專利名稱：晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法和粘接薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將在表面上多個分割道形成格子狀并且在通過該多個分割 道劃出的多個區(qū)域上形成有器件的晶片的背面上安裝的粘接薄膜，沿著器 件斷開的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法和粘接薄膜。
背景技術(shù)：
例如，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片的表
面上通過形成格子狀的稱為分割道(street)的分割預(yù)定線劃出的多個區(qū)域 上形成IC、 LSI等的器件，沿著分割道對形成有該器件的各區(qū)域進(jìn)行分割 來制造各個器件。
分割為個體的器件的背面上安裝有環(huán)氧樹脂等形成的厚度為20~40 y m的稱為芯片粘結(jié)薄膜(,< 7夕7 * 7 ^ a厶die attach fiim)的用于
管芯焊接(, < 求 > 亍'^ >夕"die bonding)的粘接薄膜，通過在經(jīng)由該粘 接薄膜支撐器件的管芯焊接框架上進(jìn)行加熱壓焊來實(shí)施管芯焊接。作為在 器件背面安裝用于管芯焊接的粘接薄膜的方法，可以在半導(dǎo)體晶片的背面 貼附粘接薄膜，經(jīng)由該粘接薄膜將半導(dǎo)體晶片貼附到切割帶(dicingtape) 上，然后沿著在半導(dǎo)體晶片表面上形成的分割道用切削刀具將半導(dǎo)體晶片 與粘接薄膜一起切斷，從而形成背面安裝有粘接薄膜的器件(例如，參照 專利文獻(xiàn)l)。
專利文獻(xiàn)l:日本特開2000-182995號公報(bào)
但是，在通過切削刀具將半導(dǎo)體晶片和粘接薄膜一起切斷時，會在切 削刀具上纏繞粘接薄膜，在切斷的器件的切斷面上產(chǎn)生缺損或裂紋，并且 在粘接薄膜上產(chǎn)生須狀毛刺而導(dǎo)致在引線接合(wirebonding)時發(fā)生斷線。
近年來，手機(jī)和個人電腦等電子設(shè)備需求更輕量化和小型化，要求更 薄的器件。作為對更薄的器件進(jìn)行分割的技術(shù)，例如稱為先分割法的分割 技術(shù)獲得了實(shí)用化。該先分割法是這樣的技術(shù)從晶片表面沿著分割道形
3成規(guī)定深度(與器件的精加工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，然后對表面上 形成有分割槽的晶片的背面進(jìn)行磨削，在該背面上露出分割槽而分離為各
個器件；這種技術(shù)能夠?qū)⑵骷暮穸燃庸?0 U m以下。
但是，在使用先分割法將晶片分割為各個器件的情況下，從晶片表面 沿著分割道形成規(guī)定深度的分割槽，然后對晶片的背面進(jìn)行磨削，在該背 面上顯露出分割槽，因此無法預(yù)先在晶片背面安裝用于管芯焊接的粘接薄 膜。因此，在將通過先分割法分割的器件接合到管芯焊接框架上時，必須 在器件和管芯焊接框架之間插入接合劑來進(jìn)行接合，存在無法順暢進(jìn)行接 合作業(yè)的問題。
為了克服上述問題，有人提出如下的方法在通過先分割法分割為各 個器件的晶片的背面安裝用于管芯焊接的粘接薄膜，在經(jīng)由該粘接薄膜將 晶片貼附到切割帶上之后擴(kuò)張切割帶，從而沿著分割槽斷開粘接薄膜(例 如，參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)2:日本特開2004-193241號公報(bào)
另外，近年來也在對激光加工方法進(jìn)行研究，即使用波長對晶片具有 穿透性的脈沖激光束向待分割區(qū)域的內(nèi)部聚焦來進(jìn)行照射脈沖激光。使用 該激光加工方法的分割方法，從晶片背面向內(nèi)部聚焦，照射對晶片具有穿 透性波長(例如1064nm)的脈沖激光束，在晶片內(nèi)部沿著分割道連續(xù)地形 成變質(zhì)層，沿著由于形成該變質(zhì)層而強(qiáng)度降低的分割道施加外力，從而分
害U晶片o
另外，還有一種實(shí)用化的晶片分割方法，對晶片沿著分割道照射波長
(例如355nm)具有吸收性的脈沖激光束，沿著分割道形成激光加工槽， 然后沿著分割道施加外力來分割晶片。
使用上述激光加工方法，在沿著分割道形成變質(zhì)層或激光加工槽的晶 片的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜，經(jīng)由該粘接薄膜將晶片貼附到 切割帶上，然后通過對切割帶進(jìn)行擴(kuò)張，沿著由于形成了變質(zhì)層或激光加 工槽而強(qiáng)度降低的分割道，將晶片分割為各個器件，并且沿著分割的各器 件的外周緣斷開粘接薄膜(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。
專利文獻(xiàn)3:日本特開2004-273895號公報(bào)
