專(zhuān)利名稱(chēng)：：Cof基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及COF基板，具體地說(shuō)，涉及用于安裝電子零部件的COF基板。
背景技術(shù)：
：在COF基板上，利用COF(Chiponfilm)的方法，將半導(dǎo)體元件(IC芯片等)等電子零部件不放置在封裝內(nèi)，而是直接進(jìn)行裸片安裝(裸芯片安裝)，COF基板被安裝于各種電子設(shè)備上。該COF基板，通常具備基底絕緣層、和在這之上形成的用于與電子零部件的連接端子連接的端子部。另外，近年來(lái)，隨著電子設(shè)備的輕薄化與短小化，要求電子零部件高密度化，同時(shí)也要求COF基板的端子部的高密度化。為滿足這些要求，例如，有提案形成一種端子部，該端子部在布線電路基板的帶狀導(dǎo)體的端部，具備沿帶狀導(dǎo)體的延伸方向延伸的、在與該延伸方向正交的方向(寬度方向)上隔開(kāi)間隔配置的多個(gè)短引線；和在相鄰的短引線之間在寬度方向上隔開(kāi)間隔配置的、比短引線延伸得要長(zhǎng)的多個(gè)長(zhǎng)引線(例如，參照特開(kāi)2005-183465號(hào)公報(bào))。并且，特開(kāi)2005-183465號(hào)公報(bào)的端子部的短引線終端的短終端部和長(zhǎng)引線終端的長(zhǎng)終端部，沿寬度方向形成交錯(cuò)狀(2列交錯(cuò)的圖樣)。
發(fā)明內(nèi)容然而，COF基板的端子部，有時(shí)是利用加成法等，浸漬于電鍍液中進(jìn)行電鍍，析出金屬而形成的。但是，對(duì)于特開(kāi)2005-183465號(hào)公報(bào)中提案的布線電路基板，在其端子部的形成中，對(duì)長(zhǎng)終端部的電鍍液的布圖密度，要低于對(duì)除去短終端部和長(zhǎng)終端部的長(zhǎng)引線的電鍍液的布圖密度。也就是，由于對(duì)電鍍液的引線產(chǎn)生了疏密，長(zhǎng)終端部附近的電鍍液的金屬離子濃度，要高于短終端部附近的電鍍液的金屬離子濃度。因此，長(zhǎng)終端部上的金屬要比短終端部析出得多，長(zhǎng)終端部的厚度要比短終端部的厚度厚。所以，如果在這樣的端子部上安裝半導(dǎo)體元件，則厚度較薄的短終端部與半導(dǎo)體元件的連接端子之間會(huì)有容易產(chǎn)生空隙、產(chǎn)生接觸不良、降低連接的可靠性等不好的情況。本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)高密度化、同時(shí)又具有高連接可靠性的C0F基板。本發(fā)明的COF基板，其特征在于，具備絕緣層；和形成于上述絕緣層上的與電子零部件電連接的端子部，上述端子部具備在長(zhǎng)邊方向上延伸的第1引線；和在長(zhǎng)邊方向上延伸的、與上述第1引線的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度相比其長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度較短的第2引線，上述第1引線在與上述長(zhǎng)邊方向正交的方向隔開(kāi)間隔配置多個(gè)，上述第2引線在與上述長(zhǎng)邊方向正交的方向上，在相鄰的上述第1引線之間配置多個(gè)，使相鄰的上述第1引線在相鄰方向上投影時(shí)，形成上述第2引線重疊的重復(fù)部分和上述第2引線不重疊的不重復(fù)部分，在上述不重復(fù)部分設(shè)置有空引線。另外，本發(fā)明的COF基板中，上述端子部最好用電鍍形成另外，本發(fā)明的COF基板中，上述空引線的與上述長(zhǎng)邊方向正交的方向的長(zhǎng)度，最好比上述第2引線的與上述長(zhǎng)邊方向正交的方向的長(zhǎng)度要短，或者和上述第2引線的與上述長(zhǎng)邊方向正交的方向的長(zhǎng)度相同。