專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制法，特別是涉及一種覆晶式半 導(dǎo)體裝置及其制法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置應(yīng)用在通訊、網(wǎng)絡(luò)、電腦、家電制品、事務(wù)機器、相 機、甚至游戲機器等，從產(chǎn)業(yè)用機器到周遭工具、便攜式機器各種領(lǐng) 域，其需求正急速地成長。隨著其急速成長的需求，除要求半導(dǎo)體裝
置的小型化、多接腳(pin)化、薄型化之外，另一方卻無法停止為了小 型化、多接腳化、薄型化而需抑制功能惡化或成本變高，故更強烈期 望要更高性能化與低成本化。
為了達(dá)成上述小型化、薄型化、多接腳化的目的，是將基板與芯 片連接方式從現(xiàn)有的金細(xì)線的打線接合(wire bonding)型，開發(fā)出一種 不需要金細(xì)線的覆晶型半導(dǎo)體裝置，已經(jīng)成為現(xiàn)在的半導(dǎo)體裝置的主 流。
如圖1所示，是在芯片200的芯片墊201上形成金屬凸塊210，以 將基板100的焊墊101與該芯片200的芯片墊201通過該金屬凸塊210 以熱熔或壓合方式電性連接。而現(xiàn)有線路圖案化工藝形成焊墊時，可 分為干式蝕刻法及濕式蝕刻法，由于干式蝕刻法雖可確保焊墊尺寸的 精確度，但干式蝕刻法所耗費的時間成本太大，顯然也不符合所需。 因此，在現(xiàn)有線路圖案化工藝中大多采用成本低廉且制造快速的濕式 蝕刻法。
濕式蝕刻法主要是采用強酸或強堿蝕刻液(Etchant)的擴散效應(yīng) (DiffUsion)與待蝕刻的金屬層的表面分子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，以完成蝕刻移 除；然而，由于濕式蝕刻為一等向性(Isotropic)蝕刻，因此在蝕刻作業(yè) 中該金屬層上表面因與蝕刻液長時間接觸而使所形成的線路剖面上表 面嚴(yán)重蝕刻變形，如此后續(xù)在該基板上接置半導(dǎo)體芯片，如圖2所示，
6在該焊墊101與該芯片墊201壓接時，該金屬凸塊J10.易因按壓而成 為扁平狀，降低該焊墊101與該芯片墊201間的接合度；相對地，如
欲加速蝕刻速率，減少金屬層上表面因與蝕刻液的接觸時間接觸，即 須降低該金屬層厚度，然而，如此將導(dǎo)致線路易發(fā)生剝離等可靠性問 題，反而增加制造困難度。
因此，如何提出一種具良好電性連接的焊墊的基板，可克服背景 技術(shù)的種種缺陷，以進(jìn)行半導(dǎo)體芯片封裝工藝，實已成為目前急待克 服的難題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，本發(fā)明的一個目的是提供一種改 善現(xiàn)有濕式蝕刻線路缺陷的半導(dǎo)體裝置及其制法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種避免干式蝕刻法所造成的耗費成 本及蝕刻選擇性不佳等問題的半導(dǎo)體裝置及其制法。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種可提升制造工藝可靠性的半導(dǎo)體 裝置及其制法。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種可提升基板與芯片的接合度的半 導(dǎo)體裝置及其制法。
為達(dá)到上述及其他目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制法，
該制法包括提供一在表面形成有連接凸塊電性連接內(nèi)部電路的半導(dǎo) 體芯片、以及濕蝕刻表面的導(dǎo)電性金屬層以形成焊墊供電性連接該連 接凸塊的基板；將所述半導(dǎo)體芯片翻轉(zhuǎn)，使所述連接凸塊與所述焊墊 彼此對應(yīng)；以及壓合該基板與該半導(dǎo)體芯片，且壓合該連接凸塊與該 焊墊的溫度小于該焊墊及該連接凸塊的熔點，使所述焊墊嵌合至所述 連接凸塊之內(nèi)。
在一實施例中，該制法包括提供一核心板，且以濕式蝕刻方式 在該核心板的表面形成多個焊墊；以及提供一半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體