用于管芯焊接的粘接薄膜，為了確保在晶片的整個背面上安裝而形成為外徑大于晶片的外徑。因此，在對貼附著粘接薄膜的切割帶進(jìn)行擴(kuò)張而 沿著各器件斷開粘接薄膜時，從晶片的外周緣超出的粘接薄膜會破裂飛散， 其碎片會附著到器件表面上。該附著于器件表面的粘接薄膜的碎片難以除 去，從而導(dǎo)致器件品質(zhì)降低。
本發(fā)明針對上述問題而做出，其主要技術(shù)課題是提供晶片背面上安裝 的粘接薄膜的斷開方法和粘接薄膜，從而在對貼附著粘接薄膜的切割帶進(jìn) 行擴(kuò)張而沿著各器件斷開粘接薄膜時，不會在器件表面附著粘接薄膜的碎 片。_

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述主要課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種在晶片背面安裝的粘 接薄膜的斷開方法，將在表面上多個分割道形成格子狀并且在通過該多個 分割道劃出的多個區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的 外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的 狀態(tài)下沿著器件斷開，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部上的從晶片的 外周緣超出的區(qū)域上形成放射狀的多個分割槽，然后擴(kuò)張?jiān)撉懈顜亩?著器件斷開粘接薄膜，并且將該粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣超 出的區(qū)域沿著該放射狀的多個分割槽分離。
另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法， 將在表面上多個分割道形成格子狀并且在通過該多個分割道劃出的多個區(qū) 域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接 薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開， 其特征在于，在該粘接薄膜的外周部上形成放射狀的多個分割槽，在將該 粘接薄膜安裝到晶片背面上并且貼附在該切割帶表面上的狀態(tài)下，擴(kuò)張?jiān)?切割帶從而將粘接薄膜沿著器件斷開，并且將該粘接薄膜的外周部上的從 晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個分割槽分離。
另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種粘接薄膜，安裝在晶片背面，其特征在 于，具有比晶片外徑大的外徑，在外周部形成有放射狀的多個分割槽。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣 超出的區(qū)域上形成放射狀的多個分割槽之后，或者在將外周部上形成有放射狀的多個分割槽的粘接薄膜安裝到晶片背面上并且貼附在切割帶表面上 的狀態(tài)下，擴(kuò)張切割帶從而沿著器件斷開粘接薄膜，并且將粘接薄膜的外 周部上的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著放射狀的多個分割槽分離，從而 將粘接薄膜的外周部上的從晶片的外周緣超出的區(qū)域分離為扇狀的薄膜 片，不會由于粘接薄膜的無規(guī)則破損而飛散碎片，從而避免粘接薄膜的碎 片附著到器件表面上。因此能夠防止由于器件表面附著粘接薄膜的碎片而 導(dǎo)致器件品質(zhì)降低。


圖1是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第1實(shí)施方式的立體圖。
圖2是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第2實(shí)施方式的立體圖。
圖3是表示背面安裝有管芯焊接用粘接薄膜的半導(dǎo)體晶片貼附在安裝 于環(huán)狀框架上的切割帶上的狀態(tài)的第3實(shí)施方式的立體圖。
圖4是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法的分割槽形 成工序的說明圖。
圖5是表示實(shí)施圖4所示分割槽形成工序的粘接帶經(jīng)由切割帶支撐在 環(huán)狀框架上的狀態(tài)的立體圖。
圖6是表示實(shí)施本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法的帶擴(kuò) 張工序的帶擴(kuò)張裝置的立體圖。
圖7是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法的帶擴(kuò)張工 序的說明圖。
圖8是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法的拾取工序 的說明圖。
圖9是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法中使用的粘 接薄膜和將粘接薄膜安裝到半導(dǎo)體晶片背面上并且在安裝于環(huán)狀框架的切 割帶上貼附的工序的說明圖。