另外，本發(fā)明的COF基板中，上述空引線的上述長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度，最好比上述空引線和上述第2引線在上述長(zhǎng)邊方向上的間隔要長(zhǎng)。本發(fā)明的COF基板中，端子部具備第1引線；和與第1引線的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度相比、其長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度要短的第2引線，第l引線在與長(zhǎng)邊方向正交的方向上隔開(kāi)間隔配置多個(gè)，第2引線在與長(zhǎng)邊方向正交的方向上，在相鄰的第1引線之間配置多個(gè)，使相鄰的第1引線在相鄰方向投影時(shí)形成第2引線重疊的重復(fù)部分和第2引線不重疊的不重復(fù)部分。因此，在第1引線與第2引線之間，由于沿與長(zhǎng)邊方向正交的方向形成階梯差，從而可以實(shí)現(xiàn)端子部的高密度化。另一方面，該COF基板中，在不重復(fù)部分設(shè)有空引線。所以，利用電鍍形成端子部時(shí)，對(duì)電解液可以防止產(chǎn)生第1引線與第2引線的疏密，能夠使得第1引線附近的電鍍液的金屬離子濃度、與空引線及第2引線的重復(fù)部分附近的電鍍液的金屬離子濃度大致相等。因此，能夠使第1引線與第2引線的厚度相等，該結(jié)果使端子部的厚度均勻，從而可以獲得優(yōu)異的連接可靠性。此外，該COF基板中，因?yàn)樵诓恢貜?fù)部分設(shè)有空引線，因此在安裝電子零部件時(shí)，可以加強(qiáng)COF基板。圖1所示為本發(fā)明C0F基板的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的部分平面圖。圖2為圖1中所示的COF基板的配線部的平面放大圖。圖3為圖1中所示的配線部的內(nèi)部引線的平面放大圖。圖4為圖1中所示的COF基板的部分底面圖。圖5為圖1中所示的COF基板的制造方法工序圖，是圖2中沿線A—A的剖面圖。(a)表示準(zhǔn)備加強(qiáng)層的工序。(b)表示在加強(qiáng)層上形成基底絕緣層的工序。(c)表示形成導(dǎo)體布圖及空引線的工序。(d)表示在基底絕緣層上形成被覆絕緣層的工序。(e)表示對(duì)加強(qiáng)層形成開(kāi)口部的工序。具體實(shí)施例方式圖1表示本發(fā)明C0F基板的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的部分平面圖，圖2表示圖1中所示的COF基板的配線部的平面放大圖，圖3表示圖l中所示的配線部的內(nèi)部引線的平面放大圖，圖4表示圖1中所示的COF基板的部分底面圖，圖5則表示圖1中所示的COF基板的制造方法的工序圖，是圖2中沿線A—A的剖面圖。圖1中，該C0F基板1安裝了未圖示的IC芯片，并安裝于液晶顯示器(液晶電視等)等各種電子設(shè)備上。C0F基板1具備作為在長(zhǎng)邊方向上連續(xù)延伸的帶狀絕緣層的基底絕緣層2;形成于該基底絕緣層2上的、設(shè)有導(dǎo)體布圖6的多個(gè)配線部3;以及形成于該基底絕緣層2的下方的加強(qiáng)層4(參照?qǐng)D4)。配線部3在基底絕緣層2的表面，在基底絕緣層2的長(zhǎng)邊方向(與C0F基板的長(zhǎng)邊方向相同，以下有時(shí)只稱(chēng)為"長(zhǎng)邊方向"。)上，相互隔開(kāi)間隔并連續(xù)地設(shè)置多個(gè)。在各配線部3上，如圖2中所示，其中間設(shè)有用于安裝(放置)未圖示的IC芯片等電子零部件的、俯視圖為近似矩形形狀的安裝部5。另外，在安裝部5的長(zhǎng)邊方向的兩側(cè)，分別形成導(dǎo)體布圖6。導(dǎo)體布圖6在基底絕緣層2表面，由相互隔開(kāi)間隔配置的多個(gè)配線7形成，各配線7具備作為與電子零部件電連接的端子部的內(nèi)部引線8以及外部引線9、和中間連接引線IO，形成一體。