專利名稱：發(fā)光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元。
現(xiàn)有技術(shù) 由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)具有高亮度及省電等優(yōu)點(diǎn)，因此，隨著發(fā)光二極管的技術(shù)逐漸成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣泛，例如照明設(shè)備及液晶顯示裝置的背光源。 請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，一種現(xiàn)有的發(fā)光單元1包括一電路基板11以及一發(fā)光二極管12。其中，發(fā)光二極管12設(shè)置于電路基板11上，并利用引線鍵合(wire bonding)的方式與電路基板11上的電路層(圖中未顯示)電性連接。 發(fā)光二極管12的發(fā)光層可向四面八方射出光線。然而，由于現(xiàn)有的電路基板11例如為一印刷電路板，其不透光，因此由發(fā)光二極管12背面所射出的光線無法經(jīng)由電路基板11出射，如此也使得發(fā)光二極管12的光線利用率無法進(jìn)一步提高。另外，由發(fā)光二極管12表面出射的光直接往各個(gè)方向射出，因此也使得發(fā)光單元1所發(fā)出的光線有指向性不足的問題。 因此，如何提供一種高指向性、可量產(chǎn)，并且能提高發(fā)光二極管光線利用率的發(fā)光單元，已成為重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的是提供一種高指向性、可量產(chǎn)，并且能提高發(fā)光二極管光線利用率的發(fā)光單元。 為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元包括一基板、一第一反射組件、一發(fā)光二極管以及一第二反射組件?；逯辽俨糠滞腹?，發(fā)光二極管設(shè)置于基板與第一反射組件之間，第二反射組件與第一反射組件分別設(shè)置于基板之兩側(cè)。 為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元包括一基板、一反射組件、一發(fā)光二極管以及一透鏡組件?；逯辽俨糠滞腹猓l(fā)光二極管設(shè)置于基板與反射組件之間，透鏡組件相對(duì)于反射組件設(shè)置于基板的一個(gè)出光面。 為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一種發(fā)光單元包括一基板、一反射組件以及一發(fā)光二極管?；逑瞪俨糠滞腹猓l(fā)光二極管設(shè)置于基板與反射組件之間。其中，反射組件的最大口徑小于發(fā)光二極管的最大長(zhǎng)邊的5倍。 承上所述，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光單元將發(fā)光二極管設(shè)置于基板與一反射組件之間，而基板至少部分透光，因此，通過小口徑反射組件可將由發(fā)光二極管表面出射的光線反射，再穿過基板出射，而小口徑反射組件可保持穿過基板的出光集中于較小的出光口徑內(nèi)，以利于后續(xù)的反射或聚光設(shè)計(jì)。發(fā)光二極管的背面所發(fā)出的光線也可經(jīng)由基板射出，這樣，可以提高發(fā)光二極管的光線利用率。另外，再利用設(shè)置于基板另一側(cè)的透鏡組件或另一反射組件，來對(duì)穿過基板的光線的方向進(jìn)行控制，由此則可增加發(fā)光單元所發(fā)出的光線的指向性。再者，通過于基板另一側(cè)設(shè)置透鏡組件或反射組件，可將發(fā)光單元分為穿透式或反射 式，由此可增加本發(fā)明之發(fā)光單元的應(yīng)用范圍。 又，本發(fā)明之發(fā)光單元系可將復(fù)數(shù)反射組件及發(fā)光二極管設(shè)置于同一基板的不同 表面，而通過在同一基板上完成反射組件及發(fā)光二極管的組裝、制造和\或量測(cè)，可使得本 發(fā)明的發(fā)光單元較易大量生產(chǎn)。