芯片的作用表面上具有多個連接凸塊，并將該半導(dǎo)體芯片與該基板以 壓合方式令該連接凸塊與該焊墊互相嵌合而電性連接，且壓合該連接 凸塊與該焊墊的溫度小于該焊墊及該連接凸塊的熔點。
在另一個實施例中，半導(dǎo)體裝置的制法可包括提供一核心板，且在該核心板的表面形成金屬層；在該金屬層上形成一光阻層，且令該
光阻層形成有多個開口，以外露部分該金屬層；利用蝕刻液移除外露 出該開口的金屬層，并移除該光阻層，以于該核心板的表面形成多個 焊墊，且該焊墊的頂面的截面寬度小于該焊墊的底面的截面寬度，以 形成基板結(jié)構(gòu)；以及提供一半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片的作用表面上 具有多個連接凸塊，且該連接凸塊的尺寸大于該焊墊的尺寸，以供該 半導(dǎo)體芯片與該基板通過該連接凸塊與該焊墊以壓合方式使其互相嵌 合而電性連接，且壓合該連接凸塊與該焊墊間的溫度小于該焊墊及該 連接凸塊的熔點。
本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括表面具有連接 凸塊與內(nèi)部電路電性連接的半導(dǎo)體芯片以及表面具有焊墊以電性連接 該連接凸塊的基板，該半導(dǎo)體芯片與該基板是通過該連接凸塊與該焊 墊間的壓合而電性連接，其特征在于該焊墊是通過將較所述連接凸
塊更為硬質(zhì)的導(dǎo)電性金屬予以濕蝕刻而形成于所述基板上，該連接焊 墊嵌合至該連接凸塊之內(nèi)，且該連接凸塊與該焊墊的壓合溫度小于該 焊墊及該連接凸塊的熔點。
在一實施例中，該焊墊的頂面的截面寬度小于該焊墊的底面的截 面寬度，且該連接凸塊的尺寸大于該基板焊墊的尺寸。具體而言，該 連接凸塊具有第一接觸端，該焊墊具有在壓合該基板與該半導(dǎo)體芯片 的步驟中對應(yīng)連接該第一接觸端的第二接觸端，且該第一接觸端的寬 度大于該第二接觸端的寬度。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法是在基板表面以蝕刻方式形 成頂面截面寬度小于底面截面寬度的焊墊，同時提供一具有連接凸塊 的半導(dǎo)體芯片，該連接凸塊的尺寸大于該基板的焊墊的尺寸，且該連 接凸塊的材料硬度小于該焊墊的材料硬度，以供該半導(dǎo)體芯片與該基 板通過該連接凸塊與該焊墊以壓合方式使其互相嵌合而電性連接，通 過該焊墊與該連接凸塊的嵌合結(jié)構(gòu)，以減少該基板與該半導(dǎo)體芯片間 的應(yīng)力，增加該焊墊與該連接凸塊的接合強度，以及提升制造工藝的 可靠性。
再者，本發(fā)明還可將傳統(tǒng)濕式蝕刻的缺點轉(zhuǎn)換成本發(fā)明的優(yōu)點， 直接利用較厚的金屬層即可進(jìn)行濕式蝕刻作業(yè)形成適合覆晶半導(dǎo)體芯片接合的具細(xì)線路且高可靠性的基板，避免使用薄金屬層進(jìn)行濕式蝕 刻工藝所造成可靠性不佳，或因使用干式蝕刻的高成本及蝕刻選擇性 不佳等問題。


圖1及圖2為現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的示意圖3A至圖3G為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制法的剖面示意圖4A至圖4C為本發(fā)明的變化實施例的示意圖。
主要元件符號說明100核心板
100，基板
101金屬層
101a接觸端邊
102光阻層
103開口
110焊墊
1101第二接觸端
111頂面
112底面
120線路層
200半導(dǎo)體芯片
210金屬凸塊
2101第一接觸端
220覆晶底面填膠
具體實施例方式
以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人 員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。