內(nèi)部引線8面對(duì)安裝部5內(nèi)部，在C0F基板1的寬度方向(與長(zhǎng)邊方向正交的方向。以下有時(shí)只稱(chēng)為"寬度方向")上并排配置。內(nèi)部引線8如圖2與圖3所示，具備作為第1引線的第1內(nèi)部引線12、和作為第2引線的第2內(nèi)部引線13。第1內(nèi)部引線12形成為沿長(zhǎng)邊方向延伸的、俯視圖為近似矩形形狀，在寬度方向上隔開(kāi)間隔配置多個(gè)。第2內(nèi)部引線13形成為沿長(zhǎng)邊方向延伸的、俯視圖為近似矩形形狀，在寬度方向上，在相鄰的第1內(nèi)部引線12之間配置多個(gè)。另外，第2內(nèi)部引線13配置多個(gè)，使得在寬度方向(相鄰的第1內(nèi)部引線12的相鄰方向)上投影時(shí)，形成第2內(nèi)部引線13重疊的重復(fù)部分14、和第2內(nèi)部引線13不重疊的不重復(fù)部分15。亦即，第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13在長(zhǎng)邊方向上，它們的底端部(圖3中的左端部，安裝部5的周邊端部)設(shè)置于同一位置，相對(duì)于第1內(nèi)部引線12的自由端部(圖3中的右端部，與虛線所示的后述IC芯片連接端子的凸點(diǎn)18接觸的部分)，第2內(nèi)部引線13的自由端部(圖3中的右端部，與虛線所示的后述IC芯片連接端子的凸點(diǎn)18接觸的部分)配置在更靠近安裝部5的外側(cè)(安裝部5的周邊端部側(cè))的位置。也就是，形成第2內(nèi)部引線13，使得第2內(nèi)部引線13的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度L4要比第1內(nèi)部引線12的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度L3短。由此，將第2內(nèi)部引線13的底端部到第2內(nèi)部引線13的自由端部在寬度方向上的投影部分形成重復(fù)部分14，將第2內(nèi)部引線13的自由端部到第1內(nèi)部引線12的自由端部在寬度方向上的投影部分形成不重復(fù)部分15。而且，第1內(nèi)部引線12的自由端部與第2內(nèi)部引線13的自由端部，沿寬度方向形成交錯(cuò)狀。另外，對(duì)不重復(fù)部分15設(shè)有空引線16?？找€16形成為沿長(zhǎng)邊方向延伸的、俯視為近似矩形，在不重復(fù)部分15，配置在相鄰的第1內(nèi)部引線12之間，同時(shí)與各第2內(nèi)部引線13相對(duì)應(yīng)而形成。另外，各空引線16與各第2內(nèi)部引線13在長(zhǎng)邊方向上以間隔SD隔開(kāi)，在安裝部5的內(nèi)側(cè)而對(duì)向配置。另外，空引線16的自由端面(圖3中的右端面)與第1內(nèi)部引線12的自由端面(圖3中的右端面)，在寬度方向上配置為同一平面。各第1內(nèi)部引線12的寬度(寬度方向的長(zhǎng)度)Wl與各第2內(nèi)部引線13的寬度(寬度方向的長(zhǎng)度)W2可以相同，也可以不同，如525pm，最好是102(Him。另夕卜，相鄰的第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13之間的長(zhǎng)度(寬度方向上的間隔)Sl，例如為535pm，最好是1020pm。另外，各內(nèi)部引線8的間距(即，一個(gè)第1內(nèi)部引線12的寬度Wl或一個(gè)第2內(nèi)部引線13的寬度W2、以及相鄰的第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13之間的長(zhǎng)度(寬度方向上的間隔)Sl的總長(zhǎng))IP，例如為50pm以下，最好是35pm以下，通常是在15pm以上。