圖1是一種現(xiàn)有的發(fā)光單元的示意圖；圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光單元的示意圖；圖2B及圖2C是本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光單元的另一示意圖；圖3A至圖3D是本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光單元的不同變化形式的示意4是本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光單元的示意圖；圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光單元的示意圖；以及圖6是本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光單元的另一變化形式示意圖。主要組件符號(hào)說明1、2、2a 2d、3、4、4a :發(fā)光單元11 :電路基板12、23、23a、23b、33、43 :發(fā)光二極管21、21a、31、41 :基板22、22a、32 :第一反射組件24、24a、24b、24c、34 :第二反射組件241、341 :反射面242 :反射結(jié)構(gòu)25 :熒光轉(zhuǎn)換材料36 、46 :絕緣層411 :出光面42、42a:反射組件44 :透鏡組件Dl :最大口徑D2 :最大長(zhǎng)邊G :膠體L1、L2 :光線
具體實(shí)施例方式
以下將參照相關(guān)圖式，說明根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光單元，其中相同組件以相同符號(hào)表 示。 第一實(shí)施例 請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的一種發(fā)光單元2包括基板21、第一反射組 件22、發(fā)光二極管23以及第二反射組件24。
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基板21至少部分透光，其材質(zhì)包括玻璃、或藍(lán)寶石、或石英、或高分子材料、或塑 料。另外，基板21還可以是電路板(例如，玻璃電路板)。 第一反射組件22例如可以是反射片或反射罩，材質(zhì)可為金屬、金屬氧化物或白色 涂料。其中，如果第一反射組件22為反射罩，則其截面形狀可以是平面或曲面。在本實(shí)施 例中，以第一反射組件22為一曲面反射罩為例作說明，而曲面可具有單一或多個(gè)焦點(diǎn)。另 外，第一反射組件22的最大口徑D1小于發(fā)光二極管23的最大長(zhǎng)邊D2的5倍。而在實(shí)際 應(yīng)用時(shí)，以第一反射組件22的最大口徑Dl小于發(fā)光二極管23的最大長(zhǎng)邊D2約2倍為優(yōu) 選。需注意的是，第一反射組件22的口徑可表示第一反射組件22本身或開口的有效光學(xué) 直徑，如果第一反射組件22本身或開口的形狀為不規(guī)則形，則最大口徑Dl即表示第一反射 組件22本身或開口的最大有效光學(xué)直徑。 發(fā)光二極管23設(shè)置于基板21與第一反射組件22之間，發(fā)光二極管23例如可以 是發(fā)光二極管封裝體或發(fā)光二極管晶粒。在本實(shí)施例中，以發(fā)光二極管23為發(fā)光二極管晶 粒作說明，然而這不是限制性的。其中，發(fā)光二極管23的發(fā)射光譜例如為可見光范圍或紫 外光范圍，如果發(fā)光二極管23的發(fā)射光譜為可見光范圍，則發(fā)光二極管23可以是紅光發(fā)光 二極管、綠光發(fā)光二極管、或藍(lán)光發(fā)光二極管或其它會(huì)發(fā)出可見光的發(fā)光二極管。在本實(shí)施 例中，發(fā)光二極管23引線鍵合于基板21的電路層(圖中未顯示)。因?yàn)榈谝环瓷浣M件22 的口徑較小，發(fā)光二極管23的導(dǎo)線可伸出至第一反射組件22之外，以與基板21的電路層 電性連接。 或者，請(qǐng)參照?qǐng)D2B所示，第一反射組件22的口徑可以再大一些，發(fā)光二極管23a 的導(dǎo)線則可在第一反射組件22a之內(nèi)，并由基板21的電路層(圖中未顯示)電性連接至外 端的驅(qū)動(dòng)電源。其中，基板21與第一反射組件22a之間還可以充填流體或膠體G，膠體G 例如可以是熔融態(tài)的膠體、半固化的膠體、具有彈性的膠體或已固化的膠體；流體則可例如 為氣體或液體，氣體可為空氣或惰性氣體，而液體例如為油或溶劑。