技術編號：6922239
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。4^>開涉及制造一種冶金接觸結構，具體地，銠結構。本公開在填充高縱橫比的亞孩i米結構時尤為重要。 背景技術常規(guī)接觸插塞是通過CVD (化學氣相沉積)鴒(W)而制成，以形成 與前段裝置(FEOL)的接觸。CVD (化學氣相沉積)W方法為保形方法， 其易于在插塞中產(chǎn)生中心空隙和裂縫。因為接觸特征尺寸縮小以及接觸縱 橫比增加，使得通過CVD W方法來填充結構變得越來越具有挑戰(zhàn)性，且 增加寄生電阻。此外，由于CVD W的高電阻率和Ti/TiN^J"里疊層的高...
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