發(fā)光部件及其制造方法

文檔序號：6921505閱讀：159來源：國知局

專利名稱：發(fā)光部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
以發(fā)光二極管(LED: Light Emitting Diode)為代表的發(fā)光部件，其用途范圍變得越來越廣。但是，該LED，即使根據(jù)外加的電壓(Vf)或正向電流(If)等進行成品LED的篩選分類，在最終的亮度上發(fā)生偏差的情況也很多。因此，為了降低這樣的亮度的偏差，提出了形成與LED串聯(lián)連接的電阻，對該電阻和LED外加恒壓，并在利用受光裝置檢測LED的亮度的同時對該電阻進行微調(diào)(電阻值調(diào)整)的技術(shù)(參照專利文獻1)。
專利文獻l:日本公開公報、特開2006-237409號

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
即使欲對這樣的發(fā)光部件外加恒壓，Vf的偏差通常也很大。因此，在該恒壓驅(qū)動中難以抑制亮度的偏差。
另外，這樣的發(fā)光部件大多是多個排列而使用。進而，根據(jù)發(fā)光部件的用途，存在將發(fā)光元件緊密地排列的必要性大的情況。例如，在欲使每固定面積的光度變亮的情況等下，該必要性增大。這樣，在將發(fā)光部件多個排列的情況下，存在各個發(fā)光部件的光度的偏差的話，則其變得明顯。
因此，本發(fā)明所要解決的課題是，提供在降低LED等發(fā)光元件的光度偏差的同時，能夠緊密地排列多個發(fā)光元件的發(fā)光部件。
解決課題的手段
為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光部件，在電路板的背面上形成有被進行了電阻值調(diào)整以使發(fā)出光的發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍的電阻元件，以電阻元件、晶體管和/或二極管作為結(jié)構(gòu)元件的恒流電路，對發(fā)光元件供給恒流，發(fā)光元件、晶體管和/或二極管形成于電路板的正面，電路板為長方形，且在將其相對的一對邊的長度作為x、與該一對邊不同的另一相對的一對邊的長度作為y時，x/y比的值為1以上1.5以下。
采用該發(fā)明的話，恒流電路對發(fā)光元件供給恒流，同時，電阻元件被進行電阻值調(diào)整以使發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍。因此，與利用恒壓驅(qū)動的調(diào)整相比，能夠降低發(fā)光元件的光度的偏差。另外，由于跨經(jīng)電路板的正面及背面而形成該恒流電路，因此能夠使構(gòu)成發(fā)光部件的電路板小型化。進而，電路板的x/y的值為1以上且1.5以下，并形成為正方形或與其相近的長方形的電路板。這樣，由于將電路板小型化，并將其形狀形成為正方形或與其相近的長方形，因此，在電路板的配置時能夠使相鄰的發(fā)光元件靠近。因此，能夠提供可以將多個發(fā)光元件緊密地排列的發(fā)光部件。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，發(fā)光部件具有多個電阻元件。通過采用該構(gòu)成，能夠構(gòu)成具有多個電阻元件的穩(wěn)定的恒流電路。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，發(fā)光部件被固定為，具有貫通孔的貫通構(gòu)件的該貫通孔的開口部與電路板的正面相對，發(fā)光元件、晶體管和/或二極管被收容于貫通孔中。通過采用該構(gòu)成，能夠使發(fā)光元件發(fā)出的光的方向集中于與電路板相對側(cè)的相反側(cè)的貫通孔的開口部方向，并使投光方向一致，從而抑制向未意圖的方向的投光。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，電阻元件具有，厚膜的電阻膜與成對的厚膜的電阻用電極的雙方接觸的部分，保護電阻元件的厚膜的涂層膜，避開接觸的部分而形成。通過采用該構(gòu)成，將多個發(fā)光部件零散地裝袋包裝、并利用送料器向規(guī)定的方向進行定向供給的整體供給，變得容易。另外，即使在厚膜的電阻用電極與厚膜的電阻膜接觸的部分，位于與安裝發(fā)光部件的安裝電路板面相對的位置時，也不會妨礙利用焊接等的、發(fā)光部件的外部端子電極與安裝電路板面的焊盤的固定。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，電阻元件與發(fā)光元件或晶體管和/或二極管的電連接，在電路板的端面進行。通過采用該構(gòu)成，無需在電路板上設(shè)置多余的孔，而能夠容易地實現(xiàn)電阻元件與發(fā)光元件或晶體管和/或二極管的電連接。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，恒流電路具有正輸入端和負輸入端，在正輸入端和負輸入端之間具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路，在第一傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次連接有發(fā)光元件、作為晶體管的第一NPN型晶體管、作為電阻元件的第一電阻元件，第一NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端側(cè)而被配置，在第二傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次連接有作為電阻元件的第二電阻元件、作為晶體
管的第二NPN型晶體管，第二NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端側(cè)而被配置，從第二傳輸線路的第二電阻元件與第二NPN型晶體管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于第一NPN型晶體管的基極，從第一傳輸線路的第一NPN型晶體管與第一電阻元件之間的第二接點，將第四傳輸線路連接于第二NPN型晶體管的基極。通過采用該構(gòu)成，能夠構(gòu)成部件數(shù)量少的現(xiàn)實的恒流電路。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，恒流電路具有正輸入端和負輸入端，在正輸入端和負輸入端之間具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路，在第一傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次連接有發(fā)光元件、作為晶體管的NPN型晶體管、作為電阻元件的第一電阻元件，NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端側(cè)而被配置，在第二傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次配置有作為電阻元件的第二電阻元件、二極管，且以從二
聯(lián)地被配置，從第二傳輸線路的第二電阻元件與二極管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于NPN型晶體管的基極。通過采用該構(gòu)成，能夠構(gòu)成部件數(shù)量少的現(xiàn)實的恒流電路。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，恒流電路具有正輸入端和負輸入端，在正輸入端和負輸入端之間具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路，在第一傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次連接有發(fā)光元件、作為晶體管的NPN型晶體管、作為電阻元件的第一電阻元件，NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端側(cè)而被配置，在第二傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次連接有作為電阻元件的第二電阻元件、作為二極管的穩(wěn)壓二極管，且以從穩(wěn)壓二極管的陽極向陰極的方向與從負輸入端向正輸入端的方向一致那樣而連接，從第二傳輸線路的第二電阻元件與穩(wěn)壓二極管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于NPN型晶體管的基極。通過采用該構(gòu)成，能夠構(gòu)成部件數(shù)量少的現(xiàn)實的恒流電路。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的發(fā)明的基礎(chǔ)上，恒流電路具有正輸入端和負輸入端，在正輸入端和負輸入端之間，從正輸入端側(cè)開始依次配置有發(fā) 光元件、作為晶體管的n溝道型場效應晶體管，通過電阻元件，場效應晶體管的柵極與源極被短路。通過采用該構(gòu)成，能夠構(gòu)成部件數(shù)量少的現(xiàn)實的恒流電路。
為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光部件的制造方法，具有電阻形成工序，配置工序，導體形成工序，微調(diào)工序以及分割工序；其中，電阻形成工序是，在正面上具有縱橫交叉的線狀分割部、并具有多個單位絕緣電路板的帶有分割部的大型絕緣電路板的背面、且單位絕緣電路板各自的背面上，配置未被進行電阻值調(diào)整的電阻元件半成品，其中，單位絕緣電路板是，在將被線狀分割部包圍的一單位的絕緣電路板(以下，稱為單位絕緣電路板)各自的、縱橫的一方向的邊的長度作為x、另一方向的邊的長度作為y時，x /y比的值為l以上1.5以下；配置工序是，在單位絕緣電路板的各個上，發(fā)出光的發(fā)光元件、晶體管和/或二極管以被配置于帶有分割部的大型絕緣電路板的正面那樣而形成；導體形成工序是，在每一個單位絕緣電路板上配置，以構(gòu)成恒流電路那樣將電阻元件半成品、發(fā)光元件、晶體管和/或二極管的相互間連接的導體；微調(diào)工序是，在配置工序及導體形成工序結(jié)束后，調(diào)整各電阻元件半成品的電阻值，以使配置于單位絕緣電路板的各發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍；分割工序是，在微調(diào)工序結(jié)束后，沿著線狀分割部，將帶有分割部的大型絕緣電路板分割為各個單位絕緣電路板。
采用該發(fā)明的話，由于通過配置工序及導體形成工序形成恒流電路，因此能夠?qū)Πl(fā)光元件供給恒流。另外，通過微調(diào)工序，電阻元件半成品被進行電阻值調(diào)整以使發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍。因此，能夠降低發(fā)光元件的光度的偏差。另外，由于通過配置工序及導體形成工序，跨經(jīng)電路板的正面及背面而形成該恒流電路，因此能夠使構(gòu)成發(fā)光部件的電路板小型化。進而，電路板的x/y的值為1以上1.5以下，且采用正方形或與其相近的長方形的電路板。這樣，由于能夠?qū)㈦娐钒逍⌒突⑵湫螤钚纬蔀檎叫位蚺c 其相近的長方形，因此，采用該制造方法的話，在電路板的配置時能夠使相鄰的發(fā)光元件靠近。因此，能夠提供可以將多個發(fā)光元件緊密地排列的發(fā)光部件。進而，通過使用帶有分割部的大型絕緣電路板，并對其進行配置工序、導體形成工序及分割工序，能夠有效地制造發(fā)光部件。
其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的制造方法的發(fā)明的基礎(chǔ)上，在所述配置工序之前設(shè)有固定工序，其中，該固定工序是，將具有多個貫通孔的大型貫通構(gòu)件以貫通孔的開口部與單位絕緣電路板各自的正面相對那樣，而固定于帶有分割部的大型絕緣電路板的正面；在分割工序時，連同帶有分割部的大型絕緣電路板一起，將大型貫通構(gòu)件分割為各個貫通構(gòu)件。通過采用該方法，能夠有效地制造帶有貫通構(gòu)件的發(fā)光部件，其中，帶有貫通構(gòu)件的發(fā)光部件，能夠使發(fā)光元件發(fā)出的光的方向集中于與電路板相對側(cè)的相反側(cè)的貫通孔的開口部方向，并使投光方向一致，從而抑制向未意圖的方向的投光。其他的發(fā)明是在上述發(fā)光部件的制造方法的發(fā)明的基礎(chǔ)上，單位絕緣電路板分別具有多個所述電阻元件半成品，在微調(diào)工序中，對多個電阻元件半成品中的兩個以上，進行電阻值的調(diào)整。通過采用該方法，能夠容易地形成具有多個電阻元件的恒流電路。
發(fā)明效果
通過本發(fā)明，能夠提供在降低LED等發(fā)光元件的光度的偏差的同時，可以將多個發(fā)光元件緊密地排列的發(fā)光部件。

圖1是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的立體圖。
圖2是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的六視圖，分別為(A)表示發(fā) 光部件的俯視圖，(B)表示主視圖，(C)表示右視圖，(D)表示左視圖， (E)表示后視圖，(F)表示仰視圖。
圖3是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件所使用的恒流電路的電路圖。圖4是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的立體圖。
圖5是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的六視圖，分別為(A)表示發(fā) 光部件的俯視圖，(B)表示主視圖，(C)表示右視圖，(D)表示左視圖， (E)表示后視圖，(F)表示仰視圖。
圖6是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的立體圖。
圖7是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的六視圖，分別為(A)表示發(fā) 光部件的俯視圖，(B)表示主視圖，(C)表示右視圖，(D)表示左視圖， (E)表示后視圖，(F)表示仰視圖。
圖8是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的立體圖。
圖9是本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的六視圖，分別為(A)表示發(fā) 光部件的俯視圖，(B)表示主視圖，(C)表示右視圖，(D)表示左視圖， (E)表示后視圖，(F)表示仰視圖。
