專利名稱：薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管顯示器及它們的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其制造方法、包括薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。更特別地，本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其 制造方法、包括薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方 法，在該薄膜晶體管中金屬催化劑的濃度根據(jù)使用金屬催化劑結晶的半導體 層的溝道區(qū)的位置而被調節(jié)。
背景技術：
通常，多晶硅層能用于高場效應遷移率和高操作電路，且能構成CMOS 電路。因此，多晶硅層廣泛用于薄膜晶體管的半導體層。采用多晶硅層的薄 膜晶體管一般用于有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)的有源元件，以及有機 發(fā)光二極管(OLED)的開關元件和驅動元件。使非晶硅結晶成為多晶硅的方法包括固相結晶(SPC)法、受激準分子 激光結晶(ELC)法、金屬誘導結晶(MIC)法和金屬誘導橫向結晶(MILC) 法。在SPC法中，在約70(TC或更低的溫度，即低于玻璃的轉變溫度(transition temperature)，該玻璃形成使用薄膜晶體管的顯示器的基板，將非晶硅層退 火數(shù)小時或數(shù)十小時。在ELC法中，受激準分子激光輻照到硅層上從而在 很短時間段以高溫局部加熱硅層，使得硅層結晶。在MIC法中，例如鎳、 鈀、金、鋁等的金屬放置為與非晶硅層接觸或被注入，使得非晶硅層變?yōu)槎?晶硅層，即，誘導相變。在MILC法中，金屬與硅反應所產(chǎn)生的硅化物橫向 且持續(xù)地擴散以順序地誘導非晶硅層的結晶。然而，SPC法花費長的處理時間，在高溫下長時間的退火工藝會帶來基 板變形的風險。同樣，在ELC法中，需要昂貴的激光器，且在多晶硅表面 上會產(chǎn)生突起，使得半導體層和柵極絕緣層之間的界面特性變差?，F(xiàn)在，由于在使用金屬來結晶非晶硅層的方法中，與SPC法相比，能在 更低溫度用更少時間來實現(xiàn)結晶，所以對使用金屬的結晶方法的研究正在積極進行。使用金屬來結晶非晶硅層的方法包括MIC法、MILC法和超顆粒硅 (Super Grain Silicon, SGS )結晶法。確定薄膜晶體管特性的因素之一是泄漏電流。具體地，在使用金屬催化 劑結晶的半導體層中，金屬催化劑會保留在溝道區(qū)中從而增大泄漏電流。因 此，除非溝道區(qū)中金屬催化劑的濃度被控制到預定濃度或更低，否則薄膜晶 體管的泄漏電流會增大且溝道區(qū)的電特性會劣化。發(fā)明內容本發(fā)明的多個方面提供一種具有優(yōu)良電性能的薄膜晶體管、制造該薄膜 晶體管的方法、以及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器，在該薄膜晶體管中， 根據(jù)半導體層的溝道區(qū)位置來調節(jié)金屬催化劑的濃度，該半導體層通過金屬 催化劑而被結晶。根據(jù)本發(fā)明一實施例，薄膜晶體管包括基板；設置在基板上的半導體 層，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)，且利用金屬催化劑-陂結晶；對應于半導體層 的預定區(qū)域設置的柵電極；柵絕緣層，設置在柵電極和半導體層之間以使柵 電極與半導體層絕緣；以及源和漏電極，電連接到半導體層的源和漏區(qū)，其 中金屬催化劑以在垂直方向上距半導體層表面150A之內超過0且不超過6.5 x 1017原子每cm3的濃度存在于半導體層的溝道區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明另一方面，制造薄膜晶體管的方法包括形成基板；在基板 上形成包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)的半導體層，該半導體層使用金屬催化劑被 結晶；形成對應于半導體層的預定區(qū)域設置的柵電極；在柵電極和半導體層 