專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
技術(shù)背景一般來說，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器的單位像素包 括光電二極管和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。該CMOS圖像傳感器 以開關(guān)方式連續(xù)檢測每個單位像素的電信號以產(chǎn)生圖像。根據(jù)每個單位像素中的晶體管數(shù)量，可以將CMOS圖像傳感器分為3T 型、4T型以及5T型CMOS圖像傳感器。例如，4T型CMOS圖像傳感器包 括光電二極管PD、遷移晶體管Tx、復(fù)位晶體管Rx、驅(qū)動晶體管Dx以及選 擇晶體管Sx。光電二極管PD用于接收光以產(chǎn)生光電(photoelectric)電荷。 遷移晶體管Tx用于將在光電二極管PD中產(chǎn)生的光電電荷遷移至浮置擴(kuò)散區(qū) FD。復(fù)位晶體管Rx用于將浮置擴(kuò)散區(qū)FD的電位設(shè)置到所需的水平，并且 通過釋放光電電荷復(fù)位該浮置擴(kuò)散區(qū)FD。驅(qū)動晶體管Dx用作源極跟隨緩沖 (follower buffer)放大器，其中將浮置擴(kuò)散區(qū)FD的電壓施加至柵極。選擇 晶體管Sx通過開關(guān)操作完成尋址(addressing)。在這種CMOS圖像傳感器中，光線射入光電二極管以在該光電二極管中 產(chǎn)生電子-空穴對，并且將該電子-空穴對遷移至浮置擴(kuò)散區(qū)。此時，在半導(dǎo)體襯底的表面上會發(fā)生如懸掛鍵等缺陷。當(dāng)電荷從光電二 極管遷移至浮置擴(kuò)散區(qū)時，懸掛鍵會捕獲電荷，從而引發(fā)噪聲。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供一種圖像傳感器及其制造方法，該方法可以提高圖 像傳感器的光學(xué)特性。在一個實施例中， 一種圖像傳感器可以包括半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯 底包括光電二極管區(qū)、晶體管區(qū)以及浮置擴(kuò)散區(qū)；位于該晶體管區(qū)中的該半 導(dǎo)體襯底上表面的下面的柵極電介質(zhì)；第一電介質(zhì)圖案，該第一電介質(zhì)圖案 的一部分位于該光電二極管區(qū)和該浮置擴(kuò)散區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底上表面的 上面，并且該第一電介質(zhì)圖案的一部分位于該光電二極管區(qū)和該浮置擴(kuò)散區(qū) 中的該半導(dǎo)體襯底上表面的下方；以及位于該柵極電介質(zhì)下方的第二電介 質(zhì)，該第二電介質(zhì)將該柵極電介質(zhì)的深度延伸至該半導(dǎo)體襯底上表面的下 方。在另一實施例中，制造圖像傳感器的方法可以包括提供半導(dǎo)體襯底， 該半導(dǎo)體襯底包括光電二極管區(qū)、晶體管區(qū)以及浮置擴(kuò)散區(qū)；在該晶體管區(qū) 中的該半導(dǎo)體襯底表面下形成柵極電介質(zhì)；形成第一電介質(zhì)圖案，該第一電 介質(zhì)圖案的一部分位于該光電二極管區(qū)和該浮置擴(kuò)散區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底 上表面的上面，并且該第一電介質(zhì)圖案的一部分位于該光電二極管區(qū)和該浮 置擴(kuò)散區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底上表面的下面；以及在該柵極電介質(zhì)的下方形成 第二電介質(zhì)，以將該柵極電介質(zhì)的深度延伸至該半導(dǎo)體襯底表面的下面。根據(jù)本發(fā)明的圖像傳感器及其制造方法可以抑制電子捕獲或閃爍噪聲 的形成并且提高圖像傳感器的光學(xué)特性。下文將結(jié)合附圖和說明書詳細(xì)描述一個或多個實施例。顯然從說明書和 附圖，以及從權(quán)利要求中可以得到其它技術(shù)特征。


圖1至圖8為根據(jù)實施例的圖像傳感器的制造工藝的剖視圖。
具體實施方式