圖IO是表示本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法中使用的粘 接薄膜的其它實(shí)施方式和在粘接薄膜上安裝半導(dǎo)體晶片的背面的工序的說明圖。 符號說明
2:半導(dǎo)體晶片；21:分割道；22:器件；3:粘接薄膜；31:分割槽; 4:保護(hù)帶；5:激光加工裝置；51:卡盤臺；52:聚光器；6:帶擴(kuò)張裝置; 6h框架保持機(jī)構(gòu)；611:框架保持部件；62:帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)；62h擴(kuò)張鼓; 63:支撐機(jī)構(gòu)；631:氣缸；F:環(huán)狀框架；T:切割帶
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法和粘 接薄膜的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行具體說明。
這里，對背面安裝有粘接薄膜的晶片的形式進(jìn)行說明。
圖1 (a)和圖1 (b)表示了在通過所謂先分割法分割為各個器件的半 導(dǎo)體晶片2的背面安裝有用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘接薄膜3 一側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上，而半導(dǎo)體晶片2的表 面上貼附的保護(hù)帶4被剝離的狀態(tài)。圖l (a)和圖l (b)所示的半導(dǎo)體晶 片2的多個分割道21在表面2a上形成為格子狀，并且在通過該多個分割 道21劃出的多個區(qū)域上形成器件22。為了通過所謂先分割法將該半導(dǎo)體晶 片2分割為各個器件，使用切削裝置沿著在半導(dǎo)體晶片2的表面2a上形成 的分割道21形成規(guī)定深度(與器件的精加工厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽23 (分割槽形成工序)。接著，在形成了分割槽23的半導(dǎo)體晶片2的表面上 貼附保護(hù)帶4，磨削半導(dǎo)體晶片2的背面，使分割槽在背面露出而分割為各 個器件22 (分割槽露出工序)。這樣，在分割為各個器件22的半導(dǎo)體晶片 2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè) 貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。接著，如圖l (a)所示， 將半導(dǎo)體晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
上述粘接薄膜3由厚度為20~40ii m的環(huán)氧樹脂薄膜構(gòu)成，以80 200 'C的溫度加熱而按壓安裝到半導(dǎo)體晶片2的背面2b上。該粘接薄膜3為了 確保在半導(dǎo)體晶片2的整個背面上安裝而形成為外徑大于半導(dǎo)體晶片2的 外徑。因此，如圖1 (a)所示，粘接薄膜3的外周部30成為從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的狀態(tài)。另外，可以使用在切割帶表面預(yù)先貼附粘接薄膜的 帶有粘接薄膜的切割帶。此時，將如上所述通過先分割法分割為各個器件
的半導(dǎo)體晶片2的背面載置到安裝于環(huán)狀框架的帶有粘接薄膜的切割帶的 粘接薄膜上，以80 200'C的溫度加熱而將粘接薄膜3按壓安裝到半導(dǎo)體晶 片20的背面20b上。上述環(huán)狀框架F例如由厚度為lmm的不銹鋼形成為 環(huán)狀。上述切割帶T，在圖示的實(shí)施方式中是通過在厚度為70ym的聚氯 乙烯(PVC)的片材表面上涂布厚度為5um左右的粘著劑而制成的。
在圖2 (a)和圖2 (b)中表示，在沿著分割道21在內(nèi)部形成有變質(zhì) 層24的半導(dǎo)體晶片2的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘 接薄膜3 —側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上的狀態(tài)。為了 在半導(dǎo)體晶片2的內(nèi)部沿著分割道21形成變質(zhì)層24，從半導(dǎo)體晶片2的背 面2b —側(cè)向內(nèi)部聚焦而沿著分割道21照射對晶片具有穿透性波長(例如 1064nm)的脈沖激光束，在半導(dǎo)體晶片2的內(nèi)部沿著分割道21連續(xù)地形 成變質(zhì)層24 (變質(zhì)層形成工序)。這樣，在沿著分割道21在內(nèi)部形成了變 質(zhì)層24的半導(dǎo)體晶片2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且 將該粘接薄膜3 —側(cè)貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。
