專利名稱：：具有橋式互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有橋式互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是指一種包含有橋式源極互連平板來連接功率半導(dǎo)體裝置源極金屬化接觸區(qū)域與導(dǎo)線框架的源極導(dǎo)線的，具有橋式互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：已知的半導(dǎo)體裝置通常是采用互連板(plateinterconnections)或是接合線(bondingwire)來作為連接導(dǎo)線框架的導(dǎo)線。例如美國專利公告第5，821，611號專利，公開了一種半導(dǎo)體裝置，包含有具有尖端形成島狀區(qū)域的第一導(dǎo)線、半導(dǎo)體芯片單元透過焊錫層而固定于第一導(dǎo)線的島狀區(qū)域，且具有若干個電極凸塊，突出于島狀區(qū)域、以及若干個額外導(dǎo)線(additionallead),每一個額外導(dǎo)線皆具有尖端并透過對應(yīng)的焊錫沉積(solderdeposit)電性連接于電極凸塊。額外導(dǎo)線包含有至少第二與第三導(dǎo)線，藉由加熱熔爐使這些導(dǎo)線融入電極凸塊，然而，在加熱過程中，錫球凸塊可能會噴濺(spread)而產(chǎn)生無法預(yù)期的形狀。前案如美國專利公告第6,040,626號專利，公開了一種半導(dǎo)體封裝，是在金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor;MOSFET)的頂面具有混合連接，包含有用以連接源極的低電阻板部分、以及用以連接?xùn)艠O的連接線，然而，由于引線接合制程中容易使得裝置介電層損壞，而使連接線可能在裝置內(nèi)導(dǎo)致短路或是開路。前案如美國專利公告第6,249,041號專利，公開了一種具有直接連接導(dǎo)線的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體裝置包含有半導(dǎo)體芯片，且在半導(dǎo)體芯片頂面或是底面具有接觸區(qū)域，第一導(dǎo)線組件是由半硬式(semi-rigid)導(dǎo)體材料薄板所構(gòu)成，且具有導(dǎo)線組件接觸區(qū)域，附著于半導(dǎo)體芯片的其中一個接觸區(qū)域。第一導(dǎo)線組件也包含至少一個導(dǎo)線，由導(dǎo)線組件接點(diǎn)延伸并與之連接；第二導(dǎo)線組件也是由半硬式導(dǎo)體材料薄板所構(gòu)成，并具有導(dǎo)線組件接觸區(qū)域，而附著于半導(dǎo)體芯片的其中的一個接觸區(qū)域的導(dǎo)線組件；第二導(dǎo)線組件也包含至少一個導(dǎo)線，連接于并由導(dǎo)線組件接觸區(qū)域延伸。而封裝材料(encapsulant)覆蓋于半導(dǎo)體芯片、第一導(dǎo)線組件的導(dǎo)線組件接觸區(qū)域、以及第二導(dǎo)線組件的導(dǎo)線組合接觸區(qū)域；由于導(dǎo)線組合直接連接于芯片，使得封裝提供半導(dǎo)體裝置具有低電阻抗與熱阻抗。藉由電性導(dǎo)體黏接層使導(dǎo)線組合接觸區(qū)域維持在與導(dǎo)線接觸區(qū)域接觸的狀態(tài)，此電性導(dǎo)體黏接層可為填充銀的環(huán)氧樹脂(epoxy)或是聚亞酰胺樹脂膏(polyimidepaste)、錫球凸塊(solderbump)，如果需要的話，黏著層可能會經(jīng)過烤爐來加以固化，但是黏著層卻不包含有軟焊錫或是錫膏。美國專利公告第6,479,888號專利公開了另外一種具有直接連接導(dǎo)線的半導(dǎo)體封裝，MOSFET包含有若干個內(nèi)導(dǎo)線，電性連接于半導(dǎo)體顆粒(semiconductorpellet)的一個表面電極，且此半導(dǎo)體顆粒在主要的平面上具有一個場效晶體管(fieldeffecttransistor),透過由凸塊所構(gòu)成的柵極連接區(qū)域與源極連接區(qū)域，使得內(nèi)導(dǎo)線得于機(jī)械上且電性上都連接于主要平面上。在使用圖案化平板(patternedplate)或是互連卡勾(clipinterconnection)所遭遇的共同問題是在焊錫回焊的過程中，平板或是卡勾可能會漂移，導(dǎo)致互連的錯位(misalignment),在某些情況下，這些錯位可能會導(dǎo)致源極區(qū)域與柵極區(qū)域的短路，而會降低封裝的優(yōu)良率(AssemblyYield)。另一個使用模型平板或是互連卡勾所遭遇的問題是，因?yàn)闊崤蛎泴?dǎo)致半導(dǎo)體的硅材料與平板或卡勾的金屬材料之間的錯誤匹配(mismatch),且平板或卡勾的接觸區(qū)域越大，因?yàn)殄e誤匹配所產(chǎn)生的應(yīng)力也就越大，而容易導(dǎo)致芯片的崩壞(cmck)，因此，為了降低此應(yīng)力，也只能采用較小的平板或是卡勾，然而，也使得接觸區(qū)域變小，而導(dǎo)致更高的阻抗。