專(zhuān)利名稱(chēng)：電傳導(dǎo)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電傳導(dǎo)裝置。
背景技術(shù)：
電子設(shè)備的各器件之間通常由多塊金屬片搭接方式進(jìn)行電傳導(dǎo)，尤其是在電路板 的接地設(shè)計(jì)上應(yīng)用較多。 現(xiàn)有的金屬片之間一般通過(guò)設(shè)置若干熱熔點(diǎn)，進(jìn)行熱熔搭接。然而，熱熔搭接時(shí)會(huì) 在熱熔點(diǎn)施加壓力，如此，金屬片之間僅在熱熔點(diǎn)的部分接觸，而其它部分會(huì)蹺起而產(chǎn)生縫 隙，使得金屬片之間的接觸面積較小，阻抗較大，從而導(dǎo)致導(dǎo)電性能較低。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種提高導(dǎo)電性能的電傳導(dǎo)裝置。 —種電傳導(dǎo)裝置包括至少兩個(gè)導(dǎo)電體。所述導(dǎo)電體之間通過(guò)熱熔連接。所述第二 導(dǎo)電體上設(shè)有凸起，所述凸起抵接于第一導(dǎo)電體上。 上述電傳導(dǎo)裝置通過(guò)在第二導(dǎo)電體上設(shè)置凸起，并通過(guò)熱熔連結(jié)方式使凸起緊密 抵于第一導(dǎo)電體之上，使導(dǎo)電體之間的接觸面積增大，接觸阻抗降低，從而提高了電傳導(dǎo)裝 置的導(dǎo)電性能。


圖1為一較佳實(shí)施方式之電傳導(dǎo)裝置的示意圖。
圖2為圖1所示之電傳導(dǎo)裝置的剖面圖。 圖3為另一較佳實(shí)施方式之電傳導(dǎo)裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參看圖l，電傳導(dǎo)裝置IOO用于對(duì)被電傳導(dǎo)器件，如電路板，IC等進(jìn)行電傳導(dǎo)。 電傳導(dǎo)裝置100包括第一導(dǎo)電體10以及部分搭接于第一導(dǎo)電體10上的第二導(dǎo)電體20。其 中，電傳導(dǎo)裝置100的形狀可以是任意形狀，可以與被電傳導(dǎo)器件形狀相適配，如L字型、凹 字形、口字型等。第一導(dǎo)電體10和第二導(dǎo)電體20可為金屬片，且其數(shù)量可根據(jù)電傳導(dǎo)裝置 100的形狀而確定。例如，在本實(shí)施例中，電傳導(dǎo)裝置100為L(zhǎng)型時(shí)，電傳導(dǎo)裝置100包括一 個(gè)第一導(dǎo)電體10和一個(gè)第二導(dǎo)電體20，使第一導(dǎo)電體10和第二導(dǎo)電體20垂直放置且末端 搭接，形成一L字型。 請(qǐng)結(jié)合參看圖2，第一導(dǎo)電體10設(shè)有至少一個(gè)第一開(kāi)孔12。第二導(dǎo)電體20部分 搭接于第一導(dǎo)電體10上。第二導(dǎo)電體20包括與第一開(kāi)孔12相應(yīng)數(shù)目的第二開(kāi)孔22、以及 分布于第二開(kāi)孔22周?chē)耐蛊?4。凸起24形成于第二導(dǎo)電體20與第一導(dǎo)電體10相對(duì)的 表面上，其是自第二導(dǎo)電體20遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電體IO—側(cè)的表面向內(nèi)沖壓而成的半球體狀沖 壓部。
第二導(dǎo)電體20搭接于第一導(dǎo)電體10上時(shí)，第一導(dǎo)電體10的每一第一開(kāi)孔12和 第二導(dǎo)電體20的一第二開(kāi)孔22同軸設(shè)置，凸起24支撐于第一導(dǎo)電體10與第二導(dǎo)電體20 相對(duì)的表面上。電傳導(dǎo)裝置100通過(guò)往第一開(kāi)孔12和第二開(kāi)孔22中填充熱熔材料30，然 后對(duì)熱熔材料進(jìn)行加熱后再加壓以使第二導(dǎo)電體20的凸起24緊密抵于第一導(dǎo)電體10之 上，從而第二導(dǎo)電體20和第一導(dǎo)電體10之間的接觸面積增大，亦即第二導(dǎo)電體20和第一 導(dǎo)電體10之間接觸阻抗降低。 上述實(shí)施例中，電傳導(dǎo)裝置100僅包括一塊第一導(dǎo)電體10和一塊第二導(dǎo)電體20。 