專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種使用較少光刻和腐蝕工藝(photolithography and etching process, PEP)來制作具有彩 色濾光層的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動、低消耗功率及 應用范圍廣等優(yōu)點，因此已取代陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)成為 新一代顯示器的主流。傳統(tǒng)的液晶顯示面板是由一具有彩色濾光層的彩色濾 光基板、 一薄膜晶體管陣列基板(TFT Array Substrate)以及一配置于此兩基 板間的液晶層所構(gòu)成。為了提升面板的解析度與像素的開口率，并且避免彩 色濾光基板與薄膜晶體管陣列基板接合時的對位誤差，現(xiàn)今更提出了將彩色 濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板(Color Filter on Array, COA)上的技 術(shù)。圖1A 圖IG為已知的一種將彩色濾光層制作于薄膜晶體管陣列上的制作 流程示意圖，其中圖1A 圖1G是以三個像素結(jié)構(gòu)為代表作說明。首先，請參 照圖1A，提供基板IO，并通過第一道光刻和腐蝕工藝(firstPEP)于基板IO 上形成柵極20。接著，請參照圖1B，在基板10上形成柵絕緣層30以覆蓋柵 極20，并通過第二道光刻和腐蝕工藝(second PEP)于柵絕緣層30上形成位 于柵極20上方的溝道層40以及歐姆接觸層42。之后，請參照圖1C，通過第 三道光刻和腐蝕工藝(third PEP)于溝道層40的部分區(qū)域以及柵絕緣層30 的部分區(qū)域上形成源極50以及漏極60。 一般而言，溝道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphous silicon)，而歐姆接觸層42的材質(zhì)多為N型重摻雜的非晶硅 (N type heavily-doped a-Si)，用以減少溝道層40與源極50之間以及溝道層 40與漏極60之間的接觸阻抗，其形成方法通常是利用離子摻雜(ion doping) 的方式于非晶硅的表面進行N型摻雜。請繼續(xù)參照圖1C，源極50與漏極60分別由溝道層40的兩側(cè)延伸至柵 絕緣層30上，并使溝道層40的部分區(qū)域暴露，其中柵極20、溝道層40、源 極50與漏極60構(gòu)成薄膜晶體管TH。接著，請參照圖1D，于薄膜晶體管TH 上覆蓋介電層70，并且通過第四道光刻和腐蝕工藝(fomthPEP)于部分薄膜 晶體管TH上方形成紅色濾光圖案82，其中紅色濾光圖案82具有接觸開口 m ，其中接觸開口 Hl位于紅色濾光圖案82所對應薄膜晶體管TH的漏極60 的上方。 -之后，請參照圖1E，通過第五道光刻和腐蝕工藝于部分薄膜晶體管TH 上方形成綠色濾光圖案84，并于綠色濾光圖案84中形成接觸開口H2，其中 接觸開口 H2位于綠色濾光圖案84所對應薄膜晶體管TH的漏極60的上方。 接著，請參照圖1F，通過第六道光刻和腐蝕工藝于剩余的薄膜晶體管TH上 方形成藍色濾光圖案86，并于藍色濾光圖案86中形成接觸開口 H3，其中接 觸開口 H3位于藍色濾光圖案86所對應薄膜晶體管TH的漏極60的上方。由 圖1D 圖1F可知，上述紅色濾光圖案82、綠色濾光圖案84以及藍色濾光圖 案86所構(gòu)成的彩色濾光層80是經(jīng)由三道光刻和腐蝕工藝來進行制作。接著，請參照圖1G，經(jīng)由一刻蝕工藝移除接觸開口H1、 H2、 H3所暴露 的介電層70，之后，再通過第七道光刻和腐蝕工藝(seventh PEP)于彩色濾光 層80上形成像素電極90，由圖1G可知，各像素結(jié)構(gòu)的像素電極90會分別 透過接觸開口 Hl、 H2、 H3與對應的漏極60電連接。至此，將彩色濾光層 80直接整合于薄膜晶體管陣列基板的工藝大致完成。承上述，已知將彩色濾光層制作于薄膜晶體管陣列上的制作方法至少需 通過七道光刻和腐蝕工藝來進行制作，步驟繁復而需花費較高的生產(chǎn)成本。