首先，應(yīng)了解的是，本發(fā)明的制法是提供一在表面形成有連接凸 塊電性連接內(nèi)部電路的半導(dǎo)體芯片、以及濕蝕刻表面的導(dǎo)電性金屬層以形成焊墊供電性連接該連接凸塊的基板；將所述半導(dǎo)體芯片翻轉(zhuǎn)， 使所述連接凸塊與所述焊墊彼此對應(yīng)；以及壓合該基板與該半導(dǎo)體芯 片，且壓合該連接凸塊與該焊墊的溫度是小于該焊墊及該連接凸塊的 熔點，使所述焊墊嵌合至所述連接凸塊之內(nèi)。再而，本發(fā)明的半導(dǎo)體 裝置包括表面具有連接凸塊與內(nèi)部電路電性連接的半導(dǎo)體芯片以及表 面具有焊墊以電性連接該連接凸塊的基板，該半導(dǎo)體芯片與該基板是 通過該連接凸塊與該焊墊間的壓合而電性連接，其特征在于該焊墊 是通過將較所述連接凸塊更為硬質(zhì)的導(dǎo)電性金屬予以濕蝕刻而形成于 所述基板上，該連接焊墊嵌合至該連接凸塊之內(nèi)，且該連接凸塊與該 焊墊的壓合溫度小于該焊墊及該連接凸塊的熔點。是以，下列各實施 例僅為例示性說明，而非用以限制本發(fā)明。
請參閱圖3A至圖3F，為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置一實施例的制法示 意圖。
如圖3A至圖3B所示，提供一核心板100，并在該核心板100的 表面形成一材料可為銅、鎳或鎳銅合金等金屬材料的金屬層101 。接著， 在該金屬層101上形成一光阻層102，且對該光阻層102進(jìn)行曝光、顯 影等圖案化工藝，以形成多個外露出部分金屬層101的開口 103。
如圖3C及圖3D所示，選擇一可蝕刻該金屬層101材料的酸性溶 液或堿性溶液等蝕刻液，以移除外露出該開口 103的金屬層101，藉以 在該核心板100上形成多個圖案化的焊墊IIO及線路層120，當(dāng)然也可 僅在該核心板IOO上形成焊墊110，以制得后續(xù)供接置半導(dǎo)體芯片的封 裝基板100'，也就是說，通過蝕刻液的擴散效應(yīng)(DiffUsion)及該開口 103 所外露的金屬層101的表面分子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)以完成蝕刻移除。
如圖3E至圖3F所示，由于該蝕刻液具有擴散效應(yīng)，當(dāng)該外露的 金屬層101通過蝕刻液蝕刻移除時，在蝕刻過程中，外露出光阻層開 孔103的金屬層101與該光阻層102的接觸面101a長時間受蝕刻液蝕 刻，該接觸面101a受蝕刻作用的影響較金屬層101其它部分更為嚴(yán)重， 因此，當(dāng)蝕刻作業(yè)完成后移除光阻層102時，使這些焊墊110及該線 路層120的截面形成凸出面形狀，即令該焊墊110及該線路層120的 頂面111的截面寬度即會小于其底面112的截面寬度。
如圖3G所示，提供一半導(dǎo)體芯片200，且該半導(dǎo)體芯片200的作
10用表面上具有多個芯片墊(圖中未示)，并在該半導(dǎo)體芯片200的芯片墊
上形成金屬凸塊210作為連接凸塊。在本實施例中，該金屬凸塊210 可選自材料硬度小于該焊墊110的材料硬度的材料所構(gòu)成，如焊錫或 金等金屬材料，該金屬凸塊210尺寸大于該基板IOO，的焊墊110頂面 尺寸；更詳而言之，本實施例中作為該連接凸塊的金屬凸塊210具有 第一接觸端2101，該焊墊110具有對應(yīng)連接該第一接觸端2101的第二 接觸端1101，且該第一接觸端2101的寬度大于該第二接觸端1101的 寬度。
換言之，在其他實施例中，該焊墊110與該金屬凸塊210在進(jìn)行 壓合時相對連接的接觸表面(可為平行或不平行的表面)可具有不同尺 寸，只要該第一接觸端2101的寬度大于該第二接觸端1101的寬度即 可。同時，雖本實施例的連接凸塊為該金屬凸塊210，在其他實施例中 也改變該連接凸塊的材料，而非局限于此。
接著，將所述半導(dǎo)體芯片200翻轉(zhuǎn)，使所述作為連接凸塊的金屬 凸塊210與所述焊墊IIO彼此對應(yīng)。在本實施例中，是通過覆晶方式 將具有該金屬凸塊210的半導(dǎo)體芯片200通過壓合、熱壓合、或熱音 波壓合(thermal sonic compression)等工藝與具有該焊墊110的基板100， 壓合連接，令該基板100'與該半導(dǎo)體芯片200電性連接。