通過流體或膠體的熱對(duì) 流，以提高發(fā)光二極管23a的散熱效果。另外，請(qǐng)參照?qǐng)D2C所示，發(fā)光二極管23b還可利用 覆晶接合方式與基板21的電路層(圖中未顯示)連接。 請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A所示，第二反射組件24與第一反射組件22分別設(shè)置于基板21的 兩側(cè)，也就是設(shè)置于基板21相對(duì)的二個(gè)表面。其中，第二反射組件24例如可以是反射罩， 而第二反射組件24的尺寸大于第一反射組件22的尺寸。需注意的是，在次以第一反射組 件22和第二反射組件24的開口大小來表示其尺寸大小。 因此，發(fā)光二極管23經(jīng)由上表面發(fā)出的至少一部分光線Ll被第一反射組件22反 射后，穿過基板21出射，而發(fā)光二極管23經(jīng)由下表面所發(fā)出的光線L2則可以直接穿過基 板21出射。接著，光線L1、L2會(huì)再經(jīng)由第二反射組件24反射，再穿過基板21射出。換言 之，發(fā)光二極管23發(fā)出的至少一部分光線Ll、 L2依序經(jīng)由第一反射組件22和第二反射組 件24反射而穿過基板21。 由于經(jīng)由發(fā)光二極管23上表面和下表面的光線均被利用，因此可提高發(fā)光單元2 的光線利用率。另外，通過第二反射組件24的反射面241的曲率或形狀(例如為拋物面、 半球面、橢圓球面等等)的不同設(shè)計(jì)方式，可控制發(fā)光單元2所發(fā)出的光線L1、L2的出射方 向，例如形成平行光或不平行光，并且垂直或不垂直基板21的出光面射出，并可增加發(fā)光 單元2的指向性。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A所示，其為本實(shí)施例的發(fā)光單元2a的另一變化形式的示意圖。需注 意的是，為了能夠清楚說明和觀看方便，圖3A中部分的發(fā)光二極管23、第一反射組件22及 第二反射組件24a是部分剖面示意圖。發(fā)光單元2a具有多個(gè)第一反射組件22、多個(gè)發(fā)光 二極管23以及多個(gè)第二反射組件24a。各第一反射組件22分別與各發(fā)光二極管23對(duì)應(yīng) 設(shè)置，各第二反射組件24a則可對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管23設(shè)置，在此，以各第二反射組 件24a對(duì)應(yīng)多個(gè)發(fā)光二極管23設(shè)置作說明。其中，所述第一反射組件22和所述發(fā)光二極 管23以二維數(shù)組方式排列，然而這不是限制性的，第一反射組件22以及發(fā)光二極管23也 可以以一維數(shù)組方式排列。 第二反射組件24a對(duì)應(yīng)于二維數(shù)組排列的多個(gè)發(fā)光二極管23設(shè)置，通過第二反射 組件24a的反射面的曲率或形狀設(shè)計(jì)，可控制該發(fā)光二極管23所發(fā)出的光線的出射方向， 以由此增加發(fā)光單元2a的指向性。另外，值得一提的是，該第二反射組件24a也可以用反 射片或反射層取代，以減少工序的復(fù)雜度。 請(qǐng)參照?qǐng)D3B所示，其為本實(shí)施例的發(fā)光單元2b的又一變化形式示意圖。發(fā)光單 元2b具有的多個(gè)第一反射組件22和多個(gè)發(fā)光二極管23以特殊的圖案排列(例如可排列 為文字圖案或幾何圖案)，各個(gè)圖案配合第二反射組件24b來控制所述發(fā)光二極管23所發(fā) 出的光線的出射方向。如此一來，可增加發(fā)光單元2b的應(yīng)用范圍，例如應(yīng)用于廣告牌或交 通標(biāo)志等。 請(qǐng)參照?qǐng)D3C所示，其為本實(shí)施例的發(fā)光單元2c的再一變化形式示意圖。發(fā)光單 元2c的這些發(fā)光二極管23之間，是通過晶粒對(duì)晶粒(dieto die)的方式直接引線鍵合，以 電性連接。由此，這些發(fā)光二極管23可直接通過導(dǎo)線彼此電性連接，因此，可簡(jiǎn)化基板21a 上的電路層的復(fù)雜度以及減少導(dǎo)線材料成本。