此外，上述需要至少七道光刻和腐蝕工藝來進行制作的像素結(jié)構(gòu)需采用多個具有不同圖案的掩膜(mask)，由于掩膜的造價十分昂貴，因此像素結(jié)構(gòu)的 制造成本將無法降低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其可降低像素結(jié)構(gòu)的制作成本。 為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。 首先，于一基板上形成一柵極。接著，于基板上形成一柵絕緣層以覆蓋柵極。 然后，于柵絕緣層上形成一溝道層。之后，于溝道層與柵絕緣層上形成一導 電層。接著，于導電層上形成一感光型黑矩陣，其中感光型黑矩陣具有一彩 色濾光層容納開口。而且，感光型黑矩陣包括一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊， 第一區(qū)塊的厚度小于第二區(qū)塊的厚度。然后，以感光型黑矩陣為光掩膜，圖 案化導電層以于溝道層上形成一源極以及一漏極，其中柵極、溝道層、源極 以及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。之后，通過噴墨印刷工藝于彩色濾光層容納開 口內(nèi)形成一彩色濾光層。接著，于感光型黑矩陣與彩色濾光層上形成一介電 層。然后，圖案化介電層，以使漏極暴露。之后，形成一與漏極電連接的像 素電極。在本發(fā)明的一實施例中，像素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括于感光型黑矩陣、 薄膜晶體管以及柵絕緣層上形成一保護層。在本發(fā)明的一實施例中，圖案化導電層的步驟如下所述。首先，以感光 型黑矩陣為光掩膜，移除部分未被感光型黑矩陣覆蓋的導電層，以于溝道層 上形成源極與漏極。然后，減少感光型黑矩陣的厚度，直到第一區(qū)塊被完全 移除。在本發(fā)明的一實施例中，移除部分未被感光型黑矩陣覆蓋的導電層的步 驟包括進行一濕法付蝕工藝(wet etching process)。在本發(fā)明的一實施例中，減少感光型黑矩陣厚度的步驟包括進行一干法process)。在本發(fā)明的一實施例中，干法刻蝕工藝包括一灰化工藝(ashingprocess)。 在本發(fā)明的一實施例中，溝道層的形成步驟包括于柵絕緣層上形成一半導體材料層以及圖案化半導體材料層以形成一半導體層。在本發(fā)明的一實施例中，像素結(jié)構(gòu)的制作方法更包括于半導體層表面形成一歐姆接觸層。在本發(fā)明的一實施例中，圖案化介電層的步驟包括于介電層上形成一光 刻膠層以及以光刻膠層為光掩膜，移除部分的介電層與部分的感光型黑矩陣， 以分別于介電層與感光型黑矩陣中形成一第一開口與一第二幵口。在本發(fā)明的一實施例中，形成像素電極的步驟包括形成一電極材料層于 介電層、感光型黑矩陣與漏極上，以及圖案化電極材料層。在本發(fā)明的一實施例中，在形成柵極的同時，更包括形成一第一電容電 極，而在形成源極與漏極的同時，更包括形成一第二電容電極，第一電容電 極與第二電容電極構(gòu)成一存儲電容器。本發(fā)明通過噴墨印刷技術(shù)于薄膜晶體管上方進行彩色濾光層的制作，因 此相較于已知的像素結(jié)構(gòu)制作方法，可以簡化工藝步驟并減少掩膜的制作成 本。此外，在利用噴墨印刷技術(shù)制作彩色濾光層時，可以有效節(jié)省彩色濾光 層的材料使用量，可以進一步降低制造成本。另外，本發(fā)明是以感光型黑矩 陣為光掩膜對導電層進行刻蝕，因此本發(fā)明可減少一道光刻和腐蝕工藝，進 而降低制作成本。