因此，在此領(lǐng)域中亟需要一種半導(dǎo)體封裝，包含有功率半導(dǎo)體裝置夠過圖案化平板連接于源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線，同時也可以克服現(xiàn)有技術(shù)所演生的問題，同時，也需要一種圖案化互連平板，可于焊錫回流過程中不會漂移，而能確?？ü吹木_位置。同時，也亟需要一種具有金屬化接觸區(qū)域的半導(dǎo)體封裝，而可于焊錫過程中限制焊錫流動；也亟需要一種金屬化接觸區(qū)域由鎳/金(Ni/Au)所構(gòu)成。也亟需要一種半導(dǎo)體封裝制程，可以增加生產(chǎn)率(throughput)并提供簡單的組件制程控制。也亟需要一種半導(dǎo)體封裝方法，可以提供圖案化平板至功率半導(dǎo)體裝置的軟附著制程；也亟需要一種半導(dǎo)體封裝，具有外露的源極板，也亟需要一種具有降低電阻的半導(dǎo)體封裝。更亟需要一種可以增進(jìn)散熱特性的半導(dǎo)體封裝；也亟需要一種可以改善機(jī)械性質(zhì)的半導(dǎo)體封裝，也亟需要一種具有壓印橋式導(dǎo)線框架平板(stampedbridgedleadframeplate)的半導(dǎo)體封裝。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的各種限制和缺點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其具有橋式源極互連平板于源極導(dǎo)線與功率半導(dǎo)體源極金屬化接觸區(qū)域之間。橋式源極平板的橋形部分可以被露出，用以改善熱耗散(thermaldissipation^橋式源極平板可提供和源極金屬化接觸區(qū)域較少的接觸區(qū)域。橋式源極平板可包含數(shù)個凹渦，相對于源極金屬接觸區(qū)域來定位。成型的材料會流過橋形部分的周圍及下方，以幫助將橋式源極板固定在適當(dāng)?shù)牡胤?。根?jù)本發(fā)明的另一個目的，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含有導(dǎo)線框架、該導(dǎo)線框架具有漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線。半導(dǎo)體芯片耦合至導(dǎo)線框架并具有至少一個金屬化源極接觸區(qū)域。圖案化源極板具有一橋形部分、若干個低凹部分、若干個平面部分與一連接部分；該低凹部分設(shè)置于橋形部分的兩側(cè)，該平面部分設(shè)置于低凹部分與橋接部分的兩側(cè)，該連接部分依靠于其中一個平面部分。此圖案化源極板連接于源極導(dǎo)線與至少一金屬化源極接觸區(qū)域。至于封裝材料則覆蓋半導(dǎo)體芯片以及漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一個目的，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包含有導(dǎo)線框架，該導(dǎo)線框架具有漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線。半導(dǎo)體芯片耦合至導(dǎo)線框架，此半導(dǎo)體芯片具有若干個鎳/金(Ni/Au)或其它焊接可濕潤金屬(solderwettablemetal)的金屬化源極接觸區(qū)域。圖案化源極板具有一橋形部分、若干個低凹部分、若干個平面部分與一連接部分；且低凹部分設(shè)置于橋形部分的兩側(cè)，平面部分設(shè)置于低凹部分與橋接部分的兩側(cè)，連接部分依靠于其中一個平面部分。此圖案化源極板連接源極導(dǎo)線與若干個金屬化源極接觸區(qū)域。至于封裝材料則覆蓋半導(dǎo)體芯片以及漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線的至少一部分。上述描述僅為概述、而非廣泛揭露，本發(fā)明的更重要的特征可由下面的實(shí)施方式作進(jìn)一步的了解，而且也可使本發(fā)明對此領(lǐng)域的貢獻(xiàn)更加明確；當(dāng)然，本發(fā)明額外的特征也可在下面的實(shí)施方式中描述，同時也形成了申請專利范圍的技術(shù)標(biāo)的。此一方面來說，在解釋本發(fā)明的至少一個實(shí)施例之前，本發(fā)明并不會被下述文字、附圖所呈現(xiàn)的實(shí)施態(tài)樣的描述、描述組件的順序更換所限制。當(dāng)然，本發(fā)明也具有以其它實(shí)施方式來完成或是以其它種方式來加以實(shí)現(xiàn)、重制，同時，說明書連同摘要中所使用的語法、措辭或是技術(shù)用語僅是用以詳細(xì)描述，不應(yīng)該作為本發(fā)明范圍的限制。因此，本
技術(shù)領(lǐng)域：