在圖3 (a)和圖3 (b)中表示，在沿著分割道21形成有激光加工槽 25的半導(dǎo)體晶片2的背面上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且該粘接 薄膜3 —側(cè)貼附在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上的狀態(tài)。為了在 半導(dǎo)體晶片2上沿著分割道21形成激光加工槽25，例如在半導(dǎo)體晶片2 的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè)貼 附到安裝于上述環(huán)狀框架F的切割帶T的表面上。接著，從半導(dǎo)體晶片2 的表面2a —側(cè)沿著分割道21照射對晶片具有吸收性波長(例如355nm) 的脈沖激光束，沿著分割道21形成激光加工槽25 (激光加工槽形成工序)。
如上所述，若是在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上安裝用于管芯焊接的粘接 薄膜3，并且將該粘接薄膜3 —側(cè)貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T的 表面上，則實(shí)施在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出 的區(qū)域30上，形成放射狀的多個分割槽的分割槽形成工序。參照圖4 (a) 和圖4 (b)，對該分割槽形成工序進(jìn)行說明。圖4 (a)和圖4 (b)所示實(shí) 施方式是使用激光加工裝置5實(shí)施分割槽形成工序的例子。g卩，在激光加工裝置5的卡盤臺51上載置安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T，驅(qū)動未圖示的 吸附機(jī)構(gòu)并經(jīng)由切割帶T將用于管芯焊接的粘接薄膜3和半導(dǎo)體晶片2吸 附保持在卡盤臺51上。并且，將環(huán)狀框架F通過在卡盤臺41上設(shè)置的未 圖示的夾子進(jìn)行固定。接著，如圖4 (a)所示移動卡盤臺51，使粘接薄膜 3上與半導(dǎo)體晶片2的外周緣交界的部分位于激光束照射機(jī)構(gòu)的聚光器52 的正下方。然后，從聚光器42照射脈沖激光束，并且將卡盤臺51沿著箭 頭XI所示的方向移動，如圖4 (b)所示，當(dāng)粘接薄膜3的外周緣(圖4 (b)中左端)到達(dá)聚光器52正下方時，則停止照射激光束，并且停止移 動卡盤臺51。從而，如圖4 (b)所示，在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo) 體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上沿著放射方向(徑向)形成分割槽31。
上述分割槽形成工序例如按照以下加工條件進(jìn)行。
激光束的光源YV04激光器或者YAG激光器
波長355腦
往復(fù)頻率50kHz
平均功率1W
聚光點(diǎn)直徑05um
實(shí)施上述分割槽形成工序后，則將卡盤臺51轉(zhuǎn)動規(guī)定的角度(例如10 度)(分度工序)，實(shí)施上述分割槽形成工序。此后，反復(fù)執(zhí)行分度工序和 分割槽形成工序，從而如圖5所示，在粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體 晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上形成放射狀的多個分割槽31。
另外，雖然在上述實(shí)施方式中表示了通過激光加工實(shí)施分割槽形成工 序的例子，但是也可以使用刀具實(shí)施分割槽形成工序。
另外，在如圖3所示沿著半導(dǎo)體晶片2的分割道21形成激光加工槽25 的情況下，上述分割槽形成工序也可以在實(shí)施激光加工槽形成工序之前實(shí) 施。
如上所述，實(shí)施了分割槽形成工序后，則實(shí)施對安裝于環(huán)狀框架F的 切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張而使粘接薄膜3沿著各器件斷開，并且使粘接薄膜3的 外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30沿著形成為放射狀的多 個分割槽31分離的帶擴(kuò)張工序。該帶擴(kuò)張工序在圖示實(shí)施方式中使用圖6 所示的帶擴(kuò)張裝置6來實(shí)施。圖6所示的帶擴(kuò)張裝置6具有保持上述環(huán)200 及帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62，其對在該框架保持機(jī)構(gòu) 61上保持的環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張?？蚣鼙３謾C(jī)構(gòu)61構(gòu)
成為包括環(huán)狀的框架保持部件611;在該框架保持部件611的外周上設(shè)置