圖1A 圖1G為己知的一 種將彩色濾光層制作于薄膜晶體管陣列上的制作 流程示意圖，其中圖1A 圖1G是以三個像素結(jié)構(gòu)為代表作說明。 圖2A 圖2J為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。 圖3A 圖3F分別為圖2A、圖2B、圖2E、圖2G、圖2I與圖2J的俯視圖4為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。附圖標號10、 210:基板20、 220:柵極 30、 230:柵絕緣層 40、 CH:溝道層 42、 0:歐姆接觸層 50、 242:源極 60、 244:漏極 70、 270:介電層82:紅色濾光圖案 84:綠色濾光圖案 86:藍色濾光圖案80、 260:彩色濾光層90、 280:像素電極200、 400:像素結(jié)構(gòu)240:導電層250:感光型黑矩陣252:彩色濾光層容納開口254:第一區(qū)塊256:第二區(qū)塊C:存儲電容器Cl:第一電容電極C2:第二電容電極H、 Hl、 H2、 H3:接觸開口OPh第一開口OP2:第二開口 P:保護層 PR:光刻膠層 S:半調(diào)式掩膜 Sl:透光區(qū) S2:半透光區(qū) S3:非透光區(qū) Tl、 T2:厚度 TH:薄膜晶體管具體實施方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實 施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。圖2A 圖2J為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的工藝剖面圖。圖3A 圖3F 分別為圖2A、圖2B、圖2E、圖2G、圖2I與圖2J的俯視圖。請同時參照圖2A與圖3A，首先，提供一基板210，基板210例如是玻 璃基板、塑膠基板等硬質(zhì)或軟質(zhì)基板。接著，在基板210上形成一柵極220， 其中形成柵極220的方法例如是先在基板210上全面形成一導電層(未繪示)。 全面形成導電層的方法例如是通過濺射(sputtering)、蒸發(fā)(evaporation)或 是其他適合的薄膜沉積技術(shù)。然后，圖案化前述導電層以形成柵極220，而圖 案化前述導電層的方法例如是光刻刻蝕。此外，本實施例在形成柵極220的 同時，還可選擇性地形成一第一電容電極C1。接著，請同時參照圖2B與圖3B，在基板210上形成覆蓋柵極220與第 一電容電極C1的柵絕緣層230。形成柵絕緣層230的方法例如是化學氣相沉 積法(chemical vapor deposition, CVD)或是其他適合的薄膜沉積方法，而柵絕緣層230的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介電材料。然后，請 繼續(xù)參照圖2B與圖3B，在柵絕緣層230上形成一溝道層CH，其中溝道層 CH的材質(zhì)例如是非晶硅(amorphous silicon)或是其他適合的半導體材料。 形成溝道層CH的方法例如是先在柵絕緣層230上形成一半導體材料層(未繪 示)，然后圖案化此半導體材料層以形成一半導體層(即溝道層CH)。此外，如圖2B與圖3B所示，為降低溝道層CH與之后將形成的源極以 及漏極之間的接觸阻抗，本實施例在形成溝道層CH的同時，還可以在溝道層 CH上選擇性地形成一歐姆接觸層O。歐姆接觸層O的材質(zhì)例如是N型重摻 雜的非晶硅。然后，請參照圖2C，在溝道層CH與柵絕緣層230上形成一導電層240。 接著，請繼續(xù)參照圖2C，在導電層240上形成一感光型黑矩陣250，而且感 光型黑矩陣250具有至少一彩色濾光層容納開口 252。而且，感光型黑矩陣 250包括一第一區(qū)塊254以及一第二區(qū)塊256，第一區(qū)塊254的厚度Tl小于 第二區(qū)塊256的厚度T2。感光型黑矩陣250的材質(zhì)例如是感光性的黑色樹脂。請繼續(xù)參照圖2C，形成感光型黑色矩陣250的方法可為先在導電層240 上全面形成一感光型黑色樹脂層(未繪示)。然后，提供一半調(diào)式掩膜S (half-tone mask)，半調(diào)式掩膜S具有至少一透光區(qū)Sl、至少一半透光區(qū)S2 與至少一非透光區(qū)S3，其中半透光區(qū)S2的透光程度介于透光區(qū)Sl與非透光 區(qū)S3之間。之后，再通過半調(diào)式掩膜S對前述感光型黑色樹脂層進行曝光顯 影以形成感光型黑色矩陣250。然后，請同時參照圖2E與圖3C，以感光型黑矩陣250為光掩膜對導電 層240進行圖案化，以在溝道層CH上形成一源極242以及一漏極244。