專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為提供一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，尤指利用一射出成型技術(shù)在一發(fā)光二 極管芯片上成型一熒光粉體，即可精確控制熒光粉體涂布在發(fā)光二極管芯片的形狀，進(jìn)而提 高發(fā)光二極管的質(zhì)量穩(wěn)定性及色彩均勻度。
背景技術(shù)：
目前白光發(fā)光二極管(LightEmitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)LED)的主流制造方式為熒光粉轉(zhuǎn)換 技術(shù)，是通過(guò)一藍(lán)光發(fā)光二極管芯片發(fā)出藍(lán)光來(lái)激發(fā)涂布在上方的一熒光粉體，將部分藍(lán)光 轉(zhuǎn)換成黃光，再與藍(lán)光發(fā)光二極管的藍(lán)光混合為白光；在一遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的熒光粉 封裝工藝中，是通過(guò)一藍(lán)光發(fā)光二極管芯片發(fā)出藍(lán)光來(lái)激發(fā)涂布在一膠體(其材質(zhì)選自 一環(huán) 氧樹(shù)脂及一硅膠其中之一)上方的一熒光粉體，將部分藍(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光，再與藍(lán)光發(fā)光二極 管的藍(lán)光混合為白光，此遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的工藝的熒光粉封裝可讓白光發(fā)光二極管產(chǎn) 生較高的發(fā)光效率。然而，前述白光發(fā)光二極管的質(zhì)量穩(wěn)定性及色彩均勻度主要受限于熒光粉體在發(fā)光二極 管芯片上涂布的濃度、體積以及位置，其中最為重要的因素莫過(guò)于熒光粉體在發(fā)光二極管芯 片上涂布的形狀。熒光粉封裝工藝在白光發(fā)光二極管制造過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用，其基本封裝工藝已 被掌握，擁有一定基礎(chǔ)的發(fā)光二極管廠商都可以做出足夠亮度的白光，但是，公知熒光粉封 裝工藝中大部份是利用一滴定的方式在一發(fā)光二極管芯片上涂布一熒光粉體，滴定的方式并 無(wú)法精確的控制熒光粉體涂布的形狀，而大幅影響白光發(fā)光二極管的光學(xué)色彩質(zhì)量，進(jìn)而造 成市面上的白光發(fā)光二極管在許多照明應(yīng)用上，常會(huì)發(fā)現(xiàn)在空間中會(huì)產(chǎn)生色溫分布不均勻的 現(xiàn)象(即黃暈現(xiàn)象)，并且由于熒光粉沉淀的關(guān)系，造成每顆發(fā)光二極管的色溫(Color Temperature ，簡(jiǎn)稱(chēng)CT)偏差，導(dǎo)致發(fā)光二極管在照明應(yīng)用上的困難。另外，目前在遠(yuǎn)離 (Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝中并無(wú)一較佳的工藝技術(shù)，故而提出本案專(zhuān)利的申請(qǐng)。發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中利用一滴定的方式在一發(fā)光二極管芯片上涂布一熒光粉體，導(dǎo)致所述熒光粉體在所述發(fā)光二極管芯片上涂布的形狀不均勻，進(jìn)而影響所述發(fā)光二極管的質(zhì)量穩(wěn) 定性及色彩均勻度的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝。本發(fā)明的一目的，在提供一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，所述封裝工藝是利用一射 出成型技術(shù)在一發(fā)光二極管芯片上成型一熒光粉體，再在所述熒光粉體的外部成型一發(fā)光二 極管透鏡，進(jìn)而完成一發(fā)光二極管的封裝。本發(fā)明的另一目的，在提供一種遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝，其是在一發(fā) 光二極管芯片上成型一膠體后，利用一射出成型技術(shù)在所述膠體上成型一熒光粉體，再在所 述熒光粉體的外部成型一發(fā)光二極管透鏡，其中所述膠體的大小及形狀是對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光二 極管芯片與所述熒光粉體間的距離，進(jìn)而完成一發(fā)光二極管的封裝。此一封裝工藝將具有下 列的優(yōu)點(diǎn)一、 利用一射出成型技術(shù)來(lái)精確掌控一熒光粉體的形狀，進(jìn)而制作出一高效率、高色彩 均勻度的發(fā)光二極管光源。二、 可精確掌控一熒光粉體的均勻程度，改善白光發(fā)光二極管在空間中色溫分布不均勻 的現(xiàn)象。三、 可隨意改變熒光粉體制作的形狀，且所述形狀參數(shù)不受限制。四、 熒光粉體與發(fā)光二極管透鏡一體成型，可簡(jiǎn)化封裝工藝。五、 所述封裝工藝提供了更多樣性的設(shè)計(jì)，并可完全取代習(xí)知的滴定的方式，又可達(dá)成 一遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝。六、 所述封裝工藝可運(yùn)用在發(fā)光二極管芯片的封裝業(yè)與照明業(yè)上。