中，熟悉該項(xiàng)技術(shù)者皆可以根據(jù)本發(fā)明所描述的概念為基礎(chǔ)，以其它種方式及系統(tǒng)的設(shè)計(jì)來加以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的數(shù)個目的，故，申請專利范圍也包含了所有根據(jù)從本發(fā)明的技術(shù)特征與范圍所衍生的等效方法及系統(tǒng)。圖1為本發(fā)明中具有橋式源極互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2為根據(jù)圖1所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖3為根據(jù)圖1所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖4為根據(jù)圖1所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖5為本發(fā)明中成型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖，其具有外露的橋形部分的橋式源極互連平板；圖6為本發(fā)明中成型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖，其具有不外露的橋形部分的橋式源極互連平板；圖7為本發(fā)明中具有橋式源極互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一種可選擇實(shí)施例的示意圖；第8為本發(fā)明中具有橋式源極互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的另一種可選擇實(shí)施例的示意圖；圖9為根據(jù)圖8所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖10為根據(jù)圖8所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖11為根據(jù)圖8所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖12為本發(fā)明中的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一種可選擇實(shí)施例的剖面圖；以及圖13為根據(jù)圖12所示的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。具體實(shí)施方式以下詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例，且以下說明并非用以限制本發(fā)明的申請專利范圍，僅為配合闡述本發(fā)明的主要原理，而主張的權(quán)利要求則定義于權(quán)利要求書中。本發(fā)明主要提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其具有一橋式源極互連平板，且該橋式源極互連平板位于導(dǎo)線框架源極導(dǎo)線與一個或數(shù)個功率半導(dǎo)體器件的金屬化源極接觸區(qū)域之間。上述橋式源極板包含一平板連接，其具有一升起的部分或橋形部分(araisedorbridgeportion)。橋形部分是位于和數(shù)個金屬化源極接觸區(qū)域相接觸的低凹部分的平面上方。橋式源極互連平板具有縮小了接觸區(qū)域的金屬化源極接觸區(qū)域。在封裝期間，接合材料會流過橋形部分的下方并提供機(jī)械強(qiáng)度給橋式源極互連平板。金屬化源極接觸區(qū)域較佳的為鎳/金(Ni/Au)的電鍍(plating)或是濺鍍(sputtering)的表面。金屬化源極接觸區(qū)域可提供對于橋式源極互連平板較佳的結(jié)合度，以及降低因?yàn)榻殡妼釉谝€接合(wirebonding)過程中損壞所導(dǎo)致的過度結(jié)合(overbonding)而引發(fā)的短路現(xiàn)象。金屬化源極接觸區(qū)域更進(jìn)一步排除需要使用焊錫凸塊(solderbump)以及環(huán)氧樹脂黏膠層來作為軟焊錫(softsolder)或是焊接錫膏(solderpaste)來連接橋式源極板至金屬化源極區(qū)域的狀況。本發(fā)明的實(shí)施例一請參閱圖1至圖6所示，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100的通常設(shè)計(jì)包含有導(dǎo)線框架105,導(dǎo)線框架105具有芯片襯墊107、源極接觸部分110與柵極接觸部分115。源極接觸部分110包含源極導(dǎo)線111，柵極接觸部分115包含柵極導(dǎo)線117，且芯片襯墊107包含漏極導(dǎo)線109。功率半導(dǎo)體芯片120可具有金屬化漏極區(qū)域(圖中未示)，并藉由焊錫回流(soWerreflow)耦接于芯片襯墊107。柵極接觸部分115與柵極金屬化接觸區(qū)域之間可以利用柵極平板或引線接合進(jìn)行連接。如圖1所示，源極接觸部分110與柵極接觸部分115是非常靠近于芯片襯墊107的。然而，這些接觸部分是和芯片襯墊107分隔開來的，這點(diǎn)可以從圖2的俯視圖中看出來。這同樣適用于圖7與圖8的示意圖。