柵極 220、溝道層CH、源極242以及漏極244構(gòu)成一薄膜晶體管TH。值得注意的 是，不同于已知，本實施例是利用感光型黑矩陣250為光掩膜對導電層240 進行圖案化，因此本實施例可減少一道光刻和腐蝕工藝，進而降低制作成本。 此外，本實施例在對導電層240進行圖案化的同時，還可以選擇性地形成一第二電容電極C2，而且第一電容電極Cl與第二電容電極C2構(gòu)成一存儲電容 器C。于本實施例中，對導電層240進行圖案化的步驟可為如下所述。首先， 請參照圖2D，以感光型黑矩陣250為光掩膜而移除部分未被感光型黑矩陣250 覆蓋的導電層240，以在溝道層CH上形成源極242與漏極244。其中，移除 未被感光型黑矩陣250覆蓋的導電層240的方法可以是對導電層240進行一 濕法付蝕工藝。然后，請參照圖2E，移除在溝道層CH上的歐姆接觸層0， 再減少感光型黑矩陣250的厚度直到第一區(qū)塊254被完全移除而暴露出部分 的導電層240。移除在溝道層CH上的歐姆接觸層O與減少感光型黑矩陣250 的厚度的方法包括對歐姆接觸層0與感光型黑矩陣250進行一干法刻蝕工藝， 其中對感光型黑矩陣250的干法刻蝕工藝例如是灰化工藝。之后，請參照圖2F，為保護感光型黑矩陣250所暴露出的導電層240， 可選擇性地在感光型黑矩陣250、薄膜晶體管TH以及柵絕緣層230上形成一 保護層P。保護層P的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等無機介電材料 所組成。更詳細而言，保護層P可通過物理氣相沉積或化學氣相沉積的方式 形成。然后，請同時參照圖2G與圖3D，以噴墨印刷工藝于彩色濾光層容納開 口 252內(nèi)形成一彩色濾光層260。彩色濾光層260的材質(zhì)例如是丙烯酸樹脂 (acrylic resin)。實務(wù)上，在將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管陣列基板 的技術(shù)中，各像素結(jié)構(gòu)具有位于薄膜晶體管TH上方的彩色濾光層260，而彩 色濾光層260可以包括紅色濾光圖案、綠色濾光圖案以及藍色濾光圖案，以 使液晶顯示面板達到全彩化的顯示效果。更詳細地說，彩色濾光層260可以是紅色濾光圖案、綠色濾光圖案以及 藍色濾光圖案。此外，上述的噴墨印刷工藝例如是先對基板210進行表面處 理，再通過裝有紅色(R)、綠色(G)或藍色(B)墨水的噴嘴將彩色墨水 噴入原先預定形成紅色、綠色或藍色的彩色濾光層容納開口 252中。然后，再進行烘烤，以使彩色墨水固化而形成彩色濾光層260。值得注意的是，本實施例以噴墨印刷工藝取代已知技術(shù)的光刻和腐蝕工 藝形成彩色濾光層260，因此本實施例在形成彩色濾光層260時不需使用到光 刻和腐蝕工藝(PEP)，也因此本實施例可大幅降低制造成本，并讓工藝的復 雜度降低，進而提升良率。此外，相較于已知技術(shù)中需個別地形成紅色、綠 色及藍色的彩色濾光層260,本實施例可同時形成各種顏色的彩色濾光層260, 因此本實施例可有效減少工藝所需的時間。當然，本實施例并不限定濾光圖 案的顏色、數(shù)量以及配置方式，其可隨設(shè)計的需求而有所不同。接著，請參照圖2H，在感光型黑色矩陣250與彩色濾光層260上形成一 介電層270，其中介電層270的材質(zhì)可以是丙烯酸樹脂、感光性樹脂等有機介 電材料所組成，而形成介電層270的方法例如是光刻膠涂布法。然后，請同 時參照圖2I與圖3E，圖案化介電層270以使漏極244暴露。詳細而言，請參 照圖2H,圖案化介電層270的方法例如是先在介電層270上形成一光刻膠層 PR。然后，請參照圖21，再以光刻膠層PR為光掩膜移除部分的介電層270、 部分的保護層P與部分的感光型黑矩陣250，以分別于介電層270與感光型黑 矩陣250中形成一第一開口 0P1與一第二開口 OP2。而且，第一開口 OP1與 第二開口 OP2暴露出漏極244與第二電容電極C2。之后，再移除光刻膠層 PR。然后，請同時參照圖2J與圖3F，形成一與漏極244電連接的像素電極 280。