圖l為本發(fā)明發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝的示意圖；圖2為本發(fā)明于發(fā)光二極管中進(jìn)行遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝的示意圖；圖3為本發(fā)明發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝的流程圖。
具體實(shí)施方式
為便于貴審査員能對(duì)本發(fā)明的技術(shù)手段及運(yùn)作過(guò)程有更進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)與了解，現(xiàn)舉一實(shí) 施例配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。本發(fā)明是一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，參閱圖l所示，提供一封裝基板ll，封裝 基板11具有至少一承載表面12，承載表面12上配置有一發(fā)光二極管芯片13，當(dāng)在進(jìn)行發(fā)光二 極管芯片13上的熒光粉封裝工藝時(shí)，利用一射出成型技術(shù)在發(fā)光二極管芯片13上成型一熒光5粉體14，待熒光粉體14進(jìn)行固化(選自一冷卻固化及一烘烤固化其中之一)后，再在熒光粉 體14的外部使用一透明光學(xué)材質(zhì)(選自一玻璃、 一硅膠及一樹(shù)酯其中之一)來(lái)成型一發(fā)光二 極管透鏡15，然后，再將發(fā)光二極管透鏡15與封裝基板11結(jié)合，以完成一發(fā)光二極管的熒光 粉封裝工藝。前述發(fā)光二極管透鏡15也可預(yù)先成型，再設(shè)在熒光粉體14的外部，其成型方式可為一射 出成型技術(shù)，但不限定于此方式；另外，熒光粉體14所射出成型的一模具，其大小及形狀( 選自一水平狀、 一波浪狀、 一弧形狀及一不規(guī)則狀其中的一)可根據(jù)實(shí)際需要而加以變化， 由此，即可利用射出成型技術(shù)來(lái)精確地掌控?zé)晒夥垠w14在發(fā)光二極管芯片13上所涂布的形狀參閱圖2所示，在前述發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝中，當(dāng)發(fā)光二極管在進(jìn)行一遠(yuǎn)離 (Remote)芯片涂布的工藝時(shí)，進(jìn)一步會(huì)在發(fā)光二極管芯片13上使用一塑料材質(zhì)(選自 一環(huán)氧 樹(shù)脂及一硅膠其中之一)來(lái)成型一膠體21，而后再利用前述的射出成型技術(shù)在膠體21上成型 一熒光粉體14，再進(jìn)行熒光粉體14的固化后，再在熒光粉體14的外部成型一發(fā)光二極管透鏡 15;其中膠體21的大小及形狀對(duì)應(yīng)于發(fā)光二極管芯片13與熒光粉體14間的距離；此外，膠體 21的成型方式可為一射出成型技術(shù)，但不限定于此方式。參閱圖3所示，前述發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，根據(jù)下列步驟進(jìn)行處理步驟301首先，提供一封裝基板ll，封裝基板11具有至少一承載表面12，承載表面12上 配置有一發(fā)光二極管芯片13;步驟302利用一射出成型技術(shù)在發(fā)光二極管芯片13上成型一熒光粉體14;步驟303待熒光粉體14進(jìn)行固化(選自一冷卻固化及一烘烤固化其中之一)后，再在熒 光粉體14的外部使用一透明光學(xué)材質(zhì)(選自一玻璃、 一硅膠及一樹(shù)酯其中的一)來(lái)成型一發(fā) 光二極管透鏡15;步驟304再將發(fā)光二極管透鏡15與封裝基板11結(jié)合，如此，即完成本發(fā)明的發(fā)光二極管 的熒光粉封裝工藝。在前述發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝的處理步驟中，當(dāng)發(fā)光二極管在進(jìn)行一遠(yuǎn)離 (Remote)芯片涂布的工藝時(shí)，進(jìn)一步會(huì)在步驟302中的發(fā)光二極管芯片13上使用一塑料材質(zhì)( 選自一環(huán)氧樹(shù)脂及一樹(shù)酯其中之一)來(lái)成型一膠體21，而后再利用前述的射出成型技術(shù)在膠 體21上成型一熒光粉體14，再進(jìn)行步驟303的所述熒光粉體14的固化；其中膠體21的大小及 形狀對(duì)應(yīng)于發(fā)光二極管芯片13與熒光粉體14間的距離。本發(fā)明的封裝工藝可改善習(xí)用技術(shù)關(guān)鍵在于一、 利用射出成型技術(shù)來(lái)精確掌控?zé)晒夥垠w14的形狀，進(jìn)而制作出一高效率、高色彩均 勻度的發(fā)光二極管13光源。