專利名稱：發(fā)光二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤指一種發(fā)光二極管的封裝改良結(jié)構(gòu)及制備方法。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，從一般鎢絲燈發(fā)展到現(xiàn)在的冷陰極熒光燈管(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)及發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)，皆是朝向體積 縮小的方向發(fā)展。
而目前CCFL因?yàn)轶w積幾乎是不能再縮小，而且CCFL升壓到600伏特電壓時(shí)會(huì)發(fā)生干擾， 另外CCFL會(huì)造成汞污染的問題，使得部分國(guó)家也將予以禁用。而LED具有環(huán)保、亮度高、省 電、壽命長(zhǎng)等諸多特點(diǎn)，所以LED將漸漸取代CCFL。然，發(fā)光二極管均為向正前方射出光線 ，出射角度較小，不能滿足大角度出光的需求。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種出射角度較大的發(fā)光二極管及其制備方法。 一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管晶粒以及封裝體，該封裝體包括包覆于該發(fā)光二極管 晶粒外圍的第一封裝體及散布于第一封裝體內(nèi)的第二封裝體顆粒，該第二封裝體顆粒內(nèi)散布 若干起散射作用的納米粒子。
一種發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟提供融化的透光材料、溶劑及納米粒子， 將透光材料、溶劑及納米粒子混合形成一混合溶液；使混合溶液發(fā)生聚合反應(yīng)形成微米級(jí)顆 粒，所得到的微米級(jí)顆粒的融化溫度高于透光材料的融化溫度，該微米級(jí)顆粒內(nèi)散布有納米 粒子；提供融化的透光材料，將微米級(jí)顆粒加入到融化的透光材料中；提供基座及發(fā)光二極 管晶粒，將發(fā)光二極管晶粒固設(shè)于基座內(nèi)，將融化且含有微米級(jí)顆粒的透光材料注入基座內(nèi) 并降溫固化成含有微米級(jí)顆粒的封裝體，該封裝體包覆于發(fā)光二極管晶粒的外圍形成發(fā)光二 極管。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體內(nèi)的納米粒子具有散射作用，當(dāng)光線遇 到散射粒子時(shí)，光線產(chǎn)生多重散射，使得光線被擴(kuò)散至較寬的角度范圍，擴(kuò)大發(fā)光二極管的 出射角。


圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
4圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝體的制備方法的一較佳實(shí)施例的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，發(fā)光二極管1包括基座2、發(fā)光二極管晶粒3及封裝體4?；?由絕緣材料制 成，包括上表面21及下表面22，上表面21與下表面22相對(duì)設(shè)置，基座2的中央開設(shè)有一盲孔 23，基座2于盲孔23的外圍形成一內(nèi)壁面231，基座2于盲孔23的底部形成一底面232。該盲孔 23提供發(fā)光二極管晶粒3及封裝體4的容置空間，其上寬下窄，基座2的內(nèi)壁面231自上表面 21向底面232方向并沿徑向向內(nèi)傾斜，自基座2的底面232向下開設(shè)相互隔開的第一導(dǎo)電柱24 及第二導(dǎo)電柱25，第一導(dǎo)電柱24及第二導(dǎo)電柱25分別自底面232貫通至下表面22，底面232設(shè) 置相互隔開的第一內(nèi)電極28及第二內(nèi)電極29，下表面22設(shè)置相互絕緣的第一外電極26及第二 外電極27，第一內(nèi)電極28及第一外電極26分別位于第一導(dǎo)電柱24的二端并通過第一導(dǎo)電柱24 電連接，第二內(nèi)電極29及第二外電極27分別位于第二導(dǎo)電柱25的二端并通過第二導(dǎo)電柱25電 連接。
發(fā)光二極管晶粒3固設(shè)于第一內(nèi)電極28上，發(fā)光二極管晶粒3包括第一電極31及第二電極 32，第一電極31與第一內(nèi)電極28電連接，第二電極32通過一導(dǎo)線5與第二內(nèi)電極29電連接。
封裝體4填充于基座2的盲孔23內(nèi)，封裝體4包括第一封裝體41及若干呈球狀的第二封裝 體顆粒42，第一封裝體41包覆于發(fā)光二極管晶粒3的外圍，第二封裝體顆粒42散布于第一封 裝體41內(nèi)，第二封裝體顆粒42的折射率大于第一封裝體41的折射率，且第二封裝體顆粒42的 融化溫度大于第一封裝體41的融化溫度。第一封裝體41由透光材料制成，如環(huán)氧樹脂、硅膠 、壓克力等。第二封裝體顆粒42為微米級(jí)球狀顆粒，第二封裝體顆粒42內(nèi)分布若干納米粒子 43，納米粒子43為Al203、 Si0x或Ti0x， x值介于r2之間，納米粒子43大小為2納米 20納米之 間。當(dāng)發(fā)光二極管1發(fā)出的光線射到第二封裝體顆粒42時(shí)，由于第二封裝體顆粒42的折射率 大于第一封裝體41的折射率，這可避免發(fā)生全反射，光線均可射入第二封裝體顆粒42中，光 線進(jìn)入第二封裝體顆粒42后，由于納米粒子43具有散射作用，當(dāng)光線遇到納米粒子43時(shí)，光 線產(chǎn)生多重散射，使得光線被擴(kuò)散至較寬的角度范圍。