之間形成柵絕緣層以使半導體層與柵電極絕緣；以及形成分別電連接到半導 體層的源和漏區(qū)的源和漏電極；其中金屬催化劑以在垂直方向上距半導體層 表面150A之內超過0且不超過6.5 x IO"原子每cm3的濃度存在于半導體層 的溝道區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明又一方面， 一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括基 板；設置在基板上的半導體層，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)且使用金屬催化劑 被結晶；對應于半導體層的溝道區(qū)設置的柵電極；柵絕緣層，設置在柵電極 和半導體層之間以使半導體層與柵電極絕緣；分別電連接到半導體層的源和 漏區(qū)的源和漏電極；第一電極，電連接到源和漏電極中的一個；設置在第一 電極上的包括發(fā)光層的有機層；以及設置在有機層上的第二電極，其中金屬催化劑以在垂直方向上距半導體層表面150A之內超過0且不超過6.5x 1017 原子每cm3的濃度存在于半導體層的溝道區(qū)中。才艮據(jù)本發(fā)明的又一方面，制造OLED顯示器的方法包括形成基板；在 基板上形成包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)的半導體層，該半導體層使用金屬催化 劑被結晶；形成柵電極，該柵電極對應于半導體層的預定區(qū)域設置；在柵電 極和半導體層之間形成柵絕緣層以使半導體層與柵電極絕緣；形成電連接到 半導體層的源和漏區(qū)的源和漏電極；形成第一電極，電連接到源和漏電極中 的一個；在該第一電極上形成包括發(fā)光層的有機層；以及在有機層上形成第 二電極，其中金屬催化劑以在垂直方向上距半導體層表面150A之內超過0 且不超過6.5 x 1017原子每cm3的濃度存在于半導體層的溝道區(qū)中。根據(jù)本發(fā)明另 一 實施例，薄膜晶體管的半導體層包括溝道區(qū)以及源和漏 區(qū)，并且使用金屬催化劑被結晶；其中金屬催化劑以在垂直方向上距半導體 層表面150A之內超過0且不超過6.5x 1017原子每^113的濃度存在于半導體 層的溝道區(qū)中。本發(fā)明的其他方面和/或優(yōu)點將在后面的描述中部分地闡述，并且部分地 將由描述而明顯，或可以通過實踐本發(fā)明而習知。


本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點將從下面結合附圖對實施例的描述 變得更加清楚和更易于理解，附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管的截面圖；圖2為泄漏電流與采用金屬催化劑結晶的半導體層的溝道區(qū)中存在的金 屬催化劑濃度的關系圖；圖3A是表格，示出在圖2的具有4.0x 10 — "A4im或更小的每單位長度 l|im的電流泄漏值I。ff ( A/pm )的薄膜晶體管中，使用表面濃度測量裝置測 量的關于在垂直方向上距半導體層表面的深度的金屬催化劑的濃度值；圖3B為圖3A的表格中提供的濃度值與深度的關系圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管的截面圖；以及圖5為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管 (OLED)顯示器的截面圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的實施例，其示例示于附圖中，附圖中相似的附 圖標記始終指示相似的元件。下面描述實施例以參考