半導(dǎo)體源極金屬化接觸區(qū)域與柵極金屬化接觸區(qū)域可利用鎳/金(Ni/Au)或鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)的電鍍或?yàn)R鍍或其它凸塊下金屬化制程(underbumpmetallizationprocess)的方式來形成。橋式源極板130包含有利用金屬平板以壓印(stamped)或沖壓(punched)所形成的一橋形部分131、數(shù)個低凹部分133、數(shù)個平面部分135與一個連接部分137;該低凹部分133位于橋形部分131的兩側(cè)，該平面部分135位于橋形部分131與低凹部分133的兩側(cè)，該連接部分137依靠在一個平面部分135上。橋形部分131所設(shè)置的平面超過低凹部分133的平面，同時，平面部分135所設(shè)置的平面介于橋形部分131的平面與低凹部分133的平面之間。橋式源極板130可以使用一個芯片藉由數(shù)個步驟或單一步驟進(jìn)行壓印或沖壓。連接部分137接觸于源極接觸部分110，同時，低凹部分133接觸一個或數(shù)個源極金屬化接觸區(qū)域。橋式源極板130可以通過使用軟焊錫或是焊接錫膏的焊錫回流耦合至金屬化源極接觸區(qū)域。金屬化源極接觸區(qū)域可以覆蓋功率半導(dǎo)體芯片120的上表面的大部分，用以改善熱耗散以及減少阻抗與電感。特別請參閱圖5,在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)500的通常設(shè)計(jì)包含有橋式源極板橋形部分131的上表面510，其露出于封裝材料520。此露出的上表面510提供了由功率半導(dǎo)體芯片120所產(chǎn)生的熱量的熱耗散。此外，該露出的上表面510提供了安裝表面可供安裝額外散熱器，用以增加額外的熱耗散。而位于橋狀部分131下方的封裝材料也對于增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)500的機(jī)械強(qiáng)度作了貢獻(xiàn)。請參閱圖6，本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)600的通常設(shè)計(jì)包含有封裝材料610，封裝材料610覆蓋于功率半導(dǎo)體芯片120上以及至少一部分的漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線上。橋形部分131的上表面510并沒有在封裝材料610外露出。本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，請參閱圖7，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)700的通常設(shè)計(jì)包含有導(dǎo)線框架705，導(dǎo)線框架705具有芯片襯墊107、源極接觸部分110與柵極接觸部分115。源極接觸部分110包含數(shù)條源極導(dǎo)線111，柵極接觸部分115包含一柵極導(dǎo)線117，而芯片襯墊107包含數(shù)條漏極導(dǎo)線109。功率半導(dǎo)體芯片120可具有金屬化漏極區(qū)域(圖中未示)，藉由焊錫回流耦接于芯片襯墊107上。橋式源極板130包含有利用金屬平板以壓印(stamped)或沖壓(punched)所形成的一橋形部分131、數(shù)個低凹部分133、數(shù)個平面部分135與一個連接部分137;該低凹部分133位于橋形部分131的兩側(cè)，該平面部分135位于橋形部分131與低凹部分133的兩側(cè)，該連接部分137依靠在其中一個平面部分135之上。橋式源極板130可以使用一個芯片藉由數(shù)個步驟或單一步驟進(jìn)行壓印或沖壓。連接部分137接觸于源極接觸部分110，同時，低凹部分133接觸一個或數(shù)個源極金屬化接觸區(qū)域。橋式源極板130包含一對凹渦(dimple)710，分別形成于低凹部分133的兩側(cè)。凹渦710相對于低凹部分133的上表面720是凹下的，該凹渦710并具有下表面(圖中未示)，其是超過低凹部分133的下表面的平面的。在一個可選擇的實(shí)施例中，凹渦710具有數(shù)個穿孔(圖中未示)。凹渦互連平板(Dimpledplateinterconnections)是被公開在美國專利申請第11/799,467號的專利申請案中，題目為"具有凹渦互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)(SemiconductorPackageHavingDimpledPlateInterconnections)"，其所公開的內(nèi)容可以完全予以合并。我們己經(jīng)發(fā)現(xiàn)橋式源極板130并不會因?yàn)閭€別的源極平板凹渦710接觸一個或多個源極金屬化接觸區(qū)域的數(shù)量而傾向于漂移(floating)。再者，金屬化接觸區(qū)域的優(yōu)勢是會在焊錫回流期間，將軟焊與焊接錫膏限制在金屬化接觸區(qū)域的邊緣內(nèi)，藉以減少發(fā)生無法預(yù)期的形狀與短路的意外。