此外，基板21a上可不需再設(shè)置電路層，而直 接將發(fā)光單元2c與另一電路板電性連接，由此可更進(jìn)一步降低發(fā)光單元2c的的整體成本， 并提高發(fā)光單元2c的制作效率。另外，第二反射組件24c則可具有多個(gè)反射結(jié)構(gòu)242，各反 射結(jié)構(gòu)242分別對(duì)應(yīng)于各發(fā)光二極管23，并且各反射結(jié)構(gòu)242可具有不同的曲率以及截面 形狀設(shè)計(jì)。 另外，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A、圖3B、及圖3C所示，發(fā)光單元2a 2c可將多個(gè)第一反射 組件22、多個(gè)發(fā)光二極管23以及多個(gè)第二反射組件24a 24c設(shè)置于同一基板21、21a的 不同表面，而通過在同一基板21、21a上完成第一反射組件22、發(fā)光二極管23及第二反射組 件24a 24c的組裝、制造和/或量測(cè)，可使得發(fā)光單元2a 2c較易大量生產(chǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D3D所示，其為本實(shí)施例的發(fā)光單元2d的再一變化形式示意圖。發(fā)光單 元2d還包括熒光轉(zhuǎn)換材料25，其設(shè)置于發(fā)光二極管23與基板21之間，并與第一反射組件 22的開口對(duì)應(yīng)。其中，熒光轉(zhuǎn)換材料25布設(shè)面積大于等于第一反射組件22的開口面積。 在此，以熒光轉(zhuǎn)換材料25的布設(shè)面積等于第一反射組件22的開口面積為例，然而這不是限 制性的。 熒光轉(zhuǎn)換材料25至少包括黃色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料、綠色熒光轉(zhuǎn)換 材料、藍(lán)色熒光轉(zhuǎn)換材料或其組合。并且，熒光轉(zhuǎn)換材料25例如可以是熒光轉(zhuǎn)換層或熒光 體膠帶(phosphor tape)。在本實(shí)施例中，熒光轉(zhuǎn)換材料25以熒光轉(zhuǎn)換層為例作說明，然 而這不用來限制本發(fā)明。另外，熒光轉(zhuǎn)換材料25除可設(shè)置于發(fā)光二極管23與基板21之間 以外，在其它光路徑上均可設(shè)置，例如，設(shè)置于基板21的上表面及或下表面、第一反射組件22及或第二反射組件24的內(nèi)表面，或摻雜于第一反射組件22與基板21a之間的填充材料 (例如圖2B所述的流體或膠體G)之中，或者直接摻雜于發(fā)光二極管23與基板21之間的固 晶膠體中。 發(fā)光二極管23所發(fā)出的光線，會(huì)先激發(fā)熒光轉(zhuǎn)換材料25，之后才射出發(fā)光單元 2d。因此，通過熒光轉(zhuǎn)換材料25可改變發(fā)光單元2d的出光顏色，以增加發(fā)光單元2d的應(yīng) 用范圍。另外，在將熒光轉(zhuǎn)換材料25設(shè)置至基板21之后，可先利用標(biāo)準(zhǔn)光源對(duì)熒光轉(zhuǎn)換材 料25進(jìn)行出光顏色的頻譜或色溫測(cè)量，符合規(guī)格后再將發(fā)光二極管23設(shè)置至熒光轉(zhuǎn)換材 料25上。由此，即可確保發(fā)光單元2d的產(chǎn)品可靠度。其中，如果以熒光體膠帶取代熒光轉(zhuǎn) 換材料25，則更可減化發(fā)光單元2d的工序。
第二實(shí)施例 請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光單元3的示意圖。發(fā)光單元3包 括基板31、第一反射組件32、發(fā)光二極管33、第二反射組件34以及封膠體或絕緣層36。其 中，基板31、發(fā)光二極管33、第二反射組件34與前述實(shí)施例中的基板21、發(fā)光二極管23、第 二反射組件24具有相同的技術(shù)與功效，于此不再贅述。 在本實(shí)施例中，封膠體或絕緣層36至少覆蓋部分發(fā)光二極管33，并至少部分設(shè)置 于第一反射組件32與發(fā)光二極管33之間。而第一反射組件32是反射層，其形成于封膠體 或絕緣層36上。 當(dāng)?shù)谝环瓷浣M件32的材質(zhì)為金屬時(shí)，形成第一反射組件32的方式可以是蒸鍍或 濺鍍；而當(dāng)?shù)谝环瓷浣M件32的材質(zhì)為反光涂料時(shí)，形成第一反射組件32的方式可以是點(diǎn) 膠、噴墨或印刷。由于工序的不同，因此第一反射組件32的形狀并非一定有固定的形狀。因 此，當(dāng)?shù)谝环瓷浣M件32為反射層時(shí)，第一反射組件32的最大口徑Dl以反射層的內(nèi)表面所 形成的開口來估算，其小于發(fā)光二極管33的最大長(zhǎng)邊D2的5倍。需強(qiáng)調(diào)的是，第一反射組 件32的口徑可表示第一反射組件32覆蓋范圍的開口的有效光學(xué)直徑。