的作為固定機(jī)構(gòu)的多個夾子612?？蚣鼙３植考?11的上表面形成有載置環(huán) 狀框架F的載置面611a，該載置面611a上能夠載置環(huán)狀框架F。另外，載 置面611a上載置的環(huán)狀框架F，通過夾子612固定在框架保持部件611上。 這種結(jié)構(gòu)的框架保持機(jī)構(gòu)61，被帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62支撐為能夠沿著上下方向進(jìn) 退。
帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62具有在上述環(huán)狀的框架保持部件611的內(nèi)側(cè)設(shè)置的擴(kuò)張 鼓621。該擴(kuò)張鼓621具有比環(huán)狀框架F的內(nèi)徑小而比在安裝于該環(huán)狀框 架F的切割帶T上貼附的粘接薄膜3的外徑大的內(nèi)徑和外徑。另外，擴(kuò)張 鼓621下端具有支撐凸緣622。圖示實(shí)施方式中的帶擴(kuò)張機(jī)構(gòu)62具有能夠 使上述環(huán)狀的框架保持部件611沿著上下方向進(jìn)退的支撐機(jī)構(gòu)63。該支撐 機(jī)構(gòu)63由在上述支撐凸緣622上配置的多個氣缸631構(gòu)成，其活塞桿632 與上述環(huán)狀的框架保持部件611的下表面聯(lián)結(jié)。這樣，由多個氣缸631構(gòu) 成的支撐機(jī)構(gòu)63，能夠選擇性地在如圖6和圖7 (a)所示使環(huán)狀的框架保 持部件611在載置面611a與擴(kuò)張鼓621的上端處于大致相同高度的基準(zhǔn)位 置，以及如圖7 (b)所示使環(huán)狀的框架保持部件611在載置面611a低于擴(kuò) 張鼓621的上端的圖中規(guī)定量的下方的擴(kuò)張位置之間移動。
圖示實(shí)施方式中的帶擴(kuò)張裝置6具有上述結(jié)構(gòu)，下面主要參照圖7對 使用該帶擴(kuò)張裝置6，對上述環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T進(jìn)行擴(kuò)張，使 粘接薄膜3沿著器件斷開，并且將粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2 的外周緣超出的區(qū)域30沿著形成為放射狀的多個分割槽31分離的帶擴(kuò)張 工序進(jìn)行說明。
將經(jīng)由貼附有如上述圖5所示實(shí)施了分割槽形成工序的粘接薄膜3(安 裝在半導(dǎo)體晶片2的背面2b上)的切割帶T支撐的環(huán)狀框架F，如圖7 (a) 所示載置到構(gòu)成框架保持機(jī)構(gòu)61的框架保持部件611的載置面611a上， 并且通過夾子612固定在框架保持部件611上(框架保持工序)。此時，框 架保持部件611定位于圖7 (a)所示基準(zhǔn)位置。
接著，驅(qū)動多個氣缸631，使框架保持部件611下降到圖7 (b)所示
10的擴(kuò)張位置。因此，在框架保持部件611的載置面611a上固定的環(huán)狀框架 F也下降，因此如圖7 (b)所示，環(huán)狀框架F上安裝的切割帶T與擴(kuò)張鼓 621的上端緣抵接而進(jìn)行擴(kuò)張(帶擴(kuò)張工序)。其結(jié)果是，對切割帶T上貼 附的粘接薄膜3放射狀地施加張力。這樣，當(dāng)切割帶T上貼附的粘接薄膜 3被施加放射狀的張力后，在如上述圖1所示將半導(dǎo)體晶片2分割為各個器 件22的情況下，器件22之間的間隔增大。其結(jié)果是，粘接薄膜3沿著各 器件22的外周緣斷開，并且粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外 周緣超出的區(qū)域30，如圖7 (c)放大所示，其分割槽31擴(kuò)展并在半導(dǎo)體 晶片2的外周緣部斷開而分離為扇狀的薄膜片300，并保持在切割帶T上 貼附的狀態(tài)。
另外，在如上述圖2或圖3所示，沿著半導(dǎo)體晶片2的分割道21形成 變質(zhì)層24或激光加工槽25的情況下，當(dāng)如上所述對切割帶T上貼附的粘 接薄膜3施加放射狀的張力時，則半導(dǎo)體晶片2沿著由于形成了變質(zhì)層24 或激光加工槽25而強(qiáng)度降低的分割道21分割為各個器件22。另外，粘接 薄膜3沿著分割的各器件22的外周緣斷開，并且粘接薄膜3的外周部上的 從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30，與上述圖7(c)同樣地在半導(dǎo)體 晶片2的外周緣部斷開，并保持在分離為扇狀的薄膜片的切割帶T上貼附 的狀態(tài)。
在上述帶擴(kuò)張工序中將粘接薄膜3沿著各器件22的外周緣斷開時，在 粘接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域30上形成放 射狀的多個分割槽31，從而由于分離為扇狀的薄膜片300，因此粘接薄膜3 不會無規(guī)則地破裂而碎片飛散，并且不會在器件22的表面上附著粘接薄膜 3的碎片。