進(jìn)一步而言，本發(fā)明將納米粒子43分布于微米級(jí)的第二封裝體顆粒42，原因是納米粒子 43之間存在表面力，如果直接將納米粒子43添入第一封裝體41內(nèi)，納米粒子43容易出現(xiàn)聚集 現(xiàn)象，造成發(fā)光二極管1的封裝體4內(nèi)納米粒子43分布不均勻，這會(huì)使得納米粒子43密集的區(qū) 域光線出射角較大，而納米粒子43稀少的區(qū)域光線出射角度較小，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管l出 光不均勻，亦不能達(dá)到增加出光角度的作用。本發(fā)明所采用的第二封裝體顆粒為微米級(jí)顆粒 ，其表面力較少，則第二封裝體顆粒42分布于第一封裝體41內(nèi)時(shí)不會(huì)出現(xiàn)聚集現(xiàn)象，本發(fā)明先通過將納米粒子43加入到微米級(jí)的第二封裝體顆粒42中，再將第二封裝體顆粒42分布于第 一封裝體41內(nèi)，使得納米粒子43均勻分布于第一封裝體41內(nèi)，既可散射發(fā)光二極管l發(fā)出的 光線，增加出射角，又可避免納米粒子43聚集導(dǎo)致出光不均勻。
如圖2所示，以乳化聚合法為例描述發(fā)光二極管封裝體的制備方法，包括以下步驟 提供互相溶解的透光材料、溶劑及納米粒子，將融化的透光材料、溶劑及納米粒子混合 形成一混合溶液，其中溶劑包括水、乳化劑，乳化劑為十二烷基硫酸鈉；
攪拌并加熱混合溶液，使得混合溶液發(fā)生乳化聚合反應(yīng)形成微米級(jí)顆粒，微米級(jí)顆粒內(nèi) 散布有若干納米粒子，所得到的微米級(jí)顆粒的融化溫度大于透光材料的融化溫度，且微米級(jí) 顆粒的折射率大于透光材料的折射率，該微米級(jí)顆粒作為發(fā)光二極管1的第二封裝體顆粒42
提供融化的透光材料，將微米級(jí)顆粒加入到融化的透光材料中，并攪拌均勻，使得微米 級(jí)顆粒均勻散布于融化的透光材料中；
將已經(jīng)融化且含有微米級(jí)顆粒的透光材料注入到發(fā)光二極管l的基座2內(nèi)并降溫固化成封 裝體4，封裝體4包覆于發(fā)光二極管晶粒3的外圍形成發(fā)光二極管。
另，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，如采用懸浮聚合法制備微米級(jí)顆 粒，采用懸浮聚合法時(shí)采用分散劑替代乳化劑，分散劑為聚氧乙烯、聚乙烯基或聚丙烯酸中 一種，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在 本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管晶粒以及封裝體，其特征在于，該封裝體包括包覆于該發(fā)光二極管晶粒外圍的第一封裝體及散布于第一封裝體內(nèi)的第二封裝體顆粒，該第二封裝體顆粒內(nèi)散布若干起散射作用的納米粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二封裝體顆 粒的大小為微米級(jí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，納米粒子大小為 2納米 20納米之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，納米粒子為 A1203、 SiOx或TiOx， x值介于l 2之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二封裝體顆 粒通過聚合反應(yīng)制成，第二封裝體顆粒的融化溫度大于第一封裝體的融化溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二封裝體顆 粒的折射率大于第一封裝體的折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管，其特征在于，第一封裝體的材 料為壓克力、環(huán)氧樹脂或有機(jī)硅中一種。
8.一種發(fā)光二極管的制備方法，包括以下步驟 提供融化的透光材料、溶劑及納米粒子，將透光材料、溶劑及納米粒子混合形成一混 合溶液；使混合溶液發(fā)生聚合反應(yīng)形成微米級(jí)顆粒，所得到的微米級(jí)顆粒的融化溫度高于透光 材料的融化溫度，該微米級(jí)顆粒內(nèi)散布有納米粒子；提供融化的透光材料，將微米級(jí)顆粒加入到融化的透光材料中；提供基座及發(fā)光二極管晶粒，將發(fā)光二極管晶粒固設(shè)于基座內(nèi)，將融化且含有微米級(jí) 顆粒的透光材料注入基座內(nèi)并降溫固化成含有微米級(jí)顆粒的封裝體，該封裝體包覆于發(fā)光二 極管晶粒的外圍形成發(fā)光二極管。
9 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，該聚 合反應(yīng)采用乳化聚合法，該溶劑包括水及乳化劑，乳化劑為十二烷基硫酸鈉。
10 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，該 聚合反應(yīng)采用懸浮聚合法，該溶劑包括水及分散劑，分散劑為聚氧乙烯、聚乙烯基或聚丙烯 酸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管晶粒以及封裝體，該封裝體包括包覆于該發(fā)光二極管晶粒外圍的第一封裝體及散布于第一封裝體內(nèi)的第二封裝體顆粒，該第二封裝體顆粒內(nèi)散布有起散射作用的納米粒子。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝體內(nèi)的納米粒子具有散射作用，當(dāng)光線遇到散射粒子時(shí)，光線產(chǎn)生多重散射，使得光線被擴(kuò)散至較寬的角度范圍，擴(kuò)大發(fā)光二極管的出射角。本發(fā)明還公開一種發(fā)光二極管的制備方法。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101661983SQ20081030420
公開日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2008年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月26日
發(fā)明者張家壽 申請(qǐng)人:富準(zhǔn)精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司