在其它實(shí)施方式中，電傳導(dǎo)裝置100包括多個(gè)第一導(dǎo)電體10和多個(gè)第二導(dǎo)電體20。如圖3 所示，例如電傳導(dǎo)裝置100為口字形時(shí)，電傳導(dǎo)裝置100包括兩塊第一導(dǎo)電體10和兩塊第 二導(dǎo)電體20，且兩塊第一導(dǎo)電體10相對(duì)設(shè)置和兩塊第二導(dǎo)電體20相對(duì)設(shè)置，并使每第二導(dǎo) 電體20的首尾分別搭接于兩第一導(dǎo)電體10上，從而可形成一口字型。以此類(lèi)推，若電傳導(dǎo) 裝置100為其它形狀，第二導(dǎo)電體20的形狀或者數(shù)量亦隨之發(fā)生相應(yīng)的變化以搭接為相應(yīng) 的形狀。 上述電傳導(dǎo)裝置100通過(guò)在第二導(dǎo)電體20上設(shè)置凸起24，并通過(guò)熱熔連結(jié)方式使 第二導(dǎo)電體20的凸起24緊密抵于第一導(dǎo)電體10之上，從而使第二導(dǎo)電體20和第一導(dǎo)電 體IO之間的接觸面積增大，阻抗降低，提高了電傳導(dǎo)裝置100的導(dǎo)電性能。
權(quán)利要求
一種電傳導(dǎo)裝置，其包括第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體，所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體之間通過(guò)熱熔連接，其特征在于所述第二導(dǎo)電體上設(shè)有凸起，所述凸起抵接于所述第一導(dǎo)電體上。
2. 如權(quán)利要求1所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述凸起分布于所述第一導(dǎo)電體和 第二導(dǎo)電體熱熔連接位置的周?chē)?br> 3. 如權(quán)利要求1所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述凸起呈球體狀。
4. 如權(quán)利要求1所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述凸起是沖壓形成的。
5. 如權(quán)利要求1所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述第二導(dǎo)電體設(shè)置有若干第二開(kāi) 孔，所述第二開(kāi)孔中容置有熱熔材料，以使第一導(dǎo)電體與所述第二導(dǎo)電體熱熔連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述第一導(dǎo)電體上設(shè)置有與所述第 二開(kāi)孔相對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)孔。
7. 如權(quán)利要求6所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述第一開(kāi)孔與所述第二開(kāi)孔同軸 設(shè)置。
8. 如權(quán)利要求5所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述凸起分布于所述第二開(kāi)孔的周?chē)?br> 9. 如權(quán)利要求1所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述導(dǎo)電體為金屬片。
10. 如權(quán)利要求l所述的電傳導(dǎo)裝置，其特征在于所述電傳導(dǎo)裝置的形狀與被電傳導(dǎo) 器件形狀相適配。
全文摘要
一種電傳導(dǎo)裝置包括至少兩個(gè)導(dǎo)電體。所述導(dǎo)電體之間通過(guò)熱熔連接。所述第二導(dǎo)電體上設(shè)有凸起，所述凸起抵接于所述第一導(dǎo)電體上。
文檔編號(hào)H01R13/02GK101728657SQ20081030525
公開(kāi)日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者黃志文 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司