圖10是表示本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的制造方法的過程的圖， (A)是帶有分割部的大型絕緣電路板的仰視圖，(B) (H)是以單位絕緣電路板部分為例，表示制造的各過程中的其背面?zhèn)葼顟B(tài)的圖。
圖11是表示本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的制造方法的過程的圖， (A) (E)是以單位絕緣電路板部分為例，表示制造的各過程中的其正面?zhèn)葼顟B(tài)的圖，(F)是表示相當于固定工序后的電路板的部分的狀態(tài)的圖，(G)是大型貫通構(gòu)件的俯視圖，(H)是表示將大型絕緣電路板分割為長方形的狀態(tài)的圖，(I)是表示將長方形的電路板分割為各個單位絕緣電路板時的一個單位絕緣電路板的圖。
圖12是表示本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件的制造方法中的、微調(diào)工序的一例的狀態(tài)的簡略圖。
符號說明
1A、 1B、 1C、 1D 2
3、 3A、 3B、 3C
4
4A 4B 4C
5、 5A、 5B
5C
6、 6A、 6B、 6C、 6D
7
8
9A
9B
9C
9D
10A
10B
11、 IIA、 11B 11C
12 12C 12D
13
15、 15A
發(fā)光部件 LED
電阻元件電路板
單位絕緣電路板線狀分割部
帶有分割部的大型絕緣電路板 NPN型晶體管(晶體管) 場效應晶體管(晶體管) 恒流電路
正輸入端(+輸入端)
負輸入端(-輸入端)
第一傳輸線路
第二傳輸線路
第三傳輸線路
第四傳輸線路
第一接點
第二接點
二極管
穩(wěn)壓二極管
貫通構(gòu)件
貫通孑L
大型貫通構(gòu)件凹部導體
具體實施例方式
以下，對本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件進行說明。另外，在進行說明時，分為各構(gòu)成部件和恒流電路構(gòu)成而參照附圖進行說明，對于發(fā)光部件的功能與恒流電路構(gòu)成一并進行說明。另外，對于發(fā)光部件的制造方法最后進行說明。
圖l表示本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A的正面?zhèn)鹊牧Ⅲw圖。另外，圖2表示發(fā)光部件1A的六視圖，分別為(A)表示發(fā)光部件1A的俯視圖， (B)表示主視圖，(C)表示右視圖，(D)表示左視圖，(E)表示后視圖，(F)表示仰視圖。
對該發(fā)光部件1A的構(gòu)成進行說明。該發(fā)光部件1A，主要由發(fā)出光的發(fā)光元件(LED2)、電阻元件3、配置這些的電路板4、以及晶體管5構(gòu)成。被調(diào)整為LED2的光度成為規(guī)定范圍的電阻元件3 (該實施形態(tài)中的電阻元件3A、 3B)，配置于電路板4的背面。以下，在同時指兩個電阻元件3A、 3B時，或者，根據(jù)情況同時指該兩個電阻元件3A、 3B和下述的第三電阻元件3C時，適宜地記載為電阻元件3。 LED2、晶體管5配置于電路板4的正面。而且，以電阻元件3A、 3B和晶體管5A、 5B作為結(jié)構(gòu)元件的恒流電路，跨經(jīng)電路板4的正面、背面而形成。以下，在同時指該兩個晶體管5A、 5B時，或者，根據(jù)情況同時指該兩個晶體管5A、 5B和下述的場效應晶體管5C時，適宜地記載為晶體管5。該恒流電路對LED2供給恒流。另外，電路板4為長方形，且在將其相對的一對邊的長度作為x、與該一對邊不同的另一相對的一對邊的長度作為y時，x/y比的值為1.25。另外，該發(fā)光部件1A具有兩個電阻元件3，對兩個電阻元件3A、 3B的雙方實施電阻值調(diào)整(微調(diào)(trimming))。
(關(guān)于各構(gòu)成部件)
構(gòu)成發(fā)光部件1A的電路板4，由在一對相對的邊上具有半圓形的切口部(在該實施形態(tài)中為各兩個、共計四個切口部)的、外形為長方形的氧化鋁陶瓷構(gòu)成。在將其一對邊的長度作為y (2.8mm)、與該一對邊不同的另一相對的一對邊的長度作為x (3.5mm)時，x/y比的值為1.25。另外，電路板4的厚度為1.5mm。另外，電路板4也可以使用由氧化鋁陶瓷以外的陶瓷、例如氮化鋁等構(gòu)成的電路板、混入玻璃纖維的環(huán)氧系樹脂壓型體等的樹脂系的電路板。
在電路板4的正面上形成或配置有構(gòu)成發(fā)光部件1A的一部分的貫通構(gòu)件12，填充于貫通構(gòu)件12的貫通孔12C中的透光性樹脂(省略圖示)，被透光性樹脂覆蓋的部件，即晶體管5、導體15、與導體15接觸的凸緣 (pad)15Ca、 15Cb、 15Cc、 15Cd、 15Ce、 15Cf，以及將LED2及晶體管5與凸緣15Ca 15Cf電連接的接合線(金線16)的各部件。而且，在電路板4 的背面上配置有在電路板4的一對相對的邊上配置于半圓形的切口部的四個背面電極15E，配置于各背面電極15E上的、被稱為凸起(bump)21的突起部分，從各背面電極15E導出的兩對T字形的電阻用電極15B，與成對的電阻用電極15B的雙方重疊而被配置的電阻膜18，覆蓋電阻膜18的全部或電阻用電極15B的大致全部的玻璃膜19,為了進行電阻值調(diào)整而被形成于電阻器18和玻璃膜19的微調(diào)槽23，以及為了保護微調(diào)槽23而被載置于玻璃膜19上的涂層膜(overcoat)20。而且，在電路板4的側(cè)面上，將背面電極15E和電路板4的正面的導體15電連接的側(cè)面電極15D，被配置于半圓形的切口部。
具有圓筒狀的貫通孔12C的貫通構(gòu)件12形成為，x方向和y方向的長度與電路板4相同的、從上面觀察的形狀為略長方形的形狀。該貫通構(gòu)件 12固定于電路板4的正面。該貫通構(gòu)件12是液晶聚合物樹脂的壓型體。該液晶聚合物是散熱性良好的樹脂，在將電阻元件3或晶體管5產(chǎn)生的熱放出，從而維持電阻元件3和晶體管5的特性方面是有利的。為了得到該散熱性，也可以取代液晶聚合物樹脂，而使用聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)等。
貫通構(gòu)件12，使其貫通孔12C與電路板4的正面相對而被固定于電路板4。其結(jié)果是，貫通孔12C部分成為以電路板4的正面作為底面的空穴(凹部)13。作為相當于具有這樣的凹部13的貫通構(gòu)件12和電路板4的雙方的其他部件是，例如，使用在陶瓷粉末中含有玻璃等的LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics、低溫共燒陶瓷)，在可成形性良好的條件下，通過將相當于電路板4的部分和相當于含有凹部13的貫通構(gòu)件12的部分整體成形并煅燒的方法得到的部件。此時，凹部13被設(shè)置于電路板4上。另外，凹部 13的形狀，從發(fā)光部件1A的形狀、晶體管5等的被收容于凹部13的LED2 的驅(qū)動電路部件的數(shù)量、或發(fā)光部件1A的規(guī)格、貫通構(gòu)件12的強度等的方面考慮，可以適宜地選擇其形狀或大小。對于貫通孔12C的形狀而言，可以選擇圓筒形、圓錐臺形狀、長方體形狀等。
貫通構(gòu)件12在其頂面的四角的一個上，具有被稱為陰極標記12A的切口部。該陰極標記12A，起到在將發(fā)光部件1A安裝于安裝電路板時分辨安裝方向的作用。該陰極標記12A，對于使用正方形或與其相近的長方形的電路板4的發(fā)光部件1A是重要的。另外，貫通構(gòu)件12在其橫向(y方向)的一對端邊上，具有薄壁部12B。該薄壁部12B起到使下述的分割工序變?nèi)?易的作用。
在形成于凹部13的底面中央且電路板4的正面的、與其他的導體15 未連接的浮島狀的導體15上，LED2被配置為朝向凹部13的開口部側(cè)發(fā)光。這樣的LED2在凹部13的中央的配置和將該LED2包圍那樣的驅(qū)動用電路部件的配置，在能夠使光的方向集中于凹部13的開口部方向、從而抑制向意向之外方向的投光的方面是有利的。另外，也可以將LED2配置于稍微偏心的位置，而不是凹部13的中央。所謂的LED2在凹部13的底面中央的配置，是指LED2被配置為，在圖2 (A)的俯視圖中將形成圓形的凹部13的底面的圓中心覆蓋。通過該配置，LED2的光不會發(fā)生不均勻分布(uneven distribution),能夠均勻地反射至凹部13的內(nèi)壁面并分散。另外，通過以包圍LED2那樣而配置晶體管5或凸緣15Ca 15Cf， LED2的朝向各部件的反射光分散而能夠謀求分散光的均勻化。作為其結(jié)果，能夠使發(fā)光部件 1A的發(fā)光方向上的光度變化降低，并降低發(fā)光部件1A的光度的方向依存性、即由安裝方向引起的光度的偏差。
另外，在將LED2配置為LED2朝向凹部13的開口部側(cè)發(fā)光的情況下，以在凹部13的內(nèi)側(cè)面(側(cè)面和/或底面)上設(shè)有光反射層為佳。其理由是因為，光反射層能夠促進照射于凹部13內(nèi)側(cè)面的光的反射，從而使發(fā)光部件1A的光量不會減少。該光反射層的配置，可以采用電鍍法、噴濺法等的薄膜形成技術(shù)、金屬笵粘貼的技術(shù)等。另外，光反射層的材質(zhì)可以是鎳、銅、金、銀、鈦、鈾等的金屬。另外，也可以將這些金屬的兩種以上層疊而形成光反射層。進而，也可以使用由這些金屬的兩種以上構(gòu)成的合金而形成光反射層。
另外，LED2配置于電路板4的中央。所謂的LED2在電路板4中央的配置是指，例如在長方形的電路板4的情況下，LED2被配置為，從上方觀察時將兩根對角線的交點覆蓋。將LED2這樣地配置于電路板4的中央的優(yōu) 點是，即使在將發(fā)光部件1A多個排列而使用的情況下，也能夠等間距地配置LED2，從而能夠?qū)崿F(xiàn)自然的發(fā)光狀態(tài)。該優(yōu)點、即將LED2配置于電路板4的中央的優(yōu)點，無論是否將LED2配置于上述凹部13的底面均可以得到。在此，得到該優(yōu)點的其他方法中存在，對多個所有的發(fā)光部件1A，使 LED2的配置位置為電路板4上的相同位置的方法。采用該方法也可以。但是，在采用這樣的方法的情況下，將各個發(fā)光部件1A向安裝電路板安裝時，產(chǎn)生使安裝方向一致的負擔。
本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光元件是LED2。但是，可以取代LED2，而使用例如半導體激光器、有機EL (electro-luminescence、場致發(fā)光)等的 EL元件、或熒光顯示管等其他的發(fā)光元件。
LED2的驅(qū)動用電路部件被配置于LED2的周圍，其中，LED2的驅(qū)動用電路部件由構(gòu)成發(fā)光部件1A的晶體管5、導體15、與導體15接觸的凸緣15Ca 15Cf、以及將LED2及晶體管5與凸緣15Ca 15Cf電連接的金線 16構(gòu)成。通過進行這樣的配置，如上述那樣，使LED2發(fā)出的光反射于晶體管5、導體15及凸緣15Ca 15Cf上，并使光不發(fā)生不均勻分布地進行分散，作為其結(jié)果，能夠降低發(fā)光部件1A的光度的偏差。另外，通過采用該構(gòu)成，即使無法將LED2配置于凹部13的底面中央的情況下，也能夠促進光的分散并使發(fā)光部件1A的發(fā)光方向上的光度變化減少，而且，由于分散的光將發(fā)光點擴散，因此在作為將發(fā)光部件1A多個排列的發(fā)光部件組而使用的情況下，發(fā)光狀態(tài)變得更自然。
另外，該光的反射，在作為下述的發(fā)光部件1B、 1C的LED2的驅(qū)動電路用部件而包括二極管IIA、 IIB(以下，在同時指該兩個二極管時、根據(jù) 情況同時指該兩個二極管和下述的穩(wěn)壓二極管IIC時，適宜地記載為二極管11)的情況下，通過使二極管11配置于LED2的周圍也能夠得到(參照圖4、圖5、圖6及圖7)。同樣地，在作為下述的發(fā)光部件1D的LED2的驅(qū)動用電路部件而包括場效應晶體管5C的情況下，通過使場效應晶體管5C 配置于LED2的周圍也能夠得到(參照圖8及圖9)。另外，通過如發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D那樣，使驅(qū)動用電路部件在LED2的周圍跨經(jīng)180度以上而配置，能夠以進一步抑制了光的不均勻分布的狀態(tài)分散該光。
在此，配置于LED2的周圍的、作為LED2的驅(qū)動用電路部件的一部分的晶體管5和/或二極管11，以尺寸小于LED2為佳。通過這樣，在計算上變得容易求出LED2發(fā)出的光，同時，光度的發(fā)光方向的依存性降低。艮P，能夠進一步降低LED2的光度的偏差。但是，即使使晶體管等的尺寸變大，若以包圍LED2那樣配置的話，光的方向也被分散，成為理想的狀態(tài)。另外，貫通構(gòu)件12的凹部13的內(nèi)壁面，也同樣地具有如上述那樣使LED2發(fā)出的光反射并分散的效果。另外，通過將晶體管5和/或二極管11配置于LED2 的周圍，在使用金線16并通過引線接合等將這些相互之間電連接時，操作
性良好、變得有利。
構(gòu)成發(fā)光部件1A的晶體管5和LED2，全部配置于凹部13內(nèi)。但是，也可以將晶體管5或其他的驅(qū)動用電路部件的一部分或全部避開凹部13而配置。這樣的配置，在作為下述的發(fā)光部件1B、 1C、 1D的LED2的驅(qū)動用電路部件而包括二極管11或場效應晶體管5C的情況下，也是相同的。
構(gòu)成發(fā)光部件1A的晶體管5和LED2，通過所謂的引線接合技術(shù)使用金線16而被電連接。但是，該電連接也可以通過所謂的倒裝式接合(叩焊) 而實現(xiàn)。所謂的倒裝式接合是，在發(fā)光部件1A的底面上設(shè)置用于晶體管5 和LED2的配線的、被稱為凸起(電極端子)的突起部分，并將凸起連接于安裝發(fā)光部件1A的安裝電路板的焊盤上，利用其焊盤圖案(land pattern) 而實現(xiàn)電連接。
在凹部13的內(nèi)部填充有透光性樹脂(省略圖示)。該透光性樹脂，也起到維持LED2、晶體管5、金線16等的相互間電連接狀態(tài)的作用。該透光性樹脂僅存在于凹部13的內(nèi)部。透光性樹脂使用硅酮系樹脂。該硅酮系樹脂，在LED2發(fā)出的光成分中含有的紫外線區(qū)域的成分多的情況下，能夠抑制封固樹脂的劣化。但是，根據(jù)發(fā)光部件1A的規(guī)格、用途、光度等，可以使用其他的材質(zhì)(例如環(huán)氧系樹脂等)。另外，透光性樹脂的透明度，可以根據(jù)發(fā)光部件1A的規(guī)格、用途、光度等而變更調(diào)整。進而，透光性樹脂，既可以如發(fā)光部件1A那樣僅填充于凹部13的內(nèi)側(cè)，也可以以從凹部13的內(nèi)部向外部溢出的狀態(tài)進行填充。但是，使透光性樹脂形成為從凹部13的內(nèi)部向外部溢出的狀態(tài)的情況下，發(fā)光部件1A的發(fā)光狀態(tài)容易變得不穩(wěn)定。其理由是因為，認為存在從凹部13溢出部分的透光性樹脂，形狀難以固定，從而擾亂發(fā)光部件1A的發(fā)光狀態(tài)的情況。另外，若使透光性樹脂從凹部13 溢出并進行在貫通構(gòu)件12的頂面整體上形成為均勻的高度等的形狀調(diào)整的話，發(fā)光部件1A的發(fā)光狀態(tài)穩(wěn)定。另外，也可以如從凹部13球狀地突出那樣地設(shè)置透光性樹脂、即如發(fā)揮凸透鏡的功能那樣地設(shè)置透光性樹脂。這樣的話，從LED2放射出的光成為在規(guī)定距離處對焦那樣的光，在欲使光度增強時變得有效。相反，將透光性樹脂的頂面形成為凹面鏡那樣的話，來自 LED2的光發(fā)生發(fā)散，在欲使光量整體地均勻化時變得有利。