柵極板750將柵極導(dǎo)線117的柵極接觸部分115電性連接至在功率半導(dǎo)體芯片120上的柵極金屬化接觸區(qū)域(圖中未示)。柵極板凹渦760是被定位并壓印或沖壓在柵極板750上，以在焊錫回流期間可以對準(zhǔn)功率半導(dǎo)體芯片120的柵極金屬化接觸區(qū)域。柵極板凹渦760可以選擇包含穿孔770。穿孔770會使得固定球(lockingballs)的形成發(fā)生在焊錫回流期間，以提供機(jī)械強(qiáng)度給柵極板750。凹渦710是可選擇的并屬于本發(fā)明的1個可選擇的實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有柵極卡勾(gatedip)750，但不具有源極凹渦710。數(shù)個低凹部分133可以在不使用凹渦的情況下，使用軟焊錫或是焊接錫膏，并藉由焊錫回流耦合至功率半導(dǎo)體芯片120的金屬化源極接觸區(qū)域。在另一個可選擇的實(shí)施例中，柵極板750沒有柵極板凹渦760，且柵極板750可以在不使用凹渦的情況下，使用軟焊錫或是焊接錫膏，并藉由焊錫回流耦合至功率半導(dǎo)體芯片120的金屬化源極接觸區(qū)域。本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，請參閱圖8至圖11，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)800的通常設(shè)計(jì)包含有導(dǎo)線框架805,該導(dǎo)線框架805具有芯片襯墊107、源極接觸部分IIO與柵極接觸部分115。源極接觸部分IIO包含數(shù)條源極導(dǎo)線111，柵極接觸部分115包含柵極導(dǎo)線117，而芯片襯墊107包含數(shù)條漏極導(dǎo)線109。功率半導(dǎo)體芯片120可具有金屬化漏極區(qū)域(圖中未示)，并藉由悍錫回流耦接于芯片襯墊107。橋式源極板130包含有對金屬平板進(jìn)行壓印或沖壓所形成的一橋形部分131、數(shù)個低凹部分133、數(shù)個平面部分135與一連接部分137;低凹部分133位于橋形部分131的兩側(cè)，平面部分135位于橋形部分131與低凹部分133的兩側(cè)，連接部分137依靠于其中一個平面部分135。橋形部分131所設(shè)置的平面是超過低凹部分133的平面的，同時，平面部分135所設(shè)置的平面是介于橋形部分131的平面與低凹部分133的平面之間的。橋式源極板130可以使用一個芯片藉由數(shù)個步驟或單一步驟進(jìn)行壓印或沖壓。連接部分137接觸于源極接觸部分110，同時，低凹部分133接觸于一個或數(shù)個源極金屬化接觸區(qū)域。金屬化源極接觸區(qū)域可以覆蓋功率半導(dǎo)體芯片120的上表面的大部分，用以改善熱耗散以及減少阻抗與電感。在本發(fā)明的一個可選擇的實(shí)施例中，數(shù)個源極板凹渦(圖中未示)可以用來將低凹部分133連接至功率半導(dǎo)體芯片120的金屬化源極接觸區(qū)域。柵極接觸部分115是藉由接合線810而耦合至柵極金屬化接觸區(qū)域820的。橋式源極板130能夠使用在不同的封裝類型中。請參閱圖12與圖13，為本發(fā)明所述的平板-導(dǎo)線半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)(flat-leadpackage)1200。功率半導(dǎo)體芯片120在其下表面具有漏極接觸區(qū)域，在其上表面具有源極接觸區(qū)域與柵極接觸區(qū)域，且該功率半導(dǎo)體芯片120耦合至導(dǎo)線框架1205的芯片襯墊1207上。該導(dǎo)線框架1205也包含有源極接觸區(qū)域1210與柵極接觸區(qū)域1215，但是這些部分都沒有直接在物理上或電性上彼此接觸。芯片襯墊1207的漏極導(dǎo)線1209會建立起和功率半導(dǎo)體芯片120的漏極之間的電性連接。橋式源極板130將功率半導(dǎo)體芯片120的源極接觸區(qū)域連接至源極接觸部分110的源極導(dǎo)線1211,且接合線810連接功率半導(dǎo)體芯片120的柵極接觸區(qū)域至柵極接觸部分1215的柵極導(dǎo)線1217?；蛘撸瑬艠O板(圖中未示)將功率半導(dǎo)體芯片120的柵極接觸區(qū)域連接至柵極導(dǎo)線1217。和之前所描述的其它實(shí)施例不同，其它實(shí)施例中在成型材料外面的漏極導(dǎo)線109、源極導(dǎo)線111與柵極導(dǎo)線117是彎曲的，而本實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1200提供的是較小尺寸封裝(lowerprofilepackage),其所具有的平板漏極導(dǎo)線1209、平板源極導(dǎo)線1211與平板柵極導(dǎo)線1217是不彎曲的延伸至成型材料1299的外面的。芯片襯墊1207的部分底部可以露出，以提供和漏極之間的電性接觸，并提供較佳的熱耗散?；蛘?