因此，如果第一反射組件32的開口形狀為不規(guī)則形，則最大口徑Dl即表示第一反 射組件32的開口的最大有效光學(xué)直徑。而第二反射組件34的尺寸大于第一反射組件32 的尺寸。需注意的是，在此分別以第一反射組件32的覆蓋面積以及第二反射組件34的開 口大小來表示其尺寸大小。 封膠體或絕緣層36的材質(zhì)可以是透光材質(zhì)，并且可利用點(diǎn)膠工序來形成。通過封 膠體或絕緣層36，除了可避免第一反射組件32直接與發(fā)光二極管33接觸，致使發(fā)光二極管 33表面發(fā)出的光線Ll無法射出之外，還可避免第一反射組件32 (例如可為金屬材質(zhì))與發(fā) 光二極管33接觸而產(chǎn)生短路。 此外，封膠體或絕緣層36的材質(zhì)可以是介電材料或環(huán)氧樹脂，其結(jié)構(gòu)可以是單層 折射率材料或多層折射率材料結(jié)構(gòu)，多層折射率材料結(jié)構(gòu)的材料折射率的特性可隨著與發(fā) 光二極管33的距離由近到遠(yuǎn)，而將材料的折射率由大至小排列。因此，通過封膠體多層折 射率材料結(jié)構(gòu)的特性，可增加發(fā)光二極管33的出光效率。 同樣地，經(jīng)由發(fā)光二極管33上表面發(fā)出的光線Ll被第一反射組件32反射，穿過 基板31出射，而經(jīng)由發(fā)光二極管33的下表面所發(fā)出的光線L2則可直接穿過基板31出射。 接著，光線Ll、 L2會(huì)再經(jīng)由第二反射組件34的反射面341反射，再穿過基板31射出。
值得一提的是，本實(shí)施例的第一反射組件32也可取代前述圖3A至圖3D的第一反
8射組件22結(jié)構(gòu)，由于所述結(jié)構(gòu)的特征與功效已在前述實(shí)施例中詳述，于此不再贅述。另外， 需注意的是，在應(yīng)用于圖3D的結(jié)構(gòu)時(shí)，熒光轉(zhuǎn)換材料25的布設(shè)面積大于等于本實(shí)施的第一 反射組件32的覆蓋面積，并且熒光轉(zhuǎn)換材料25頁可混合于本實(shí)施例的封膠體或絕緣層36 內(nèi)。 第三實(shí)施例 請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，其為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光單元4的示意圖。發(fā)光單元包括 基板41、反射組件42、發(fā)光二極管43以及透鏡組件44。其中，基板41、反射組件42以及發(fā) 光二極管43的技術(shù)特征，與第一實(shí)施例中的基板21、第一反射組件22和發(fā)光二極管23相 同，在此不再贅述。 透鏡組件44相對(duì)于反射組件42設(shè)置于基板41的一個(gè)出光面411。換言之，反射 組件42與透鏡組件44分別設(shè)置于基板41的兩側(cè)。透鏡組件44的結(jié)構(gòu)例如為凸透鏡、微 透鏡(Micorlens)或菲涅爾透鏡(Fresnellens)等結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，透鏡組件44的結(jié) 構(gòu)以凸透鏡為例做說明。另外，透鏡組件44可與基板41 一體成型，在本實(shí)施例中，則以透 鏡組件44貼合于基板41為例作說明。 經(jīng)由發(fā)光二極管43上表面發(fā)出的至少一部分光線Ll被反射組件42反射，并穿過 基板41再穿出透鏡組件44射出。而經(jīng)由發(fā)光二極管43的下表面所發(fā)出的光線L2則可直 接穿過基板41以及透鏡組件44射出。因此，通過透鏡組件44的曲率或形狀的不同設(shè)計(jì)方 式，可控制發(fā)光單元4所發(fā)出的光線Ll、 L2的出射方向，以增加發(fā)光單元4的指向性。