在電路板4的背面上，配置有兩個厚膜的電阻元件3。也可以取代該厚膜而使用由薄膜構(gòu)成的電阻元件。該電阻元件3，將電阻膜18和電阻值調(diào) 整用的微調(diào)槽23作為結(jié)構(gòu)元件而具有，其中，電阻膜18與從作為導體15 的一部分的背面電極15E導出、且整體化的成對的T字形電阻用電極15B 的雙方接觸。
另外，具有電阻膜18的電阻元件3，存在如下述的發(fā)光部件1D那樣僅一個就足夠的情況(參照圖3 (D)、圖8及圖9)。另外，也可以使具有電阻膜18的電阻元件3的數(shù)量增多為三個、四個、或五個以上。進而，也可以不使用厚膜的電阻膜18，而使用片型的、且能夠進行微調(diào)(電阻值調(diào) 整)的可修整晶片電阻(Trimmable Chip Resistors)。
另外，在電路板4的背面上，用于覆蓋并保護厚膜的電阻膜18和電阻用電極15B等的厚膜的玻璃膜19，在使背面電極15E和微調(diào)槽23露出的同時，除了電路板4的背面的x方向兩端而配置于略整個區(qū)域。而且，用于從玻璃膜19的上方覆蓋并保護被微調(diào)時留下的微調(diào)槽23的環(huán)氧樹脂系的涂層膜20，在成對的電阻用電極15B之間，以將玻璃膜19的x方向中央部分在 y方向上呈列狀地覆蓋那樣而被配置為帶狀。而且，在各背面電極15E上，各配置有兩個作為突起狀的導電部件的凸起21。另外，玻璃膜19以露出背面電極15E的程度覆蓋電路板4的背面的略整個區(qū)域，但是，也可以為將電阻膜18的一部分或全部覆蓋的程度。
在此，具有電阻膜18的電阻元件3具有，厚膜的電阻膜18與成對的厚膜的電阻用電極15B的雙方接觸的部分。而且，保護電阻元件3的厚膜的涂層膜20被配置為，與該接觸的部分不重疊。該接觸的部分通常為電阻用電極15B與電阻膜18重疊的部分，成為厚度大于其他部分的凸部。作為發(fā) 光部件1A，在其形狀中存在大的凸部的話，將多個發(fā)光部件1A零散地裝袋包裝，并利用送料器向規(guī)定的方向定向供給的整體(bulk)供給變困難。另外，在該凸部位于與安裝發(fā)光部件1A的安裝電路板面相對的位置時，存在妨礙利用焊接等的、外部端子電極(以下述的側(cè)面電極15D、背面電極15E 及凸起21作為結(jié)構(gòu)元件。以下相同。)與安裝電路板面的焊盤的固定的情況。因此，以如發(fā)光部件1A或下述的發(fā)光部件1B、 1C、 1D那樣，避開該凸部而配置涂層膜20為佳(參照圖2 (F)、圖5 (F)、圖7 (F)、圖9 (F))。進而，凸起21起到用于使外部端子電極和安裝電路板面的焊盤的固定更加可靠的作用。但是，在具有電阻膜18的電阻元件3主要由薄膜構(gòu)成、且凸部的高度低等的情況下，也可以如覆蓋電路板4的背面的略整個面那樣進行配置，而不是避開凸部而配置涂層膜20。但是，這種情況至少需要使凸起21露出，并以露出背面電極15E的部分為佳。
配置于電路板4的背面且構(gòu)成發(fā)光部件1A的電阻元件3、位于與電阻元件3相反側(cè)的電路板4的正面的LED2及驅(qū)動用電路部件(導體15、凸緣15Ca 15Cf、晶體管5)的電連接，通過四個側(cè)面電極15D而實現(xiàn)，其中，四個側(cè)面電極15D是被配置在露出于電路板4端面的四個半圓柱空間的側(cè)面的導體。通過該構(gòu)成，具有無需在電路板4上設(shè)置多余的孔而能夠?qū)?現(xiàn)電路板4的背面的電阻元件3與電路板4的正面的LED2或驅(qū)動用電路部件(例如晶體管5和/或二極管11)的電連接的優(yōu)點。但是，該電連接，也可以通過電路板4的端面、且不是半圓柱空間的側(cè)面的端面，或通過在電路板4的內(nèi)側(cè)另外設(shè)置的通孔，或通過金線16等的電線而實現(xiàn)。
將側(cè)面電極15D配置于半圓柱空間的內(nèi)側(cè)面上的其他優(yōu)點是，存在發(fā) 光部件1A的制造變?nèi)菀椎那闆r這一點。即，在通過下述的通孔印刷法
(through hole printing)形成側(cè)面電極15D時，能夠與構(gòu)成電阻元件3的電極同時形成。因此，不存在特意通過其他工序而僅在電路板4的端面上形成側(cè)面電極15D這樣的麻煩。而且，通過進行下述的之后的分割工序，大型絕緣電路板沿著通過圓形通孔的中心的直線被分割，從而能夠得到配置有側(cè) 面電極15D的半圓柱空間的側(cè)面。在該實施形態(tài)中，將配置側(cè)面電極15D 之處作為半圓柱空間的側(cè)面，但是，只要是可以進行下述的通孔印刷法的通孔形狀的話，也可以取代半圓柱空間而形成為長方體空間、半橢圓柱空間等的其他空間形狀，并將側(cè)面電極15D配置于其內(nèi)側(cè)面。
另外，在包含側(cè)面電極15D的外部端子電極15Fa 15Fd中，為了使外部端子電極15Fa 15Fd的焊接潤濕性良好，通常是通過下述的電鍍工序中的滾鍍法依次配置有鎳鍍層和焊錫鍍層(省略圖示)，其中，外部端子電極 15Fa 15Fd用于焊接在安裝發(fā)光部件1A的安裝電路板的焊盤。在此，外部端子電極15Fa 15Fd，分別具有側(cè)面電極15D和背面電極15E和凸起21，且實施與外部的電連接。滾鍍法是，將多個發(fā)光部件1A與被稱為虛設(shè)球
(dummy ball)的金屬粒狀體一起投入浸漬于電鍍液中的籠體內(nèi)，使籠體旋轉(zhuǎn)或振動等，且在通電的同時進行電鍍的方法。在此，隨著該虛設(shè)球與外部端子電極15Fa 15Fd接觸的概率增大，金屬鍍層的形成速度變快。該概率，存在若外部端子電極15Fa 15Fd的形狀復雜的話則變高的傾向。側(cè)面電極 15D形成于半圓柱空間的側(cè)面的話，外部端子電極15Fa 15Fd的整體形狀變復雜。因此，將側(cè)面電極15D配置于半圓柱空間的側(cè)面的話，也具有對外部端子電極15Fa 15Fd的電鍍速度變快的優(yōu)點。
另外，側(cè)面電極15D由于配置于半圓柱空間的側(cè)面，因此成為被配置于發(fā)光部件1A側(cè)面的凹陷部分。因此，在處理發(fā)光部件1A時，例如在為了使用芯片安裝器(chip mounter)向安裝電路板安裝，而將發(fā)光部件1A 提起并移動時，具有側(cè)面電極15D不易因其他物體(例如，芯片安裝器的零件提起部件等)而受損的效果。該效果，通過在形成有側(cè)面電極15D的電路板4的頂部上存在貫通構(gòu)件12、即其側(cè)面不具有凹陷部分的樹脂制部件，而更明顯地得到。其理由是因為，通過貫通構(gòu)件12先與其他物體相接觸，阻止了該物體與側(cè)面電極15D接近，從而使側(cè)面電極15D與其他物體接觸的概率變低。另外，是因為通過樹脂(貫通構(gòu)件12)的彈性，從沖擊中保護側(cè)面電極15D。另外，其他的理由是因為，沿著成為該半圓柱空間的一方端部的電路板4的正面的部分，被貫通構(gòu)件12的底面堵塞，從而貫通構(gòu)件12將側(cè)面電極15D從上述的其他物體中遮蔽。特別是，在側(cè)面電極15D 通過下述的通孔印刷法配置的情況等下，其薄膜厚度變薄而容易受損，因此本構(gòu)成是理想的。
在外部端子電極15Fa 15Fd的正面上，依次配置有上述的鎳鍍層和嬋錫鍍層(省略圖示)。焊錫鍍層，起到在利用焊接向安裝發(fā)光部件1A的安裝電路板進行安裝時使焊接潤濕性良好的作用。鎳鍍層，起到防止外部端子電極15Fa 15Fd與軟釬料合金化、從而外部端子電極15Fa 15Fd熔融的作用。兩金屬鍍層，均以層厚在3pm 12pm之間為佳。層厚低于3pm的話，存在金屬鍍層的形成不充分的情況。層厚超過12pm的話，存在發(fā)光部件 1A的外形尺寸與所需要的不同的情況。特別是，在發(fā)光部件1A被小型化的情況下，其外形尺寸的影響變大。
(關(guān)于恒流電路)
接著，對作為該發(fā)光部件1A的結(jié)構(gòu)元件的恒流電路進行說明。對圖3 (A)所示的恒流電路6A的電路構(gòu)成進行說明。恒流電路6A具有正輸入端7和負輸入端8。而且，在正輸入端7和負輸入端8之間，具有分路的第一傳輸線路9A和第二傳輸線路9B。而且，在第一傳輸線路9A上，從正輸入端7側(cè)開始依次連接有LED2、第一NPN型晶體管5A、第一電阻元件3A。而且，第一NPN型晶體管5A，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端8側(cè)而被配置。而且，在第二傳輸線路9B上，從正輸入端7側(cè)開始依次連接有第二電阻元件3B、第二NPN型晶體管5B。而且，第二NPN型晶體管5B，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端8側(cè)而被配置。而且，第二傳輸線路9B的第二電阻元件3B和第二 NPN型晶體管5B之間的第一接點 IOA、與第一NPN型晶體管5A的基極，通過第三傳輸線路9C而連接。而且，第一傳輸線路9A的第一 NPN型晶體管5A和第一電阻元件3A之間的第二接點10B、與第二NPN型晶體管5B的基極，通過第四傳輸線路9D而連接。對恒流電路6A的動作進行說明。
在正輸入端7和負輸入端8之間外加電壓的話，通過由第二電阻元件 3B引起的偏置電阻，電壓被外加于第一 NPN型晶體管5A的基極，第一 NPN 型晶體管5A成為閉合(ON)的狀態(tài)。于是，第一NPN型晶體管5A的集電極一發(fā)射極之間的接通成為可能，電流被供給LED2。此時，電流從正輸入端 7流向負輸入端8。此時，電流在第一電阻元件3A中流通，電壓被外加于第二NPN型晶體管5B的基極。第一傳輸線路9A中流通的電流增多，第二 NPN型晶體管5B的基極電壓值變?yōu)槭沟诙?NPN型晶體管5B閉合(ON)那樣的、規(guī)定的電壓值以上的話，則第二NPN型晶體管5B的集電極一發(fā)射極之間的接通成為可能。于是，第二NPN型晶體管5B的基極一發(fā)射極之間的電壓Vi被維持為固定值。因此，將電阻值作為R4的話，則第一電阻元件3A中流通的電流I,成為I產(chǎn)Vi/R^成為固定值。第一電阻元件3A中流通的電流Ii與流向LED2的電流相同，流向LED2的電流為、成為固定值。這樣，使流向LED2的電流、即第一傳輸線路9A中流通的電流成為固定值，從而降低LED2的光度的偏差。
接著，對恒流電路6A的具體動作進行說明。
流向電阻值為&的第一電阻元件3A的電流達到預先設(shè)定的極限電流 (^Vt/R》的話，成為第二NPN型晶體管5B的基極電壓(=Vt=0.65V) 以上，第二NPN型晶體管5B成為閉合的狀態(tài)。此時，第一NPN型晶體管 5A的基極電壓保持為約1.3V。這樣，進行使流向LED2的電流成為固定值的恒流動作。
在此，對圖3 (A)與圖2的對應關(guān)系進行說明。
圖3 (A)所示的正輸入端7、負輸入端8、第一接點IOA及第二接點 10B的位置，與圖2 (F)所示的發(fā)光部件1A的仰視圖中的外部端子電極 15Fa 15Fd的位置相對應。相當于正輸入端7的是外部端子電極15Fb。相當于負輸入端8的是外部端子電極15Fc。相當于第一接點10A的是外部端子電極15Fa，相當于第二接點10B的是外部端子電極15Fd。相當于第一傳輸線路9A的是，從外部端子電極15Fb (相當于正輸入端7)至凸緣15Ca 的導體15、凸緣15Ca、將凸緣15Ca和LED2的陽極端子連接的金線16、 LED2、將LED2的陰極端子和凸緣15Cb連接的金線16、凸緣15Cb、第一 NPN型晶體管5A、將第一 NPN型晶體管5A的發(fā)射極端子和凸緣15Cc連接的金線16、凸緣15Cc、從凸緣15Cc至外部端子電極15Fd的導體15、外部端子電極15Fd(相當于第二接點10B)、第一電阻元件3A的一方的電阻用電極15B、電阻膜18、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fc 的導體15、以及外部端子電極15Fc (相當于負輸入端8)。
相當于第二傳輸線路9B的是，外部端子電極15Fb(相當于正輸入端7 )、第二電阻元件3B的一方的電阻用電極15B、電阻膜18、另一方的電阻用電極15B、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fa的導體15、外部端子電極15Fa、從外部端子電極15Fa至凸緣15Cd的導體15、凸緣15Cd、載置有第二 NPN型晶體管5B的浮島狀的導體15、第二 NPN型晶體管5B、將第二 NPN型晶體管5B的發(fā)射極端子和凸緣15Ce連接的金線16、凸緣 15Ce、從凸緣15Ce至外部端子電極15Fc的導體15、以及外部端子電極15Fc (相當于負輸入端8)。相當于第一接點IOA的是外部端子電極15Fa、且是凸緣15Cd。相當于第三傳輸線路9C的是，將凸緣15Cd和第一晶體管5A 的基極端子連接的金線16。相當于第二接點10B的是外部端子電極15Fd，或是凸緣15Cc、將凸緣15Cc和凸緣15Cf接通的導體15、以及凸緣15Cf。相當于第四傳輸線路9D的是，將凸緣15Cf和第二 NPN型晶體管5B的基極端子連接的金線16。
本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件，除了使用恒流電路6A的發(fā)光部件1A 以外，還可以是例如以下進行說明的利用圖3所示的恒流電路6B的發(fā)光部件1B(參照圖4、圖5)、利用圖3所示的恒流電路6C的發(fā)光部件1C(參照圖6、圖7)、利用圖3所示的恒流電路6D的發(fā)光部件1D (參照圖8、圖9)等。
對圖3 (B)所示的恒流電路6B的電路構(gòu)成進行說明。另外，對于與恒流電路6A的構(gòu)成部件相同的部件、具有相同功能的部件，標以與恒流電路6A中的符號相同的符號并進行說明。
恒流電路6B具有正輸入端7和負輸入端8。而且，在正輸入端7和負輸入端8之間，具有分路的第一傳輸線路9A和第二傳輸線路9B。而且，在第一傳輸線路9A上，從正輸入端7側(cè)開始依次連接有LED2、相當于恒流電路6A的第一 NPN型晶體管5A的NPN型晶體管5A、第一電阻元件 3A。而且，NPN型晶體管5A，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端8側(cè)而被配置。而且，在第二傳輸線路9B上，從正輸入端7側(cè)開始依次串聯(lián)連接有第二電阻元件3B、二極管11A、 IIB，且連接為，從二極管的陽極向陰極的方向與從正輸入端7向負輸入端8的方向一致。而且，第二傳輸線路9B 的第二電阻元件3B和二極管ll之間的第一接點10A、與NPN型晶體管5A 的基極，通過第三傳輸線路9C而連接。接著，對恒流電路6B的動作進行說明。
