專利名稱：半導(dǎo)體受光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性的半導(dǎo)體受光元件。
技術(shù)背景圖9是示出表面射入型的共振型光電二極管(PD)的截面圖。在n 型InP襯底101的上表面依次形成n型多層反射層102、n型相位調(diào)整層 103、 i型InGaAs吸收層104、 p型相位調(diào)整層105以及p型多層反射層 106。在p型多層反射層106上形成有陽極電極107,在n型InP襯底101 下表面形成有陰極電極108。該P(yáng)D安裝在基座109上。對(duì)于n型多層反射層102、 p型多層反射層106來說，例如，是層 疊了 InP和InGaAsP等折射率不同的半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，具有使光反射或 透過的作用。n型相位調(diào)整層103、 p型相位調(diào)整層105與吸收層104相 比，帶隙較大。接下來，簡(jiǎn)單地說明上述共振型PD的動(dòng)作。施加5V左右的反偏 壓，使得陽極電極107的電位比陰極電極108的電位低。從圖的上側(cè)射 入的光在n型多層反射層102和p型多層反射層106之間往返(共振)， 并且由吸收層104吸收。由所吸收的光產(chǎn)生電子和空穴的對(duì)，分別流向 陰極電極108和陽極電極107側(cè)，作為電流進(jìn)行輸出。這樣，在共振型 PD中，由于使光在吸收層中往返(共振)多次而吸收，所以，即使吸 收層變薄也能夠得到較高的量子效率，提高光的共振Q值。所謂量子效 率是在一個(gè)光子射入到PD中的情況下，產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì)的幾率。圖IO是示出背面射入型的共振型光電二極管(PD)的截面圖。在 n型InP襯底101的下表面，依次形成n型多層反射層102、 n型相位調(diào) 整層103、 i型InGaAs吸收層104、 p型相位調(diào)整層105以及反射層110。 在n型InP襯底101的上表面形成防反射膜111。從圖的上側(cè)射入的光， 與圖9的PD相同地，在n型多層反射層102和反射層IIO之間往返(共 振)，并且由吸收層104吸收(例如，參考專利文獻(xiàn)l)。專利文獻(xiàn)1 特開2001 - 308368號(hào)7>報(bào)圖11、 12分別是示出圖9、圖10的PD的量子效率的波長(zhǎng)依賴性的仿真結(jié)果。當(dāng)射入光的波長(zhǎng)改變時(shí)，在幾nm的較小的周期內(nèi)量子效 率產(chǎn)生激烈地變化。因此，即使射入光的波長(zhǎng)僅變化lnm,從PD輸出 的電流也會(huì)大幅度地變化，波長(zhǎng)穩(wěn)定性變差。因此，發(fā)明人分析在圖9、圖10的PD中為什么量子效率的波長(zhǎng)依 賴性大。在圖9的PD中，射入到吸收層104中的光的一部分透過n型 多層反射層102而進(jìn)入n型InP襯底101中。并且，進(jìn)入n型InP襯底 101中的光在陰極電極108和n型多層反射層102之間往返，在n型InP 襯底101內(nèi)產(chǎn)生共振模式。另一方面，在吸收層104的附近，存在n型 多層反射層102和p型多層反射層106之間的模式、n型多層反射層102 和吸收層104之間的模式、p型多層反射層106和吸收層104之間的模 式。發(fā)明人通過計(jì)算發(fā)現(xiàn)，該吸收層104附近的三個(gè)共振才莫式和n型InP 襯底101內(nèi)的共振模式干涉，產(chǎn)生復(fù)合共振模式，所以，產(chǎn)生上述量子 效率的波長(zhǎng)依賴性。特別是，可知在接近n型InP襯底101—側(cè)的n型 相位調(diào)整層103內(nèi)產(chǎn)生的共振模式容易與n型InP襯底101內(nèi)的共振模 式耦合而形成復(fù)合共振模式，對(duì)量子效率的波長(zhǎng)依賴性有很大的影響。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述課題而進(jìn)行的，其目的是得到一種能夠提高 波長(zhǎng)穩(wěn)定性的半導(dǎo)體受光元件。本發(fā)明的半導(dǎo)體受光元件的特征在于，具備具有彼此對(duì)置的第一 主面和第二主面的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底的第一主面上從半導(dǎo)體襯 底側(cè)依次形成的第一反射層、吸收層、相位調(diào)整層以及第二反射層；在 半導(dǎo)體襯底的第二主表面上形成的防反射膜，其中，第一反射層是層疊 有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層，吸收層的帶隙比半導(dǎo)體襯底 小，相位調(diào)整層的帶隙比吸收層大，第一反射層和吸收層不通過其他層 地接觸。本發(fā)明的其他特征在以下明確。


圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖2是示出圖1的半導(dǎo)體受光元件的量子效率的波長(zhǎng)依賴性的仿真 結(jié)果。圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體受光元件的量子效率以及多層反射層的反射率的層數(shù)依賴性的圖。圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖8是示出本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。 圖9是示出表面射入型的共振型光電二極管(PD)的截面圖。 圖IO是示出背面射入型的共振型光電二極管(PD)的截面圖。 圖11是示出圖9的P D的量子效率的波長(zhǎng)依賴性的仿真結(jié)果。 圖12是示出圖IO的PD的量子效率的波長(zhǎng)依賴性的仿真結(jié)果。
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。本實(shí)施 方式的半導(dǎo)體受光元件是從圖的上側(cè)射入光的背面射入型共振型光電 二極管(PD)。n型InP襯底11 (半導(dǎo)體襯底)具有彼此對(duì)置的下表面(第一主面) 和上表面(第二主面)。在n型InP襯底11的下表面，從n型InP襯底 11側(cè)依次形成n型多層反射層12(第一反射層)、吸收層13、 p型相 位調(diào)整層14 (相位調(diào)整層)和陽極電極15 (第二反射層)。在n型InP 襯底11的上表面形成陰極電極16。陰極電極16具有用于射入光的開口 。 在陰極電極16的開口中形成防反射膜17。該P(yáng)D安裝在基座18上。在此，n型多層反射層12是層疊有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反 射層。各層的光學(xué)膜厚是射入到PD的波長(zhǎng)的大約四分之一的n倍(n =1,3,5,7,...)。具體地說，作為n型多層反射層12，使用InGaAs/InP、 InGaAsP/InP、 AlInAs/AlGalnAs、 AlInAs/InGaAs等的組合、或組成不同 的InGaAsP/InGaAsP、 AlGalnAs/AlGalnAs或組合三種以上這些材料的材 料。此外，吸收層13由帶隙比n型InP襯底11小的材料例如InGaAs、 InGaAsP、 AlGalnAs構(gòu)成，通常是低載流子濃度。優(yōu)選吸收層13的光學(xué) 膜厚比射入到PD中的波長(zhǎng)的大約四分之一大。防反射膜17由SiN或 Ti02/Si02等絕緣膜(電介質(zhì)膜)構(gòu)成。陽極電極15具有對(duì)透過吸收層13的光進(jìn)行反射、并使其再次返回到吸收層13的功能。基座18具有對(duì) 陽極電極15供電或散發(fā)PD中產(chǎn)生的熱量的功能。p型相位調(diào)整層14由帶隙比吸收層13大的材料例如p型InP構(gòu)成。 但是，對(duì)于p型相位調(diào)整層14來說，可以是InGaAsP或AlGalnAs等， 也可以在i型InP層中利用選擇擴(kuò)散形成p型區(qū)域。說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體受光元件的效果。從防反射膜17射入的 光透過n型多層反射層12進(jìn)入到吸收層13內(nèi)， 一邊在陽極電極15和n 型多層反射層12間往返(共振) 一邊由吸收層13吸收。因此，即便使 吸收層變薄，也可以得到較高的量子效率。由n型多層反射層12反射后的光再次返回到n型InP襯底11。 n所以，反射光不會(huì)放出到外部的空間，而是在n型InP襯底ll內(nèi)產(chǎn)生共振模式。在此，在圖9、圖10的PD中，從吸收層104觀察，在靠近n型InP 襯底101的一側(cè)具有n型相位調(diào)整層104,所以，該n型相位調(diào)整層104 內(nèi)的共振模式與n型InP襯底101內(nèi)的共振模式耦合，形成復(fù)合共振模 式。另一方面，在本實(shí)施方式中，n型多層反射層12和吸收層13不通 過其他層地接觸。即，從吸收層13觀察，在靠近n型InP襯底11的一 側(cè)沒有相位調(diào)整層。因此，能夠減少?gòu)?fù)合共振模式，提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性。圖2是示出圖1的半導(dǎo)體受光元件的量子效率的波長(zhǎng)依賴性的仿真 結(jié)果。在該計(jì)算中，使防反射膜17的反射率為0.4%。比較圖2和圖 11、圖12，明顯地在較小的周期內(nèi)產(chǎn)生的量子效率的變動(dòng)減少。例如， 在圖ll中，波長(zhǎng)變化僅4nm左右，量子效率最大變化50%,與此相 對(duì)，在圖2中，即使波長(zhǎng)變化4nm,量子效率的變化量也是2 ~ 3%以 下。此外，吸收層13的光學(xué)膜厚與射入光的波長(zhǎng)的四分之一波長(zhǎng)相比 充分大時(shí)，吸收層13中的共振的Q值降低，所以，更難以發(fā)生復(fù)合共 振模式。