秒內(nèi)，使電流密度上升到更高電流密度，以4M:至所需的厚度。鍍敷的電流密度高于初始電流密度，典型地為約1至約100亳安/cm2，更典型地為約1至約50毫安/cm、且甚至更典型地為約2至約10毫安/cm2。最終的電流密度典型地實(shí)施約60秒至約60分鐘，以達(dá)到所需的厚度。電流密度的上升典型地是線性的。圖6示例在鍍敷具有非常薄的Ru籽晶層(80A)的300mm芯片時(shí)使用的電流波形的一個(gè)實(shí)例。表面電阻為約35歐姆/口(ohm/sq)。當(dāng)希望降低銠的電阻率時(shí)，^^開的方法可以可選地包括熱退火步驟。當(dāng)采用退火時(shí)，其典型地在190。C以上、更典型地在約1卯。C至約400。C的溫度下執(zhí)行。該退火典型地在空氣、02、N2、H2、形成氣體、氬或氦氣氛中執(zhí)行。根據(jù)^/^開的銠接觸典型地具有5微歐姆-cm至50微歐姆-cm的電阻率，其中使用可選的退火步驟獲得較低值。可以使該結(jié)構(gòu)平坦化，例如通過拋光鍍敷的銠籽晶層和粘合層(如果存在)，在場區(qū)域向下到介電層。參見圖lc。將給出下列非限制性實(shí)例以進(jìn)一步示例知^開。ii實(shí)例1用Rh鍍敷溶液在50。C下在-2.5毫安/112的恒定電流密度及100rpm的電極旋轉(zhuǎn)速率，在Ru引晶(Ru-seeded)的襯底上鍍敷500nmRh或更少的薄膜。然后用四點(diǎn)探針測量該膜的表面電阻。利用測到的表面電阻和膜厚度計(jì)算出該膜的電阻率為44微歐姆-cm。然后利用SIMS(二次離子質(zhì)譜j義)方法測量膜的成分，且發(fā)現(xiàn)在Rh內(nèi)有高水平的氧、氯化物及石克雜質(zhì)。然后在形成氣體中在400。C下對Rh膜退火4小時(shí)。從x-射線衍射觀察到有顯著的晶粒生長，且Rh的電阻率明顯降到9微歐姆-cm。實(shí)例2利用Rh鍍敷溶液在室溫(在19-24。C間變化)下在-2，5毫安/cm2的恒定電流密度及100rpm的電極旋轉(zhuǎn)速率下，在Ru引晶的襯底上鍍敷Rh的薄膜。然后用四點(diǎn)探針測量該膜表面電阻。利用測到的表面電阻和膜厚度計(jì)算出該膜的電阻率為19微歐姆-cm。然后利用SIMS方法測量膜的成分，且發(fā)現(xiàn)在Rh內(nèi)有非常低水平的氧和氯化物雜質(zhì)，O、C1及S濃度都低約2個(gè)數(shù)量級。然后在形成氣體中在400。C下對Rh膜退火4小時(shí)。從x-射線衍射觀察到有顯著的晶粒生長，且Rh的電阻率明顯降到7微歐姆-cm。參見表1，其為在不同溫度下所鍍敷的兩個(gè)Rh實(shí)例1和2的比較。表1示出由兩種不同鍍敷條件剛鍍敷的及后形成氣體退火的Rh膜的電阻率以及由SIMS分析得到的在這兩種Rh膜中的0、C1及S雜質(zhì)水平。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實(shí)例3用Rh鍍敷由硅化物/氧化物/ALDTaN/ALDRu所制成的具有125nmx560nm的接觸過孔尺寸的結(jié)構(gòu)。其在室溫下在-2.5毫安/112的恒定電流密度及IOOrpm的電極旋轉(zhuǎn)速率下鍍敷。該過孔被Rh填充，而無中心空隙或中心裂縫。實(shí)例4通過電鍍用銠填充300mm晶片的接觸過孔。該結(jié)構(gòu)由硅化物/USG/ALDTaN/ALDRu/Rh鍍敷而制成。過孔的尺寸為約60nmx2卯nm。由圖10可見，高縱橫比的過孔被很好地填充，而無任何空隙或中心裂縫。使用圖5示出的電流波形。實(shí)例5用Rh鍍敷由珪化物/氮化物/氧化物/ALDTaN/ALDRu所制成的具有40nmx230nm的接觸過孔尺寸和40nmx130nmx230nm的接觸帶尺寸的結(jié)構(gòu)。其在室溫下在-2.5毫安/cn^的恒定電流密度及100rpm的電極旋轉(zhuǎn)速率下鍍敷。該過孔及帶被Rh填充，而無中心空隙或中心裂縫。參見圖9。總之，本公開提供超填充鍍敷方法，用于在亞微米尺寸的結(jié)構(gòu)中電鍍Rh，而無任何中心空隙或中心裂縫。在退火之后，所鍍敷的膜能夠?qū)崿F(xiàn)7微歐姆-cm的低電阻率。通過工藝條件而使膜具有低得多的雜質(zhì)濃度且因此具有比通過化學(xué)氣相沉積鍍敷的典型Rh膜低的電阻。較低的雜質(zhì)和較低的電阻率以;^Ji填充能力對于接觸應(yīng)用來說是非常重要的。圖3示出具有不同成分的銠鍍敷溶液的伏安圖。其示出應(yīng)力減輕劑作為抑制劑，且硫酸促進(jìn)沉積。圖4為TEM圖像，示出通過在室溫(在19-22攝氏度)下電沉積銠而無孔洞地對40nmCDx240nm高的過孔和帶的超保形填充。該圖形是利用電子束光刻產(chǎn)生的，然后被作為粘合層的ALDTaN以及作為l^敷籽晶層的ALDRu的薄層所覆蓋。銠成功地沉積到構(gòu)圖的過孔和帶中，而無空隙或裂縫。l卯nmRh的薄膜被沉積在具有PVDTaN和PVDRu籽晶層的均厚(blanket)硅晶片的頂上。圖5示出于該膜上原位電阻測量與溫度之間的關(guān)系。可以看出，當(dāng)在190。C以上退火時(shí)，沉積經(jīng)歷重新結(jié)晶過程。經(jīng)退火的Rh薄膜呈現(xiàn)7微歐姆-cm的電阻率。如化學(xué)供應(yīng)商所建議的，在50攝氏度下鍍敷也會(huì)超填充類似的結(jié)構(gòu)，但是所鍍敷的銠的電阻率比在室溫下所沉積的銠的電阻率大得多。當(dāng)退火在50攝氏度下沉積的銠薄膜時(shí)，可獲得19微歐姆-cm的電阻率。權(quán)利要求1.一種制造銠接觸結(jié)構(gòu)的方法，包括獲得其上具有介電層的襯底，其中所述介電層具有凹槽，所述銠接觸將沉積在所述凹槽中；在所述凹槽中和所述介電層上沉積籽晶層；以及通過包括銠鹽、酸和應(yīng)力減輕劑的浴液進(jìn)行電鍍而沉積銠；然后可選地對所述結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火。2.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括在所述籽晶層與所述介電層之間沉積粘合層。3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中所述粘合層是選自鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭的至少一者。4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述粘合層的厚度為20埃至200埃。