請(qǐng)參照?qǐng)D6所示，其為本實(shí)施例的發(fā)光單元4a的另一變化形式示意圖。與圖5的 發(fā)光單元4不同之處在于，反射組件42a是反射層，其形成于絕緣層46上。其中，反射組件 42a與絕緣層46與前述實(shí)施例中的反射組件32和絕緣層36具有相同的技術(shù)特征，于此不 再贅述。 同樣地，經(jīng)由發(fā)光二極管43上表面發(fā)出的光線Ll被反射組件42a反射，并穿過基 板41再穿出透鏡組件44射出。而經(jīng)由發(fā)光二極管43的下表面所發(fā)出的光線L2則可直接 穿過基板41以及透鏡組件44射出。 值得一提的是，本實(shí)施例的發(fā)光單元4、4a也可具有多個(gè)發(fā)光二極管43而應(yīng)用如 圖3A至圖3D的結(jié)構(gòu)，例如以一維數(shù)組、二維數(shù)組或特殊圖形方式排列，或者在這些發(fā)光二 極管43之間，以晶粒對(duì)晶粒方式直接引線鍵合，或者發(fā)光單元4、4a還包括熒光轉(zhuǎn)換材料， 其設(shè)置于發(fā)光二極管43與基板41之間。另外，需注意的是，在發(fā)光單元4、4a應(yīng)用如圖3D 的結(jié)構(gòu)時(shí)，熒光轉(zhuǎn)換材料的布設(shè)面積需大于等于本實(shí)施的反射組件42a的覆蓋面積，并且 熒光轉(zhuǎn)換材料也可設(shè)置于本實(shí)施例的封膠體或絕緣層46內(nèi)。 綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光單元是將發(fā)光二極管設(shè)置于基板與反射組件之間， 而基板至少部分透光。因此，通過小口徑反射組件可將由發(fā)光二極管表面出射的光線反射， 再穿過基板出射，而小口徑反射組件可保持穿過基板的出光集中于較小的出光口徑內(nèi)，以 利于后續(xù)的反射或聚光設(shè)計(jì)。發(fā)光二極管的背面所發(fā)出的光線頁可經(jīng)由基板射出，由此，可 提高發(fā)光二極管的光線利用率。另外，再利用設(shè)置于基板另一側(cè)的透鏡組件或另一反射組 件，來對(duì)穿過基板的光線的方向進(jìn)行控制，由此則可增加發(fā)光單元所發(fā)出的光線的指向性。 再者，通過在基板另一側(cè)設(shè)置透鏡組件或反射組件，可將發(fā)光單元分為穿透式或反射式，由 此可增加本發(fā)明的發(fā)光單元的應(yīng)用范圍。
另外，通過多個(gè)發(fā)光二極管以一維數(shù)組、二維數(shù)組或特殊圖形方式排列，則可增加 本發(fā)明的發(fā)光單元的應(yīng)用范圍。另外，如果通過晶粒對(duì)晶粒方式電性連接這些發(fā)光二極管， 則可簡(jiǎn)化基板上的電路層的復(fù)雜度以及減少導(dǎo)線材料成本。此外，在基板上可不需要再設(shè) 置電路層，發(fā)光單元可直接與另一電路板電性連接，由此可更進(jìn)一步降低發(fā)光單元的整體 成本，并提高發(fā)光單元的制作效率。 另外，本發(fā)明的發(fā)光單元可將多個(gè)反射組件和發(fā)光二極管設(shè)置于同一基板的不同 表面，而通過在同一基板上完成反射組件和發(fā)光二極管的組裝、制造和/或量測(cè)，可使得本 發(fā)明的發(fā)光單元較易大量生產(chǎn)。 以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇而對(duì)其進(jìn) 行的等效修改，均應(yīng)包括在后附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種發(fā)光單元，包括一基板，其至少部分透光；一第一反射組件；一發(fā)光二極管，其設(shè)置于所述基板與所述第一反射組件之間；以及一第二反射組件，其與所述第一反射組件分別設(shè)置于所述基板的兩側(cè)。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，其中所述第二反射組件的尺寸大于所述第一反射組件的尺寸。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，其中所述發(fā)光二極管發(fā)出的至少一部分光線依序經(jīng)由所述第一反射組件和所述第二反射組件反射而穿過所述基板。