專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有包含Al元素的半導(dǎo)體層的埋入型半導(dǎo)體光元 件的制造方法，特別涉及能夠確保良好特性和較高的可靠性的半導(dǎo)體光 元件的制造方法。
背景技術(shù)：
已經(jīng)提出了如下的埋入型半導(dǎo)體光元件(例如，參考專(zhuān)利文獻(xiàn)l): 使用掩模對(duì)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成條紋結(jié)構(gòu)，由埋入層埋入該 條紋結(jié)構(gòu)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)2001 - 53391號(hào)公4艮
說(shuō)明用于制造埋入型半導(dǎo)體光元件的參考例1的制造方法。首先， 如圖31所示，在p型InP襯底11上依次形成p型InP覆蓋層12、包含 Al元素的活性層15、和n型InP覆蓋層16。并且，在n型InP覆蓋層 16上形成利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖后的絕緣膜17。
接下來(lái)，如圖32所示，將絕緣膜17作為掩模，刻蝕n型InP覆蓋 層16和活性層15,形成條紋結(jié)構(gòu)18。并且，在用于形成埋入層的結(jié)晶 生長(zhǎng)裝置內(nèi)，如圖33所示，以包含囟族元素的氣體等刻蝕條紋結(jié)構(gòu)18。
接下來(lái)，如圖34所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 以及p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖35所示，除去絕 緣膜17,形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24以及背面電極25。
在參考例1中，在條紋結(jié)構(gòu)18的側(cè)壁，含有Al元素的活性層15 暴露在附著有氧氣等氣體或雜質(zhì)的環(huán)境中。因此，在活性層15的表面 上附著雜質(zhì)，形成反應(yīng)生成物或Al氧化物等。這種化合物妨礙之后的 埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)。此外，由于該化合物，無(wú)效電流或光的損失變大， 所以，半導(dǎo)體光元件的初始特性或長(zhǎng)期可靠性惡化。因此，在形成埋入 層之前，以包含卣族元素的氣體等刻蝕條紋結(jié)構(gòu)18。但是，在條紋結(jié)構(gòu) 18的表面所形成的Al氧化物等非常牢固，所以，不能穩(wěn)定地除去。
說(shuō)明用于解決該問(wèn)題的參考例2的制造方法。首先，如圖36所示， 在p型InP襯底11上依次形成p型InP覆蓋層12、包含A1元素的活性層15和n型InP覆蓋層16。并且，在n型InP覆蓋層16上形成利用光 刻進(jìn)行構(gòu)圖后的絕緣膜17。
接下來(lái)，在用于形成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)，如圖37所示，將 絕緣膜17作為掩模，刻蝕n型InP覆蓋層16和活性層15,形成條紋結(jié) 構(gòu)18。之后，如圖38所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 以及p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖39所示，除去絕 緣膜17,形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24和背面電極25。
這樣僅以用于形成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)的刻蝕來(lái)形成條紋結(jié) 構(gòu)18,由此，條紋結(jié)構(gòu)18不暴露在附著氧氣等氣體或雜質(zhì)的環(huán)境中。 但是，由于條紋結(jié)構(gòu)18的側(cè)壁具有45度的傾斜，所以，條紋頂上部變 細(xì)，元件的電阻增加。與此相對(duì)，為了確保條紋頂上部的寬度而使n型 InP覆蓋層16變薄時(shí)，不能充分地確保光關(guān)閉層。此外，為了確保條紋 頂上部的寬度而加大活性層15的寬度時(shí)，基模下的激光器振蕩會(huì)不穩(wěn) 定。此外，需要長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕，得到良好的刻蝕特性是困難的。
以上的參考例1和參考例2的任何一種制造方法都不能確保半導(dǎo)體 光元件的良好特性和較高的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而進(jìn)行的，其目的是獲得一種能夠確保 良好特性和較高的可靠性的半導(dǎo)體光元件的制造方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體光元件的制造方法包括如下步驟在第一半導(dǎo)體層 上形成槽；在槽內(nèi)形成含有Al元素的第二半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層 以及第二半導(dǎo)體層上形成第三半導(dǎo)體層；在第三半導(dǎo)體層上以覆蓋第二 半導(dǎo)體層的上方的方式形成絕緣膜；將絕緣膜作為掩模，不使第二半導(dǎo) 體層露出地刻蝕第一半導(dǎo)體層以及第三半導(dǎo)體層，形成條紋結(jié)構(gòu)；以埋 入層埋入條紋結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的其他特征在以下可明確。