由于該金屬凸塊210的尺寸大于該焊墊110的尺寸，且該金屬凸 塊210的材料硬度則小于該焊墊110的材料硬度，從而使該半導(dǎo)體芯 片200與該基板100'以壓合方式互相嵌合而電性連接，該焊墊110與 該金屬凸塊210形成一相對的凹凸結(jié)構(gòu)，藉以增加該焊墊110與該金 屬凸塊210的接合強度，同時減少該基板100'與該半導(dǎo)體芯片200間 的應(yīng)力，以提升后續(xù)半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品可靠性。
在本實施例中，該金屬凸塊210與該焊墊110間的壓合溫度必須 小于該焊墊及該金屬凸塊的熔點，例如焊錫的熔點為183°C，金的熔點 為1063°C，銅的熔點為1083°C，而鎳的熔點為1453°C，鎳銅合金的熔 點為1083至1455。C(視鎳銅的比例而定)，即本實施例中壓合溫度的范 圍約于50度至180度之間；但，當(dāng)使用不同的金屬凸塊210與焊墊110 時，所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)知所述范圍也隨之改變，只要該金 屬凸塊210與該焊墊110間的壓合溫度小于該焊墊及該金屬凸塊的熔點即可，而有關(guān)壓合時的壓力與時間控制均為規(guī)有技米，'在此不苒贅 述。
再者，須注意的是，該金屬凸塊210材料硬度與該焊墊110的材 料硬度并不限于上述的實施例，該金屬凸塊210的材料硬度也可以大 于該焊墊110的材料硬度，使該金屬凸塊210可嵌合于該焊墊110內(nèi)。 此時，該金屬凸塊210的尺寸小于該焊墊110的尺寸，而且不受限于 本實施例中該焊墊110的頂面的截面寬度小于該焊墊110的底面的截 面寬度、以及該金屬凸塊210的尺寸與材料硬度大于該焊墊110的尺 寸與材料硬度的限制。
另外，在該半導(dǎo)體芯片200與該基板100'間還可形成覆晶底面填 膠材料(underfi11)220，以保護(hù)該金屬凸塊210，并增加該半導(dǎo)體芯片200 及該基板間的機械接合強度。
再請參閱圖4A至圖4C，是顯示本發(fā)明的變化實施例，該焊墊110 與該金屬凸塊210在進(jìn)行壓合時相對連接的接觸表面可為平行的表面 (如圖4B及圖4C所示)或不平行的表面(如圖4A所示)且具有不同尺寸， 只要該第一接觸端2101的寬度大于該第二接觸端1101的寬度即可。 在此須注意的是，該焊墊110或該線路層120的形狀并不限于所述實 施例所示的錐形的形狀，也可通過蝕刻液的選擇及蝕刻時間的控制等 條件而形成例如為三角形(如圖4A所示，僅顯示該焊墊110的形狀)、 梯形(如圖4B所示，僅顯示該焊墊110的形狀)或彈頭形(如圖4C所示， 僅顯示該焊墊110的形狀)等其頂面截面寬度小于其底面截面寬度的形 狀。
通過所述制法，本實施例還提供一半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包 括基板100'，其表面具有多個以濕式蝕刻方式形成的焊墊110;以及 半導(dǎo)體芯片200，該半導(dǎo)體芯片200的作用表面上具有多個金屬凸塊 210，以供該半導(dǎo)體芯片200與該基板100'通過該金屬凸塊210與該焊 墊110以壓合方式使其互相嵌合而電性連接，且該金屬凸塊210與該 焊墊110間的壓合溫度小于該焊墊110及該金屬凸塊210的熔點。另 外，本實施例中該焊墊110的頂面的截面寬度小于該焊墊110的底面 的截面寬度，但所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員可理解，只要該第一接觸 端2101的寬度大于該第二接觸端1101的寬度即可。
12因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制法可利用傳統(tǒng)濕式蝕刻方式于 基板表面形成凸出面形狀，其頂面截面寬度小于其底面截面寬度的焊 墊，再將具有該焊墊的基板壓合連接于具有連接凸塊的半導(dǎo)體芯片， 該連接凸塊可為金屬凸塊。當(dāng)該連接凸塊為金屬凸塊之際，該金屬凸 塊的尺寸大于該基板的焊墊的尺寸，且該金屬凸塊的材料硬度小于該 焊墊的材料硬度，以供該半導(dǎo)體芯片與該基板通過該金屬凸塊與該焊 墊以壓合方式使其互相嵌合而電性連接，且該金屬凸塊與該焊墊間的 壓合溫度小于該焊墊及該金屬凸塊的熔點。因而，相比于現(xiàn)有技術(shù)， 本發(fā)明可通過嵌合結(jié)構(gòu)減少該基板與該半導(dǎo)體芯片間的應(yīng)力，以增加 該焊墊與該金屬凸塊的接合強度，進(jìn)而提升后續(xù)半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)品可 靠性。