另外，第1內(nèi)部引線12的長(zhǎng)度(底端部到自由端部的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度)L3，例如為15030(Him，最好是20025(Him，第2內(nèi)部引線13的長(zhǎng)度(底端部到自由端部的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度)L4，例如為100250pm，最好是150200,。另外，空引線16的寬度WD，設(shè)定為短于后述IC芯片的連接端子的凸點(diǎn)18的寬度W4。亦即，空引線16的寬度WD設(shè)定為滿足下式(1)的關(guān)系。WD〈W4..................(1)若空引線16的寬度WD在上述范圍內(nèi)，則能充分確?？找€16和與之相鄰的第2內(nèi)部引線13之間的間隔(空間)，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部引線8的高密度化。另外，空引線16的寬度WD，例如為比第2內(nèi)部引線13的寬度W2要短，或者與第2內(nèi)部引線13的寬度W2相等，亦即設(shè)定為滿足下式(2)的關(guān)系。WD《W2..................(2)若空引線16的寬度WD在上述范圍內(nèi)，則能充分確?？找€16和與之相鄰的第2內(nèi)部引線13之間的間隔(空間)，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部引線8的高密度化。更具體地說(shuō)，各空引線16的寬度WD，例如為8pm以上，最好是10^m以上，通常是在15pm以下?？找€16與第2內(nèi)部引線13之間的長(zhǎng)度(長(zhǎng)邊方向上的間隔)SD設(shè)定為滿足例如下式(3)、最好是下式(4)的關(guān)系。0nm<SD《2X(不重復(fù)部分的長(zhǎng)度L1)............(3)20pm《SD《0.5X(不重復(fù)部分的長(zhǎng)度L1)............(4)若空引線16與第2內(nèi)部引線13之間的長(zhǎng)度SD設(shè)定在上述范圍內(nèi)，則更能降低配線的偏差。另外，空引線16的長(zhǎng)度(長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度)LD最好是設(shè)定為長(zhǎng)于空引線16與第2內(nèi)部引線13之間的長(zhǎng)度SD。另外，空引線16的長(zhǎng)度LD，設(shè)定為空引線16的面積(=空引線16的長(zhǎng)度LDX空引線16的寬度WD)VD滿足下式(5)的關(guān)系。0.5XV1《VD《2.0XV1..................(5)(Vl=(不重復(fù)部分15的長(zhǎng)度L1)X(第2內(nèi)部引線13的寬度W2)亦即，VI相當(dāng)于不重復(fù)部分15中、將第2內(nèi)部引線13延長(zhǎng)到安裝部5的內(nèi)側(cè)(圖3右側(cè))的延長(zhǎng)部分的面積。)具體地說(shuō)，空引線16的長(zhǎng)度LD，例如為50200pm，最好是50150|um。若將空引線16的長(zhǎng)度LD設(shè)定在上述范圍內(nèi)，則可以使得內(nèi)部引線8的厚度均勻。各外部引線9如圖2所示，面對(duì)配線部3的長(zhǎng)邊方向的兩端部，沿長(zhǎng)邊方向延伸，互相隔開(kāi)間隔在寬度方向上并排配置。各外部引線9的間距(亦即，一個(gè)外部引線9的寬度(寬度方向長(zhǎng)度)、與兩個(gè)外部引線9之間的長(zhǎng)度(寬度方向上的間隔)的總長(zhǎng))0P，相對(duì)于各內(nèi)部引線8的間距IP，設(shè)定為例如1001000%左右。