在下文中，將結(jié)合隨附附圖對圖像傳感器及其制造方法的實施例進(jìn)行詳 細(xì)描述。在下文中，當(dāng)涉及層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)時，當(dāng)使用術(shù)語"上"或"上 方"時，可以理解為該層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)直接位于另一層或結(jié)構(gòu)的上 面，或者其中也可以出現(xiàn)中間層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)。在下文中，當(dāng)涉及 層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)時，當(dāng)使用術(shù)語"下"或"下方"時，可以理解為 該層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)直接位于另一層或結(jié)構(gòu)的下面，或者其中也可以 出現(xiàn)中間層、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)。
可以理解的是為了能夠清楚地理解本發(fā)明，可以簡化本發(fā)明實施例的附 圖和說明書以說明有關(guān)的元件，并且為了清楚地描述本發(fā)明，可以省去其它 公知的元件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以得到其它想要的和/或需要的元件，以 便實現(xiàn)本發(fā)明。然而，由于這些元件在本領(lǐng)域中已經(jīng)充分公開，并且由于這 些元件不便于更好地理解本發(fā)明，因此在下文中不提及這些元件。如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的圖像傳感器包括位于半導(dǎo)體襯底10上面的光電二極管區(qū)A、晶體管區(qū)B以及浮置擴(kuò)散區(qū)C;柵極電介質(zhì)50;第一電介質(zhì)圖案40;以及第二電介質(zhì)70。將柵極電介質(zhì)50置于晶體管區(qū)B中 的半導(dǎo)體襯底10上表面(如虛線所示)的下面。將第一電介質(zhì)圖案40的一 部分置于光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中的半導(dǎo)體襯底10上表面的下面， 并且將第一電介質(zhì)圖案40的一部分置于光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中 半導(dǎo)體襯底10上表面的上面。將第二電介質(zhì)70置于柵極電介質(zhì)50的下方。 柵極電介質(zhì)50、第一電介質(zhì)圖案40以及第二電介質(zhì)70可以由氧化物(例 如Si02)形成。將柵極90置于晶體管區(qū)B中的柵極電介質(zhì)50的上面。將光電二極管80置于光電二極管區(qū)A中的第一電介質(zhì)圖案40的下方。將浮置節(jié)點(diǎn)95置于浮置擴(kuò)散區(qū)C中的第一電介質(zhì)圖案40的下方。根據(jù)實施例，圖像傳感器可以在距離半導(dǎo)體襯底的表面有一預(yù)定距離處間隔出一條從光電二極管至浮置節(jié)點(diǎn)的電子遷移通道，從而抑制在半導(dǎo)體襯底的表面上產(chǎn)生的包括懸掛鍵等缺陷所引起的電子捕獲或閃爍噪聲(flickernoise)，并且提高光學(xué)特性。現(xiàn)在將參考圖1至圖8描述根據(jù)實施例的制造圖像傳感器的方法。如圖1所示，在半導(dǎo)體襯底10的上面形成第一電介質(zhì)30。例如，半導(dǎo)體襯底IO可以為重度摻雜的P型襯底(P++)，該P(yáng)型襯底具有輕度摻雜的P型外延層?？梢栽谥囟葥诫s的P型襯底上實施外延工藝以形成輕度摻雜的P型外延層?？梢栽诎雽?dǎo)體襯底10中形成多個器件隔離區(qū)20，以限定有源區(qū)和場效應(yīng)區(qū)?？梢栽谟性磪^(qū)的上面形成包括光電二極管和晶體管的單位像素。包括光電二極管的區(qū)域被稱為光電二極管區(qū)A。包括晶體管的柵極的區(qū)域被稱為晶體管區(qū)B。包括浮置節(jié)點(diǎn)的區(qū)域被稱為浮置擴(kuò)散區(qū)C。