再者，本發(fā)明還可將傳統(tǒng)濕式蝕刻的缺點轉(zhuǎn)換成本發(fā)明的優(yōu)點， 直接利用較厚的金屬層即可進(jìn)行濕式蝕刻作業(yè)形成適合覆晶半導(dǎo)體芯 片接合的具細(xì)線路且高可靠性的基板，避免使用薄金屬層進(jìn)行濕式蝕 刻工藝所造成的可靠性不佳，或使用干式蝕刻的高成本及蝕刻選擇性 不佳等問題。
上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制 本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下， 對上述實施例進(jìn)行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)以 權(quán)利要求書的范圍為依據(jù)。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體裝置，包括表面具有連接凸塊與內(nèi)部電路電性連接的半導(dǎo)體芯片以及表面具有焊墊以電性連接該連接凸塊的基板，該半導(dǎo)體芯片與該基板是通過該連接凸塊與該焊墊間的壓合而電性連接，其特征在于該焊墊是通過將較所述連接凸塊更為硬質(zhì)的導(dǎo)電性金屬予以濕蝕刻而形成于所述基板上，該連接焊墊嵌合至該連接凸塊之內(nèi)，且該連接凸塊與該焊墊的壓合溫度小于該焊墊及該連接凸塊的熔點。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該焊墊的截 面形狀為凸出面形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該焊墊的頂 面的截面寬度小于該焊墊的底面的截面寬度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該焊墊的截 面形狀為錐形、梯形、三角形及彈頭形的其中一者。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該連接凸塊 具有第一接觸端，該焊墊具有對應(yīng)連接該第一接觸端的第二接觸端， 且該第一接觸端的寬度大于該第二接觸端的寬度。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該連接凸塊 為金屬凸塊，該金屬凸塊的材料選自焊錫或金的其中一者。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該焊墊的材 料選自銅、鎳或鎳銅合金的其中一者。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該基板還包 括有以濕式蝕刻方式形成于該基板表面上的多個線路層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述線路層的頂面的截面寬度小于該線路層的底面的截面寬度。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述線路 層的截面形狀為錐形、梯形、三角形或彈頭形的其中一者。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該半導(dǎo)體 芯片與該基板間還形成有覆晶底面填膠材料。