本發(fā)明。這里 將理解，這里描述一個層形成或設置在第二層"上，，時，第一層可以直接形 成或設置在第二層上，或者在第一層和第二層之間可以存在中間層。此外， 這里使用時，術語"形成在...上"與"位于...上"或"設置在...上"意思相 同并且不意謂著限制任何具體的制造工藝。圖1為才艮據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管的截面圖。參考圖1,提供了基板ioo。基板100可由玻璃或塑料形成。緩沖層110 可設置在基板100上。緩沖層110用來防止基板100中產(chǎn)生的濕氣或雜質的 擴散并控制結晶中的熱傳輸速率使得非晶硅層可容易地結晶。緩沖層110可由使用絕緣層例如硅氧化物層和硅氮化物層的單層或其多層形成。構圖的半導體層120設置在緩沖層IIO上。半導體層120是通過使用金 屬催化劑的方法例如MIC法、MILC法或SGS法結晶的半導體層且包括溝 道區(qū)121以及源和漏區(qū)122和123。例如，半導體層120可通過SGS法結晶 使得擴散到非晶硅層的金屬催化劑的濃度控制得較低。SGS法是將擴散到非晶硅層的金屬催化劑的濃度控制到低水平，從而晶 粒尺寸控制到數(shù)Hm至數(shù)百^m的結晶方法。作為示例，封蓋層可形成在非 晶硅層上，金屬催化劑層可形成在封蓋層上，可以進行退火工藝以擴散金屬 催化劑使得封蓋層提供對金屬催化劑擴散的控制?？商鎿Q地，在非晶硅層中 金屬催化劑的濃度可通過將金屬催化劑層形成得具有低濃度而不形成封蓋 層來控制到低水平。根據(jù)本發(fā)明一方面，在半導體層120的溝道區(qū)121中，在垂直方向上距 半導體層的表面150A內，金屬催化劑以超過0且不超過6.5x 10"原子每cm3 的濃度存在。這里使用時，術語"垂直方向"指垂直于半導體層表面的方向，圖2為泄漏電流與采用金屬催化劑結晶的半導體層的溝道區(qū)中存在的金 屬催化劑濃度的關系圖。這里，金屬催化劑的濃度(原子每cm3)標繪在水 平軸上，每單位長度l|im的電流泄漏值I。ff ( A/(im )標繪在垂直軸上。參考圖2，當金屬催化劑的濃度為9.55 x 1018、 5.99 x 1。18或1.31 x 1018 原子每cm3,超過6.5 x 1017原子每cm3時，觀察到每單位長度lpm的電流泄漏值I。ff ( A/^irn)為l.Ox 10^A/(im或更高。然而，當金屬催化劑的濃度 為6.5 x 1017原子每^113或更低時，觀察到每單位長度lpm的電流泄漏值I。ff(AyVm)為4.0x l(T13 A4im或更低。確定薄膜晶體管的特性的重要因素為 泄漏電流，當泄漏電流維持在每單位長度l|im的電流泄漏值I。ff ( A/pm )在 10^A4im量級或更低時，薄膜晶體管能具有優(yōu)良的電性能。因此，為了制 造表現(xiàn)出優(yōu)良電性能的薄膜晶體管，半導體層的溝道區(qū)中的金屬催化劑可控 制為具有6.5 x 10"原子每cmS或更低的濃度。圖3A是表格，示出在圖2的具有4.0x 10—"A4im或更低的每單位長度 lpm的電流泄漏值I。ff (A4im)的薄膜晶體管中，使用表面濃度測量裝置測 量的與在垂直方向上距半導體層表面的每個深度對應的金屬催化劑的濃度 值，圖3B為濃度值與深度的關系圖。在垂直方向上距半導體層表面的深度(A)標繪在水平軸上，金屬催化劑的濃度(原子每cm3)標繪在垂直軸上。 參考圖3A和3B，在圖2的具有4.0 x 10_13A/|im或更低的每單位長度 1,的電流泄漏值I。ff (A4im)的薄膜晶體管中，計算從半導體層的表面沿 垂直方向存在的金屬催化劑的總濃度，發(fā)現(xiàn)在垂直方向上距半導體層表面 150A內存在的金屬催化劑的總濃度為6.5xio卩原子每cm3。此外，發(fā)現(xiàn)在 沿垂直方向距半導體層表面超過150 A的位置處金屬催化劑的總濃度超過 6.5x 10"原子每cm3。然而，電性能仍然優(yōu)良。因此，能夠證實在沿垂直方 向超過150A的位置處金屬催化劑的濃度很少影響薄膜晶體管的泄漏電流特 性的確定。因此，參考圖2、 3A和3B，為了制造能夠維持每單位長度lpm.的電流 泄漏值I。ff (A/pm)在1(T"A/iim量級或更低的優(yōu)良電性能的薄膜晶體管， 半導體層的溝道區(qū)中金屬催化劑的濃度應控制為6.5x 1017原子每cit^或更 低，特別地，在垂直方向上距半導體層表面150A內的金屬催化劑濃度應控 制為6.5 x IO"原子每cn^或更低。再參考圖1，在形成半導體層120之后，柵絕緣層130設置在包括半導 體層120的基板的整個表面上。柵絕緣層130可以是硅氧化物層、硅氮化物 層或其組合。柵電極140設置在柵絕緣層130上以對應于半導體層120的預定區(qū)域。 柵電極140可由鋁(Al)或鋁合金例如鋁-釹(Al-Nd)的單層形成，或者由 多層形成，其中鋁合金堆疊在鉻(Cr)或鉬(Mo)合金上。層間絕緣層150設置在包括柵電極140的基板100的整個表面上。