根據(jù)本發(fā)明，能夠確保半導(dǎo)體光元件的良好特性和較高的可靠性。


圖l是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截 面圖。
圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。
圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。
圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截 面圖。
圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截 面圖。
圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截 面圖。
圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截 面圖。
圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。
圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖11是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的
圖12是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖13是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖14是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法的
圖15是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖16是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖17是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 圖18是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。
圖19是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖20是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖21是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖22是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖23是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的
圖24是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖25是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖26是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖27是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖28是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖29是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖30是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體光元件的制造方法的 截面圖。
圖31是用于說(shuō)明參考例1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖32是用于說(shuō)明參考例1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖33是用于說(shuō)明參考例1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖34是用于說(shuō)明參考例1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖35是用于說(shuō)明參考例1的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖36是用于說(shuō)明參考例2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖37是用于說(shuō)明參考例2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。圖38是用于說(shuō)明參考例2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。 圖39是用于說(shuō)明參考例2的半導(dǎo)體光元件的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施方式1
使用附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體光元件的制造方法進(jìn)行說(shuō) 明。此處，作為半導(dǎo)體光元件的一例，說(shuō)明半導(dǎo)體激光器的情況。
首先，如圖1所示，在p型InP襯底11上形成p型InP覆蓋層12 (第一半導(dǎo)體層)。并且，在p型InP覆蓋層12上，形成利用光刻進(jìn)行 構(gòu)圖后的SiCb或SiN等的絕緣膜13。
接下來(lái)，如圖2所示，將絕緣膜13作為掩模，刻蝕p型InP覆蓋層
12,形成槽14。作為該刻蝕，進(jìn)行利用藥液的濕法刻蝕或者利用包含
HC1等卣類(lèi)氣體的氣體的干法刻蝕。此外，槽14的寬度是滿(mǎn)足用于完成 后的半導(dǎo)體激光器以基^:莫進(jìn)行振蕩的截止(cut off)條件的值。具體地
說(shuō)是1.0 ~ 2.0pm左右。
接下來(lái)，如圖3所示，在槽14內(nèi)形成含有Al元素的AlGalnAs量 子阱的活性層15 (第二半導(dǎo)體層)。并且，活性層15的最外表面是不 含Al的InP層。
接下來(lái)，如圖4所示，除去絕緣膜13。并且，在p型InP覆蓋層12 和活性層15上，形成n型InP覆蓋層16 (第三半導(dǎo)體層)。
接下來(lái)，如圖5所示，在n型InP覆蓋層16上，以覆蓋活性層15 的上方的方式，形成利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖后的Si02或SiN等絕緣膜17。 絕緣膜17的寬度比活性層15的寬度寬，但卻是完成后的半導(dǎo)體激光器 的特性不會(huì)由于漏電流而降低的值。具體地說(shuō)，比活性層15的寬度寬 0.2 ~ l.Opm左右。
接下來(lái)，如圖6所示，將絕緣膜17作為掩模，不使活性層15露出 地刻蝕位于活性層15的橫側(cè)的n型InP覆蓋層16和p型InP覆蓋層12， 形成條紋結(jié)構(gòu)18。作為該刻蝕，進(jìn)行利用藥液的濕法刻蝕或者利用HC1 等面類(lèi)氣體以外的氣體的干法刻蝕。
接下來(lái)，如圖7所示，由p型InP'埋入層19、 n型InP埋入層20和 p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。這些層是在完成后的半導(dǎo)體激光器 中進(jìn)行電流狹窄的埋入層。接下來(lái)，如圖8所示，除去絕緣膜7。并且，形成電極形成用的n 型lnP覆蓋層22。在該n型InP覆蓋層22上，形成電流注入用的Si02 或SiN等絕緣膜23以及Ti、 Pt、 Au、 AuGe、 AuZn等表面電極24。對(duì) p型InP襯底11進(jìn)行背面研磨，使厚度薄至100|im,在p型InP襯底11 的背面形成背面電極25。之后，利用劈開(kāi)等將半導(dǎo)體激光器切為所希望 的長(zhǎng)度，并且，為了得到所希望的反射率，在激光器端面形成Al203、a-Si、 Si02等反射膜。通過(guò)以上步驟，制造出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體光元件。
如上所述，在形成條紋結(jié)構(gòu)18時(shí)不使活性層15露出，所以，含有 Al元素的活性層15未暴露在外部氣體以及藥液中。因此，能夠確保半 導(dǎo)體光元件的良好特性和較高的可靠性。
實(shí)施方式2
使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體光元件的制造方法。此 處，作為半導(dǎo)體光元件的一例，說(shuō)明半導(dǎo)體激光器的情況。
首先，與實(shí)施方式1相同地進(jìn)行圖1~6的步驟。接下來(lái)，如圖9 所示，在用于形成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)，利用HC1等卣類(lèi)氣體的干 法刻蝕，除去覆蓋活性層15的側(cè)面的p型InP覆蓋層12，使活性層15 的側(cè)面露出。此時(shí)，優(yōu)選刻蝕到活性層15的側(cè)面的一部分。
接下來(lái)，如圖10所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 以及p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖ll所示，除去絕 緣膜17，形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24和背面電極25。
如上所述，使活性層15的側(cè)面露出，由此，與實(shí)施方式l相比， 能夠進(jìn)一步減少使特性降低的漏電流。此外，刻蝕到活性層15的側(cè)面 的一部分，由此，在活性層15的生長(zhǎng)時(shí)，在活性層15的側(cè)面形成引起 光或載流子損失的區(qū)域的情況下，也能夠除去該區(qū)域。此外，在用于形 成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)進(jìn)行刻蝕，所以，含有A1元素的活性層15 不暴露在外部氣體以及藥液中。
實(shí)施方式3
使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體光元件的制造方法。本 實(shí)施方式中，將實(shí)施方式1應(yīng)用于在活性層上形成有衍射光柵的分布反 饋型半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)。