此外，成為共振端面的n型多層反射層12和陽極電極15的間隔D 與吸收層13和p型相位調(diào)整層14的總計(jì)膜厚相同。因此，在吸收層13 的膜厚比p型相位調(diào)整層14的膜厚大時(shí)，間隔D的一半以上由吸收層 13占有，吸收層13中的共振Q值急劇地下降到閾值以下，難以發(fā)生復(fù)合共振模式。例如，在間隔D的60%由吸收層13占有的情況下，在 1555nm波長(zhǎng)附近幾乎不會(huì)產(chǎn)生量子效率的波長(zhǎng)依賴性。此外，調(diào)整p型相位調(diào)整層14的膜厚，使得吸收層13和p型相位 調(diào)整層14的光學(xué)膜厚的總計(jì)是射入光的波長(zhǎng)的四分之一的整數(shù)倍。由 此，可以防止在吸收層13中產(chǎn)生的電子或空穴在p型相位調(diào)整層14和 陽極電極15的界面復(fù)合。并且，調(diào)整從陽極電極15反射的光的相位， 使得在吸收層13中對(duì)于所希望的波長(zhǎng)產(chǎn)生共振。此外，圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體受光元件的量子效率 和多層反射層的反射率的層數(shù)依賴性的圖?？芍趎型多層反射層12 的層數(shù)是5~ IO對(duì)的情況下，PD的量子效率變高。在這種情況下，n型 多層反射層12的反射率是20%~70%。這是因?yàn)?，?dāng)n型多層反射層 12的反射率變高時(shí)，在吸收層13中容易產(chǎn)生共振，但是，使反射率過 高時(shí)，向吸收層射入的光減少。此外，優(yōu)選陽極電極15的反射率為40%以上。陽極電極15的反射 率越高，PD的量子效率越高。此外，在圖9、圖10的PD中，由熱傳導(dǎo)性較差的多層反射層夾持 吸收層的上下，所以，所產(chǎn)生的熱集中，吸收層的溫度上升。此外，多 層反射層的電阻較高的情況很多，這也成為發(fā)熱的原因。由于這樣的溫 度上升，量子效率的波長(zhǎng)依賴性變化。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，在 基座18和吸收層13之間不存在多層反射層。因此，發(fā)熱變少，并且熱 難以集中，所以，能夠謀求量子效率的穩(wěn)定化。并且，代替n型InP襯底ll,也可以使用透光性較高的摻雜Fe的 InP襯底。在此情況下，需要將陰極電極16另外連接到n型半導(dǎo)體層例 如n型多層反射層12上。實(shí)施方式2圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。接觸層 21環(huán)狀地配置于在接收光的受光區(qū)域配置的陽極電極15 (第二反射層) 的周圍，并且，連接到p型相位調(diào)整層14。作為接觸層21，使用帶隙 比p型相位調(diào)整層14小的InGaAs或InGaAsP等半導(dǎo)體層或AuZn等接 觸電阻較小的金屬。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相同。利用接觸層21使陽極電極15和p型相位調(diào)整層14的接觸電阻降低，所以，發(fā)熱被抑制，量子效率變穩(wěn)定。并且，可以將接觸層21設(shè)置在p型相位調(diào)整層14和陽極電極15之間的整個(gè)面上。但是， 一般地，對(duì)于接觸層21來說，光的反射率較低，所以，如上所述，若僅在受光區(qū)域的外側(cè)設(shè)置接觸層21,就能夠不降低反射率地來降低電阻。
實(shí)施方式3
圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。反射率較高的反射增強(qiáng)層22 (第二反射層)設(shè)置在p型相位調(diào)整層14上的接收光的受光區(qū)域。接觸層21環(huán)狀地配置在反射增強(qiáng)層22的周圍，并且，連接到p型相位調(diào)整層14。在反射增強(qiáng)層22以及接觸層21上設(shè)置有陽極電極15(金屬膜)。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相同。
設(shè)置反射增強(qiáng)層22,由此，能夠進(jìn)一步提高PD的量子效率。作為反射增強(qiáng)層22,使用Si3N4、 Si02、非晶Si、 A1203、 Ti02等電介質(zhì)的單層或多層膜。在該情況下，具有抑制p型相位調(diào)整層14和陽極電極15的合金化的作用，所以，進(jìn)一步提高反射率。此外，作為反射增強(qiáng)層22，也可以使用半導(dǎo)體的單層或多層膜。例如，作為反射增強(qiáng)層22，如果使用多層反射層，能夠提高反射率。
此外，如果使用電介質(zhì)或半導(dǎo)體的多層膜作為反射增強(qiáng)層22,并且調(diào)整光學(xué)膜厚，則反射增強(qiáng)層22也起到產(chǎn)生吸收層13中的共振的相位調(diào)整層的作用。