，導(dǎo)線也可以切斷在成型材料1299的側(cè)表面處，而提供成型材料封裝1299的下表面與側(cè)表面的電性接觸。半導(dǎo)體源極與柵極金屬化接觸區(qū)域可由鎳/金，或是鎳/鈀/金通過電鍍或噴濺，或是其它凸塊金屬化制程而形成。進(jìn)一步來說，功率半導(dǎo)體芯片120通?？梢允墙饘傺趸锇雽?dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其上表面具有源極接觸區(qū)域與柵極接觸區(qū)域，而下表面具有漏極接觸區(qū)域。然而，在部分特殊的情況下，亦可設(shè)計(jì)為該MOSFET芯片的下表面具有源極接觸區(qū)域，而上表面具有漏極接觸區(qū)域和柵極接觸區(qū)域。底部源極MOSFET半導(dǎo)體器件，可參考如美國專利申請第11/495,803號所公開的題目為"底部源極橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法(BOTTOMSOURCELDMOSFETSTRUCTUREANDMETHOD)"的申請案，其所公開的內(nèi)容可以完全予以合并。當(dāng)本發(fā)明中的橋式平板應(yīng)用于上述實(shí)施例所述的具有底部源極MOSFET芯片的封裝時，藉由橋式平板可將底部源極芯片的漏極連接至漏極導(dǎo)線，則源極接觸區(qū)域與漏極接觸區(qū)域可以被切換。本發(fā)明的有利之處在于提供一種具有橋式部位的橋式互連平板，在一個較佳實(shí)施例中，橋式部位是外露的，從而增進(jìn)熱性能。在另外一個較佳實(shí)施例中，凹渦相對于金屬化接觸區(qū)域被定位在橋式平板的低凹部位上。凹渦平板可以確保橋式互連平板不會在焊錫回流過程中漂移，因此可以確保平板位置的精準(zhǔn)與精確；而橋式平板可以通過壓印或是沖壓來降低成本。雖然本發(fā)明以前述的實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所作的修改與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請參考權(quán)利要求書。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一導(dǎo)線框架，具有一漏極導(dǎo)線、一源極導(dǎo)線與一柵極導(dǎo)線；一半導(dǎo)體芯片，其耦合至該導(dǎo)線框架，該半導(dǎo)體芯片具有至少一金屬化源極接觸區(qū)域；一橋式源極板，其具有一橋形部分、若干個低凹部分、若干個平面部分與一連接部分，且該些低凹部分設(shè)置于該橋形部分的兩側(cè)，該些平面部分設(shè)置于該些低凹部分與該橋接部分的兩側(cè)，該連接部分依靠于其中一個平面部分，該橋式源極板連接源極導(dǎo)線與至少一金屬化源極接觸區(qū)域；以及一封裝材料，覆蓋在該半導(dǎo)體芯片以及該漏極導(dǎo)線、該源極導(dǎo)線與該柵極導(dǎo)線上的至少一部分。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含若干個凹渦，其形成在所述的低凹部分上，該些凹渦是被定位來用以和該至少一金屬化源極接觸區(qū)域相接觸。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的凹渦包含一穿孔，通過該穿孔，所述的橋式源極互連平板與至少一個金屬化源極接觸區(qū)域焊接連接。4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的至少一金屬化源極接觸區(qū)域包含一鎳/金的上層。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的若干低凹部分和該至少一金屬化源極接觸區(qū)域相接觸。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋形部分'的一上表面是露出于封裝材料的。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的柵極導(dǎo)線藉由一接合線連接至一金屬化柵極接觸區(qū)域。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的柵極導(dǎo)線藉由一柵極板連接至一金屬化柵極接觸區(qū)域。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋形部分所設(shè)置的平面是超過該些低凹部分的平面的。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的若干平面部分所設(shè)置的平面是介于橋形部分的平面與低凹部分的平面之間的。11.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的連接部分是電性耦合于一導(dǎo)線框架的源極接觸部分。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的至少一金屬化源極接觸區(qū)域包含鎳/金。