8首先，與實(shí)施方式l相同地，進(jìn)行圖1~3的步驟。接下來(lái)，如圖 12所示，除去絕緣膜13。并且，在p型InP覆蓋層12和活性層15上， 形成n型InP覆蓋層16 (第三半導(dǎo)體層)。并且，利用組合了公知的結(jié) 晶生長(zhǎng)和照相制版的步驟，在n型InP覆蓋層16中形成衍射光柵26。
接下來(lái)，如圖13所示，在n型InP覆蓋層16上，以覆蓋活性層15 的上方的方式，形成利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖后的Si02或SiN等絕緣膜17。 絕緣膜17的寬度比活性層15的寬度寬，但卻是完成后的半導(dǎo)體激光器 的特性不會(huì)由于漏電流而降低的值。具體地說(shuō)，比活性層15的寬度寬 0.2 ~ l.Oinm左右。
接下來(lái)，如圖14所示，將絕緣膜17作為掩模，不使活性層15露 出地對(duì)位于活性層15的橫側(cè)的n型InP覆蓋層16以及p型InP覆蓋層 12進(jìn)行刻蝕，形成條紋結(jié)構(gòu)18。作為該刻蝕，進(jìn)行利用藥液的濕法刻 蝕或者利用HC1等卣類(lèi)氣體以外的氣體的干法刻蝕。
接下來(lái)，如圖15所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 和p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖16所示，除去絕緣 膜17,形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24以及背面電極25。
如上所述，除了在活性層15上形成衍射光柵26以外，其他與實(shí)施 方式l相同，所以，能夠得到與實(shí)施方式1相同的效果。
實(shí)施方式4
使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體光元件的制造方法。在 本實(shí)施方式中，將實(shí)施方式2應(yīng)用于在活性層上形成衍射光柵的分布反 饋型半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)。
首先，與實(shí)施方式1相同地，進(jìn)行圖1 ~3的步驟，與實(shí)施方式3 相同地，進(jìn)行圖12~14的步驟。
接下來(lái)，如圖17所示，在用于形成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)，利 用HC1等面類(lèi)氣體的干法刻蝕，除去覆蓋活性層15的側(cè)面的p型InP 覆蓋層12，使活性層15的側(cè)面露出。此時(shí)，優(yōu)選刻蝕到活性層15的側(cè) 面的一部分。
接下來(lái)，如圖18所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 和p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖19所示，除去絕緣 膜17,形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24和背面電極25。如上所述，除了在活性層15上形成衍射光柵26以外，其他與實(shí)施 方式2相同，所以，能夠得到與實(shí)施方式2相同的效果。
實(shí)施方式5
使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體光元件的制造方法。本 實(shí)施方式中，將實(shí)施方式1應(yīng)用于在活性層下形成有衍射光柵的分布反 饋型半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)。
首先，如圖20所示，在p型InP襯底11上形成p型InP覆蓋層12 (第一半導(dǎo)體層)。并且，利用組合了公知的結(jié)晶生長(zhǎng)和照相制版的步 驟，在n型InP覆蓋層16中形成衍射光柵26。此外，在p型InP覆蓋 層12上，形成利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖后的Si02或SiN等絕緣膜13。
接下來(lái)，如圖21所示，將絕緣膜13作為掩才莫，刻蝕p型InP覆蓋 層12,形成槽14。作為該刻蝕，進(jìn)行利用藥液的濕法刻蝕或者利用包 含HC1等卣類(lèi)氣體的氣體的干法刻蝕。此外，槽M的寬度是滿(mǎn)足用于 完成后的半導(dǎo)體激光器以基模進(jìn)行振蕩的截止條件的值。具體地說(shuō)是 1.0~2.0拜左右。
接下來(lái)，如圖22所示，在槽14內(nèi)形成含有Al元素的AlGalnAs量 子阱的活性層15 (第二半導(dǎo)體層)。并且，活性層15的最外表面是不 含Al的InP層。
接下來(lái)，如圖23所示，除去絕緣膜13。并且，在p型InP覆蓋層 12和活性層15上，形成n型InP覆蓋層16 (第三半導(dǎo)體層)。
接下來(lái)，如圖24所示，在n型InP覆蓋層16上，以覆蓋活性層15 的上方的方式，形成利用光刻進(jìn)行構(gòu)圖后的Si02或SiN等絕緣膜17。 絕緣膜17的寬度比活性層15的寬度寬，但卻是完成后的半導(dǎo)體激光器 的特性不會(huì)由于漏電流而降低的值。具體地說(shuō)，比活性層15的寬度寬 0.2 ~ l.Opm左右。