亦即，各外部引線9的間距0P可以設(shè)定為比各內(nèi)部引線8的間距IP要寬，也可以設(shè)定為與各內(nèi)部引線8的間距IP同寬。各中間連接引線10將各內(nèi)部引線8與各外部引線9進(jìn)行中間連接，使得各內(nèi)部引線8與各外部引線9相連續(xù)，當(dāng)各外部引線9的間距0P設(shè)定為比各內(nèi)部引線8的間距IP要寬時(shí)，從間距較窄的內(nèi)部引線8—側(cè)向間距較寬的外部引線9一側(cè)，逐漸沿寬度方向增寬而呈放射狀配置。另外，在配置有各中間連接引線10的部分，設(shè)有抗鍍劑等的被覆絕緣層11。亦即，被覆絕緣層11圍繞安裝部5那樣設(shè)置，使得俯視圖為近似矩形形狀，被覆所有中間連接引線10。還有，導(dǎo)體布圖6與空引線16利用加成法形成時(shí)，如圖5(e)所示，在基底絕緣層2與導(dǎo)體布圖6以及空引線16之間，夾入了金屬薄膜17。另外，對(duì)于從被覆絕緣層11露出的內(nèi)部引線8與外部引線9，形成未圖示的金屬鍍層。加強(qiáng)層4如圖4所示，層疊在基底絕緣層2的背面。對(duì)加強(qiáng)層4，如圖1和圖4所示，在與各配線部3對(duì)向的位置上形成開(kāi)口部19。各開(kāi)口部19與各配線部3相對(duì)應(yīng)，通過(guò)將加強(qiáng)層4進(jìn)行開(kāi)口成仰視圖為近似矩形形狀而形成。該加強(qiáng)層4從下側(cè)來(lái)加強(qiáng)基底絕緣層2。下面，參照?qǐng)D5說(shuō)明該COF基板1的制造方法。本方法中，首先，如圖5(a)所示，準(zhǔn)備加強(qiáng)層4。作為形成加強(qiáng)層4的加強(qiáng)材料，采用如銅、或不銹鋼等金屬材料，最好是用不銹鋼。加強(qiáng)層4的厚度，例如為3100pm，最好是530^m。然后，按圖5(b)所示，在加強(qiáng)層4上形成生成基底絕緣層2。作為形成基底絕緣層2的絕緣材料，使用如聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯乙烯等合成樹(shù)脂。在這些選材中，以用感光性的合成樹(shù)脂為佳，更好的是用感光性聚酰亞胺。為了形成基底絕緣層2，在加強(qiáng)層4的整個(gè)表面上，涂敷例如感光性的合成樹(shù)脂，干燥后，以上述布圖進(jìn)行曝光并顯影，根據(jù)需要使其硬化。另外，基底絕緣層2的形成也可以是在加強(qiáng)層4的整個(gè)表面上，均勻涂敷上述合成樹(shù)脂的溶液后，進(jìn)行干燥，然后根據(jù)需要加熱使之硬化，之后利用刻蝕等形成上述布圖。此外，基底絕緣層2的形成，也可以例如將合成樹(shù)脂預(yù)先形成上述布圖的薄膜，將該薄膜用現(xiàn)有的粘合劑層粘貼到加強(qiáng)層4的表面上。這樣形成的基底絕緣層2的厚度，例如為5(Him以下，最好是30nm以下，通常是在3|Lim以上。然后，在本方法中，如圖5(c)所示，同時(shí)形成導(dǎo)體布圖6以及空引線16。形成導(dǎo)體布圖6和空引線16的材料，采用如銅、鎳、金、焊錫、或者是這些材料的合金等金屬材料(導(dǎo)體材料)，最好是用銅。為了形成導(dǎo)體布圖6和空引線16，采用如加成法、減成法等現(xiàn)有的圖形制作法，最好是用電鍍的加成法。在加成法中，例如，首先在基底絕緣層2的整個(gè)表面上用濺射法等形成金屬薄膜17，然后在該金屬薄膜17之上，以導(dǎo)體布圖6與空引線16的反轉(zhuǎn)布圖形成抗鍍劑。之后，通過(guò)將制造過(guò)程中的COF基板1浸漬于上述金屬材料的電鍍液中，并通電進(jìn)行電鍍，從而在從抗鍍劑露出的金屬薄膜17上，同時(shí)形成導(dǎo)體布圖6和空引線16。之后，除去抗鍍劑以及該抗鍍劑形成的部分的金屬薄膜17。