13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的至少一金屬化源極接觸區(qū)域包含鎳/鈀/金。14.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一導(dǎo)線框架，具有一芯片襯墊以及第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線，該第一導(dǎo)線電性連接至該芯片襯墊；一半導(dǎo)體芯片，具有一第一金屬化接觸區(qū)域以及一第二金屬化接觸區(qū)域與一第三金屬化接觸區(qū)域，該第一金屬化接觸區(qū)域是位于該半導(dǎo)體芯片的下表面并耦合至芯片襯墊，該第二金屬化接觸區(qū)域與該第三金屬化接觸區(qū)域是位于相對于該下表面的芯片上表面上；一橋式板，具有一橋形部分、若干低凹部分與若干平面部分，且該些低凹部分設(shè)置于該橋形部分的兩側(cè),該些平面部分設(shè)置于該些低凹部分與該橋形部分的兩側(cè)，該橋式板是連接該第二導(dǎo)線與該第二金屬化接觸區(qū)域；以及一封裝材料，覆蓋所述的半導(dǎo)體芯片以及第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線的至少一部分。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含至少一凹渦,其形成于該些低凹部分上，該些凹渦是被定位來用以和該第二金屬化接觸區(qū)域相接觸的。16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的凹渦包含一穿孔，通過該穿孔，所述的橋式互連平板與第二金屬化源極接觸區(qū)域焊接連接。17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋形部分所設(shè)置的平面是超過該些低凹部分的平面的。18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的平面部分所設(shè)置的平面是介于該橋形部分的平面與該些低凹部分的平面之間的。19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋式板更包含一連接部分，其依靠于其中一個平面部分，并耦合至第二導(dǎo)線。20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的延伸至封裝材料外面的第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線的部分是彎曲的。21.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的延伸至封裝材料外面的第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線的部分是平的。22.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的第一導(dǎo)線、　第二導(dǎo)線與第三導(dǎo)線是終止于該封裝材料的側(cè)表面的。23.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋形部分的一上表面是露出于該封裝材料的。24.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的芯片襯墊的一下表面是露出于該封裝材料的。25.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的橋式板是通過壓印或沖壓的方式來形成所述的低凹部分與橋形部分的。全文摘要本發(fā)明涉及一種具有橋式互連平板的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝包含一具有漏極導(dǎo)線、源極導(dǎo)線與柵極導(dǎo)線的導(dǎo)線框架、以及耦合至導(dǎo)線框架的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有若干個金屬化源極接觸區(qū)域。橋式源極互連平板具有橋形部分、若干個設(shè)置于橋形部分兩側(cè)的低凹部分、若干個設(shè)置于低凹部分與橋形部分兩側(cè)的平面部分、與依靠于其中一個平面部分的連接部分，且橋式源極互連平板是連接源極導(dǎo)線與金屬化源極接觸區(qū)域。同時，當(dāng)平面部分設(shè)置于橋形部分的平面與低凹部分的平面中間的平面時，橋形部分會設(shè)置在低凹部分的平面之上的平面上。文檔編號H01L23/488GK101399245SQ20081016098公開日2009年4月1日申請日期2008年9月17日優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日發(fā)明者凱劉,明孫,磊石申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司