在正輸入端7和負輸入端8之間外加電壓的話，通過由第二電阻元件 3B引起的偏置電阻，電壓被外加于NPN型晶體管5A的基極，NPN型晶體管5A成為閉合(ON)的狀態(tài)。于是，NPN型晶體管5A的集電極與發(fā)射極之間的接通成為可能，電流被供給LED2。此時，電流從正輸入端7向負輸入端8流通。此時，電流也在第一電阻元件3A中流通。另一方面，電流也在第二傳輸線路9B的二極管11中流通。使電流在該二極管11中正向地流通的話，通過二極管11自身的電阻而產(chǎn)生電壓降。于是，由于二極管11自身的電阻值急劇變小，因此剩余部分的電流通過第二傳輸線路9B。二極管ll 的電壓降固定為約0.5V 1V，通過兩個二極管11A、 11B產(chǎn)生約1V 2V 的電壓降。該電壓降，等于將第一NPN型晶體管5A的基極一發(fā)射極之間的電壓降與由第一電阻元件3A引起的電壓降相加后的電壓降。其結(jié)果是，在將第一電阻元件3A的電阻值作為R。第一接點IOA的電壓作為V2時，通過第一電阻元件3A的電流l2為V2/Rp且固定。這樣，使流向LED2 的電流固定，從而降低LED2的光度的偏差。在此，將二極管11A、 IIB串聯(lián)連接的理由是，為了調(diào)整二極管11的發(fā)生電壓降的電壓。二極管11的串聯(lián)連接數(shù)量，可以根據(jù)使發(fā)生電壓降的電壓成為何種程度而適宜地改變。
接著，對恒流電路6B的具體動作進行說明。
從正輸入端7供給電源的話，根據(jù)相同特性的兩個二極管IIA、 IIB的正向電壓(在該實施形態(tài)中，Vf-0.54V)，NPN型晶體管5A的基極電壓(VB) 成為"Vfx2=1.08V" ， NPN型晶體管5A變?yōu)殚]合。而且，NPN型晶體管 5A的發(fā)射極電壓(VE)成為"Vfx2-Vbe"。在此，Vbe是NPN型晶體管 5A的基極一發(fā)射極之間的電壓，為0.65V。此時，在具有第一電阻元件3A 的電阻值&為21.5 Q的第一電阻元件3A的第一傳輸線路9A中流通的電流 (12),被限制為"VE/R產(chǎn)(0.54x2-0.65) /21.5，，，成為恒流(20mA)。
在此，對圖3 (B)所示的恒流電路6B、與表示實現(xiàn)該恒流電路的發(fā)光部件1B的結(jié)構(gòu)的圖4、圖5的對應關(guān)系進行說明。圖5 (A)所示的正輸入端7、負輸入端8及第一接點10A的位置，與圖5 (F)所示的發(fā)光部件1B 的仰視圖中的外部端子電極15Fe 15Fg的位置相對應。相當于正輸入端7 的是外部端子電極15Ff。相當于負輸入端8的是外部端子電極15Fg。相當于第一接點10A的是外部端子電極15Fe。相當于第一傳輸線路9A的是，從外部端子電極15Ff (相當于正輸入端7)至凸緣15Cg的導體15、凸緣 15Cg、將凸緣15Cg和LED2的陽極端子連接的金線16、 LED2、將LED2的陰極端子和凸緣15Ch連接的金線16、凸緣15Ch、連接于凸緣15Ch的浮島狀的導體15、第一NPN型晶體管5A、將第一NPN型晶體管5A的發(fā)射極端子和凸緣15Ci連接的金線16、凸緣15Ci、從凸緣15Ci至外部端子電極15Fh的導體15、外部端子電極15Fh及第一電阻元件3A的一方的電阻用電極15B、電阻膜18、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fg 的導體15、以及外部端子電極15Fg (相當于負輸入端8)。
相當于第二傳輸線路9B的是，第二電阻元件3B的一方的電阻用電極 15B、電阻膜18、另一方的電阻用電極15B、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fe的導體15、外部端子電極15Fe、從外部端子電極15Fe 至凸緣15Cj的導體15、凸緣15Cj、至凸緣15Cj與第一二極管llA的陽極端子的金線16、第一二極管11A、與第一二極管IIA的陰極端子連接的浮島狀的導體15、連接于該浮島狀的導體15的凸緣15Ck、凸緣15Ck、將凸緣15Ck和第二二極管11B的陽極端子連接的金線16、第二二極管IIB、與第二二極管11B的陰極端子連接的浮島狀的導體15、從該浮島狀的導體15 至外部端子電極15Fg的導體15、以及外部端子電極15Fg (相當于負輸入端8)。相當于第一接點IOA的是外部端子電極15Fe,或凸緣15Cj。相當于第三傳輸線路9C的是，連接凸緣15Cj和浮島狀的導體15的金線16及該浮島狀的導體15，其中，浮島狀的導體15連接于第一晶體管5B的基極端子。
接著，對圖3 (C)所示的恒流電路6C的電路構(gòu)成進行說明。另外，對于與恒流電路6A的構(gòu)成部件相同的部件、具有相同功能的部件，標以與恒流電路6A中的符號相同的符號并進行說明。
恒流電路6C具有正輸入端7和負輸入端8。而且，在正輸入端7和負輸入端8之間，具有分路的第一傳輸線路9A和第二傳輸線路9B。而且，在第一傳輸線路9A上，從正輸入端7側(cè)開始依次連接有LED2、 NPN型晶體管5A、第一電阻元件3A。而且，NPN型晶體管5A,使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端8側(cè)而被配置。而且，在第二傳輸線路9B上，從正輸入端7側(cè)開始依次連接有第二電阻元件3B、作為二極管的穩(wěn)壓二極管IIC，且連接為從穩(wěn)壓二極管的陽極向陰極的方向與從負輸入端8向正輸入端7 的方向一致。而且，第二傳輸線路9B的第二電阻元件3B和穩(wěn)壓二極管11C 之間的第一接點10A、與NPN型晶體管5A的基極，通過第三傳輸線路9C 而連接。
接著，對恒流電路6C的動作進行說明。在正輸入端7和負輸入端8之間外加電壓的話，通過由第二電阻元件 3B引起的偏置電阻，電壓被外加于NPN型晶體管5A的基極，NPN型晶體管5A成為閉合(ON)的狀態(tài)。于是，NPN型晶體管5A的集電極一發(fā)射極之間的接通成為可能，電流被供給LED2。此時，電流從正輸入端7向負輸入端8流通。此時，電流也在第一電阻元件3A中流通。另一方面，電流也在第二傳輸線路9B的穩(wěn)壓二極管11C中流通。使電流在該穩(wěn)壓二極管11C中逆向地流通的話，由于穩(wěn)壓二極管IIC的電阻值急劇變小，因此剩余部分的電流在第二傳輸線路9B中流通。根據(jù)穩(wěn)壓二極管11C的穩(wěn)壓電壓而不同的電壓降，等于將NPN型晶體管5A的基極一發(fā)射極之間的電壓降和由第一電阻元件3A引起的電壓降相加后的電壓降。其結(jié)果是，在將第一電阻元件3A的電阻值作為Ri、第一接點IOA的電壓作為V3時，在第一電阻元件 3A中流通的電流l3為V3/R,，且固定。這樣，使流向LED2的電流固定，而降低LED2的光度的偏差。
接著，對恒流電路6C的具體動作進行說明。
在正輸入端7和負輸入端8之間外加電壓的話，根據(jù)穩(wěn)壓二極管11C 的穩(wěn)壓電壓(Vz=2.0V) ， NPN型晶體管5A的基極電壓(VB)成為Vz, NPN型晶體管5A變?yōu)殚]合。而且，NPN型晶體管5A的發(fā)射極電壓(VE) 成為"Vz-Vbe"。在此，Vbe是NPN型晶體管5A的基極一發(fā)射極之間的電壓，為0.65V。此時，在具有第一電阻元件3A的電阻值Ri為67.5Q的第一電阻元件3A的第一傳輸線路9A中流通的電流(IE)，被限制為"VE/ R,= (2.0-0.65) / 67.5"，成為恒流(20mA)。
圖3 (A) 、 (B) 、 (C)所示的恒流電路6A、 6B、 6C具有兩個電阻元件3，并對兩個電阻元件3的雙方實施微調(diào)。通過這樣，能夠構(gòu)成具有多個電阻元件3的穩(wěn)定的恒流電路6A、 6B、 6C。
在此，對圖3 (C)所示的恒流電路6C，與表示實現(xiàn)該恒流電路6C的發(fā)光部件1C的結(jié)構(gòu)的圖6、圖7的對應關(guān)系進行說明。圖7 (A)所示的正輸入端7、負輸入端8及第一接點IOA的位置，與圖7(F)所示的發(fā)光部件1B的仰視圖中的外部端子電極15Fi 15Fk的位置相對應。圖7 (A)所示的外部端子電極15Fi、 15Fj、 15Fk、 15Fl的位置，與圖7(F)所示的發(fā) 光部件1C的仰視圖中的外部端子電極的位置相對應。相當于正輸入端7的是外部端子電極15Fj。相當于負輸入端8的是外部端子電極15Fk。相當于第一接點10A的是外部端子電極15Fi。相當于第一傳輸線路9A的是，從外部端子電極15Fj (相當于正輸入端7)至凸緣15Cl的導體15、凸緣15Cl、將凸緣15C1和LED2的陽極端子連接的金線16、 LED2、將LED2的陰極端子和凸緣15Cm連接的金線16、凸緣15Cm、連接于凸緣15Cm的浮島狀的導體15、將NPN型晶體管5A的發(fā)射極端子和凸緣15Cn連接的金線16、凸緣15Cn、從凸緣15Cn至外部端子電極15F1的導體15、外部端子電極15F1 及第一電阻元件3A的一方的電阻用電極15B、電阻膜18、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fk的導體15、以及外部端子電極15Fg (相當于負輸入端8)。
相當于第二傳輸線路9B的是，第二電阻元件3B的一方的電阻用電極 15B、電阻膜18、另一方的電阻用電極15B、從另一方的電阻用電極15B至外部端子電極15Fi的導體15、外部端子電極15Fi、從外部端子電極15Fi 至凸緣15Co的導體15、凸緣15Co、將凸緣15Co和穩(wěn)壓二極管IIC的陰極端子連接的金線16、與穩(wěn)壓二極管11C的陽極端子連接的浮島狀的導體 15、從該浮島狀的導體15至外部端子電極15Fk的導體15、以及外部端子電極15Fg (相當于負輸入端8)。相當于第一接點10A的是凸緣15Co。相當于第三傳輸線路9C的是，將凸緣15Co和浮島狀的導體15連接的金線 16及該浮島狀的導體15，其中，浮島狀的導體15連接于第一晶體管5B的基極端子。
以上，表示了配置有兩個電阻元件3的例子，但是，根據(jù)恒流電路的種類也存在電阻元件3不是兩個也可以的情況。例如為圖3 (D)所示的恒流電路6D。對恒流電路6D的電路構(gòu)成進行說明。恒流電路6D具有正輸入端 7和負輸入端8。而且，在正輸入端7和負輸入端8之間，從正輸入端7側(cè) 開始依次配置有LED2、作為晶體管的一種的n溝道型場效應晶體管5C。而且，通過一個第三電阻元件3C，場效應晶體管5C的柵極和漏極被短路。
對恒流電路6D的詳細情況進行說明。
在恒流電路6D中，使用n溝道型的結(jié)型場效應晶體管(JFET: Junction Field-Effect Transistor) 5C。 JFET5C，是能夠根據(jù)柵極和源極之間的電壓 (VGS)控制漏極和源極之間流通的電流的元件。VGS為零V時，漏極電流成為最大的電流(IDSS)。在VGS為零、即將柵極和源極短路的狀態(tài)下，不會使IDSS以上的電流流通。另外，電源的電壓充分的話，也不會成為IDSS 以下的電流。利用該特性構(gòu)成恒流電路6D，降低LED2的光度的偏差。在此，在連接于柵極和源極之間的一個第三電阻元件3C上，形成有用于IDSS 的調(diào)整、即調(diào)整LED2的光度的微調(diào)槽23。
在恒流電路6D中，通過對第三電阻元件3C實施微調(diào)，而調(diào)整其電阻值R3。而且，根據(jù)公式"IDSS=VGS/R3"，能夠隨著電阻值R3的調(diào)整而調(diào)整IDSS。
在此，對圖3 (D)所示的恒流電路6D,與表示實現(xiàn)該恒流電路的發(fā)光部件1D的結(jié)構(gòu)的圖8、圖9的對應關(guān)系進行說明。圖9 (A)所示的正輸入端7、負輸入端8的位置，與圖5 (F)所示的發(fā)光部件1B的仰視圖中的外部端子電極15Fn 15Fo的位置相對應。
相當于正輸入端7的是外部端子電極15Fn。相當于負輸入端8的是外部端子電極15Fo或外部端子電極15Fm。外部端子電極15Fo和外部端子電極15Fm，在電路板4的正面上通過導體15而接通(參照圖9 (A))。從正輸入端7至LED2的陽極端子的傳輸線路是，從外部端子電極15Fn (相當于正輸入端7)至凸緣15Cp的導體15、凸緣15Cp、將凸緣15Cp和LED2 的陽極端子連接的金線16。
從LED2的陰極端子至場效應晶體管5C的漏極端子的傳輸線路是，將 LED2的陰極端子和凸緣15Cq連接的金線16、凸緣15Cq、從凸緣15Cq至場效應晶體管5C的漏極端子的浮島狀的導體15。從場效應晶體管5C的源極端子至第三電阻元件3C的傳輸線路是，將場效應晶體管5C的源極端子和凸緣15Cs連接的金線16、凸緣15Cs、從凸緣15Cs至外部端子電極15Fp 的導體15、外部端子電極15Fp、從外部端子電極15Fp至電阻用電極15B 的導體15、以及該電阻用電極15B。從第三電阻元件3C至場效應晶體管 5C的柵極端子的傳輸線路是，從外部端子電極15Fo (相當于負輸入端8) 至電阻用電極15B的導體15及該電阻用電極15B、從外部端子電極15Fo 至凸緣15Cr的導體15、凸緣15Cr、將凸緣15Cr和場效應晶體管5C的柵極端子連接的金線16。
另外，可以取代恒流電路6D的一個第三電阻元件3C，而使用串聯(lián)連接多個電阻元件的部件。而且，可以對該多個電阻元件中的一個以上實施微調(diào)。另外，通過對兩個以上的電阻元件實施微調(diào)，即使在通過微調(diào)而電阻元件損傷的情況下，也可以使該損傷分散于兩個以上的電阻元件，而不是集中于一個第三電阻元件3C。
恒流電路6A在能夠降低部件成本的方面等是有利的。恒流電路6B在通電前后的溫度變化小的方面等是有利的。恒流電路6C在通電前后的溫度變化更加小的方面等是有利的。恒流電路6D，在除了電阻元件一個就足夠、且部件成本低之外，還可以降低制造第三電阻元件3C的成本、下述引線接合相關(guān)的成本等制造成本的方面等，是有利的。另外，在圖4中表示使用恒流電路6B時的發(fā)光部件1B的立體圖，在圖5中表示發(fā)光部件1B的六視圖。在圖6中表示使用恒流電路6C時的發(fā) 光部件1C的立體圖，在圖7中表示發(fā)光部件1C的六視圖。在圖8中表示使用恒流電路6D時的發(fā)光部件1D的立體圖，在圖9中表示發(fā)光部件1D 的六視圖。這些各自的六視圖分別為，(A)表示俯視圖、(B)表示主視圖、(C)表示右視圖、(D)表示左視圖、(E)表示后視圖、(F)表示仰視圖。
接著，參照附圖對本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D 的制造方法進行以下說明。另外，作為代表例對發(fā)光部件1A進行詳細說明，對發(fā)光部件1B、 1C、 1D僅說明不同點等。
(發(fā)光部件1A的制造方法)
