技術(shù)編號(hào)：6900592
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有包含Al元素的半導(dǎo)體層的埋入型半導(dǎo)體光元 件的制造方法，特別涉及能夠確保良好特性和較高的可靠性的半導(dǎo)體光 元件的制造方法。背景技術(shù)已經(jīng)提出了如下的埋入型半導(dǎo)體光元件(例如，參考專利文獻(xiàn)l) 使用掩模對(duì)半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，形成條紋結(jié)構(gòu)，由埋入層埋入該 條紋結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)1 特開2001 - 53391號(hào)公4艮說(shuō)明用于制造埋入型半導(dǎo)體光元件的參考例1的制造方法。首先， 如圖31所示，在p型InP襯底11上依次形成p型InP覆蓋層12、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。