上述電鍍中，由于在相鄰的第1內(nèi)部引線12之間形成了空引線16，所以可以使第1內(nèi)部引線12附近的電鍍液的金屬離子濃度、與空引線16以及第2內(nèi)部引線13的重復(fù)部分14附近的電鍍液的金屬離子濃度大致相等，因此可以將后述的第1內(nèi)部引線12的厚度與第2內(nèi)部引線13的厚度之差設(shè)定在2.0pm以下。由此，形成了導(dǎo)體布圖6，該導(dǎo)體布圖6是由內(nèi)部引線8、外部引線9以及中間連接引線10形成為一體的配線7的布圖，同時(shí)，在不重復(fù)部分15形成了空引線16。這樣形成的導(dǎo)體布圖6及空引線16的厚度，例如為5pm以上，最好是815pm。另夕卜，第1內(nèi)部引線12的厚度與第2內(nèi)部引線13的厚度，通常相等或者稍有不同，對(duì)于稍有不同的情況，它們之差例如為2.0)Lim以下，最好是l.Opm以下。如果第1內(nèi)部引線12的厚度與第2內(nèi)部引線13的厚度之差超過(guò)2.(Him時(shí)，則在與IC芯片的連接端子的連接上，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生接觸不良。然后，在本方法中，如圖5(d)所示，在基底絕緣層2上形成被覆絕緣層11，以被覆中間連接引線IO。作為形成被覆絕緣層11的絕緣材料，使用如抗鍍劑等的合成樹(shù)脂。為了形成被覆絕緣層ll，是通過(guò)利用如將感光性抗鍍劑進(jìn)行曝光并顯影的現(xiàn)有的方法來(lái)形成的。這樣形成的被覆絕緣層11的厚度，例如為530|im，最好是5~2(Him。然后，在本方法中，雖然未圖示，但在各配線7的內(nèi)部引線8以及外部引線9的表面形成金屬鍍層。作為形成金屬鍍層的金屬材料，使用如鎳、金等。金屬鍍層可以通過(guò)如化學(xué)鍍而形成。然后，在本方法中，如圖5(e)所示，對(duì)加強(qiáng)層4形成開(kāi)口部19。為了對(duì)加強(qiáng)層4形成開(kāi)口部19，是將加強(qiáng)層4的與配線部3對(duì)向的部分，利用如化學(xué)刻蝕(濕法刻蝕)等現(xiàn)有的方法進(jìn)行開(kāi)口。由此，可以得到COF基板1。然后，說(shuō)明在上述得到的C0F基板1上安裝(放置)IC芯片的方法。首先，準(zhǔn)備IC芯片。雖然未圖示，但在IC芯片的下表面設(shè)有用于與內(nèi)部引線8及外部引線9電連接的連接端子和在連接端子表面上形成的凸點(diǎn)18(圖3中的虛線)。特別是用于連接內(nèi)部引線8的連接端子，如參照?qǐng)D3那樣，是以與第1內(nèi)部引線12的自由端部(虛線)及第2內(nèi)部引線13的自由端部(虛線)的交錯(cuò)狀相對(duì)應(yīng)的布圖(配置)形成的。另外，與內(nèi)部引線8相對(duì)應(yīng)的連接端子的凸點(diǎn)18的寬度W4，例如為1025pm，最好是15~20pm。然后，將IC芯片放置于C0F基板1的安裝部5，同時(shí)將IC芯片的連接端子通過(guò)凸點(diǎn)18與內(nèi)部引線8及外部引線9電連接。這樣，在C0F基板1上完成了IC芯片的安裝。因此，在該C0F基板1上，由于第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13沿寬度方向形成交錯(cuò)狀，從而可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部引線8的高密度化。另一方面，在該COF基板1的不重復(fù)部分15設(shè)置有空引線16。因此，在加成法等中利用電鍍生成內(nèi)部引線8時(shí)，對(duì)于電鍍液可以防止產(chǎn)生內(nèi)部引線8的疏密，能夠使第1內(nèi)部引線12附近的電鍍液的金屬離子濃度、與空引線16以及第2內(nèi)部引線13的重復(fù)部分14附近的電鍍液的金屬離子濃度相等。