可以在半導(dǎo)體襯底10的有源區(qū)的上面形成第一電介質(zhì)30。在實施例中， 可以在02氣氛中由氧化物(例如Si02)通過熱處理工藝形成該第一電介質(zhì)30。第一電介質(zhì)30與半導(dǎo)體襯底10的硅進(jìn)行反應(yīng)，以便在半導(dǎo)體襯底10 表面(如虛線所示)的上面和下面形成第一電介質(zhì)30。例如，可以將在半導(dǎo) 體襯底10表面上形成的一部分第一電介質(zhì)30稱為上部電介質(zhì)33，并且可以 將在半導(dǎo)體襯底10表面下形成的另一部分第一電介質(zhì)30稱為下部電介質(zhì)31。 該上部電介質(zhì)33與該下部電介質(zhì)31的高度比為2:1。高度比可以根據(jù) 電介質(zhì)形成工藝的條件進(jìn)行修改。如圖2所示，可以形成第一光致抗蝕劑圖案100以暴露半導(dǎo)體襯底10 上面的晶體管區(qū)B?？梢孕纬傻谝还庵驴刮g劑圖案100以暴露對應(yīng)于晶體管 區(qū)B的第一電介質(zhì)30的表面，而該第一光致抗蝕劑圖案100覆蓋對應(yīng)于光 電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C的第一電介質(zhì)30的表面。然后，采用第一光致抗蝕劑圖案100作為掩模在第一電介質(zhì)30上實施 蝕刻工藝。在某一實施例中，可以通過濕化或干化蝕刻方法移除一部分暴露 的第一電介質(zhì)30。因此，可以移除一部分置于晶體管區(qū)B中且通過第一光致抗蝕劑圖案 100暴露的第一電介質(zhì)30的上部電介質(zhì)33。此外，將置于光電二極管區(qū)A 中的第一電介質(zhì)30和被第一光致抗蝕劑圖案100覆蓋的浮置擴(kuò)散區(qū)C的其 它部分保留。同樣地，由于移除了一部分位于晶體管區(qū)B中的上部電介質(zhì)33， 因此僅在半導(dǎo)體襯底10的晶體管區(qū)B中保留下部電介質(zhì)31。此后，可以移除第一光致抗蝕劑圖案IOO。因此，如圖3所示，在晶體管區(qū)B中的半導(dǎo)體襯底IO上提供柵極電介 質(zhì)50，并且在光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中提供第一電介質(zhì)圖案40。通過在晶體管區(qū)B中的半導(dǎo)體襯底10表面下形成的下部電介質(zhì)31以提 供柵極電介質(zhì)50。通過在光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中的半導(dǎo)體襯底 10表面的上面和下面形成的第一電介質(zhì)30以提供第一電介質(zhì)圖案40。這樣， 柵極電介質(zhì)50的厚度小于第一電介質(zhì)圖案40的厚度。如圖4所示，可以在第一電介質(zhì)圖案40和柵極電介質(zhì)50上形成虛擬電 介質(zhì)60。根據(jù)實施例，可以在02氣氛中由氧化物(例如Si02)通過熱處理
工藝形成該虛擬電介質(zhì)60?；诖它c(diǎn)，可以在柵極電介質(zhì)50的下方形成第二電介質(zhì)70。當(dāng)形成虛 擬電介質(zhì)60時，會通過柵極電介質(zhì)50與半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行反應(yīng)以形成第 二電介質(zhì)70。這是因為當(dāng)形成虛擬電介質(zhì)60時，柵極電介質(zhì)50的厚度小并 且氧化物在該柵極電介質(zhì)50的下方快速生長。盡管可以在第一電介質(zhì)圖案 40的下方形成第二電介質(zhì)，然而由于第一電介質(zhì)圖案40的厚度大于柵極電 介質(zhì)50的厚度，因此在第一電介質(zhì)圖案40的下方形成的第二電介質(zhì)的厚度 比較小。進(jìn)一步而言，在某一實施例中，可以完全不在第一電介質(zhì)圖案40 的下方形成第二電介質(zhì)。如圖5和圖6所示，可以形成第二光致抗蝕劑圖案200以暴露位于半導(dǎo) 體襯底10上面的晶體管區(qū)B?？梢孕纬傻诙庵驴刮g劑圖案200以暴露晶體管區(qū)B，并且覆蓋光電二 極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C。在這種情況下，用于形成第一光致抗蝕劑圖案100 的掩模也可以用于第二光致抗蝕劑圖案200。可以采用第二光致抗蝕劑圖案200作為蝕刻掩模針對虛擬電介質(zhì)60實 施蝕刻工藝。在某一實施例中，可以通過濕化或干化蝕刻方法移除虛擬電介 質(zhì)60。