此外，在陽極電極15和p型相位調(diào)整層14進(jìn)行合金化時(shí)，反射率降低。因此，作為在陽極電極15和p型相位調(diào)整層14之間所設(shè)置的反射增強(qiáng)層22,可以使用例如鉑、鉬、Ni、 Cr或Ti等與p型相位調(diào)整層14難以合金化的金屬(勢(shì)壘金屬)。換句話說，作為反射增強(qiáng)層22,使用與p型相位調(diào)整層14的連接成為肖特基連接的金屬。由此，可以提高來自陽極電極15的反射率。但是，由于肖特基連接，也存在當(dāng)?shù)凸怆娏鲃?dòng)作時(shí)連接電阻增加的顧慮。因此，作為配置在受光區(qū)域周圍的接觸層21,使用與p型相位調(diào)整層14的連接成為歐姆連接的金屬例如AuZn、 Ti、 Cr等。由此，能夠不使連接電阻惡化地得到較高的反射率。
實(shí)施方式4
圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。將實(shí)施了防反射膜17的作為光射入面的n型InP襯底11的上表面(第二主表面)加工成凹狀。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式3相同。
在此情況下，由n型多層反射層12反射后的返回光例如由防反射膜17再次反射，也向受光區(qū)域外擴(kuò)散，不返回到受光區(qū)域。其結(jié)果是，不產(chǎn)生n型InP襯底11中的共振模式，所以，能夠進(jìn)一步提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性。
實(shí)施方式5
圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。本實(shí)施
方式的半導(dǎo)體受光元件是從圖的上側(cè)射入光的表面射入型的共振型PD。
n型InP襯底11 (半導(dǎo)體襯底)具有彼此對(duì)置的上表面(第一主面)和下表面(第二主面)。在n型InP襯底11的上表面，從n型InP襯底11側(cè)依次形成有n型多層反射層12(第一反射層)、吸收層13、 p型多層反射層23 (第二反射層)和陽極電極15。在n型InP襯底11的下表面形成陰極電極16。陰極電極16 (電極)在受光區(qū)域的正下方具有開口。在陰極電極16的開口中設(shè)置防反射膜17。
n型多層反射層12以及p型多層反射層23是層疊有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層。此外，吸收層13由帶隙比n型InP襯底11小的材料例如InGaAs、 InGaAsP、 AlGalnAs構(gòu)成，通常是低載流子濃度。
光從陰極電極16的開口透過防反射膜17而射出到n型InP襯底11之外。由此，不會(huì)產(chǎn)生位于n型多層反射層12和陰極電極16之間的n型InP襯底11中的共振模式，所以，能夠提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性。
實(shí)施方式6
圖8是示出本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體受光元件的截面圖。本實(shí)施
方式的半導(dǎo)體受光元件是從圖的上側(cè)射入光的表面射入型的共振型PD。
n型InP襯底11 (半導(dǎo)體襯底)具有彼此對(duì)置的上表面(第一主面)和下表面(第二主面)。在n型InP襯底11的上表面，從n型InP襯底11側(cè)依次形成第一吸收層13a、 n型多層反射層12 (第一反射層)、第二吸收層13b、 p型多層反射層23 (第二反射層)和陽極電極15。在n型InP襯底11的下表面形成防反射膜17。
n型多層反射層12以及p型多層反射層23是層疊了折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層。此外，第一以及第二吸收層13a、 13b由帶隙比n型InP襯底11小的材料例如InGaAs、 InGaAsP、 AlGalnAs構(gòu)成，
通常是低載流子濃度。
在n型InP襯底11和n型多層反射層12之間插入第一吸收層13a，由此，由第一吸收層13a吸收透過n型多層反射層12的光。由此，位于n型多層反射層12和陰極電極16之間的n型InP襯底11中不會(huì)產(chǎn)生共振模式，所以，能夠提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性。
實(shí)施方式7
在本實(shí)施方式中，圖1的n型多層反射層12的一部分是雪崩光電二極管的倍增層。即，以成為n型多層反射層12的一部分的方式設(shè)定倍增層的光學(xué)膜厚。或者，也可以在p型相位調(diào)整層14中設(shè)置倍增層。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)相同。這樣，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于雪崩光電二極管。
符號(hào)說明11是n型InP襯底(半導(dǎo)體襯底)，12是n型多層反射層(笫一反射層)，13是吸收層，13a是第一吸收層，13b是第二吸收層，14是p型相位調(diào)整層(相位調(diào)整層)，15是陽極電極(第二反射層)，16是陰極電極(電極)，17是防反射膜，21是接觸層，22是反射增強(qiáng)層(第二反射層)，23是p型多層反射層(第二反射層)。