所以，可以使得第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13的厚度相等，該結(jié)果使得內(nèi)部引線8的厚度均勻，從而在COF基板1上可以獲得優(yōu)異的連接可靠性。而且，該C0F基板1上，由于在不重復(fù)部分15設(shè)置有空引線16，因此在安裝IC芯片時(shí)，可以加強(qiáng)安裝部5。還有，上述說(shuō)明中，是在內(nèi)部引線8中形成了第1內(nèi)部引線12與第2內(nèi)部引線13，在由第2內(nèi)部引線13形成的不重復(fù)部分15設(shè)有空引線16，但是，例如，雖然未圖示，卻也可以除了內(nèi)部引線8，還對(duì)外部引線9形成第1外部引線與第2外部引線，在由第2外部引線形成的不重復(fù)部分，設(shè)置空引線。另外，上述說(shuō)明中，是將空引線16對(duì)應(yīng)多個(gè)第2內(nèi)部引線13而形成多個(gè)，但是，例如，雖然未圖示，卻也可以將空引線16不與多個(gè)第2內(nèi)部引線13相對(duì)應(yīng)，而是以比第2內(nèi)部引線13的數(shù)量少的數(shù)量(至少一個(gè)以上)而形成。這種情況下，將在相鄰的第1內(nèi)部引線12之間配置空引線16的部分與沒(méi)有配置的部分，沿寬度方向有規(guī)則地或者不規(guī)則地排列。而且還有，上述說(shuō)明中，是對(duì)COF基板1形成了加強(qiáng)層4，但是，例如，雖然未圖示，卻也可以不形成加強(qiáng)層4來(lái)制造C0F基板1。另外，在對(duì)COF基板1不形成加強(qiáng)層4的情況下，是在現(xiàn)有的剝離片上，層疊基底絕緣層2、導(dǎo)體布圖6以及被覆絕緣層11后，除去剝離片，通過(guò)這樣形成COF基板1。實(shí)施例以下列舉實(shí)施例和比較例，更具體地說(shuō)明本發(fā)明。實(shí)施例1準(zhǔn)備厚度為2(Him的由不銹鋼箔形成的加強(qiáng)層(參照?qǐng)D5(a))，然后，在加強(qiáng)層的整個(gè)表面上涂敷聚酰胺酸樹(shù)脂的溶液，干燥后進(jìn)行曝光及顯影后，通過(guò)加熱使之硬化，形成厚度為25)im的由聚酰亞胺樹(shù)脂形成的基底絕緣層(參照?qǐng)D5(b))。然后，利用加成法同時(shí)形成導(dǎo)體布圖和空引線。亦即，首先，在基底絕緣層的整個(gè)表面上，利用濺射法依次形成厚度為30nm的鉻膜與厚度為200nm的銅膜，從而形成金屬薄膜。然后，在金屬薄膜之上，以導(dǎo)體布圖及空引線的反轉(zhuǎn)布圖，形成由干膜抗蝕劑形成的抗鍍劑，之后通過(guò)電鍍銅，在從抗鍍劑露出的金屬薄膜上，形成導(dǎo)體布圖及空引線。然后，通過(guò)除去抗鍍劑以及該抗鍍劑層疊的部分的金屬薄膜，形成導(dǎo)體布圖，該導(dǎo)體布圖是由內(nèi)部引線、外部引線及中間連接引線形成為一體的配線的圖形，與此同時(shí)，在不重復(fù)部分形成空引線(厚度為lO)tim,參照?qǐng)D5(c))。內(nèi)部引線的間距為3(Him，外部引線的間距為100jim。另外，第1內(nèi)部引線的長(zhǎng)度為30(Him，第2內(nèi)部引線的長(zhǎng)度為15(Him。此外，其他內(nèi)部引線及空引線的尺寸如下表1所示。然后，在規(guī)定的布圖上形成感光性抗鍍劑后，通過(guò)曝光及顯影，以被覆中間連接引線的布圖形成被覆絕緣層。之后，將加強(qiáng)層的與配線部對(duì)向的部分用化學(xué)刻蝕進(jìn)行開(kāi)口，從而對(duì)加強(qiáng)層形成開(kāi)口部。由此，得到COF基板。實(shí)施例25在導(dǎo)體布圖的形成上，除如下表1中那樣除改變內(nèi)部引線與空引線的尺寸以外，其他與實(shí)施例l相同，由此各自得到實(shí)施例25的COF基板。比較例1在導(dǎo)體布圖的形成上，除不形成空引線以外，其他與實(shí)施例l相同，由此得到各COF基板。