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，其中所述第一反射組件的最大口徑小于所述發(fā)光二極管的最大長(zhǎng)邊的5倍。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，其中所述第一反射組件是一反射層、一反射片或一反射罩。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，其中所述基板是一電路基板。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光單元，還包括一封膠體或一絕緣層，其至少覆蓋部分所述發(fā)光二極管，并至少部分設(shè)置于所述第一反射組件與所述發(fā)光二極管之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述封膠體或所述絕緣層內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述發(fā)光二極管與所述基板之間。
10. —種發(fā)光單元，包括一基板，其至少部分透光；一反射組件；一發(fā)光二極管，其設(shè)置于所述基板與所述反射組件之間；以及一透鏡組件，其相對(duì)于所述反射組件設(shè)置于所述基板的一出光面。
11. 如權(quán)利要求io所述的發(fā)光單元，其中所述發(fā)光二極管發(fā)出的至少一部分光線經(jīng)由所述反射組件反射，并穿出所述透鏡組件。
12. 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光單元，其中該反射組件的最大口徑小于所述發(fā)光二極管的最大長(zhǎng)邊的5倍。
13. 如權(quán)利要求10所述的發(fā)光單元，其中所述反射組件是一反射層、一反射片或一反射罩。
14. 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光單元，其中所述基板是一電路基板。
15. 如權(quán)利要求10所述的發(fā)光單元，還包括一封膠體或一絕緣層，其至少覆蓋部分所述發(fā)光二極管，并至少部分設(shè)置于所述反射組件與所述發(fā)光二極管之間。
16. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述封膠體或所述絕緣層內(nèi)。
17. 如權(quán)利要求10所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述發(fā)光二極管與所述基板之間。
18. 如權(quán)利要求10所述的發(fā)光單元，其中所述透鏡組件與所述基板一體成型。
19. 一種發(fā)光單元，包括一基板，其至少部分透光；一反射組件；以及 一發(fā)光二極管，其設(shè)置于所述基板與所述反射組件之間，其中，所述反射組件的最大口徑小于所述發(fā)光二極管的最大長(zhǎng)邊的5倍。
20. 如權(quán)利要求19所述的發(fā)光單元，還包括一封膠體或一絕緣層，其至少覆蓋部分所述發(fā)光二極管，并至少部分設(shè)置于所述反射組件與所述發(fā)光二極管之間。
21. 如權(quán)利要求20所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述封膠體或所述絕緣層內(nèi)。
22. 如權(quán)利要求20所述的發(fā)光單元，還包括一熒光轉(zhuǎn)換材料，其設(shè)置于所述發(fā)光二極管與所述基板之間。
全文摘要
一種發(fā)光單元包括一基板、一第一反射組件、一發(fā)光二極管以及一第二反射組件?；逯辽俨糠值赝腹?，發(fā)光二極管設(shè)置于基板與第一反射組件之間，第二反射組件與第一反射組件分別設(shè)置于基板的兩側(cè)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101740670SQ20081017366
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月5日
發(fā)明者陳國(guó)祚, 陳國(guó)禔 申請(qǐng)人:啟耀光電股份有限公司