接下來(lái)，如圖25所示，將絕緣膜17作為掩模，不使活性層15露 出地對(duì)位于活性層15的橫側(cè)的n型InP覆蓋層16和p型InP覆蓋層12 進(jìn)行刻蝕，形成條紋結(jié)構(gòu)18。作為該刻蝕，進(jìn)行利用藥液的濕法刻蝕或 者利用HC1等卣類(lèi)氣體以外的氣體的干法刻蝕。
接下來(lái)，如圖26所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 和p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖27所示，除去絕緣膜17,形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電才及24和背面電極25。
如上所述，除了在活性層15下形成衍射光柵26以外，其他與實(shí)施 方式l相同，所以，能夠得到與實(shí)施方式1相同的效果。
實(shí)施方式6
使用附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體光元件的制造方法。本 實(shí)施方式中，將實(shí)施方式2應(yīng)用于在活性層下形成有衍射光柵的分布反 饋型半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)。
首先，與實(shí)施方式5相同地，進(jìn)行圖20~25的步驟。接下來(lái)，如 圖28所示，在用于形成埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)，利用HC1等囟類(lèi)氣 體的干法刻蝕，除去覆蓋活性層15的側(cè)面的p型InP覆蓋層12,使活 性層15的側(cè)面露出。此時(shí)，優(yōu)選刻蝕到活性層15的側(cè)面的一部分。
接下來(lái)，如圖29所示，由p型InP埋入層19、 n型InP埋入層20 和p型InP埋入層21埋入條紋結(jié)構(gòu)18。并且，如圖30所示，除去絕緣 膜17，形成n型InP層22、絕緣膜23、表面電極24和背面電極25。
如上所述，除了在活性層15下形成衍射光柵26以外，其他與實(shí)施 方式2相同，所以，能夠得到與實(shí)施方式2相同的效果。
并且，在上述實(shí)施方式1~6中，使用p型InP埋入層19、 n型InP 埋入層20以及p型InP埋入層21的疊層結(jié)構(gòu)作用埋入層，但是，不限 于此，也可以使用InP以外的AlInAs等半導(dǎo)體層或摻雜Fe的InP等半 絕緣性半導(dǎo)體層。此外，作為半導(dǎo)體襯底，使用p型InP襯底ll,但是 不限于此，也可以使用n-InP襯底或半絕緣性襯底。此外，作為半導(dǎo)體 光元件的一例，說(shuō)明了半導(dǎo)體激光器的情況，但是也可以應(yīng)用于半導(dǎo)體 調(diào)制器、半導(dǎo)體光放大器或這些的復(fù)合元件。
符號(hào)說(shuō)明12是p型InP覆蓋層(第一半導(dǎo)體層)，14是槽，15 是活性層(第二半導(dǎo)體層)，16是n型InP覆蓋層(第三半導(dǎo)體層)， 17是絕緣膜，18是條紋結(jié)構(gòu)，19是p型InP埋入層(埋入層)，20是 n型InP埋入層(埋入層)，21是p型InP埋入層(埋入層)。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體光元件的制造方法，其特征在于，具有如下步驟在第一半導(dǎo)體層上形成槽；在所述槽內(nèi)形成含有Al元素的第二半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層以及所述第二半導(dǎo)體層上形成第三半導(dǎo)體層；在所述第三半導(dǎo)體層上，以覆蓋所述第二半導(dǎo)體層的上方的方式形成絕緣膜；將所述絕緣膜作為掩模，不使所述第二半導(dǎo)體層露出地刻蝕所述第一半導(dǎo)體層以及所述第三半導(dǎo)體層，形成條紋結(jié)構(gòu)；由埋入層埋入所述條紋結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1半導(dǎo)體光元件的制造方法，其特征在于，還包括如下步驟在形成所述條紋結(jié)構(gòu)后、形成所述埋入層前，在用于形成所述埋入層的結(jié)晶生長(zhǎng)裝置內(nèi)，利用鹵類(lèi)氣體的干法刻蝕，使 所述第二半導(dǎo)體層的側(cè)面露出。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于得到一種能夠確保良好特性和較高的可靠性的半導(dǎo)體光元件的制造方法。在p型InP覆蓋層(12)(第一半導(dǎo)體層)上形成槽(14)。在槽(14)內(nèi)形成含有Al元素的活性層(15)(第二半導(dǎo)體層)。在p型InP覆蓋層(12)和活性層(15)上形成n型InP覆蓋層(16)(第三半導(dǎo)體層)。在n型InP覆蓋層(16)上，以覆蓋活性層15的上方的方式形成絕緣膜(17)。將絕緣膜(17)作為掩模，不使活性層(15)露出地刻蝕p型InP覆蓋層(12)和n型InP覆蓋層(16)，形成條紋結(jié)構(gòu)(18)。由p型InP埋入層(19)、n型InP埋入層(20)和p型InP埋入層(21)埋入條紋結(jié)構(gòu)(18)。
文檔編號(hào)H01S5/227GK101499625SQ20081016091
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者境野剛 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社