因此，移除一部分置于晶體管區(qū)B中且通過第二光致抗蝕劑圖案200暴 露的虛擬電介質(zhì)60，并且通過保留的虛擬電介質(zhì)60，可以在光電二極管區(qū)A 和浮置擴(kuò)散區(qū)C中保留被第二光致抗蝕劑圖案200覆蓋的虛擬第一電介質(zhì)圖 案65。同樣地，由于移除了一部分位于晶體管區(qū)B中的虛擬電介質(zhì)60，因 此僅在半導(dǎo)體襯底10上的晶體管區(qū)B中保留柵極電介質(zhì)50和第二電介質(zhì) 70。此后，可以移除第二光致抗蝕劑圖案200。如上所述，在半導(dǎo)體襯底10表面下的晶體管區(qū)B中形成柵極電介質(zhì)50 和第二電介質(zhì)70，以便使隨后形成的光電子的遷移通道與半導(dǎo)體襯底10的 表面間隔一預(yù)定距離。第二電介質(zhì)70將柵極電介質(zhì)50的深度延伸至半導(dǎo)體 襯底10中。如圖6所示，可以形成第三光致抗蝕劑圖案300以覆蓋半導(dǎo)體襯底10 上的晶體管區(qū)B?？梢孕纬傻谌庵驴刮g劑圖案300以覆蓋晶體管區(qū)B，并
且暴露光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C。然后，采用第三光致抗蝕劑圖案300作為蝕刻掩模，針對位于光電二極 管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中的虛擬第一電介質(zhì)圖案65實施蝕刻工藝。在實施 例中，可以通過濕化蝕刻方法移除虛擬第一電介質(zhì)圖案65。在這種情況下， 通過控制蝕刻時間可以僅移除虛擬第一電介質(zhì)圖案65，以便在光電二極管區(qū) A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中保留第一電介質(zhì)屈案40。此后，可以移除第三光致抗蝕劑圖案300。如圖7所示，在晶體管區(qū)B中的半導(dǎo)體襯底10表面的下方保留柵極電 介質(zhì)50和第二電介質(zhì)70。同樣地，在光電二極管區(qū)A和浮置擴(kuò)散區(qū)C中的 半導(dǎo)體襯底10表面的上面和下面保留第一電介質(zhì)圖案40。因此，在晶體管區(qū)B中的包括柵極電介質(zhì)50和第二電介質(zhì)70的電介質(zhì) 的厚度大于位于半導(dǎo)體襯底10表面下的部分的第一電介質(zhì)圖案40的厚度。如圖8所示，可以在光電二極管區(qū)A中形成光電二極管80;可以在晶 體管區(qū)B中形成柵極90;并且可以在浮置擴(kuò)散區(qū)C中形成浮置節(jié)點(diǎn)95。根據(jù)實施例，可以將柵極電介質(zhì)50和第二電介質(zhì)70置于半導(dǎo)體襯底10 上表面的下面，從而在距離半導(dǎo)體襯底10的表面有一預(yù)定距離處間隔出一 條從光電二極管80連接至浮置節(jié)點(diǎn)95的光電子遷移通道。因此，可以抑制在半導(dǎo)體襯底10的表面上產(chǎn)生的由包括懸掛鍵等缺陷 所引起的電子捕獲或閃爍噪聲，以提高圖像傳感器的光學(xué)特性。根據(jù)實施例，根據(jù)本發(fā)明的圖像傳感器及其制造方法可以將柵極電介質(zhì) 延伸至半導(dǎo)體襯底的表面下方。因此，在半導(dǎo)體襯底中通過將柵極電介質(zhì)延 伸至一定深度，可以在距離半導(dǎo)體襯底的表面有一預(yù)定距離處間隔出一條從 晶體管源極至晶體管漏極的電子遷移通道。從而，在距離半導(dǎo)體襯底的表面 有一預(yù)定距離處間隔出一條從光電二極管至浮置節(jié)點(diǎn)的電子遷移通道，以抑 制電子捕獲或閃爍噪聲的形成，并且提高圖像傳感器的光學(xué)特性。說明書中所涉及的"一實施例"、"實施例"、"示例性實施例"等， 其含義是結(jié)合實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性均包括在本發(fā)明的至少 一個實施例中。說明書中出現(xiàn)于各處的這些短語并不一定都涉及同一個實施 例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，都認(rèn)為其落在 本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實施例就可以實現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍內(nèi)。