在制造本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A時，使用在正面上具有縱橫交叉的線狀分割部4B、并具有多個單位絕緣電路板4A的帶有分割部的大型絕緣電路板4C，其中，單位絕緣電路板4A，在將被線狀分割部4B包圍的單位絕緣電路板4A的各個的、縱橫的一方向的邊的長度作為x、另一方向的邊的長度作為y時，x/y比的值為l以上1.5以下。而且，發(fā)光部件 1A的制造方法，具有電阻形成工序、配置工序、導體形成工序、微調(diào)工序以及分割工序；其中，電阻形成工序是，在該大型絕緣電路板4C的背面、且單位絕緣電路板4A各自的背面上，配置未被進行電阻值調(diào)整的電阻元件半成品3';配置工序是，在單位絕緣電路板4A的各個上，LED2和晶體管5以被配置于帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面那樣而形成；導體形成工序是，在每一個單位絕緣電路板4A上配置，如構(gòu)成恒流電路6A那樣將電阻元件半成品3' 、 LED2、晶體管5的相互之間進行連接的導體15; 微調(diào)工序是，在配置工序及導體形成工序結(jié)束后，調(diào)整各電阻元件半成品3' 的電阻值、以使配置于單位絕緣電路板4A的各LED2的光度成為規(guī)定范圍；分割工序是，在微調(diào)工序結(jié)束后，沿著線狀分割部4B將帶有分割部的大型絕緣電路板4C分割為各個單位絕緣電路板4A。
進而，本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A的制造方法，在配置工序之前設(shè)有固定工序，并在分割工序時，連同帶有分割部的大型絕緣電路板4C 一起將大型貫通構(gòu)件12D分割為各個貫通構(gòu)件12，其中，固定工序是，將具有多個貫通孔12C的大型貫通構(gòu)件12D以貫通孔12C的開口部與各單位絕緣電路板4A的正面相對那樣，而固定于帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面上。
將發(fā)光部件1A的制造方法分為各工序而進行說明。
圖10及圖11是表示制造發(fā)光部件1A的過程的圖。在各工序的說明時，在圖10(B)、 (C)、 (D) 、 (E) 、 (F)、 (G)、 (H)，圖11(A)、 (B) 、 (C) 、 (D) 、 (E) 、 (F)的圖中，本來應該對帶有分割部的大型絕緣電路板4C的整體進行表示，但是，為了說明的方便，以單位絕緣電路板4A (相當于之前表示的電路板4)的大小進行表示。圖IO表示大型絕緣電路板4C (電路板4)的背面?zhèn)?，圖11表示大型絕緣電路板4C (電路板4)的正面?zhèn)取?br> (電阻形成工序)
首先，準備由氧化鋁陶瓷構(gòu)成的帶有分割部的大型絕緣電路板4C (圖 10 (A))。該帶有分割部的大型絕緣電路板4C，具有在正面縱橫交叉的縱橫地線狀分割部4B (分割用槽)和通孔22。電阻形成工序?qū)υ搸в蟹指?部的大型絕緣電路板4C進行。
接著，將導體15形成于帶有分割部的大型絕緣電路板4C。在圖10(C) 及圖11 (B)中，表示對電路板4的正面及背面(圖10 (B)、圖11 (A)) 形成了導體15的狀態(tài)。導體15的一部分成為，作為配置對象的電阻元件3 的電阻用電極15B。另外，導體15的一部分成為圖3所示的各種傳輸線路 9A、 9B、 9C、 9D的一部分、凸起21的配置面、電阻用電極15B、側(cè)面電極15D及背面電極15E。另外，形成于電路板4的正面?zhèn)鹊母u狀的導體 15，也作為配置LED2等時的配置位置的記號而起作用。
對導體15的形成方法進行說明。
首先，在帶有分割部的大型絕緣電路板4C的背面上，通過通孔印刷法配置銀鈀合金粉末的金屬釉漿(metal glaze paste)(油墨)，并將其煅燒而形成導體15 (圖10 (C))。而且，對帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面也進行同樣的通孔印刷并進行煅燒(圖11 (B))。在此，所謂的通孔印刷法是，從與印刷面相反側(cè)的電路板4面?zhèn)韧ㄟ^通孔22進行吸氣，同時進行絲網(wǎng)印刷。通過該通孔印刷法，油墨將帶有分割部的大型絕緣電路板 4C的通孔22的內(nèi)壁面的一部分或全部覆蓋。因此，通過對帶有分割部的大型絕緣電路板4C的兩面進行通孔印刷，在通孔22的內(nèi)壁面(=貫通孔的外周面)上，形成于帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面及背面兩面的導體15連接。
在此，在帶有分割部的大型絕緣電路板4C的背面上，在此之后如圖10(D)所示進行凸起21的形成。通過這樣，即使之后在電阻元件3的電阻膜18形成于該背面后，也能夠形成尺寸高于該電阻膜18的外部端子電極 15Fa 15Fd。在該凸起21的形成時，不進行通孔印刷，而形成為在先前形成的導體15中的、之后成為外部端子電極15Fa 15Fd (與正面安裝時的安裝面相對的電極部分)的電路板4的端部上散布。該凸起21的形成時期，也可以不是目前的導體15的形成時期，而可以是這之后的電阻膜18的形成后、玻璃膜19的形成后、涂層膜20的形成后、微調(diào)工序之后等。
另外，形成于電路板4的背面的兩個電阻元件3A、 3B的兩對電阻用電極15B之間的距離不同。其理由是因為，被要求該兩個電阻元件3A、 3B 的電阻值有很大不同，存在僅使下述的電阻膏的種類不同的話，則形成各自適當?shù)碾娮柚底兝щy的情況。當然，該兩對電阻用電極15B之間的距離也可以相等。
接著，在正面上形成凸緣15Ca、 15Cb、 15Cc、 15Cd、 15Ce、 15Cf。在此，對帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面，進行使用金膏的絲網(wǎng)印刷。該金膏印刷配置于與導體15接觸的位置。凸緣15Ca、 15Cc、 15Ce、 15Cf 被印刷配置為，與被從電路板4的背面向正面電連接的正面?zhèn)葘w15的前端部分接觸。凸緣15Cb被印刷配置為，與之后配置第一NPN型晶體管5A 的浮島狀的導體15接觸，凸緣15Cd被印刷配置為，與被從電路板4的背面向正面電連接的導體15的前端部分、以及之后配置第二NPN型晶體管 5B的浮島狀的導體15接觸。然后，煅燒帶有分割部的大型絕緣電路板4C 并將凸緣15Ca 15Cf進行固定(參照圖11 (C))。該凸緣15Ca 15Cf，起到使導體15與成為接合線的金線16的連接可靠的作用。
接著，在背面上形成電阻膜18。在此，使用氧化釕和金屬的混合粉末的金屬釉漿(油墨)，以與帶有分割部的大型絕緣電路板4C的背面的、成對的電阻用電極15B的雙方相接觸那樣，通過絲網(wǎng)印刷進行配置，并將其煅燒而形成(參照圖10 (E))。其結(jié)果是，形成如電阻膜18與一對電阻用電極15B的雙方相接觸那樣而形成的電阻元件半成品3'。該電阻膜18 的形成是再次改變油墨的種類而進行。通過這樣，使兩個電阻元件半成品3' 的電阻值不同。
接著，形成玻璃膜19。在此，使用玻璃膏(油墨)，以不僅覆蓋之前形成的電阻膜18，還將電路板4 (帶有分割部的大型絕緣電路板4C)的背面除了背面電極15E、側(cè)面電極15D及凸起21的部分之外均進行覆蓋那樣，通過絲網(wǎng)印刷進行配置，并將其煅燒而形成(參照圖10 (F))。在此，玻璃膜19也形成于電阻用電極15B與電阻膜18重疊的部分。因此，該部分成為電阻元件半成品3'的構(gòu)成部分中的厚度最大的部分。但是，玻璃膜19 的主要作用是，保護在微調(diào)槽23的形成時未被微調(diào)部分的電阻膜18。因此，也可以使玻璃膜19僅形成于能夠設(shè)想到形成微調(diào)槽23的區(qū)域。 (配置工序)
接著，將LED2和與LED2同等以上尺寸的兩個晶體管5配置于帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面。此時，如圖ll (D)所示，將LED2配置于電路板4 (單位絕緣電路板4A)中央的浮島狀的導體15上。而且，將晶體管5 (具體為第一、第二晶體管5A、 5B)配置于LED2四周的浮島狀的導體15上。在進行這些配置作業(yè)時，使用芯片安裝器。在LED2及晶體管5與帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面的固定中，使用熱固性的導電性樹脂粘結(jié)劑(芯片焊接糊料、Die-bonding paste)。該粘結(jié)劑，通過附著于針尖上之后，使該針尖與配置于帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面中心位置的浮島狀的導體15相接觸而進行供給。另外，也可以使用如噴射器那樣的注射器(syringe)而供給該導電性樹脂粘結(jié)劑。另外，通過該工序，位于晶體管5的底面的集電極端子與浮島狀的導體15進行電連接。
以上的電阻形成工序及配置工序，對于圖4及圖5所示的發(fā)光部件1B、圖6及圖7所示的發(fā)光部件1C、圖8及圖9所示的發(fā)光部件1D也可以同樣地進行。導體15、凸緣15Cg、 15Ch、 15Ci、 15Cj、 15Ck、 15Cl、 15Cm、 15Cn、 15Co、 15Cp、 15Cq、 15Cr、 15Cs以及電阻膜18的形成模式，分別如圖5、圖7、圖9所示那樣進行。另外，在發(fā)光部件1B的情況中，將LED2、兩個二極管11及晶體管5A配置于電路板4的正面。在發(fā)光部件1C的情況中，將LED2、穩(wěn)壓二極管11C及晶體管5A配置于電路板4的正面。在發(fā) 光部件1D的情況中，將LED2及場效應晶體管5C配置于電路板4的正面。
(導體形成工序)
在該導體形成工序中，以在電阻形成工序及配置工序中形成的導體15、凸緣15C、電阻元件半成品3' 、 LED2及晶體管5，構(gòu)成圖3 (A)所示的恒流電路6A那樣，進行使用六根金線16的引線接合(參照圖ll (E))。
以上的導體形成工序，對于圖4及圖5所示的發(fā)光部件1B、圖6及圖 7所示的發(fā)光部件1C、圖8及圖9所示的發(fā)光部件1D也可以同樣地進行。為了形成恒流電路6B,在配置工序中將LED2及兩個二極管(IIA、 11B) 配置于凹部13的底面，并在導體形成工序中使用金線16進行引線接合，以形成圖3(B)的電路構(gòu)成。為了形成恒流電路6C，在配置工序中，將LED2及穩(wěn)壓二極管11C配置于凹部13的底面，并在導體形成工序中使用金線16 進行引線接合，以形成圖3 (C)的電路構(gòu)成。為了形成恒流電路6D，在電阻形成工序中形成一個電阻元件半成品3'、且在配置工序中將LED2及場效應晶體管5C配置于凹部13的底面，并在導體形成工序中使用金線16進行引線接合，以形成圖3 (D)的電路構(gòu)成。
參照圖2 ( A)對用于形成發(fā)光部件1A的恒流電路6A的、使用金線 16的具體的導體形成工序進行說明。將LED2的陽極端子與凸緣15Ca連接。通過該連接，LED2的陽極端子與相當于正輸入端7的外部端子電極15Fb 被連接。然后，將LED2的陰極端子與凸緣15Cb連接。通過該連接，LED2 的陰極端子與第一NPN型晶體管5A的集電極被連接。然后，將第一NPN 型晶體管5A的發(fā)射極端子與凸緣15Cc連接。通過該連接，第一NPN型晶體管5A的發(fā)射極端子與第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'(實施微調(diào)前的第一電阻元件3A)被連接。然后，將第一NPN型晶體管5A的基極端子與凸緣15Cd連接。通過該連接，第一NPN型晶體管5A的基極端子與第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'(實施微調(diào)前的第二電阻元件3B )被連接。然后，將第二 NPN型晶體管5B的發(fā)射極端子與凸緣15Ce 連接。通過該連接，第二NPN型晶體管5B的發(fā)射極端子與相當于負輸入端8的外部端子電極15Fc被連接。然后，將第二NPN型晶體管5B的基極端子與凸緣15Cf連接。通過該連接，第二NPN型晶體管5B的基極端子與第一電阻元件3A被連接。
參照圖5 (A)對用于形成發(fā)光部件1B的恒流電路6B的、使用金線16 的具體的導體形成工序進行說明。將LED2的陽極端子與凸緣15Cg連接。通過該連接，LED2的陽極端子與相當于正輸入端7的外部端子電極15Ff 被連接。然后，將LED2的陰極端子與凸緣15Ch連接。通過該連接，LED2 的陰極端子與NPN型晶體管5A的集電極端子被連接。然后，將NPN型晶體管5A的發(fā)射極端子與凸緣15Ci連接。通過該連接，NPN型晶體管5A 的發(fā)射極端子與第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'(實施微調(diào)前的第一電阻元件3A)被連接。然后，將二極管11A的陽極端子與凸緣15Cj 連接。通過該連接，二極管11A的陽極端子與第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'被連接。然后，將NPN型晶體管5A的基極端子與凸緣15Cj 連接。通過該連接，NPN型晶體管5A的基極端子與第二電阻元件3B相關(guān) 的電阻元件半成品3'被連接。然后，將二極管11B的陽極端子與凸緣15Ck 連接。通過該連接，二極管IIA的陰極端子與二極管IIB的陽極端子被連接。
接著，參照圖7 (A)對用于形成發(fā)光部件1C的恒流電路6C的、使用金線16的具體的導體形成工序進行說明。將LED2的陽極端子與凸緣15C1 連接。通過該連接，LED2的陽極端子與相當于正輸入端7的外部端子電極 15Fj被連接。然后，將LED2的陰極端子與凸緣15Cm連接。通過該連接， LED2的陰極端子與NPN型晶體管5A的集電極端子被連接。然后，將NPN 型晶體管5A的發(fā)射極端子與凸緣15Cn連接。通過該連接，NPN型晶體管 5A的發(fā)射極端子與第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'被連接。然后，將穩(wěn)壓二極管llC的陰極端子與凸緣15Co連接。通過該連接，穩(wěn)壓二極管11C的陰極端子與第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'被連接。然后，將NPN型晶體管5A的基極端子與凸緣15Co連接。通過該連接，晶體管5A的基極端子與第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'被連接。
參照圖9 (A)對用于形成發(fā)光部件1D的恒流電路6D的、使用金線 16的具體的導體形成工序進行說明。將LED2的陽極端子與凸緣15Cp連接。通過該連接，LED2的陽極端子與相當于正輸入端7的外部端子電極15Fn 被連接。然后，將LED2的陰極端子與凸緣15Cq連接。通過該連接，將LED2 的陰極端子與場效應晶體管5C的漏極端子連接。然后，將場效應晶體管5C 的柵極端子和源極端子分別連接于凸緣15Cr和凸緣15Cs。通過該連接，場效應晶體管5C的柵極端子與源極端子之間，通過第三電阻元件3C相關(guān)的電阻元件半成品3'而被短路。 (固定工序)