ii
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體受光元件，其特征在于，具備具有彼此對(duì)置的第一主面和第二主面的半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底的所述第一主面上從所述半導(dǎo)體襯底側(cè)依次形成的第一反射層、吸收層、相位調(diào)整層以及第二反射層；形成在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二主表面上的防反射膜，所述第一反射層是層疊有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層，所述吸收層的帶隙比所述半導(dǎo)體襯底小，所述相位調(diào)整層的帶隙比所述吸收層大，所述第一反射層和所述吸收層不通過其他層地接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述吸收層的膜厚比所述相位調(diào)整層的膜厚大。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述第二反射層是金屬膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述第二反射層和所述相位調(diào)整層的連接是肖特基連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 還具備配置在所述第二反射層周圍且連接到所述相位調(diào)整層的接觸層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述第二反射層具有由電介質(zhì)或半導(dǎo)體的單層或多層膜構(gòu)成的反射增強(qiáng)層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述第二反射層還具有設(shè)置在所述反射增強(qiáng)層上的金屬膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體襯底的所述第二主表面加工成凹狀。
9. 一種半導(dǎo)體受光元件，其特征在于，具備具有彼此對(duì)置的第一主面和第二主面的半導(dǎo)體襯底；在所述 半導(dǎo)體襯底的所述第一主面上從所述半導(dǎo)體襯底側(cè)依次形成的第一反 射層、吸收層和第二反射層；形成在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二主表面 上并且具有開口的電極；設(shè)置在所述電極開口中的防反射膜，所述第一以及第二反射層是層疊有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層，所述吸收層的帶隙比所述半導(dǎo)體襯底小。
10. —種半導(dǎo)體受光元件，其特征在于，具備具有彼此對(duì)置的第一主表面和第二主表面的半導(dǎo)體襯底；在 所述半導(dǎo)體襯底的所述第一主表面上從所述半導(dǎo)體襯底側(cè)依次形成的 第一吸收層、第一反射層、第二吸收層以及笫二反射層；形成在所述半 導(dǎo)體襯底的所述第二主表面上的防反射膜，所述第一以及第二反射層是層疊有折射率不同的半導(dǎo)體層的多層 反射層，所述第一以及第二吸收層的帶隙比所述半導(dǎo)體襯底小。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體受光元件，其特征在于， 所述多層反射層的一部分或者所述相位調(diào)整層的一部分是雪崩光電二極管的倍增層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于得到一種能夠提高波長(zhǎng)穩(wěn)定性的半導(dǎo)體受光元件。n型InP襯底(11)(半導(dǎo)體襯底)具有彼此對(duì)置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。在n型InP襯底11的下表面從n型InP襯底(11)側(cè)依次形成的n型多層反射層(12)(第一反射層)、吸收層(13)、p型相位調(diào)整層(14)和陽極電極(15)(第二反射層)。在n型InP襯底(11)的上表面上形成的防反射膜(17)。n型多層反射層(12)是層疊了折射率不同的半導(dǎo)體層的多層反射層。吸收層(13)的帶隙比n型InP襯底(11)小。p型相位調(diào)整層(14)的帶隙比吸收層(13)大。n型多層反射層(12)和吸收層(13)不通過其他層地接觸。
文檔編號(hào)H01L31/10GK101521245SQ20081016091
公開日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者中路雅晴, 石村榮太郎 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社