12、 一種半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，包括 提供一在表面形成有連接凸塊電性連接內(nèi)部電路的半導(dǎo)體芯片、以及濕蝕刻表面的導(dǎo)電性金屬層以形成焊墊供電性連接該連接凸塊的 基板；將所述半導(dǎo)體芯片翻轉(zhuǎn)，使所述連接凸塊與所述焊墊彼此對應(yīng)；以及壓合該基板與該半導(dǎo)體芯片，且壓合該連接凸塊與該焊墊的溫度 小于該焊墊及該連接凸塊的熔點，使所述焊墊嵌合至所述連接凸塊之 內(nèi)。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于還包括提供一核心板，且以濕式蝕刻方式在該核心板的表面形成多個焊 墊，以制得一基板。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該悍墊的截面形狀為凸出面形狀。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該焊墊的頂面的截面寬度小于該焊墊的底面的截面寬度。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該焊墊的截面形狀為錐形、梯形、三角形或彈頭形的其中一者。
17、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該連接凸塊具有第一接觸端，該焊墊具有在壓合該基板與該半等體芯片 的步驟中對應(yīng)連接該第一接觸端的第二接觸端，且該第一接觸端的寬 度大于該第二接觸端的寬度。
18、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 基板還包括以濕式蝕刻方式形成于該基板表面上的多個線路層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 些線路層的頂面的截面寬度小于該線路層的底面的截面寬度。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 些線路層的截面形狀為錐形、梯形、三角形或彈頭形的其中一者。
21、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 半導(dǎo)體芯片的連接凸塊與該基板的焊墊間的壓合方式是通過熱壓合或 熱音波壓合的其中一方式連接。
22、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于壓合該連接凸塊與該焊墊間的溫度是于50度至180度的范圍內(nèi)。
23、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 連接凸塊的材料硬度小于該基板的焊墊的材料硬度。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 連接凸塊為金屬凸塊，該金屬凸塊的材料選自焊錫或金的其中一者。
25、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該焊墊的 材料選自銅、鎳或鎳銅合金的其中一者。
26、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該半導(dǎo)體 芯片與該基板間還形成有覆晶底面填膠材料。
27、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，包括提供一核心板，且在該核心板的表面形成金屬層； 在該金屬層上形成一光阻層，且令該光阻層形成有多個開口，以外露部分該金屬層；以及利用蝕刻液移除外露出該開口的金屬層，并移除該光阻層，以于該核心板的表面形成多個焊墊。
28、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于該 焊墊的頂面的截面寬度小于該焊墊的底面的截面寬度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置及其制法，主要是以濕式蝕刻方式在基板表面形成焊墊，同時翻轉(zhuǎn)作用表面形成有多個連接凸塊的半導(dǎo)體芯片，通過該連接凸塊對應(yīng)接置于該基板的焊墊上，其中壓合該連接凸塊與該焊墊的溫度小于該焊墊及該連接凸塊的熔點，以供該半導(dǎo)體芯片與該基板通過該連接凸塊與該焊墊以壓合方式使其互相嵌合而電性連接，以增加該焊墊與該連接凸塊的接合強度及提升制造工藝的可靠性。
文檔編號H01L21/603GK101562159SQ200810130650
公開日2009年10月21日 申請日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月16日
發(fā)明者蔡憲聰 申請人:聯(lián)測科技股份有限公司