二、 可精確掌控?zé)晒夥垠w14的均勻程度，改善白光發(fā)光二極管在空間中色溫分布不均勻 的現(xiàn)象及熒光粉沉淀的現(xiàn)象，以達(dá)到高效率、定色溫及工藝穩(wěn)定的發(fā)光二極管芯片13光源。三、 可隨意改變熒光粉體14制作的形狀，且形狀參數(shù)不受限制。四、 由于熒光粉體14與發(fā)光二極管透鏡15是一體成型，因此可簡(jiǎn)化封裝工藝。五、 封裝工藝提供了更多樣性的設(shè)計(jì)，并可完全取代習(xí)知的滴定的方式，又可達(dá)成遠(yuǎn)離 (Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝。六、 本發(fā)明的封裝工藝可運(yùn)用在發(fā)光二極管芯片13的封裝業(yè)與照明業(yè)上。 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此即限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是在本發(fā)明特征范圍內(nèi)所作的其它等效變化或修飾，均應(yīng)包括在本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，包括一封裝基板，所述封裝基板具有至少一承載表面，所述承載表面上配置有一發(fā)光二極管芯片，當(dāng)在進(jìn)行所述發(fā)光二極管芯片上的熒光粉封裝工藝時(shí)，根據(jù)下列步驟進(jìn)行處理利用一射出成型技術(shù)在所述發(fā)光二極管芯片上成型一熒光粉體；待所述熒光粉體進(jìn)行固化后，再在所述熒光粉體的外部使用一透明光學(xué)材質(zhì)來(lái)成型一發(fā)光二極管透鏡；再將所述發(fā)光二極管透鏡與所述封裝基板結(jié)合，以完成一發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝。
2 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 當(dāng)所述發(fā)光二極管在進(jìn)行一遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的工藝時(shí)，進(jìn)一步會(huì)在所述發(fā)光二極管芯 片上使用一塑料材質(zhì)來(lái)成型一膠體，而后再利用所述射出成型技術(shù)在所述膠體上成型一熒光 粉體。
3 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述熒光粉體所射出成型的一模具，其大小及形狀選自一水平狀、 一波浪狀、 一弧形狀及一 不規(guī)則狀其中之一。
4 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述熒光粉體的固化方式，選自一冷卻固化及一烘烤固化其中之一。
5 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述透明光學(xué)材質(zhì)選自一玻璃、 一硅膠及一樹(shù)酯其中之一。
6 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述發(fā)光二極管透鏡的成型方式為一射出成型技術(shù)。
7 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述膠體的大小及形狀是對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光二極管芯片與所述熒光粉體間的距離。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述塑料材質(zhì)選自 一環(huán)氧樹(shù)脂及一硅膠其中之一 。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，其特征在于 所述膠體的成型方式為一射出成型技術(shù)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝，是利用一射出成型技術(shù)在一發(fā)光二極管芯片上成型一熒光粉體，再在所述熒光粉體的外部成型一發(fā)光二極管透鏡，進(jìn)而完成一發(fā)光二極管的熒光粉封裝工藝；如此，即可精確控制所述熒光粉體涂布在所述發(fā)光二極管芯片的形狀，以制作出一高效率、高色彩均勻度的發(fā)光二極管光源；所述工藝還可在發(fā)光二極管芯片上成型一膠體后，利用射出成型技術(shù)在所述膠體上成型一熒光粉體，再在所述熒光粉體的外部成型一發(fā)光二極管透鏡，進(jìn)而完成一遠(yuǎn)離(Remote)芯片涂布的熒光粉封裝工藝。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101645479SQ200810305598
公開(kāi)日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2008年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月5日
發(fā)明者吳俊德, 孫慶成, 李宗憲 申請(qǐng)人:國(guó)立中央大學(xué)