對接著進行的固定工序進行說明。首先，將固定工序后的電路板4的俯視圖表示于圖11 (F)。然后，將進行該固定工序時所使用的大型貫通構(gòu)件 12D的俯視圖表示于圖11 (G)。大型貫通構(gòu)件12D，通過分割為多個而形成多個貫通構(gòu)件12。該大型貫通構(gòu)件12D是液晶聚合物壓型體。在大型貫通構(gòu)件12D的背面上，以與線狀分割部4B相同的間隔而縱橫地形成有貫通構(gòu)件用分割線12E。另外，在大型貫通構(gòu)件12D上，在形成有橫向的貫通構(gòu)件用分割線12E的部分的背面、即正面上，形成有薄壁部12B (對應于貫通構(gòu)件12的薄壁部12)。進而，在大型貫通構(gòu)件12D上，具有相當于圖l 及圖2所示的陰極標記12A的部分。
在固定工序中，使用熱固性粘結(jié)劑(環(huán)氧系)，將配置工序結(jié)束后的帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面(配置有LED2側(cè)的面)、和大型貫通構(gòu)件12D的背面(形成有貫通構(gòu)件用分割線12E側(cè)的面)固定。在該固定時，以大型貫通構(gòu)件12D的多個貫通孔12C的一個，將一個LED2及兩個晶體管5包圍那樣、且兩者具有的縱橫地形成的線狀分割部4B和貫通構(gòu)件用分割線12E重疊那樣，而進行固定。其結(jié)果是，在貫通孔12C和帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面上，形成有多個凹部13p
另外，該固定工序的實施時期，也可以是剛形成電阻元件半成品3'之后、或?qū)嵤┝宋⒄{(diào)之后。但是，通過在配置工序及連接工序結(jié)束之后進行固定工序，能夠避免在形成有貫通孔12C的狀態(tài)下進行LED2和晶體管5的載置及引線接合，操作性變良好。另外，若是實施了下述的微調(diào)之后的話，在降低光度的偏差方面稍微遜色。
(樹脂密封工序)
對接著進行的樹脂密封工序進行說明。將透光性樹脂(省略圖示)僅供給于凹部13中，并將金線16、 LED2及晶體管5A、 5B密封。透光性樹脂中使用硅酮系粘結(jié)劑。而且，在透光性樹脂的供給中，使用絲網(wǎng)印刷法。該供給之后，加熱帶有分割部的大型絕緣電路板4C，使透光性樹脂硬化。這樣，通過將透光性樹脂僅配置于凹部13中，在沿著線狀分割部4B的電路板區(qū)域中不會存在透光性樹脂。因此，在下述的分割工序中，不會妨礙帶有分割部的大型絕緣電路板4C的分割。另外，如以上所述，也可以將透光性樹脂形成為向凹部13的外部溢出，或者將表面?zhèn)刃纬蔀橥剐位蛐纬蔀榘夹巍?br> (微調(diào)工序)
對接著進行的微調(diào)工序進行說明。在微調(diào)工序中，以不同的指標(目標值)對兩個電阻元件半成品3'的各個進行電阻值調(diào)整。即，如以下那樣進行微調(diào)工序。首先，對圖3 (A)所示的第二電阻元件3B相關(guān)的一方的電阻元件半成品3'(之后成為圖3 (A)所示的第二電阻元件3B),使微調(diào) 探針(trimming probe)接觸于其兩端的電極(圖2 (A)中的外部端子電極 15Fa和外部端子電極15Fb)，測定電阻元件半成品3'的電阻值，同時，通過激光照射使電阻膜18與玻璃膜19 一起局部地蒸發(fā)，從而形成微調(diào)槽 23 (參照圖10 (G))。通過這樣，縮小電阻元件半成品3'的電流通路，直至成為作為目標的電阻值為止。
通過進行該微調(diào)，調(diào)整圖3 (A)所示的第一NPN型晶體管5A的偏置電流。其結(jié)果是，能夠使電流在第一傳輸線路9A中流通，使發(fā)光部件1A 發(fā)光。另外，其結(jié)果是，形成第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3' 完成后的第二電阻元件3B。在此，玻璃膜19起到的作用是，抑制微調(diào)槽 23形成時的電阻膜18的過度破壞。另外，在發(fā)光部件1B、 1C的情況中，也同樣地對第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'進行微調(diào)。此時的使微調(diào)探針接觸的外部端子電極分別是，圖5 (A)中的外部端子電極15Fe 和外部端子電極15Ff、圖7 (A)中的外部端子電極15Fi和外部端子電極 15Fj。
然后，對另一方的第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'(之后成為圖3 (A)所示的第一電阻元件3A)進行微調(diào)。在該微調(diào)時，使微調(diào)探針接觸于第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'的兩端(圖2(A)中的外部端子電極15Fc和外部端子電極15Fc),使電流在正輸入端7和負輸入端8之間流通，并測定電阻元件半成品3'中流通的電壓值，通過激光照射使電阻元件半成品3'的電阻膜18與玻璃膜19 一起局部地蒸發(fā)，從而形成微調(diào)槽23 (參照圖10 (G))。然后，縮小電阻元件半成品3'的電流通路直至成為作為目標的電壓值為止。
通過進行該第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'的微調(diào)，主要將恒流電路6A向LED2供給的電流值調(diào)整為規(guī)定范圍(例如20mA)。其結(jié)果是，形成第一電阻元件3A相關(guān)的第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'完成后的第一電阻元件3A。另外，在第一電阻元件3A的微調(diào)時，也可以將對第一電阻元件3A外加恒壓時的特定的電流值作為目標值，而進行電阻值的調(diào)整。
另外，在發(fā)光部件1B、 1C、 1D的情況中也進行同樣的微調(diào)。此時，對于發(fā)光部件1B、 1C的第二電阻元件3B相關(guān)的電阻元件半成品3'，接觸微調(diào)探針的外部端子電極分別是，圖5 (A)中的外部端子電極15Ff和外部端子電極15Fe、圖7 (A)中的外部端子電極15Fj和外部端子電極15Fi。另外，對于第一電阻元件3A相關(guān)的電阻元件半成品3'，接觸微調(diào)探針的外部端子電極分別是，圖5 (A)中的外部端子電極15Fh和外部端子電極 15Fg、圖7(A)中的外部端子電極15Fl和外部端子電極15Fk。另外，對于發(fā)光部件1D的第三電阻元件3C相關(guān)的電阻元件半成品3'，接觸微調(diào) 探針的外部端子電極是，外部端子電極15Fp和外部端子電極15Fo。
恒流電路6A，由于通電、或由于光照射，而發(fā)生因第一、第二NPN型晶體管5A、 5B及LED2的發(fā)熱等引起的特性變化。但是，在本發(fā)明實施形態(tài)涉及的微調(diào)工序中，使電流在圖3 (A)所示的正輸入端7和負輸入端8 之間流通的同時進行微調(diào)，從而形成規(guī)定的恒流。因此，由于是在根據(jù)該特性變化的基礎(chǔ)上進行第一電阻元件3A的微調(diào)，因此能夠進行考慮了實際使用時的狀態(tài)的、精度髙的微調(diào)。在進行該微調(diào)工序時，是在測定第一電阻元件3A中流通的電流值的同時進行。也可以取代該電流值，而在測定LED2的光度的同時進行微調(diào)工序。即，將微調(diào)工序結(jié)束的指標作為LED2的光度。將表示在測定LED2的光度的同時進行微調(diào)工序的一例狀態(tài)的簡略圖表示于圖12。圖12中對未經(jīng)過微調(diào)工序的一個發(fā)光部件1A進行了表示，但是，實際上是以下述的分割工序前的狀態(tài)進行該微調(diào)工序。
在圖12中，使未經(jīng)過微調(diào)工序的發(fā)光部件1A (半成品，以下對圖12 的說明相同)動作，同時，使從微調(diào)裝置24發(fā)出的激光25穿破玻璃膜19 而照射于電阻元件半成品3'的電阻膜18部分上，從而在玻璃膜19和電阻膜18上形成微調(diào)槽23。然后，利用光度計26測定伴隨微調(diào)槽23的形成的 LED2的發(fā)光(用符號27表示)的光度變化。得到作為目標的光度的話，則停止激光(用符號25表示)的照射。
在測定LED2的光度的同時進行的微調(diào)工序以及上述的本發(fā)明實施形態(tài)涉及的微調(diào)工序中，以設(shè)有屏蔽手段(例如，圖12所示的屏蔽板28)為佳，其中，屏蔽手段是，使來自相反側(cè)的電路板面?zhèn)鹊墓獠粫M入配置LED2 側(cè)的帶有分割部的大型絕緣電路板4C的正面?zhèn)冗@樣的手段。其理由是因為，若激光25等的光混入LED2發(fā)出的光的話，精度高的LED2的光度的測定變困難。另外，是因為通過該屏蔽手段能夠抑制蒸發(fā)后的電阻膜18及玻璃膜19冷卻而成為粉末狀，并附著于LED2的發(fā)光面，從而影響發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D的光度等的不良情況。該防止粉末附著于LED2的發(fā)光面的效果，在測定第二電阻元件3B的電阻值的同時進行的微調(diào)工序中也能夠得到。另外，該附著防止效果，如圖12所示，由于通過使電路板4上的LED2的配置面和電阻元件半成品3'的配置面不同，即形成為相互相反的面，而使 LED2與電阻元件半成品3'的距離大，因此效果很大。作為該屏蔽手段，可以是在不設(shè)置屏蔽板28、或在設(shè)置屏蔽板28的基礎(chǔ)上，吸入粉末或?qū)⒎?末吹向與LED2相反側(cè)的手段等。另外，屏蔽手段也可以不是圖示那樣的平面方形的箱形狀，而形成為圓筒形狀，或形成為不設(shè)屏蔽板的側(cè)面28b而僅設(shè)有底部28a。
另外，在測定LED2的光度的同時進行微調(diào)工序，與在測定LED2的亮庫的同時進行微調(diào)工序(參照專利文獻l)相比是理想的。所謂的光度是發(fā)光體放出的光的強度，是從光源朝向某一方向的單位立體角所含有的光通量的大小。所謂的亮度，是發(fā)光體的每單位面積的亮度。因此，亮度根據(jù)離光源的距離而值不同，但是，光度不會根據(jù)離光源的距離而值不同。在微調(diào)工序中，能夠設(shè)想到從光源到光度計的距離發(fā)生變化。因此，以在測定LED2的光度的同時進行微調(diào)工序為佳。 (涂層形成工序)
在該工序中，以將通過微調(diào)工序而形成的微調(diào)槽23覆蓋那樣，形成使用了環(huán)氧系樹脂糊槳的樹脂膜，并配置涂層20。因此，以將之前形成的兩個電阻元件3的微調(diào)槽23的雙方均覆蓋那樣，通過絲網(wǎng)印刷而帶狀地配置環(huán)氧樹脂，并將其熱硬化(參照圖IO (H))。在此，涂層20形成為，不會到達電阻膜18與電阻用電極15B的重疊部分。其理由是因為，若覆蓋至電阻膜18與電阻用電極15B的重疊部分的話，該部分的保護膜的尺寸高于凸起21的形成部分，從而存在安裝性變得不佳的情況。
(分割工序)
對接著進行的分割工序進行說明。首先，對將帶有分割部的大型絕緣電路板4C的、縱橫交叉的線狀分割部4B (分割用槽)的縱向或橫向的一方向的分割用槽打開的方向，賦予應力。在該實施形態(tài)中，沿著分割用槽賦予應力，其中，分割用槽沿著薄壁部12B。于是，氧化鋁陶瓷沿著線狀分割部 4B的線而破壞。伴隨于此，位于與破壞了的線狀分割部4B重疊的位置的、大型貫通構(gòu)件12D的貫通構(gòu)件用分割線12E (分割用槽)也被破壞。其結(jié) 果是，能夠得到多個長方形的電路板4E (參照圖11 (H))。以下，將該工序記載為一次分割工序。在圖11 (H)中，為了作圖的方便，僅對貫通構(gòu) 件12側(cè)描繪了長方形的電路板4E，且省略了貫通孔12C內(nèi)的部件。
接著，對將殘留于長方形的電路板4E上的、帶有分割部的大型絕緣電路板4C及大型貫通構(gòu)件12D的另一方的貫通構(gòu)件用分割線12E(分割用槽) 打開的方向，賦予應力。于是，氧化鋁陶瓷沿著線狀分割部4B的線而被破壞。與此同時，位于與破壞了的線狀分割部4B重疊的位置的大型貫通構(gòu)件 12D的分割用槽也被破壞。其結(jié)果是，能夠得到多個帶有貫通構(gòu)件12的單位絕緣電路板4A、即發(fā)光部件1A (參照圖11 (I))。以下，將該工序記載為二次分割工序。在圖ll (I)中，為了作圖的方便，未描繪貫通孔12C 內(nèi)的部件，而僅對貫通構(gòu)件12側(cè)描繪了發(fā)光部件1A。通過以上過程，分割
工序結(jié)束o
在此，也可以不將線狀分割部4B作為分割用槽，而使用切割鋸沿著線狀分割部4B及貫通構(gòu)件用分割線12E縱橫地切斷(分割)。該使用切割鋸的分割，可以對一次及二次分割進行。另外，也可以采用僅對一次分割進行使用切割鋸的分割，而對二次分割使分割用槽打開那樣地賦予應力的方法。該將分割用槽打開那樣地賦予應力的方法，具有能夠降低制造成本的優(yōu)點。另外，使用切割據(jù)的分割，具有分割位置的精度高的優(yōu)點，以及即使在發(fā)光
部件1A、 1B、 1C、 1D小型化了的情況下也能夠容易地對應的優(yōu)點。另外，在進行使用切割鋸的分割時，線狀分割部4B及貫通構(gòu)件用分割線12E也可以不是槽，線狀分割部4B及貫通構(gòu)件用分割線12E也可以是不可見的。
另外，薄壁部12B僅沿著縱橫地形成的線狀分割部4B及貫通構(gòu)件用分割線12E的橫向而設(shè)置。但是，為了精度更高地進行分割工序，以不僅沿著其橫向、也沿著縱向設(shè)置為佳。但是，由于薄壁部12B對發(fā)光部件1A的發(fā)光功能不起作用，因此，在謀求發(fā)光部件1A的小型化方面，以盡可能不設(shè)置薄壁部12B為佳。
(電鍍工序)
接著，在所得到的多個單位絕緣電路板4A的外部端子電極15Fa 15Fd 的正面上，依次進行鎳鍍、焊錫鍍。在這些外部端子電極15Fa 15Fd的正面上，通過上述的滾鍍法分別形成鎳鍍層和焊錫鍍層。以鎳鍍層和焊錫鍍層的厚度分別成為3nm 12pm那樣，調(diào)整電鍍時間、電鍍液的溫度等的電鍍條件而進行。通過以上過程電鍍工序結(jié)束。另外，通過以上過程發(fā)光部件 1A的制造方法結(jié)束。另外，同樣地制造發(fā)光部件1B、 1C、 1D。
以上，對本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D及其制造方法進行了說明，但是，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)各種變更實施是可能的。例如，單位絕緣電路板4A的x/y比的值，可以為l.O、 1.1、 1.2、 1.3、 1.4或1.5等。另外，由于需要緊密地排列多個發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D、伴隨于此能夠緊密地配置多個作為發(fā)光元件的LED2，因此，x/y的值以在1.0 1.3之間為佳。