盡管對實施例的描述中結(jié)合了其中多個示例性實施例，但可以理解的是 本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它變化和實施例，并落入本公開內(nèi)容 的原理的精神和范圍之內(nèi)。尤其是，可以在該公開、附圖和所附權(quán)利要求的 范圍內(nèi)對組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進(jìn)行多種變化和改進(jìn)。除組件和/ 或排列的變化和改進(jìn)之外，其它可選擇的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是 顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種圖像傳感器，包括半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底包括光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)；柵極電介質(zhì)，設(shè)置于該晶體管區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底的表面下；第一電介質(zhì)圖案，具有位于該光電二極管區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底的表面上的部分和位于該光電二極管區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底的表面下的部分；以及第二電介質(zhì)，位于該柵極電介質(zhì)的下方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像傳感器，其中該柵極電介質(zhì)、該第一電介 質(zhì)圖案以及該第二電介質(zhì)包括二氧化硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中提供該第二電介質(zhì)，使得延 伸進(jìn)入該半導(dǎo)體襯底中的該柵極電介質(zhì)的深度大于位于該半導(dǎo)體襯底的表 面下方的該第一電介質(zhì)圖案的部分的深度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖像傳感器，進(jìn)一步包括柵極，設(shè)置于該柵極 電介質(zhì)上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該柵極電介質(zhì)的上表面高度 實質(zhì)上與該半導(dǎo)體襯底的表面高度相等。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該半導(dǎo)體襯底進(jìn)一步包括浮 置擴(kuò)散區(qū)，其中在該浮置擴(kuò)散區(qū)中還提供該第一電介質(zhì)圖案。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中該第一電介質(zhì)圖案位于該半 導(dǎo)體襯底表面上的部分的厚度大于該第一電介質(zhì)圖案位于該半導(dǎo)體襯底表 面下的部分的厚度。
8. —種制造圖像傳感器的方法，該方法包括以下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底包括光電二極管區(qū)和晶體管區(qū)； 在該晶體管區(qū)中的該半導(dǎo)體襯底的表面下方形成柵極電介質(zhì)； 在該光電二極管區(qū)中形成第一電介質(zhì)圖案，該第一電介質(zhì)圖案具有位于該半導(dǎo)體襯底的表面上的部分和位于該半導(dǎo)體襯底的表面下的部分；以及 在該柵極電介質(zhì)的下方形成第二電介質(zhì)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該柵極電介質(zhì)的形成步驟包括以下 步驟在半導(dǎo)體襯底上形成第一電介質(zhì)，該第一電介質(zhì)包括上部電介質(zhì)和下部電介質(zhì)，其中該上部電介質(zhì)延伸至該半導(dǎo)體襯底的表面之上，且該下部電介質(zhì)延伸至該半導(dǎo)體襯底的表面之下；以及移除位于該晶體管區(qū)中的該上部電介質(zhì)的至少一部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成包括該上部電介質(zhì)和該下部 電介質(zhì)的該第一電介質(zhì)的步驟包括實施熱氧化工藝。