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>(評(píng)價(jià))(連接試驗(yàn))準(zhǔn)備具有上述連接端子以及在其表面形成的凸點(diǎn)的IC芯片。另外，與內(nèi)部引線對(duì)應(yīng)的連接端子的凸點(diǎn)的寬度(W4)為20jLim。然后，將該IC芯片放置到由各實(shí)施例與比較例獲得的C0F基板的安裝部上，同時(shí)將IC芯片的連接端子通過(guò)凸點(diǎn)與內(nèi)部引線及外部引線電連接。其結(jié)果為，實(shí)施例15中的內(nèi)部引線和外部引線兩者的連接都良好。另一方面，比較例1中，內(nèi)部引線的第2內(nèi)部引線上，發(fā)生接觸不良。此外，雖然上述說(shuō)明提供了本發(fā)明示例的實(shí)施形態(tài)，但這只不過(guò)是示例，并不能限定性地進(jìn)行解釋。該
技術(shù)領(lǐng)域：
的從業(yè)人員所了解的本發(fā)明的變形例包含于后述的權(quán)利要求范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種COF基板，其特征在于，具備絕緣層；以及形成于所述絕緣層上的與電子零部件電連接的端子部，所述端子部具備沿長(zhǎng)邊方向延伸的第1引線；以及沿長(zhǎng)邊方向延伸的、長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度比所述第1引線的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度短的第2引線，所述第1引線在與所述長(zhǎng)邊方向正交的方向上隔開(kāi)間隔地配置多個(gè)，所述第2引線在與所述長(zhǎng)邊方向正交的方向上，在相鄰的所述第1引線之間配置多個(gè)，使得相鄰的所述第1引線在相鄰方向投影時(shí)，形成所述第2引線重疊的重復(fù)部分和所述第2引線不重疊的不重復(fù)部分，在所述不重復(fù)部分設(shè)置有空引線。2.如權(quán)利要求1所述的COF基板，其特征在于，所述端子部由電鍍形成。3.如權(quán)利要求1所述的COF基板，其特征在于，所述空引線的與所述長(zhǎng)邊方向正交方向的長(zhǎng)度，比所述第2引線的與所述長(zhǎng)邊方向正交方向的長(zhǎng)度要短，或者和所述第2引線的與所述長(zhǎng)邊方向正交方向的長(zhǎng)度相同。4.如權(quán)利要求l所述的COF基板，其特征在于，所述空引線的所述長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度，比所述空引線和所述第2引線在所述長(zhǎng)邊方向上的間隔要長(zhǎng)。全文摘要COF基板具備絕緣層、和形成于絕緣層上的與電子零部件電連接的端子部。端子部具備在長(zhǎng)邊方向上延伸的第1引線；和在長(zhǎng)邊方向上延伸的、與第1引線的長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度相比其長(zhǎng)邊方向長(zhǎng)度要短的第2引線。第1引線在與長(zhǎng)邊方向正交的方向上隔開(kāi)間隔配置多個(gè)。第2引線在與長(zhǎng)邊方向正交的方向上，在相鄰的第1引線之間配置多個(gè)，使相鄰的第1引線在相鄰方向投影時(shí)，形成第2引線重疊的重復(fù)部分和第2引線不重疊的不重復(fù)部分。在不重復(fù)部分設(shè)有空引線。文檔編號(hào)H01L23/498GK101409274SQ20081016651公開(kāi)日2009年4月15日申請(qǐng)日期2008年10月9日優(yōu)先權(quán)日2007年10月10日發(fā)明者江部宏史,石丸康人申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社