另外，本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D，具有一個 LED2。但是，也可以使用多個LED2，并將其串聯(lián)和/或并聯(lián)地連接，從而構(gòu)成發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D。
本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D中的、貫通構(gòu)件12、凸緣15C、透光性封固樹脂17、涂層膜20、凸起21、鎳鍍層及焊錫鍍層并不是必需的。因此，也可以省略這些中的一個或多個。另外，在本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D的制造方法中，樹脂密封工序、電鍍工序不是必需的，也可以省略一方或雙方，在電路板4上使用LTCC的情況等中，由于固定工序不是必需的，因此也可以省略。另外，導體15在通過絲網(wǎng)印刷法等形成厚膜之后，也可以對其正面實施鎳一金合金等的板材電鍍(sheet electroplating )。
本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A的制造方法中的固定工序、樹脂密封工序、微調(diào)工序、涂層形成工序、分割工序以及電鍍工序，對于圖4及圖 5所示的發(fā)光部件1B、圖6及圖7所示的發(fā)光部件1C、圖8及圖9所示的發(fā)光部件1D的制造方法中也可以同樣地進行。另外，如上述那樣省略其一部分的工序也可以。
另外，在上述的制造方法中，在形成導體15之后配置了LED2等的部件，但是，也可以在配置了LED2等的部件之后，利用金線16連接各部件而形成恒流電路6A、 6B、 6C、 6D。另外，也可以不使用金線16，而全部利用導體15連接各部件。
另外，在該實施形態(tài)中，驅(qū)動用電路部件的一部分或全部配置于成為發(fā) 光元件的LED2的周圍，但是，從光的分散或部件連接的容易度等方面考慮的話，以其配置在LED2的周圍跨經(jīng)180度以上至360度而被配置為佳。另夕卜，NPN型晶體管5A、 5B以LED2為中心，在同方向上分離略120度而被配置。從光的分散等方面考慮的話，該配置在90度以上180度以下的范圍內(nèi)分離而配置為佳。
進而，在LED2的周圍配置三個以上尺寸高的部件的情況下，以在設(shè)想了以發(fā)光部件為中心而每120度進行三等分的區(qū)域時，在該三等分的區(qū)域中各配置一個以上的部件為佳。另外，金線16的配置也如各實施形態(tài)所示那樣，從光的分散、金線16的連接性等方面考慮的話，以在成為發(fā)光元件的 LED2的周圍跨經(jīng)180度以上而進行配置為佳。由于該效果在金線16的配置為240度以上時會進一步提髙，因此，也可以將金線16配置于LED2的周圍240度以上的范圍。另外，驅(qū)動用電路部件或金線16的配置關(guān)系，可以適用于不存在凹部13的發(fā)光部件。
另外，本發(fā)明實施形態(tài)涉及的發(fā)光部件1A的外部端子電極15Fa 15Fd、發(fā)光部件1B的外部端子電極15Fe 15Fg、發(fā)光部件1C的外部端子電極15Fi 15Fk、發(fā)光部件1D的外部端子電極15Fn 15Fo，可以通過部件的電連接方法，而適當?shù)厥蛊涓髯缘墓δ懿煌＠?，正輸入端、負輸?端的位置、微調(diào)工序中使微調(diào)探針接觸的位置，可以適當?shù)夭煌?br> LED，在LED自身的正向電壓(Vf)中存在偏差，即使是同時生產(chǎn)的 LED,將各LED的亮度正確地控制為一致也是困難的。因此，提出了將LED 與其驅(qū)動用集成電路片整體地組裝于電路板上，并通過該驅(qū)動用集成電路片將各LED的亮度正確地控制為一致的技術(shù)(參照日本公開公報、特開2005-64445號)。但是，由于發(fā)光部件具有l(wèi)ed以外的部件，因此，存在在欲使其光度均勻時僅通過控制led的亮度是不充分的情況。另外，這樣的發(fā)光部件大多作為多個排列的發(fā)光部件組而使用。因此，即使使各發(fā)光部件的光度均勻，也要求盡可能排除作為發(fā)光部件組而使用時的發(fā)光狀態(tài)的不自然。因此，以形成為在降低發(fā)光部件的光度的偏差的同時，即使多個排列而使用的情況下發(fā)光狀態(tài)也自然為佳。發(fā)光部件1a、 1b、 1c、 1d具有這樣的理想的效果(以下，稱為效果a)。
具有效果a的發(fā)光部件，在電路板(電路板4等)面上，配置有發(fā)出光的發(fā)光元件(led2等)及其驅(qū)動用電路部件，發(fā)光元件配置于電路板面的中央，驅(qū)動用電路部件的一部分或全部配置于電路板面上的發(fā)光元件的周圍。采用該構(gòu)成的話，通過發(fā)光元件配置于電路板面的中央，即使在將發(fā)光部件多個排列而使用的情況下，也能夠防止發(fā)光位置的偏移，從而能夠?qū)崿F(xiàn) 自然的發(fā)光狀態(tài)。另外，通過將驅(qū)動用電路部件的一部分或全部配置于電路板面上的發(fā)光元件的周圍，使發(fā)光元件發(fā)出的光反射于驅(qū)動用電路部件，使光不發(fā)生不均勻分布地進行分散，并使發(fā)光狀態(tài)穩(wěn)定化，作為其結(jié)果，能夠降低發(fā)光部件的光度的偏差。
另外，具有效果a的發(fā)光部件，在電路板面上配置有發(fā)出光的發(fā)光元件及其驅(qū)動用電路部件，驅(qū)動用電路部件的一部分或全部，在電路板面上的發(fā)光元件的周圍跨經(jīng)180度以上而被配置。采用該構(gòu)成的話，通過將驅(qū)動用電路部件的一部分或全部配置于電路板面上的發(fā)光元件的周圍，使發(fā)光元件發(fā)出的光反射于驅(qū)動用電路部件，使光不發(fā)生不均勻分布地進行分散，并使發(fā)光狀態(tài)穩(wěn)定化，作為其結(jié)果，能夠降低發(fā)光部件的光度的偏差。另外，通過其配置在電路板面上的發(fā)光元件的周圍跨經(jīng)180度以上而進行，能夠在進一步抑制了光的不均勻分布的狀態(tài)下分散該光。因此，在該構(gòu)成中，即使不將發(fā)光元件配置于電路板面的中央，分散了的光也將發(fā)光位置擴大。其結(jié)果是，在作為多個排列的發(fā)光部件組而使用的情況下，發(fā)光狀態(tài)變自然。
在具有效果a的發(fā)光部件的上述構(gòu)成中，電路板具有凹部(凹部13等),
且在凹部的底面上配置有發(fā)光元件、及其驅(qū)動用電路部件的一部分或全部。通過采用該構(gòu)成，使發(fā)光元件發(fā)出的光反射于凹部的內(nèi)壁面，而使光不發(fā)生不均勻分布地進行分散，并使發(fā)光狀態(tài)穩(wěn)定化，作為其結(jié)果，能夠降低發(fā)光部件的光度的偏差。
在具有效果a的發(fā)光部件的上述構(gòu)成中，設(shè)有具有貫通孔(貫通孔12c 等)的貫通構(gòu)件(貫通構(gòu)件12等)，且貫通構(gòu)件以貫通孔的開口部與電路板面相對那樣而被固定于電路板面，發(fā)光元件、及其驅(qū)動用電路部件的一部分或全部被收容于貫通孔中。通過采用該構(gòu)成，使發(fā)光元件發(fā)出的光反射于貫通孔的內(nèi)壁面，而使光不發(fā)生不均勻分布地進行分散，并使發(fā)光狀態(tài)穩(wěn)定化，作為其結(jié)果，能夠降低發(fā)光部件的光度的偏差。
在具有效果A的發(fā)光部件的上述構(gòu)成中，在凹部或貫通孔的內(nèi)部填充有透光性樹脂，且透光性樹脂僅存在于凹部或貫通孔的內(nèi)部。通過采用該構(gòu) 成，不會成為透光性樹脂從凹部或貫通孔溢出的狀態(tài)。因此，在凹部或貫通孔內(nèi)部穩(wěn)定了的發(fā)光狀態(tài)，不會由于從凹部或貫通孔溢出的、形狀難以固定的透光性樹脂而混亂。
在具有效果A的發(fā)光部件的上述構(gòu)成中，驅(qū)動用電路部件具有多個電阻元件(電阻元件3、 3A、 3B、 3C等)，多個電阻元件配置在與配置發(fā)光元件側(cè)相反側(cè)的電路板面上。通過采用該構(gòu)成，能夠?qū)Ⅱ?qū)動用電路部件配置于電路板的兩面，通過有效地利用電路板面而能夠使發(fā)光元件小型化。
在具有效果A的發(fā)光部件的上述構(gòu)成中，驅(qū)動用電路部件利用其一部分或全部構(gòu)成恒流電路(恒流電路6A、 6B、 6C、 6D等)，恒流電路具有多個電阻元件，多個電阻元件中的兩個以上，配置在與配置發(fā)光元件側(cè)相反側(cè)的電路板面上，且被進行電阻值調(diào)整、以使發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍。通過采用該構(gòu)成，能夠?qū)Ⅱ?qū)動用電路部件配置于電路板的兩面，通過有效地利用電路板面而能夠使發(fā)光部件小型化。另外，能夠高度地維持具有多個電阻元件的恒流電路的、維持恒流的恒流特性。
例如，具有效果A的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D，主要由發(fā)出光的發(fā) 光元件(LED2)、電阻元件3、配置這些的電路板4、以及晶體管5構(gòu)成。在電路板4上，配置有LED2及其驅(qū)動用電路部件的一部分(晶體管5、導體15、凸緣15Ca等、金線16) ， LED2配置于電路板4的面的中央，驅(qū)動用電路部件的一部分或全部，在電路板面上的發(fā)光元件的周圍跨經(jīng)180度以上而被配置。而且，在配置于LED2的周圍的上述驅(qū)動用電路部件中，晶體管5的尺寸高于LED2。而且，例如具有效果A的發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D具有凹部13，在凹部13的底面上配置有LED2、及其驅(qū)動用電路部件的一部分(晶體管5、導體15、凸緣15Ca等、金線16)。而且，例如發(fā)光部件1A、 1B、 1C、 1D，設(shè)有具有成為凹部13的貫通孔12C的貫通構(gòu)件12。該貫通構(gòu)件12，以貫通孔12C的開口部與電路板4的正面相對那樣而被固定于電路板4的正面，LED2及其驅(qū)動用電路部件的一部分(晶體管5A、導體15、凸緣15Ca等、金線16)被收容于貫通孔12C中。而且，在成為凹部13的貫通孔12C的內(nèi)部，填充有透光性樹脂(省略圖示)。該透光性樹脂僅存在于成為凹部13的貫通孔12C的內(nèi)部。而且，驅(qū)動用電路部件具有電阻元件3。該電阻元件配置在與配置LED2側(cè)相反側(cè)的面上。而且，驅(qū) 動用電路部件利用其一部分或全部構(gòu)成恒流電路。該恒流電路具有電阻元件 3。電阻元件3，被進行電阻值調(diào)整、以使LED2的光度成為規(guī)定范圍。
在發(fā)光部件中，大多如發(fā)光部件1A、 1B、 1C那樣使用多個電阻元件。因此，在抑制發(fā)光部件的亮度等的偏差時，必須進行多個電阻元件的調(diào)整。以有效地降低具有多個電阻元件的發(fā)光部件的光度的偏差為佳。發(fā)光部件 1A、 1B、 1C也具有這樣的理想的效果(以下，稱為效果B)。
具有效果B的發(fā)光部件的制造方法，具有第一微調(diào)工序和第二微調(diào)工序；其中，第一微調(diào)工序是，在電路板(電路板4等)面上，配置發(fā)出光的發(fā)光元件(LED2等)及成為其驅(qū)動用電路部件的一部分的多個電阻元件(電阻元件3、 3A、 3B、 3C等)，并對使發(fā)光元件發(fā)光的發(fā)光用電阻元件進行電阻值自身的調(diào)整的工序；第二微調(diào)工序是，以發(fā)光元件發(fā)出的光的光度、或發(fā)光元件中流通的電流值作為指標，對限制向發(fā)光元件供給的電流量的限流用的電阻元件進行的工序。采用該制造方法的話，發(fā)光元件具有發(fā)光用的電阻元件和限流用的電阻元件的多個電阻元件。而且，在第二微調(diào)工序中，將發(fā)光元件發(fā)出的光的光度、或發(fā)光元件中流通的電流值作為指標。即，由于是設(shè)想實際使用發(fā)光部件時的狀態(tài)而進行第二微調(diào)工序，因此，能夠提高電阻值調(diào)整的精度，并降低發(fā)光元件的光度的偏差。
在具有效果B的發(fā)光部件的上述制造方法中，第一微調(diào)工序是在測量其電阻值之后進行。通過采用該方法，對于發(fā)光用的電阻元件的第一微調(diào)工序，能夠通過已經(jīng)普及的片狀電阻器(chip resistor)等的微調(diào)裝置及其成熟的微調(diào)技術(shù)的轉(zhuǎn)用而進行。
在具有效果B的發(fā)光部件的上述制造方法中，驅(qū)動用電路部件具有正輸入端和負輸入端，在正輸入端和負輸入端之間，具有分路的第一傳輸線路 (第一傳輸線路9A等)和第二傳輸線路(第二傳輸線路9B等)，在第一傳輸線路上，從正輸入端側(cè)開始依次配置有發(fā)光元件、NPN型晶體管(NPN 型晶體管5、 5A、 5B等)、限流用的電阻元件，NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端側(cè)而被配置，在第二傳輸線路上，從正輸入端側(cè) 開始依次配置有發(fā)光用的電阻元件、接點，從接點將第三傳輸線路連接于 NPN型晶體管的基極，通過對發(fā)光用的電阻元件以調(diào)整NPN型晶體管的基極電壓那樣進行電阻值自身的調(diào)整，而進行第一微調(diào)工序，然后，進行對于限流用的電阻元件的第二微調(diào)工序。通過采用該方法，能夠通過發(fā)光用的電阻元件的電阻值的調(diào)整而使晶體管閉合，并在使向發(fā)光元件的饋電可靠的狀態(tài)下，進行對于限流用電阻的電阻值調(diào)整。特別是，在使用恒流電路的發(fā)光部件中，由于大多是在集電極和發(fā)射極之間的電流路徑的延伸上連接有發(fā)光元件，因此在制造這樣的發(fā)光部件時是有效的。
在具有效果B的發(fā)光部件的上述制造方法中，發(fā)光元件在兩微調(diào)工序之前形成于電路板的正面，發(fā)光用的電阻元件和限流用的電阻元件，在兩微調(diào)工序之前形成在與電路板的正面相反面的背面。通過采用該方法，能夠在降低了電阻值調(diào)整時的對發(fā)光元件的熱影響等的良好狀態(tài)下，進行電阻值調(diào)整。
在具有效果B的發(fā)光部件的上述制造方法中，在發(fā)光元件與發(fā)光用的電阻元件及限流用的電阻元件之間，設(shè)有屏蔽其之間的空間的屏蔽手段(屏蔽板28等)。通過采用該方法，例如在通過激光的照射而進行電阻值調(diào)整時，能夠抑制從電阻值未調(diào)整的電阻元件半成品噴出的粉末附著于發(fā)光元件的發(fā)光面的情況。另外，例如在通過激光的照射而進行電阻值調(diào)整、且以發(fā) 光元件發(fā)出的光的光度作為指標而進行電阻值調(diào)整時，能夠降低激光的光度的影響。