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該上部電介質(zhì)的移除步驟包括以 下步驟形成第一光致抗蝕劑圖案，暴露位于該晶體管區(qū)中的該第一電介質(zhì)；以及采用該第一光致抗蝕劑圖案作為掩模，針對該第一電介質(zhì)的該上部電介 質(zhì)實施蝕刻工藝。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在光電二極管區(qū)中形成的該上部 電介質(zhì)和該下部電介質(zhì)提供該第一 電介質(zhì)圖案。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成該第二電介質(zhì)的步驟包括以 下步驟在形成該柵極電介質(zhì)后，通過熱處理工藝在該半導(dǎo)體襯底上形成虛擬電 介質(zhì)，其中在該熱處理工藝期間，在該柵極電介質(zhì)的下方形成該第二電介質(zhì)； 以及移除該虛擬電介質(zhì)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中移除該虛擬電介質(zhì)的步驟包括以 下步驟形成第二光致抗蝕劑圖案，暴露位于該晶體管區(qū)中的該虛擬電介質(zhì)；以及采用該第二光致抗蝕劑圖案作為掩模，實施蝕刻工藝以移除位于該柵極 電介質(zhì)上的該虛擬電介質(zhì)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟 在移除位于該柵極電介質(zhì)上的該虛擬電介質(zhì)后，形成覆蓋該柵極電介質(zhì)的第三光致抗蝕劑圖案；以及采用該第三光致抗蝕劑圖案作為掩模，實施第二蝕刻工藝以移除位于該 第一電介質(zhì)圖案上的該虛擬電介質(zhì)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該柵極電介質(zhì)、該第一電介質(zhì)圖 案以及該第二電介質(zhì)由二氧化硅形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在該柵極電介質(zhì)上形成柵極。
18. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在形成該第一電介質(zhì)圖案 后，在該光電二極管區(qū)中形成光電二極管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中該半導(dǎo)體襯底進(jìn)一步包括浮置擴(kuò) 散區(qū)，該方法進(jìn)一步包括以下步驟-在該浮置擴(kuò)散區(qū)中形成該第一電介質(zhì)圖案。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟 在形成該第一電介質(zhì)圖案后，在該浮置擴(kuò)散區(qū)中形成浮置節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種圖像傳感器及其制造方法?？梢灾苽浒ü怆姸O管區(qū)、晶體管區(qū)以及浮置擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體襯底。可以將柵極電介質(zhì)置于位于晶體管區(qū)中的半導(dǎo)體襯底的表面下方。可以提供第一電介質(zhì)圖案，該第一電介質(zhì)圖案的一部分位于該光電二極管和該浮置擴(kuò)散區(qū)中的半導(dǎo)體襯底的表面上，并且一部分位于該光電二極管和該浮置擴(kuò)散區(qū)中的半導(dǎo)體襯底的表面下。可以將第二電介質(zhì)置于該柵極電介質(zhì)的下方。該第二電介質(zhì)可以將該柵極電介質(zhì)的深度延伸至該半導(dǎo)體襯底中，以便間隔出從該光電二極管區(qū)至該浮置擴(kuò)散區(qū)的光電子遷移通道。根據(jù)本發(fā)明的圖像傳感器及其制造方法可以抑制電子捕獲或閃爍噪聲的形成，并且提高圖像傳感器的光學(xué)特性。
文檔編號H01L27/146GK101399279SQ20081016809
公開日2009年4月1日 申請日期2008年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日
發(fā)明者樸東彬 申請人:東部高科股份有限公司