在本實施例中，像素電極280可透過第一開口 0P1及第二開口 OP2與 第二電容電極C2電連接，使得第一電容電極Cl、柵絕緣層230及像素電極 280構(gòu)成一種金屬層/絕緣層/銦錫氧化物(Metal-Insulator-ITO， MII)型態(tài)的 存儲電容。形成像素電極280的方法例如是先在介電層270、感光型黑矩陣 250與漏極244上形成一電極材料層(未繪示)，然后再圖案化此電極材料層。 其中，形成電極材料層的方法例如是通過濺射形成一銦錫氧化物層(Indium Tin Oxide, ITO)或一銦鋅氧化物層(Indium Zinc Oxide， IZO)。經(jīng)過上述的圖2A 圖2J步驟，可制得像素結(jié)構(gòu)200。值得注意的是，相 較于已知至少需要七道光刻和腐蝕工藝制作像素結(jié)構(gòu)200,本實施例僅需五道 光刻和腐蝕工藝及一道噴墨印刷工藝即可將彩色濾光層260直接整合于薄膜 晶體管TH陣列基板210上，因此本實施例所需的制造成本較低且工藝較為簡 化。而且，本實施例是以噴墨印刷的方式形成彩色濾光層260，因此本實施例 可有效節(jié)省彩色濾光層260的材料使用量，進而降低制造成本。此外，圖4為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。請參照圖4，于本 實施例中，像素結(jié)構(gòu)400與像素結(jié)構(gòu)200 (請參照圖2J)相似，兩者差異之處 僅在于像素結(jié)構(gòu)400不具有保護層。綜上所述，本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法至少具有下列優(yōu)點1. 本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其彩色濾光層不需使用光刻工藝， 故相較于光刻工藝所使用的高精度光刻和腐蝕工藝，能降低掩膜的制作成本。2. 由于制作像素結(jié)構(gòu)的步驟較少，可以減少冗長的光刻和腐蝕工藝(如 光刻膠涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝除等)及制作像素 結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生缺陷。3. 本發(fā)明的彩色濾光層使用噴墨印刷工藝，故相較于光刻工藝，能有效 降低材料費用，降低成本。4. 本發(fā)明是以感光型黑矩陣為光掩膜對導電層進行刻蝕，因此本發(fā)明可 減少一道光刻和腐蝕工藝，進而降低制作成本。雖然本發(fā)明己以實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng) 域相關(guān)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾， 因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求書的范圍為準。
權(quán)利要求
1、一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述方法包括于一基板上形成一柵極；于所述基板上形成一柵絕緣層以覆蓋所述柵極；于所述柵絕緣層上形成一溝道層；于所述溝道層與所述柵絕緣層上形成一導電層；于所述導電層上形成一感光型黑矩陣，其中所述感光型黑矩陣具有一彩色濾光層容納開口，且所述感光型黑矩陣包括一第一區(qū)塊以及一第二區(qū)塊，且所述第一區(qū)塊的厚度小于所述第二區(qū)塊的厚度；以所述感光型黑矩陣為光掩膜，圖案化所述導電層以于所述溝道層上形成一源極以及一漏極，其中所述柵極、所述溝道層、所述源極以及所述漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；通過噴墨印刷工藝于所述彩色濾光層容納開口內(nèi)形成一彩色濾光層；于所述感光型黑矩陣與所述彩色濾光層上形成一介電層；圖案化所述介電層，以使所述漏極暴露；以及形成一與所述漏極電連接的像素電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括于所 述感光型黑矩陣、所述薄膜晶體管以及所述柵絕緣層上形成一保護層。