在具有效果B的發(fā)光部件的上述制造方法中，兩微調(diào)工序是形成縮小發(fā)光用的電阻元件及限流用的電阻元件的電流通路的微調(diào)槽(微調(diào)槽23等) 的工序，并將微調(diào)槽形成時從兩電阻元件噴出的粉末除去。通過采用該構(gòu)成，能夠抑制從電阻元件噴出的粉末附著于發(fā)光元件的發(fā)光面。
具有效果B的發(fā)光部件的制造方法，具有電阻配置工序、配置工序、導體形成工序、第一微調(diào)工序、第二微調(diào)工序以及分割工序；其中，電阻配置工序是，在正面上具有縱橫交叉的線狀分割部的帶有分割部的大型絕緣電路板(帶有分割部的大型絕緣電路板4C等)的背面上，對被線狀分割部(線狀分割部4B等)包圍的一單位的絕緣電路板(以下，稱為單位絕緣電路板 (單位絕緣電路板4A等))的各個，配置使發(fā)光元件發(fā)光的發(fā)光用的電阻元件及限制向發(fā)光元件供給的電流量的限流用的電阻元件；配置工序是，在帶有分割部的大型絕緣電路板的正面上，對單位絕緣電路板的各個配置發(fā)光元件和用于驅(qū)動該發(fā)光元件的驅(qū)動用電路部件的一部分；導體形成工序是，在每一個單位絕緣電路板上配置，以構(gòu)成恒流電路那樣將驅(qū)動用電路部件的相互間連接的導體；第一微調(diào)工序是，在配置工序及連接工序結(jié)束之后，進行帶有分割部的大型絕緣電路板的全部發(fā)光用的電阻元件的電阻值自身的調(diào)整；第二微調(diào)工序是，在第一微調(diào)工序之后，為使配置于單位絕緣電路板的各發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍，而以發(fā)光元件發(fā)出的光的光度或發(fā)光元件中流通的電流值作為指標，對帶有分割部的大型絕緣電路板的全部的限流用的電阻元件進行的工序；分割工序是，在第二微調(diào)工序結(jié)束之后，沿著線狀分割部將帶有分割部的大型絕緣電路板分割為各個單位絕緣電路板。
采用該制造方法的話，發(fā)光元件具有發(fā)光用的電阻元件和限流用的電阻元件的多個電阻元件。而且，在第二微調(diào)工序中，將發(fā)光元件發(fā)出的光的光度、或發(fā)光元件中流通的電流值作為指標。目卩，由于是設(shè)想了實際使用發(fā)光部件時的狀態(tài)而進行第二微調(diào)工序，因此能夠提高電阻值調(diào)整的精度，并降低發(fā)光元件的光度的偏差。另外，由于對帶有分割部的大型絕緣電路板進行各工序，因此能夠有效地制造發(fā)光部件。特別是，由于分別對發(fā)光用電阻和限流用電阻進行電阻值調(diào)整，因此能夠有效地進行微調(diào)工序。
具有效果B的發(fā)光部件，分別在電路板的一方的面上配置有發(fā)出光的發(fā)光元件，在另一方的面上配置有成為電極用電路部件的一部分的電阻元件，并將恒流電路作為發(fā)光元件的驅(qū)動用電路而配置，其中，恒流電路具有在配置于電路板上之后進行了電阻值調(diào)整的至少兩個電阻元件，調(diào)整是使驅(qū) 動用電路動作而進行。采用該發(fā)明的話，由于是設(shè)想了實際使用發(fā)光部件時的狀態(tài)而進行電阻值的調(diào)整，因此，能夠提高電阻值調(diào)整的精度，并降低發(fā) 光元件的光度的偏差。
對為了具有效果B的、發(fā)光部件1A的制造方法進行說明。將LED2及成為其驅(qū)動用電路部件的一部分的第一、第二電阻元件3A、 3B，配置于電路板4面上。然后，對作為使LED2發(fā)光的發(fā)光用電阻元件的第二電阻元件 3B，進行調(diào)整電阻值自身的第一微調(diào)工序。然后，將LED2發(fā)出的光的光度、或LED2中流通的電流值作為指標，對作為限制向LED2供給的電流量的限流用的電阻元件的第一電阻元件3A進行第二微調(diào)工序。另外，LED2 在兩微調(diào)工序之前形成于電路板4的正面，第一、第二電阻元件3A、 3B在兩微調(diào)工序之前，形成于與電路板4的正面相反面的背面。另外，第一微調(diào) 工序在測量其電阻值之后進行。另外，在LED2與第一、第二電阻元件3A、 3B之間，設(shè)有屏蔽其之間的空間的屏蔽手段。進而，兩微調(diào)工序，是形成縮小第一、第二電阻元件3A、 3B的電流通路的微調(diào)槽23的工序。然后，將在該微調(diào)槽23形成時從兩電阻元件噴出的粉末除去。該制造方法，也可以適用于發(fā)光部件1B、 1C。
另外，在為了具有效果B的、發(fā)光部件1A的制造時，驅(qū)動用電路部件具有正輸入端7和負輸入端8 ，在正輸入端7和負輸入端8之間，具有分路的第一傳輸線路9A和第二傳輸線路9B，在第一傳輸線路9A上，從正輸入端7側(cè)開始依次配置有LED2、 NPN型晶體管5A、第一電阻元件3A， NPN 型晶體管5，使其發(fā)射極相比集電極位于負輸入端8側(cè)而被配置。而且，在第二傳輸線路9B上，從正輸入端7側(cè)開始依次配置有第二電阻元件3B、接點IOA，從接點10A將第三傳輸線路9C連接于NPN型晶體管5A的基極。而且，通過以調(diào)整NPN型晶體管5A的基極電壓那樣進行第二電阻元件3B 的電阻值自身的調(diào)整，而對第二電阻元件3B進行第一微調(diào)工序，然后，進行對于第一電阻元件3A的第二微調(diào)工序。該制造方法也可以適用于發(fā)光部件1B、 1C。
以具有上述的效果A或B為目的的發(fā)光部件中，恒流電路并不是必需的。而且，可以取代恒流電路而采用恒壓電路。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光部件，在電路板的背面上形成有被進行了電阻值調(diào)整以使發(fā)出光的發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍的電阻元件，其特征在于，以所述電阻元件、晶體管和/或二極管作為結(jié)構(gòu)元件的恒流電路，對所述發(fā)光元件供給恒流；所述發(fā)光元件、晶體管和/或二極管，形成于所述電路板的正面；所述電路板為長方形，且在將其相對的一對邊的長度作為x、與所述一對邊不同的另一相對的一對邊的長度作為y時，x/y比的值為1以上1.5以下。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述發(fā)光部件具有多個所述電阻元件。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述發(fā)光部件被固定為，具有貫通孔的貫通構(gòu)件的該貫通孔的開口部，與所述電路板的正面相對；所述發(fā)光元件、所述晶體管和/或二極管，被收容于所述貫通孔中。
4. 如權(quán)利要求1、 2或3所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述電阻元件，具有厚膜的電阻膜與成對的厚膜的電阻用電極的雙方接觸的部分；保護所述電阻元件的厚膜的涂層膜，避開所述接觸的部分而形成。
5. 如權(quán)利要求1、 2、 3或4的任意一項所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述電阻元件與所述發(fā)光元件或所述晶體管和/或二極管的電連接，在所述電路板的端面進行。
6. 如權(quán)利要求1、 2、 3、 4或5的任意一項所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述恒流電路具有正輸入端和負輸入端；在所述正輸入端和所述負輸入端之間,具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路；在所述第一傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次連接有所述發(fā)光元件、作為所述晶體管的第一 NPN型晶體管、作為所述電阻元件的第一電阻元件；所述第一 NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于所述負輸入端側(cè) 而被配置；在所述第二傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次連接有作為所述電阻元件的第二電阻元件、作為所述晶體管的第二NPN型晶體管；所述第二 NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于所述負輸入端側(cè) 而被配置；從所述第二傳輸線路的所述第二電阻元件與所述第二 NPN型晶體管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于所述第一NPN型晶體管的基極；從所述第一傳輸線路的所述第一 NPN型晶體管與所述第一電阻元件之間的第二接點，將第四傳輸線路連接于所述第二 NPN型晶體管的基極。
7. 如權(quán)利要求1、 2、 3、 4或5的任意一項所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述恒流電路具有正輸入端和負輸入端；在所述正輸入端和所述負輸入端之間，具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路；在所述第一傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次連接有所述發(fā)光元件、作為所述晶體管的NPN型晶體管、作為所述電阻元件的第一電阻元件；所述NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于所述負輸入端側(cè)而被配置；在所述第二傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次配置有作為所述電阻元件的第二電阻元件、所述二極管，并配置為，從所述二極管的陽極向陰極的方向與從所述正輸入端向所述負輸入端的方向一致；從所述第二傳輸線路的所述第二電阻元件與所述第二 NPN型晶體管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于所述NPN型晶體管的基極。
8. 如權(quán)利要求1、 2、 3、 4或5的任意一項所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述恒流電路具有正輸入端和負輸入端；在所述正輸入端和所述負輸入端之間，具有分路的第一傳輸線路和第二傳輸線路；在所述第一傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次連接有所述發(fā)光元件、作為所述晶體管的NPN型晶體管、作為所述電阻元件的第一電阻元件；所述NPN型晶體管，使其發(fā)射極相比集電極位于所述負輸入端側(cè)而被配置；在所述第二傳輸線路上，從所述正輸入端側(cè)開始依次配置有作為所述電阻元件的第二電阻元件、作為所述二極管的穩(wěn)壓二極管，并配置為，從所述穩(wěn)壓二極管的陽極向陰極的方向與從所述負輸入端向所述正輸入端的方向一致；從所述第二傳輸線路的所述第二電阻元件與所述第二 NPN型晶體管之間的第一接點，將第三傳輸線路連接于所述NPN型晶體管的基極。
9. 如權(quán)利要求1、 3、 4或5的任意一項所述的發(fā)光部件，其特征在于，所述恒流電路具有正輸入端和負輸入端；在所述正輸入端和所述負輸入端之間，從所述正輸入端側(cè)開始依次配置有所述發(fā)光元件、作為所述晶體管的n溝道型場效應晶體管；通過所述電阻元件，所述場效應晶體管的柵極和源極被短路。
10. —種發(fā)光部件的制造方法，其特征在于，具有電阻形成工序，配置工序，導體形成工序，微調(diào)工序以及分割工序；其中，電阻形成工序是，在正面上具有縱橫交叉的線狀分割部、并具有多個單位絕緣電路板的帶有分割部的大型絕緣電路板的背面、且所述單位絕緣電路板各自的背面上，配置未被進行電阻值調(diào)整的電阻元件半成品；其中，所述單位絕緣電路板是，在將被所述線狀分割部包圍的一單位的絕緣電路板 (以下，稱為單位絕緣電路板)各自的、所述縱橫的一方向的邊的長度作為 x、另一方向的邊的長度作為y時，x/y比的值為l以上1.5以下；配置工序是，在所述單位絕緣電路板的各個上，發(fā)出光的發(fā)光元件和所述晶體管和/或二極管，以配置于所述帶有分割部的大型絕緣電路板的正面那樣而形成；導體形成工序是，在每一個所述單位絕緣電路板上配置，以構(gòu)成恒流電路那樣將所述電阻元件半成品、所述發(fā)光元件、所述晶體管和/或所述二極管的相互間連接的導體；微調(diào)工序是，在所述配置工序及所述導體形成工序結(jié)束后，調(diào)整所述各電阻元件半成品的電阻值，以使配置于所述單位絕緣電路板的所述各發(fā)光元件的光度成為規(guī)定范圍；分割工序是，在所述微調(diào)工序結(jié)束后，沿著所述線狀分割部，將所述帶有分割部的大型絕緣電路板分割為各個所述單位絕緣電路板。
11. 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光部件的制造方法，其特征在于，在所述齒位置工序之前設(shè)有固定工序，該固定工序是，將具有多個貫通孔的大型貫通構(gòu)件以所述貫通孔的開口部與所述單位絕緣電路板各自的正面相對那樣，而固定于所述帶有分割部的大型絕緣電路板的正面；在所述分割工序時，連同所述帶有分割部的大型絕緣電路板一起，將大型貫通構(gòu)件分割為各個貫通構(gòu)件。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光部件的制造方法，其特征在于，所述單位絕緣電路板分別具有多個所述電阻元件；在所述微調(diào)工序中，對該多個電阻元件半成品中的兩個以上，進行所述電阻值的調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明提供的發(fā)光部件，在降低LED等發(fā)光元件的光度的偏差的同時，能夠緊密地排列多個發(fā)光元件；發(fā)光部件(1A)，在電路板的背面上形成有被進行了電阻值調(diào)整以使發(fā)出光的發(fā)光元件(LED2)的光度成為規(guī)定范圍的電阻元件(3)；以電阻元件(3)和晶體管(5)作為結(jié)構(gòu)元件的恒流電路，對LED(2)供給恒流；LED(2)、晶體管(5)形成于單位絕緣電路板(5)的正面；單位絕緣電路板(5)為長方形，且在將其相對的一對邊的長度作為x、與該一對邊不同的另一相對的一對邊的長度作為y時，x/y比的值為1～1.25；另外，該發(fā)光部件(1A)具有兩個電阻元件(3)，并對兩個電阻元件(3)的雙方實施電阻值調(diào)整(微調(diào))。
文檔編號H01L33/00GK101617413SQ20088000564
公開日2009年12月30日申請日期2008年2月15日優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日
發(fā)明者大場武吉, 山本靜男, 畠中滿, 高山利治申請人:Koa株式會社

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