層間 絕緣層150可以是硅氮化物層、硅氧化物層或其組合。電連接到半導體層120的源區(qū)122和漏區(qū)123的源電極162和漏電極163 設置在層間絕緣層150上。源電極162和漏電極163可以由選自鉬(Mo )、 鉻(Cr)、鎢(W)、鉬-鴒(MoW)、鋁(Al)、鋁-釹(AlNd)、鈦(Ti )、氮 化鈦(TiN)、銅(Cu)、鉬(Mo)合金、鋁(Al)合金和銅(Cu)合金組成 的組中的一種形成。由此，制造了根據(jù)一實施例的薄膜晶體管。圖4為根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的薄膜晶體管的截面圖。參考圖4，準備基板400。緩沖層410可設置在基板400上。柵電極420 設置在緩沖層410上。柵絕緣層430設置在柵電極420上。圖案化的半導體層440設置在柵絕緣層430上。半導體層440是通過使 用金屬催化劑的方法例如MIC法、MILC法或SGS法結晶的半導體層，且 包括溝道區(qū)441以及源和漏區(qū)442和443。半導體層440可通過SGS法結晶 使得擴散到非晶硅層中的金屬催化劑的濃度低。在半導體層440的溝道區(qū)441中在沿垂直方向距半導體層440表面150A 內金屬催化劑以6.5x 10"原子每cr^或更低的濃度存在。如圖1的實施例所 述，參考圖2、 3A和3B，為了制造能夠維持每單位長度l(im的電流泄漏值 I。ff (A/pm)在l(T13 A/pm量級或更低的優(yōu)良電性能的薄膜晶體管，在半導 體層溝道區(qū)中的金屬催化劑的濃度應控制為6.5 x 1017原子每(^13或更低，特 別地，在垂直方向上距半導體層表面150A內的金屬催化劑的濃度可控制為 6.5 x 10"原子每cm3或更低。接下來，電連接到源區(qū)442和漏區(qū)443的源電極462和漏電極463設置 在半導體層440上。歐姆接觸層450可設置在半導體層440與源和漏電極462 和463之間。歐姆接觸層450可以是其中摻有雜質的非晶硅層。由此，制造出根據(jù)圖4的實施例的薄膜晶體管。圖5是根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的包括薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管 (OLED)顯示器的截面圖。參考圖5，絕緣層510形成在包括根據(jù)圖1的實施例的薄膜晶體管的基 板100的整個表面上。絕緣層510可以由選自硅氧化物層、硅氮化物層和旋 涂玻璃層(spin on glass layer)的無才幾層組成的組中的 一種形成，或者由選 自聚酰亞胺、苯環(huán)丁烯系樹脂(benzocyclobutene series resin)和丙辨酸酉旨(acrylate)的有機層組成的組中的一種形成。另外，絕緣層可由它們的堆疊 層形成。絕緣層510可被蝕刻以形成暴露源電極162或漏電極163的通孔。第一 電極520經(jīng)由通孔連接到源電極162和漏電極163中的一個。第一電極520 可形成為陽極或陰極。當?shù)谝浑姌O520是陽極時，陽極可以是透明導電層， 其由選自氧化銦錫(ITO )、氧化銦鋅(IZO )和氧化銦錫鋅(ITZO )組成的 組中的一種形成，當?shù)谝浑姌O520是陰極時，陰極可以由Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba或它們的合金形成。具有暴露第一電極520的部分表面的開口的像素定義層530形成在第一 電極520上，包括發(fā)光層的有機層540形成在暴露的第一電才及520上。從空 穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子注入層和電子傳輸 層組成的組中選擇的一層或更多層可以還包括在有機層540中。隨后，第二 電極550形成在有機層540上。由此，制造出根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例的 OLED顯示器件。因此，在根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管和OLED顯示器的半導體層的 溝道區(qū)中，用于結晶的金屬催化劑以6.5x 1017原子每cn^或更低的濃度存在 于距豐導體層表面150A之內，從而每單位長度l|im的電流泄漏值1。