5.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述籽晶層是選自釕、鉑、銅、鴒、鈷、硫化物和硅的至少一者。6.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述籽晶層為釕。7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述籽晶層的厚度為0,006pm至0.25fim。8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述凹槽具有2至約20的縱橫比。9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述凹槽具有4至10的縱橫比。10.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述凹槽具有小到40納米的CD尺寸。11.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述銠鹽是選自硫酸銠、磷酸銠、和氯化銠的至少一者。12.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述銠鹽為硫酸銠。13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述浴液中所述銠鹽的含量為1至100克/升。14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述浴液中所述銠鹽的含量為1至10克/升，其中具體實(shí)例為5克/升。15.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述酸是選自硫酸、鹽酸和磷酸的至少一者。16.才艮據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述酸是疏酸。17.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述浴液的pH值為0.1至約3。18.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述浴液的pH值為0，5至約l。19.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述應(yīng)力減輕劑是選自卣化物、具有橋接雙配位基^t酸基團(tuán)的硫酸銠的絡(luò)合物、g磺酸、磺酸、鋁離子與二羧酸或聚羧酸的組合物、以及醇的至少一者。20.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述銠具有約5微歐姆-cm至約50微歐姆-cm的電阻率，且當(dāng)在190。C以上退火時(shí)具有5微歐姆-cm至20微歐姆-cm的電阻率。21.4艮據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用1至約100毫安/112的電流密度實(shí)施所述電鍍。22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中在10。C至80。C的溫度下實(shí)施所述電鍍。23.才艮據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底為至少200mm。24.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在陽極與將被鍍敷的所述村底之間存在多孔遮蔽物。25.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中所述遮蔽物的孔隙度從所述襯底的邊緣向內(nèi)朝向中心增加。26.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述電鍍包括持續(xù)1至20秒的0.1毫安/0112至5毫安/cm2的初始電流密度，隨后在5至120秒內(nèi)升高所述電流密度，且持續(xù)60秒至60分鐘的1至100毫安/112的較高電流密度，以鍍敷到期望的厚度。27.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中在190。C以上的溫度下，且在空氣、02、N2、H2、形成氣體、氬或氦氣氛中，退火所述結(jié)構(gòu)。28.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，還包括平坦化所述結(jié)構(gòu)。29.—種通過權(quán)利要求1的方法獲得的結(jié)構(gòu)。30.根據(jù)權(quán)利要求29的結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽具有至少約2的縱橫比。31.—種銠接觸結(jié)構(gòu)，包括其上具有介電層的襯底，其中所述介電層中具有凹槽，以及其中凹槽被基本上無內(nèi)部裂縫或空隙的電鍍的銠所填充。32.才艮據(jù)權(quán)利要求31的結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽具有至少約2的縱橫比。33.根據(jù)權(quán)利要求31的結(jié)構(gòu)，其中所述銠具有5微歐姆-cm至50微歐姆-cm的電阻率，且當(dāng)在190。C以上退火時(shí)具有5微歐姆-cm至20微歐姆-cm的電阻率。34.根據(jù)權(quán)利要求31的結(jié)構(gòu)，還包括在所述籽晶層與所述介電層之間的粘合層。全文摘要由這樣的方法制成銠接觸結(jié)構(gòu)，該方法包括獲得其上具有介電層的襯底，其中所述介電層具有凹槽，所述銠接觸將沉積在所述凹槽中；在所述凹槽中和所述介電層上沉積籽晶層；以及通過包括銠鹽、酸和應(yīng)力減輕劑的浴液進(jìn)行電鍍而沉積銠；然后可選地對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火。文檔編號(hào)H01L23/532GK101663753SQ200880012653公開日2010年3月3日申請日期2008年3月11日優(yōu)先權(quán)日2007年4月20日發(fā)明者H·德利吉安尼,邵曉燕申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司