在如上所述實(shí)施了帶擴(kuò)張工序后，如圖8所示驅(qū)動拾取裝置7，通過拾 取夾71拾取處于規(guī)定位置的器件22 (拾取工序)，向未圖示的托盤或管芯 焊接工序輸送。
接著，參照圖9和圖IO對本發(fā)明的晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方 法的其它實(shí)施方式進(jìn)行說明。
在圖9所示實(shí)施方式中，使用外周部形成有放射狀的多個分割槽的粘 接薄膜。S卩，如圖9 (a)所示，粘接薄膜3具有比半導(dǎo)體晶片2的外徑大的外徑，在其外周部上形成有放射狀的多個分割槽31。另外，放射狀的多 個分割槽31可以通過激光加工形成，或者使用刀具等形成。另外，放射狀 的多個分割槽31可以形成到中心部。將這樣形成的粘接薄膜3，如圖9 (b) 所示貼附到例如通過上述先分割法分割為各個器件的半導(dǎo)體晶片2的背面 2b上，以80 20(TC的溫度加熱而安裝到半導(dǎo)體晶片2的背面2b上。接著， 如圖9 (c)所示貼附到安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T上。然后，將半導(dǎo)體 晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
圖IO所示的實(shí)施方式，使用在切割帶的表面上預(yù)先貼附有粘接薄膜的 帶有粘接薄膜的切割帶。即，如圖10 (a)所示，在安裝于環(huán)狀框架F的切 割帶T上貼附的粘接薄膜3的外周部上，與上述圖9所示的粘接薄膜3同 樣地預(yù)先形成有放射狀的多個分割槽31。在這樣貼附于切割帶T的粘接薄 膜3上，如圖10 (b)所示貼附例如通過上述先分割法分割為各個器件的半 導(dǎo)體晶片2的背面2b，以80 20(TC的溫度加熱來安裝半導(dǎo)體晶片2的背面 2b。然后，將半導(dǎo)體晶片2的表面上貼附的保護(hù)帶4剝離。
如上所述，如果在安裝于環(huán)狀框架F的切割帶T上經(jīng)由粘接薄膜3 (外 周部上形成有放射狀的多個分割槽31)貼附半導(dǎo)體晶片2的背面2b，則使 用上述帶擴(kuò)張裝置6實(shí)施上述的帶擴(kuò)張工序。其結(jié)果，使粘接薄膜3與上 述圖1至圖7所示的實(shí)施方式同樣地沿著各器件22的外周緣斷開，并且粘 接薄膜3的外周部上的從半導(dǎo)體晶片2的外周緣超出的區(qū)域分離成為扇狀 的薄膜片，并保持在切割帶T上貼附的狀態(tài)。因此，具有與上述圖l至圖 7所示的實(shí)施方式同樣的作用效果。
權(quán)利要求
1. 一種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法，將在表面上多個分割道形成格子狀并且在通過該多個分割道劃出的多個區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域形成放射狀的多個分割槽，然后擴(kuò)張?jiān)撉懈顜亩刂骷嚅_粘接薄膜，并且將該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個分割槽分離。
2. —種在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法，將在表面上多個分割 道形成格子狀并且在通過該多個分割道劃出的多個區(qū)域上形成器件的晶片 的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀 框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開，其特征在于，在該粘接薄膜的外周部形成有放射狀的多個分割槽，在將該粘接薄膜 安裝到晶片背面上并且貼附在該切割帶表面上的狀態(tài)下，擴(kuò)張?jiān)撉懈顜?而將粘接薄膜沿著器件斷開，并且將該粘接薄膜的外周部的從晶片的外周 緣超出的區(qū)域沿著該放射狀的多個分割槽分離。
3. —種粘接薄膜，安裝在晶片背面，其特征在于，具有比晶片外徑大 的外徑，在外周部形成有放射狀的多個分割槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在晶片背面上安裝的粘接薄膜的斷開方法和粘接薄膜，在對貼附有粘接薄膜的切割帶進(jìn)行擴(kuò)張從而沿著各器件斷開粘接薄膜時，不會在器件表面附著粘接薄膜的碎片。在晶片背面安裝的粘接薄膜的斷開方法，將在表面上多個分割道形成格子狀并且在通過該多個分割道劃出的多個區(qū)域上形成器件的晶片的背面上安裝、且具有比晶片的外徑大的外徑的粘接薄膜，在貼附在環(huán)狀框架上安裝的切割帶的表面上的狀態(tài)下沿著器件斷開。在粘接薄膜的外周部形成放射狀的多個分割槽，擴(kuò)張切割帶從而沿著器件斷開粘接薄膜，并且將粘接薄膜的外周部的從晶片的外周緣超出的區(qū)域沿著放射狀的多個分割槽分離。
文檔編號H01L21/00GK101447411SQ200810182179
公開日2009年6月3日 申請日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者中村勝 申請人:株式會社迪思科