ff( A/pm) 變?yōu)?.0x 10 —"A/nm或更低。因此，當薄膜晶體管用在顯示器中時，表現(xiàn)出 優(yōu)良的電性能。根據(jù)本發(fā)明的方面，在使用金屬催化劑結晶的半導體層的薄膜晶體管和 OLED顯示器中，根據(jù)溝道區(qū)位置調節(jié)金屬催化劑的濃度，由此提供具有優(yōu) 良電性能的薄膜晶體管、制造該薄膜晶體管的方法、OLED顯示器、以及制 造OLED顯示器的方法。雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的一些實施例，然而本領域的一^:4支術人 員可以理解在不脫離由權利要求和它們的等價物所界定的本發(fā)明的原理和 精神的情況下，可以在此實施例中進行變化。
權利要求
1.一種薄膜晶體管，包括基板；半導體層，設置在所述基板上，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)，且利用金屬催化劑被結晶；柵電極，設置得對應于所述半導體層的預定區(qū)域；柵絕緣層，設置在所述柵電極和所述半導體層之間以使所述半導體層與所述柵電極絕緣；以及源和漏電極，電連接到所述半導體層的所述源和漏區(qū)，其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面150以內超過0且不超過6.5×1017原子每cm3的濃度存在于所述半導體層的所述溝道區(qū)中。
2. 如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層的所述溝道區(qū)具 有濃度梯度，其中距所述半導體層的表面150A內的所述金屬催化劑的濃度 與距所述半導體層的表面的距離成比例地增大。
3. 如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層通過超顆粒硅法 被結晶。
4. 如權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管具有超過0 且不超過4.0 x 10_13A/jim的每單位長度lpm的電流泄漏值I。ff ( A/pm )。
5. —種制造薄膜晶體管的方法，包括 形成基板；在所述基板上形成包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)的半導體層，該半導體層使用金屬催化劑被結晶；形成柵電極，該柵電極設置得對應于所述半導體層的預定區(qū)域； 在所述柵電極和所述半導體層之間形成柵絕緣層以使所述半導體層與所述柵電極絕緣；以及形成分別電連接到所述半導體層的源和漏區(qū)的源和漏電極； 其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面150A以內超過0且不超過6.5 x 10"原子每ci^的濃度存在于所述半導體層的所述溝道區(qū)中。
6. 如權利要求5所述的方法，其中所述半導體層的所述溝道區(qū)具有濃度 梯度，其中距所述半導體層的表面150A內的所述金屬催化劑的濃度與距所 述半導體層的表面的距離成比例地增大。
7. 如權利要求5所述的方法，其中所述半導體層通過超顆粒硅法被結曰曰曰-
8. 如權利要求5所述的方法，其中所述薄膜晶體管具有超過0且不超過 4.0 x 10_13A/|im的每單位長度l|im的電流泄漏值I。ff ( A/(im )。
9. 一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括 基板；半導體層，設置在所述基板上，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)，且利用金屬 催化劑被結晶；柵電極，設置得對應于所述半導體層的所述溝道區(qū)；柵絕緣層，設置在所述柵電極和所述半導體層之間以使所述半導體層與 所述柵電極絕緣；源和漏電極，分別電連接到所述半導體層的所述源和漏區(qū)，第一電極，電連接到所述源和漏電極中的一個；有機層，包括發(fā)光層，設置在所述第一電極上；以及第二電極，設置在所述有機層上，其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面150A以內 超過0且不超過6.5 x 1017原子每0113的濃度存在于所述半導體層的所述溝道 區(qū)中。