3、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，圖案化所述 導電層的步驟包括以所述感光型黑矩陣為光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩陣覆蓋的 所述導電層，以于所述溝道層上形成所述源極與所述漏極；以及減少所述感光型黑矩陣的厚度，直到所述第一區(qū)塊被完全移除。
4、 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，移除部分未 被所述感光型黑矩陣覆蓋的所述導電層的步驟包括進行一濕法付蝕工藝。
5、 如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，減少感光型 黑矩陣厚度的步驟包括進行一干法刻蝕工藝，其中所述干法刻蝕工藝包括一 灰化工藝。
6、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述溝道層的形成步驟包括于所述柵絕緣層上形成一半導體材料層；以及 圖案化所述半導體材料層以形成一半導體層。
7、 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括于所 述半導體層表面形成一歐姆接觸層，其中圖案化所述導電層的步驟包括以所述感光型黑矩陣為光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩陣覆蓋的 所述導電層，以于所述溝道層上形成所述源極與所述漏極；以及移除在溝道層上的歐姆接觸層，再減少所述感光型黑矩陣的厚度，直到 所述第一區(qū)塊被完全移除，其中圖案化所述導電層的步驟包括以所述感光型黑矩陣為光掩膜，移除部分未被所述感光型黑矩陣覆蓋的 所述導電層，以于所述溝道層上形成所述源極與所述漏極；以及移除在溝道層上的歐姆接觸層，再減少所述感光型黑矩陣的厚度，直到 所述第一區(qū)塊被完全移除，其中移除在溝道層上的歐姆接觸層與減少感光型 黑矩陣厚度的步驟包括進行一干法刻蝕工藝。
8、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，圖案化所述 介電層的步驟包括于所述介電層上形成一光刻膠層；以及以所述光刻膠層為光掩膜，移除部分的所述介電層與部分的所述感光型 黑矩陣，以分別于所述介電層與所述感光型黑矩陣中形成一第一開口與一第 二開口。
9、 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述像 素電極的步驟包括形成一電極材料層于所述介電層、所述感光型黑矩陣與所述漏極上；以及圖案化所述電極材料層。
10、如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在形成柵 極的同時，還包括形成一第一電容電極，而在形成所述源極與所述漏極的同 時，還包括形成一第二電容電極，所述第一電容電極與所述第二電容電極構(gòu) 成一存儲電容器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法如下所述。首先，于基板上形成柵極，并于基板上形成柵絕緣層以覆蓋柵極。然后，于柵絕緣層上形成溝道層并于溝道層與柵絕緣層上形成導電層。接著，于導電層上形成具有彩色濾光層容納開口的感光型黑矩陣，其包括第一區(qū)塊與第二區(qū)塊，第一區(qū)塊的厚度小于第二區(qū)塊的厚度。然后，以感光型黑矩陣為光掩膜圖案化導電層以于溝道層上形成源極與漏極。之后，通過噴墨印刷工藝于彩色濾光層容納開口內(nèi)形成彩色濾光層，并于感光型黑矩陣與彩色濾光層上形成介電層。然后，圖案化介電層以使漏極暴露并形成與漏極電連接的像素電極。
文檔編號H01L21/84GK101330059SQ20081013430
公開日2008年12月24日 申請日期2008年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月22日
發(fā)明者余宙桓, 周漢唐, 廖達文, 張宗隆, 張家銘, 張峻愷, 江俊毅, 童振邦, 蕭祥志, 蔡佳琪, 賴哲永 申請人:友達光電股份有限公司