10. 如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述半導體層的 所述溝道區(qū)具有濃度梯度，其中距所述半導體層的表面150A內的所述金屬 催化劑的濃度與距所述半導體層的表面的距離成比例地增大。
11. 如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述半導體層通 過超顆粒硅法被結 晶。
12. 如權利要求9所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述薄膜晶體管 具有超過0且不超過4.0 x 1(T"A/pm的每單位長度l(im的電流泄漏值Ioff(A/jum )。
13. —種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，包括 形成基板；在所述基板上形成包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)的半導體層，所述半導體層使用金屬催化劑被結晶；形成柵電極，該柵電極設置得對應于所述半導體層的預定區(qū)域；在所述柵電極和所述半導體層之間形成柵絕緣層以使所述半導體層與 所述柵電極絕緣；形成電連接到所述半導體層的源和漏區(qū)的源和漏電極；形成電連接到所述源和漏電極之 一 的第 一 電極；在所述第一電極上形成包括發(fā)光層的有機層；以及在所述有機層上形成第二電極，其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表面150A以內 超過0且不超過6.5 x 1017原子每《113的濃度存在于所述半導體層的所述溝道 區(qū)中。
14. 如權利要求13所述的方法，其中所述半導體層的所述溝道區(qū)具有濃 度梯度，其中距所述半導體層的表面150A內的所述金屬催化劑的濃度與距 所述半導體層的表面的距離成比例地增大。
15. 如權利要求13所述的方法，其中所述半導體層通過超顆粒硅法被結晶。
16. 如權利要求13所述的方法，其中所述薄膜晶體管具有超過O且不超 過4.0 x l(T 13A/|_im的每單位長度lpm的電流泄漏值I。ff ( A/|im )。
17. —種薄膜晶體管的半導體層，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)，且使用金 屬催化劑被結晶；其中所述金屬催化劑以在垂直方向上距所述半導體層的表 面150A以內超過0且不超過6.5 x 10"原子每cmS的濃度存在于所述半導體 層的所述溝道區(qū)中。
18. 如權利要求17所述的半導體層，其中所述溝道區(qū)具有濃度梯度，其 中距所述半導體層的表面150A內的所述金屬催化劑的濃度與距所述半導體 層的表面的距離成比例地增大。
19. 如權利要求17所述的半導體層，其中所述半導體層通過超顆粒硅法 被結晶。
20. 如權利要求17所述的半導體層，具有超過0且不超過4.0 x 10 — 13A/|im的每單位長度lpm的電流泄漏值I。ff ( A/^im )。
全文摘要
本發(fā)明提供薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管顯示器以及它們的制造方法。該薄膜晶體管包括基板；半導體層，設置在所述基板上，包括溝道區(qū)以及源和漏區(qū)，且利用金屬催化劑被結晶；柵電極，設置得對應于所述半導體層的預定區(qū)域；柵絕緣層，設置在所述柵電極和所述半導體層之間以使所述半導體層與所述柵電極絕緣；以及源和漏電極，分別電連接到所述半導體層的所述源和漏區(qū)。在所述半導體層的所述溝道區(qū)中，在垂直方向上距所述半導體層的表面150以內的所述金屬催化劑形成得具有超過0且不超過6.5×10¹⁷原子每cm³的濃度。所述有機發(fā)光二極管顯示器包括該薄膜晶體管。
文檔編號H01L29/36GK101335302SQ20081013175
公開日2008年12月31日 申請日期2008年6月27日 優(yōu)先權日2007年6月27日
發(fā)明者徐晉旭, 樸炳建, 李吉遠, 李基龍, 梁泰勛 申請人:三星Sdi株式會社